Accueil Électricité & Électronique Circuit Intégré Transistor à effet de champ 2024 Liste de Produits

Transistor à effet de champ

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Original3667 2sk transistor à effet de champ Silicon 2sk3667 transistor MOSFET à canal N

Original3667 2sk transistor à effet de champ Silicon 2sk3667 transistor MOSFET à canal N

Original3667 2sk transistor à effet de champ Silicon 2sk3667 transistor MOSFET à canal N

Original3667 2sk transistor à effet de champ Silicon 2sk3667 transistor MOSFET à canal N

Original3667 2sk transistor à effet de champ Silicon 2sk3667 transistor MOSFET à canal N

Original3667 2sk transistor à effet de champ Silicon 2sk3667 transistor MOSFET à canal N

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Collection

Original3667 2sk transistor à effet de champ Silicon 2sk3667 transistor MOSFET à canal N

0,01-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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forme: Appartement

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Semiconductor IC

Emballage: N/a

Standard: N/A

Marque Déposée: N/A

Nouveaux circuits intégrés Niko-SEM Pk632ba champ du mode d'amélioration du canal N Transistor à effet sans halogène et sans plomb en stock

Nouveaux circuits intégrés Niko-SEM Pk632ba champ du mode d'amélioration du canal N Transistor à effet sans halogène et sans plomb en stock

Nouveaux circuits intégrés Niko-SEM Pk632ba champ du mode d'amélioration du canal N Transistor à effet sans halogène et sans plomb en stock

Nouveaux circuits intégrés Niko-SEM Pk632ba champ du mode d'amélioration du canal N Transistor à effet sans halogène et sans plomb en stock

Nouveaux circuits intégrés Niko-SEM Pk632ba champ du mode d'amélioration du canal N Transistor à effet sans halogène et sans plomb en stock

Nouveaux circuits intégrés Niko-SEM Pk632ba champ du mode d'amélioration du canal N Transistor à effet sans halogène et sans plomb en stock

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Collection

Nouveaux circuits intégrés Niko-SEM Pk632ba champ du mode d'amélioration du canal N Transistor à effet sans halogène et sans plomb en stock

0,99-1,19 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

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Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Semiconductor IC

Emballage: Tape and Reel

Standard: 5.8x4.9mm

Marque Déposée: NIKO-SEM

Origine: Original

(Composants électroniques) transistor à effet de champ mode d'amélioration du canal P Aod4185

(Composants électroniques) transistor à effet de champ mode d'amélioration du canal P Aod4185

(Composants électroniques) transistor à effet de champ mode d'amélioration du canal P Aod4185

(Composants électroniques) transistor à effet de champ mode d'amélioration du canal P Aod4185

(Composants électroniques) transistor à effet de champ mode d'amélioration du canal P Aod4185

(Composants électroniques) transistor à effet de champ mode d'amélioration du canal P Aod4185

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Collection

(Composants électroniques) transistor à effet de champ mode d'amélioration du canal P Aod4185

0,081-0,084 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Hangzhou Electric Driving Technology Co., Ltd.

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forme: TREMPER

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Emballage: Carton Box

Standard: 22x17

Marque Déposée: EDT

Origine: Zhejiang

Transistor MOS à effet de champ, canal P, nouveau et original (IPB90P04P4L)

Transistor MOS à effet de champ, canal P, nouveau et original (IPB90P04P4L)

Transistor MOS à effet de champ, canal P, nouveau et original (IPB90P04P4L)

Transistor MOS à effet de champ, canal P, nouveau et original (IPB90P04P4L)

Transistor MOS à effet de champ, canal P, nouveau et original (IPB90P04P4L)

Transistor MOS à effet de champ, canal P, nouveau et original (IPB90P04P4L)

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Collection

Transistor MOS à effet de champ, canal P, nouveau et original (IPB90P04P4L)

1 Pièce (MOQ)

Hangzhou Electric Driving Technology Co., Ltd.

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forme: Appartement

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thick Film IC

Emballage: Carton Box

Standard: 22x17

Marque Déposée: EDT

Circuits intégrés d'origine transistor to-220 à effet de champ de puissance Irfz34npbf

Circuits intégrés d'origine transistor to-220 à effet de champ de puissance Irfz34npbf

Circuits intégrés d'origine transistor to-220 à effet de champ de puissance Irfz34npbf

Circuits intégrés d'origine transistor to-220 à effet de champ de puissance Irfz34npbf

Circuits intégrés d'origine transistor to-220 à effet de champ de puissance Irfz34npbf

Circuits intégrés d'origine transistor to-220 à effet de champ de puissance Irfz34npbf

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Collection

Circuits intégrés d'origine transistor to-220 à effet de champ de puissance Irfz34npbf

0,2-0,3 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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forme: Appartement

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Semiconductor IC

Emballage: N/a

Standard: N/A

Marque Déposée: N/A

L'original à-220 Fqp10n60 10n60 Mosfet transistor à effet de champ

L'original à-220 Fqp10n60 10n60 Mosfet transistor à effet de champ

L'original à-220 Fqp10n60 10n60 Mosfet transistor à effet de champ

L'original à-220 Fqp10n60 10n60 Mosfet transistor à effet de champ

L'original à-220 Fqp10n60 10n60 Mosfet transistor à effet de champ

L'original à-220 Fqp10n60 10n60 Mosfet transistor à effet de champ

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Collection

L'original à-220 Fqp10n60 10n60 Mosfet transistor à effet de champ

0,01-0,1 $US / Pièce

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Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Semiconductor IC

Emballage: N/a

Standard: N/A

Marque Déposée: N/A

Origine: Original

1/ 4

Collection

Ipp d'origine60R190c6 600V20Un transistor Field-Effect IPP d'alimentation60R190C6

0,01-0,1 $US / Pièce

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Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Semiconductor IC

Emballage: N/a

Standard: N/A

Marque Déposée: N/A

Origine: Original

Transistors de puissance 600 V à transistor à effet de champ Ipaw60r600CE d'origine

Transistors de puissance 600 V à transistor à effet de champ Ipaw60r600CE d'origine

Transistors de puissance 600 V à transistor à effet de champ Ipaw60r600CE d'origine

Transistors de puissance 600 V à transistor à effet de champ Ipaw60r600CE d'origine

Transistors de puissance 600 V à transistor à effet de champ Ipaw60r600CE d'origine

Transistors de puissance 600 V à transistor à effet de champ Ipaw60r600CE d'origine

1/ 6

Collection

Transistors de puissance 600 V à transistor à effet de champ Ipaw60r600CE d'origine

0,01-0,1 $US / Pièce

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Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Semiconductor IC

Emballage: N/a

Standard: N/A

Marque Déposée: N/A

Origine: Original

MOS transistor à effet de champ Irfp150n 42A / 100V transistor en ligne à-247 / d3p

MOS transistor à effet de champ Irfp150n 42A / 100V transistor en ligne à-247 / d3p

MOS transistor à effet de champ Irfp150n 42A / 100V transistor en ligne à-247 / d3p

MOS transistor à effet de champ Irfp150n 42A / 100V transistor en ligne à-247 / d3p

MOS transistor à effet de champ Irfp150n 42A / 100V transistor en ligne à-247 / d3p

MOS transistor à effet de champ Irfp150n 42A / 100V transistor en ligne à-247 / d3p

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Collection

MOS transistor à effet de champ Irfp150n 42A / 100V transistor en ligne à-247 / d3p

1,77-2,00 $US / Pièce

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forme: TREMPER

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thick Film IC

Capacité de Production: 10000

Tube MOS irf540 transistor à effet de champ de canal220N 100V20A

Tube MOS irf540 transistor à effet de champ de canal220N 100V20A

Tube MOS irf540 transistor à effet de champ de canal220N 100V20A

Tube MOS irf540 transistor à effet de champ de canal220N 100V20A

Tube MOS irf540 transistor à effet de champ de canal220N 100V20A

Tube MOS irf540 transistor à effet de champ de canal220N 100V20A

1/ 6

Collection

Tube MOS irf540 transistor à effet de champ de canal220N 100V20A

0,001-10,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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forme: TREMPER

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thick Film IC

Emballage: Tube

Standard: Plastic and copper

Marque Déposée: CHN

Le protocole STP9NK50Z P9NK50z à-220 Paquet en ligne tube MOS transistor à effet de champ

Le protocole STP9NK50Z P9NK50z à-220 Paquet en ligne tube MOS transistor à effet de champ

Le protocole STP9NK50Z P9NK50z à-220 Paquet en ligne tube MOS transistor à effet de champ

Le protocole STP9NK50Z P9NK50z à-220 Paquet en ligne tube MOS transistor à effet de champ

Le protocole STP9NK50Z P9NK50z à-220 Paquet en ligne tube MOS transistor à effet de champ

Le protocole STP9NK50Z P9NK50z à-220 Paquet en ligne tube MOS transistor à effet de champ

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Le protocole STP9NK50Z P9NK50z à-220 Paquet en ligne tube MOS transistor à effet de champ

0,8-2,00 $US / Pièce

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forme: TREMPER

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thick Film IC

Capacité de Production: 10000

Transistor d'alimentation de l'IRFS4010-7d'origine ppbf Package à-263 tube MOS transistor à effet de champ

Transistor d'alimentation de l'IRFS4010-7d'origine ppbf Package à-263 tube MOS transistor à effet de champ

Transistor d'alimentation de l'IRFS4010-7d'origine ppbf Package à-263 tube MOS transistor à effet de champ

Transistor d'alimentation de l'IRFS4010-7d'origine ppbf Package à-263 tube MOS transistor à effet de champ

Transistor d'alimentation de l'IRFS4010-7d'origine ppbf Package à-263 tube MOS transistor à effet de champ

Transistor d'alimentation de l'IRFS4010-7d'origine ppbf Package à-263 tube MOS transistor à effet de champ

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Collection

Transistor d'alimentation de l'IRFS4010-7d'origine ppbf Package à-263 tube MOS transistor à effet de champ

3,00-4,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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forme: Appartement

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thick Film IC

Emballage: Standard Packaging

Standard: Light path - through the external light path

Origine: Chn

Hot vendre SPA08n80c3 IC MOS transistor à effet de champ

Hot vendre SPA08n80c3 IC MOS transistor à effet de champ

Hot vendre SPA08n80c3 IC MOS transistor à effet de champ

Hot vendre SPA08n80c3 IC MOS transistor à effet de champ

Hot vendre SPA08n80c3 IC MOS transistor à effet de champ

Hot vendre SPA08n80c3 IC MOS transistor à effet de champ

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Hot vendre SPA08n80c3 IC MOS transistor à effet de champ

1,45-2,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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forme: TREMPER

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Semiconductor IC

Code SH: 85412100

Tic106D pour-220 Transistor de puissance transistor à effet de champ

Tic106D pour-220 Transistor de puissance transistor à effet de champ

Tic106D pour-220 Transistor de puissance transistor à effet de champ

Tic106D pour-220 Transistor de puissance transistor à effet de champ

Tic106D pour-220 Transistor de puissance transistor à effet de champ

Tic106D pour-220 Transistor de puissance transistor à effet de champ

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Tic106D pour-220 Transistor de puissance transistor à effet de champ

0,001-2,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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forme: TREMPER

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thin Film IC

Canal P en mode d'amélioration de niveau logique transistor à effet de champ NPD6020p

Canal P en mode d'amélioration de niveau logique transistor à effet de champ NPD6020p

Canal P en mode d'amélioration de niveau logique transistor à effet de champ NPD6020p

Canal P en mode d'amélioration de niveau logique transistor à effet de champ NPD6020p

Canal P en mode d'amélioration de niveau logique transistor à effet de champ NPD6020p

Canal P en mode d'amélioration de niveau logique transistor à effet de champ NPD6020p

1/ 6

Collection

Canal P en mode d'amélioration de niveau logique transistor à effet de champ NPD6020p

0,9-1,78 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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forme: TREMPER

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thick Film IC

Emballage: Woven

Standard: DIP

Marque Déposée: Original

Alimentation commune to-220 transistor à effet de champ STP55NF06 60 V 55A NOTE

Alimentation commune to-220 transistor à effet de champ STP55NF06 60 V 55A NOTE

Alimentation commune to-220 transistor à effet de champ STP55NF06 60 V 55A NOTE

Alimentation commune to-220 transistor à effet de champ STP55NF06 60 V 55A NOTE

Alimentation commune to-220 transistor à effet de champ STP55NF06 60 V 55A NOTE

Alimentation commune to-220 transistor à effet de champ STP55NF06 60 V 55A NOTE

1/ 6

Collection

Alimentation commune to-220 transistor à effet de champ STP55NF06 60 V 55A NOTE

3,03-5,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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forme: Appartement

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thick Film IC

Capacité de Production: 10000

Canal P transistor à effet de champ 74A/55V/200W à-220 IRF4905pbf IRF4905

Canal P transistor à effet de champ 74A/55V/200W à-220 IRF4905pbf IRF4905

Canal P transistor à effet de champ 74A/55V/200W à-220 IRF4905pbf IRF4905

Canal P transistor à effet de champ 74A/55V/200W à-220 IRF4905pbf IRF4905

Canal P transistor à effet de champ 74A/55V/200W à-220 IRF4905pbf IRF4905

Canal P transistor à effet de champ 74A/55V/200W à-220 IRF4905pbf IRF4905

1/ 6

Collection

Canal P transistor à effet de champ 74A/55V/200W à-220 IRF4905pbf IRF4905

0,09 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

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forme: TREMPER

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thick Film IC

Capacité de Production: 10000

Tout nouveau transistor à effet de champ MOS BS250kl BS250 to-92 d'origine

Tout nouveau transistor à effet de champ MOS BS250kl BS250 to-92 d'origine

Tout nouveau transistor à effet de champ MOS BS250kl BS250 to-92 d'origine

Tout nouveau transistor à effet de champ MOS BS250kl BS250 to-92 d'origine

Tout nouveau transistor à effet de champ MOS BS250kl BS250 to-92 d'origine

Tout nouveau transistor à effet de champ MOS BS250kl BS250 to-92 d'origine

1/ 6

Collection

Tout nouveau transistor à effet de champ MOS BS250kl BS250 to-92 d'origine

0,44-1,33 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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forme: Appartement

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thin Film IC

Emballage: Woven

Standard: Material: Silicon tube

Marque Déposée: JDP

Haute puissance à courant élevé BSC093N04lsg transistor à effet de champ

Haute puissance à courant élevé BSC093N04lsg transistor à effet de champ

Haute puissance à courant élevé BSC093N04lsg transistor à effet de champ

Haute puissance à courant élevé BSC093N04lsg transistor à effet de champ

Haute puissance à courant élevé BSC093N04lsg transistor à effet de champ

Haute puissance à courant élevé BSC093N04lsg transistor à effet de champ

1/ 6

Collection

Haute puissance à courant élevé BSC093N04lsg transistor à effet de champ

0,5-0,8 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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forme: Appartement

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thick Film IC

Emballage: Roll

Standard: Plastic and copper

Marque Déposée: CHN

Collection

Fqpf3n90 transistor à effet de champ 3A900V220F 3N90

0,58-1,6 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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forme: TREMPER

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thick Film IC

Capacité de Production: 10000

Mode d'amélioration de canal P transistor à effet de champ 8-SOIC FDS9435UN 9435un MOSFET

Mode d'amélioration de canal P transistor à effet de champ 8-SOIC FDS9435UN 9435un MOSFET

Mode d'amélioration de canal P transistor à effet de champ 8-SOIC FDS9435UN 9435un MOSFET

Mode d'amélioration de canal P transistor à effet de champ 8-SOIC FDS9435UN 9435un MOSFET

Mode d'amélioration de canal P transistor à effet de champ 8-SOIC FDS9435UN 9435un MOSFET

Mode d'amélioration de canal P transistor à effet de champ 8-SOIC FDS9435UN 9435un MOSFET

1/ 6

Collection

Mode d'amélioration de canal P transistor à effet de champ 8-SOIC FDS9435UN 9435un MOSFET

0,01-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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forme: Appartement

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Semiconductor IC

Emballage: N/a

Standard: N/A

Marque Déposée: N/A

De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

1/ 6

Collection

De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

0,38-0,45 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

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Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Semiconductor IC

Emballage: T/R

Standard: 30V 4.2A

Marque Déposée: Vishay

Origine: Original

1/ 2

Collection

Le protocole STP3nb60 transistor à effet de champ N-Canal 300V12Un tout nouveau

0,66-0,98 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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forme: TREMPER

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thick Film IC

Nouvel original de petits appareils électroniques de composants électroniques de puces IC06-07Vishay somme110p L-E3 transistor MOSFET canal P 110 a 60 V 2+Tab-Pin à-263 en stock

Nouvel original de petits appareils électroniques de composants électroniques de puces IC06-07Vishay somme110p L-E3 transistor MOSFET canal P 110 a 60 V 2+Tab-Pin à-263 en stock

Nouvel original de petits appareils électroniques de composants électroniques de puces IC06-07Vishay somme110p L-E3 transistor MOSFET canal P 110 a 60 V 2+Tab-Pin à-263 en stock

Nouvel original de petits appareils électroniques de composants électroniques de puces IC06-07Vishay somme110p L-E3 transistor MOSFET canal P 110 a 60 V 2+Tab-Pin à-263 en stock

Nouvel original de petits appareils électroniques de composants électroniques de puces IC06-07Vishay somme110p L-E3 transistor MOSFET canal P 110 a 60 V 2+Tab-Pin à-263 en stock

Nouvel original de petits appareils électroniques de composants électroniques de puces IC06-07Vishay somme110p L-E3 transistor MOSFET canal P 110 a 60 V 2+Tab-Pin à-263 en stock

1/ 6

Collection

Nouvel original de petits appareils électroniques de composants électroniques de puces IC06-07Vishay somme110p L-E3 transistor MOSFET canal P 110 a 60 V 2+Tab-Pin à-263 en stock

1,31-1,46 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

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Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Semiconductor IC

Emballage: Bulk

Standard: 110 A 60 V

Marque Déposée: Vishay

Origine: Original

Ixtp34n65X2 transistor FET, transistor MOSFET simple, MOSFET

Ixtp34n65X2 transistor FET, transistor MOSFET simple, MOSFET

Ixtp34n65X2 transistor FET, transistor MOSFET simple, MOSFET

Ixtp34n65X2 transistor FET, transistor MOSFET simple, MOSFET

Ixtp34n65X2 transistor FET, transistor MOSFET simple, MOSFET

Ixtp34n65X2 transistor FET, transistor MOSFET simple, MOSFET

1/ 6

Collection

Ixtp34n65X2 transistor FET, transistor MOSFET simple, MOSFET

2,55-3,21 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Shenzhen Zhizhao Electronics Co., Ltd

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forme: Appartement

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thin Film IC

Emballage: Tray, Box

Standard: SMD/SMT

Marque Déposée: Original brand

Ipb117n20nfd 17+ produits semiconducteurs discrets transistors - FET, MOSFET - simple

Ipb117n20nfd 17+ produits semiconducteurs discrets transistors - FET, MOSFET - simple

Ipb117n20nfd 17+ produits semiconducteurs discrets transistors - FET, MOSFET - simple

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Ipb117n20nfd 17+ produits semiconducteurs discrets transistors - FET, MOSFET - simple

Ipb117n20nfd 17+ produits semiconducteurs discrets transistors - FET, MOSFET - simple

1/ 6

Collection

Ipb117n20nfd 17+ produits semiconducteurs discrets transistors - FET, MOSFET - simple

0,1-1,00 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Gawin Electronic Technology Co., Ltd.

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forme: Appartement

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thick Film IC

Emballage: Carton

Standard: 1

Marque Déposée: 1

Ipb015n08n5atma1 IC MOSFET canal N 80V 180A TO263-7 Ipb015

Ipb015n08n5atma1 IC MOSFET canal N 80V 180A TO263-7 Ipb015

Ipb015n08n5atma1 IC MOSFET canal N 80V 180A TO263-7 Ipb015

Ipb015n08n5atma1 IC MOSFET canal N 80V 180A TO263-7 Ipb015

Ipb015n08n5atma1 IC MOSFET canal N 80V 180A TO263-7 Ipb015

Ipb015n08n5atma1 IC MOSFET canal N 80V 180A TO263-7 Ipb015

1/ 6

Collection

Ipb015n08n5atma1 IC MOSFET canal N 80V 180A TO263-7 Ipb015

0,1 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thick Film IC

Emballage: N/a

Standard: DIP/SMD

Marque Déposée: N/A

Origine: Original

Circuit N 100V Nce0125ak circuit intégré circuit à diode électronique d'origine To-252 composants MOSFET Nce0125ak

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Circuit N 100V Nce0125ak circuit intégré circuit à diode électronique d'origine To-252 composants MOSFET Nce0125ak

0,03-0,1 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Semiconductor IC

Emballage: Cardboard Box

Marque Déposée: NCE

Origine: China

Code SH: 8541290000

IC GATE DRVR IGBT ZXGD/MOSFET3009E6TA

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IC GATE DRVR IGBT ZXGD/MOSFET3009E6TA

0,32-2,5 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

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Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thick Film IC

Emballage: Box

Origine: China

Code SH: 8542390000

Capacité de Production: 1000000PCS

Composants électroniques de nouveau et original IR MOS FET IRF630N à canal N-220 de l'IRF63n

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Composants électroniques de nouveau et original IR MOS FET IRF630N à canal N-220 de l'IRF63n

500 Pièces (MOQ)

Hangzhou Electric Driving Technology Co., Ltd.

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forme: TREMPER

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Emballage: Carton Box

Standard: 22x17

Marque Déposée: EDT

Origine: Zhejiang

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