Transistor à effet de champ de Chine, liste de produits Transistor à effet de champ de Chine sur fr.Made-in-China.com

Collection

Mrfe6vp6300h : transistor à effet de champ de puissance RF, MOSFET, Freescale, NXP, Semiconductor

1 Pièce (MOQ)

Kaiheng Electronics Co., Limited

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Emballage: Tape and Reel

Code SH: 8542330000

Capacité de Production: 10000PCS/Month

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Mrfe6vp6300h : transistor à effet de champ de puissance RF, MOSFET, Freescale, large bande, MOSFET

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Code SH: 8542330000

Capacité de Production: 10000PCS/Month

Collection

Le MRF151G : Field-Effect transistor de puissance RF, 300 W, 50 V, 175 MHz MOSFET à canal N haut débit, Macom, pour le transmetteur

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Capacité de Production: 100000PCS/Month

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Le MRF151G : Field-Effect transistor de puissance RF, 300 W, l'émetteur Mosfet, Macom, Commercial de la large bande

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Capacité de Production: 100000PCS/Month

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Le MRF151 : Field-Effect transistor de puissance RF 150W, transmetteur FM, le MOSFET

1 Pièce (MOQ)

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Emballage: Box

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Le MRF151G : Field-Effect transistor de puissance RF, 300 W, pour une émission FM ou de bandes de fréquences de canal TV, MOSFET, Macom

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Capacité de Production: 100000PCS/Month

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Le MRF151 Field-Effect transistor MOSFET de puissance RF, 300 W de puissance de sortie

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Capacité de Production: 100000PCS/Month

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Le MRF151G : Field-Effect transistor de puissance RF, 300 W, 50 V, 175 MHz MOSFET à canal N haut débit, Macom, original et nouveau

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Capacité de Production: 100000PCS/Month

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Le MRF151G : Field-Effect transistor de puissance RF, 300 W, 50 V, 175 MHz MOSFET à canal N haut débit, Macom

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Capacité de Production: 100000PCS/Month

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Mrfe6VP6300h : la puissance RF transistor à effet de champ, MOSFET, Freescale, NXP, Ros, la diffusion

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Emballage: Tape and Reel

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Capacité de Production: 10000PCS/Month

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Le MRF151 : puissance RF, transistor MOSFET Field-Effect

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Emballage: Box

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Mrfe6VP6300h : la puissance RF transistor à effet de champ, MOSFET, Freescale, NXP, Mrfe6VP6300HR3

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Emballage: Tape and Reel

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Capacité de Production: 10000PCS/Month

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Mrfe6VP6300H : Transistors à effet de champ de puissance RF N--canal, le MOSFET

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Code SH: 8542330000

Capacité de Production: 10000PCS/Month

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Le MRF151 : Field-Effect transistor de puissance RF 150W, MOSFET à canal N haut débit

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Emballage: Box

Collection

Le MRF151G : Field-Effect transistor de puissance RF, 300 W, émetteur, Macom MOSFET

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Code SH: 8542330000

Capacité de Production: 100000PCS/Month

Collection

Le MRF151 transistor MOSFET de puissance RF Field-Effect

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Code SH: 8542330000

Capacité de Production: 100000PCS/Month

Collection

Le MRF151G : Field-Effect transistor de puissance RF, 300 W, 50 V, 175 MHz MOSFET à canal N haut débit, Macom

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Code SH: 8542330000

Capacité de Production: 100000PCS/Month

Collection

Blf574xr : Émetteur de radiodiffusion, la puissance RF haute fréquence, transistor LDMOS micro-ondes, NXP, 600W, le MOSFET

1 Pièce (MOQ)

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Emballage: Box

Origine: USA

Code SH: 8542330000

Collection

Rd15RPLP1 : Dispositif sensible à l électrostatique, Silicon transistor MOSFET de puissance, 175MHz, 520MHz, 15W

4,5 $US / Pièce

5 Pièces (MOQ)

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Demande: Radio

Emballage: Box

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Collection

Mrfe6VP61K25hr5 : la puissance RF transistors Mosfet Ldmos, Mrfe6VP61K25hr, transistor

1 Pièce (MOQ)

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État: Nouveau

Marque Déposée: NXP

Code SH: 8542330000

Capacité de Production: 10000PCS/Month

Collection

600 W LDMOS pour diffusion transistor de puissance et industriel, la bande HF à 500 MHz. Blf574xr, Blf574XRS, Ampleon, sot1214A, le MOSFET

1 Pièce (MOQ)

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Emballage: Box

Origine: USA

Code SH: 8542330000

Collection

Mrfe6VP61K25hr5 : Transistors de puissance RF Ldmos, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50V, MOSFET, diffusion à large bande

1 Pièce (MOQ)

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Marque Déposée: NXP

Code SH: 8542330000

Capacité de Production: 10000PCS/Month

Collection

Blf884P : 350 W Ldmos transistor de puissance RF, l'émetteur884PS, MOSFET TVO

1 Pièce (MOQ)

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Emballage: Box

Code SH: 8542330000

Collection

MOSFET 600 W pour les applications de transmetteur broadcast et les applications industrielles. Conçu pour un fonctionnement à large bande (470 MHz à 860 MHz)

1 Pièce (MOQ)

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Demande: Radio

Emballage: Ceramic Package, Sot539A

Standard: 20pcs/box

Code SH: 8542330000

Capacité de Production: 100000

Collection

Blf184xr de-62 original de composants électroniques MOSFET Ampleon Blf Blf184xr184 Blf184xr

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État: Nouveau

Code SH: 8542330000

Capacité de Production: 10000PCS/Month

Collection

Blf888A, applications de transmetteur de communication dans la bande UHF, gain de puissance élevé, MOSFET RF

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Demande: Radio

Emballage: Ceramic Package, Sot539A

Standard: 20pcs/box

Code SH: 8542330000

Capacité de Production: 100000

Collection

Irfp250M : le MOSFET N-CH 200V 30A à247AC, Irfp250mpbf

5 Pièces (MOQ)

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Emballage: Box

Code SH: 8542330000

Collection

Blf574xr ; blf574xrs, transistor LDMOS de puissance, Ampléon, RF, MOSFET

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Origine: USA

Code SH: 8542330000

Transistor à effet de champ

Mrfe6vp6300h : transistor à effet de champ de puissance RF, MOSFET, Freescale, NXP, Semiconductor

Mrfe6vp6300h : transistor à effet de champ de puissance RF, MOSFET, Freescale, large bande, MOSFET

Le MRF151G : Field-Effect transistor de puissance RF, 300 W, 50 V, 175 MHz MOSFET à canal N haut débit, Macom, pour le transmetteur

Le MRF151G : Field-Effect transistor de puissance RF, 300 W, l'émetteur Mosfet, Macom, Commercial de la large bande

Le MRF151 : Field-Effect transistor de puissance RF 150W, transmetteur FM, le MOSFET

Le MRF151G : Field-Effect transistor de puissance RF, 300 W, pour une émission FM ou de bandes de fréquences de canal TV, MOSFET, Macom

Le MRF151 Field-Effect transistor MOSFET de puissance RF, 300 W de puissance de sortie

Le MRF151G : Field-Effect transistor de puissance RF, 300 W, 50 V, 175 MHz MOSFET à canal N haut débit, Macom, original et nouveau

Le MRF151G : Field-Effect transistor de puissance RF, 300 W, 50 V, 175 MHz MOSFET à canal N haut débit, Macom

Mrfe6VP6300h : la puissance RF transistor à effet de champ, MOSFET, Freescale, NXP, Ros, la diffusion

Le MRF151 : puissance RF, transistor MOSFET Field-Effect

Mrfe6VP6300h : la puissance RF transistor à effet de champ, MOSFET, Freescale, NXP, Mrfe6VP6300HR3

Mrfe6VP6300H : Transistors à effet de champ de puissance RF N--canal, le MOSFET

Le MRF151 : Field-Effect transistor de puissance RF 150W, MOSFET à canal N haut débit

Le MRF151G : Field-Effect transistor de puissance RF, 300 W, émetteur, Macom MOSFET

Le MRF151 transistor MOSFET de puissance RF Field-Effect

Le MRF151G : Field-Effect transistor de puissance RF, 300 W, 50 V, 175 MHz MOSFET à canal N haut débit, Macom

Blf574xr : Émetteur de radiodiffusion, la puissance RF haute fréquence, transistor LDMOS micro-ondes, NXP, 600W, le MOSFET

Rd15RPLP1 : Dispositif sensible à l électrostatique, Silicon transistor MOSFET de puissance, 175MHz, 520MHz, 15W

Mrfe6VP61K25hr5 : la puissance RF transistors Mosfet Ldmos, Mrfe6VP61K25hr, transistor

600 W LDMOS pour diffusion transistor de puissance et industriel, la bande HF à 500 MHz. Blf574xr, Blf574XRS, Ampleon, sot1214A, le MOSFET

Mrfe6VP61K25hr5 : Transistors de puissance RF Ldmos, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50V, MOSFET, diffusion à large bande

Blf884P : 350 W Ldmos transistor de puissance RF, l'émetteur884PS, MOSFET TVO

MOSFET 600 W pour les applications de transmetteur broadcast et les applications industrielles. Conçu pour un fonctionnement à large bande (470 MHz à 860 MHz)

Blf184xr de-62 original de composants électroniques MOSFET Ampleon Blf Blf184xr184 Blf184xr

Blf888A, applications de transmetteur de communication dans la bande UHF, gain de puissance élevé, MOSFET RF

Irfp250M : le MOSFET N-CH 200V 30A à247AC, Irfp250mpbf

Blf574xr ; blf574xrs, transistor LDMOS de puissance, Ampléon, RF, MOSFET

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