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Canal magnétique

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100V P-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance d'applications Fetures Diode performances de commutation supérieure WAYON-OMM18P10T1

100V P-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance d'applications Fetures Diode performances de commutation supérieure WAYON-OMM18P10T1

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100V P-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance d'applications Fetures Diode performances de commutation supérieure WAYON-OMM18P10T1

100V P-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance d'applications Fetures Diode performances de commutation supérieure WAYON-OMM18P10T1

100V P-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance d'applications Fetures Diode performances de commutation supérieure WAYON-OMM18P10T1

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Collection

100V P-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance d'applications Fetures Diode performances de commutation supérieure WAYON-OMM18P10T1

0,09-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

MOSFET de puissance à canal N double 30 V faible charge Miller entrée/sortie faible Fuite SOP-8 Fetures applications SiliconGear-SGD30N24S

MOSFET de puissance à canal N double 30 V faible charge Miller entrée/sortie faible Fuite SOP-8 Fetures applications SiliconGear-SGD30N24S

MOSFET de puissance à canal N double 30 V faible charge Miller entrée/sortie faible Fuite SOP-8 Fetures applications SiliconGear-SGD30N24S

MOSFET de puissance à canal N double 30 V faible charge Miller entrée/sortie faible Fuite SOP-8 Fetures applications SiliconGear-SGD30N24S

MOSFET de puissance à canal N double 30 V faible charge Miller entrée/sortie faible Fuite SOP-8 Fetures applications SiliconGear-SGD30N24S

MOSFET de puissance à canal N double 30 V faible charge Miller entrée/sortie faible Fuite SOP-8 Fetures applications SiliconGear-SGD30N24S

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance à canal N double 30 V faible charge Miller entrée/sortie faible Fuite SOP-8 Fetures applications SiliconGear-SGD30N24S

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

85V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille PDFN 5x6-8L Applications Fetures Silicongear-DG85N03Q

85V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille PDFN 5x6-8L Applications Fetures Silicongear-DG85N03Q

85V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille PDFN 5x6-8L Applications Fetures Silicongear-DG85N03Q

85V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille PDFN 5x6-8L Applications Fetures Silicongear-DG85N03Q

85V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille PDFN 5x6-8L Applications Fetures Silicongear-DG85N03Q

85V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille PDFN 5x6-8L Applications Fetures Silicongear-DG85N03Q

1/ 6

Collection

85V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille PDFN 5x6-8L Applications Fetures Silicongear-DG85N03Q

0,14-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

80V N-MOSFET de puissance canal Fetures unique chargé de la capacité d'applications-263 / Silicongear-DG80N02HG

80V N-MOSFET de puissance canal Fetures unique chargé de la capacité d'applications-263 / Silicongear-DG80N02HG

80V N-MOSFET de puissance canal Fetures unique chargé de la capacité d'applications-263 / Silicongear-DG80N02HG

80V N-MOSFET de puissance canal Fetures unique chargé de la capacité d'applications-263 / Silicongear-DG80N02HG

80V N-MOSFET de puissance canal Fetures unique chargé de la capacité d'applications-263 / Silicongear-DG80N02HG

80V N-MOSFET de puissance canal Fetures unique chargé de la capacité d'applications-263 / Silicongear-DG80N02HG

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Collection

80V N-MOSFET de puissance canal Fetures unique chargé de la capacité d'applications-263 / Silicongear-DG80N02HG

0,09-0,92 $US / Pièce

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

SiliconGear SG150N06P TO-220 VDSS, 150 V RDS(ON), 12 mΩ (max.)@VGS=10V, ID, 119A, transistor MOSFET de puissance à canal N 150 V.

SiliconGear SG150N06P TO-220 VDSS, 150 V RDS(ON), 12 mΩ (max.)@VGS=10V, ID, 119A, transistor MOSFET de puissance à canal N 150 V.

SiliconGear SG150N06P TO-220 VDSS, 150 V RDS(ON), 12 mΩ (max.)@VGS=10V, ID, 119A, transistor MOSFET de puissance à canal N 150 V.

SiliconGear SG150N06P TO-220 VDSS, 150 V RDS(ON), 12 mΩ (max.)@VGS=10V, ID, 119A, transistor MOSFET de puissance à canal N 150 V.

SiliconGear SG150N06P TO-220 VDSS, 150 V RDS(ON), 12 mΩ (max.)@VGS=10V, ID, 119A, transistor MOSFET de puissance à canal N 150 V.

SiliconGear SG150N06P TO-220 VDSS, 150 V RDS(ON), 12 mΩ (max.)@VGS=10V, ID, 119A, transistor MOSFET de puissance à canal N 150 V.

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Collection

SiliconGear SG150N06P TO-220 VDSS, 150 V RDS(ON), 12 mΩ (max.)@VGS=10V, ID, 119A, transistor MOSFET de puissance à canal N 150 V.

0,98-1,00 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

-40V p-MOSFET de puissance canal On-Resistance Faible Faible capacité d'entrée Applications Fetures Silicongear-psc4028Q

-40V p-MOSFET de puissance canal On-Resistance Faible Faible capacité d'entrée Applications Fetures Silicongear-psc4028Q

-40V p-MOSFET de puissance canal On-Resistance Faible Faible capacité d'entrée Applications Fetures Silicongear-psc4028Q

-40V p-MOSFET de puissance canal On-Resistance Faible Faible capacité d'entrée Applications Fetures Silicongear-psc4028Q

-40V p-MOSFET de puissance canal On-Resistance Faible Faible capacité d'entrée Applications Fetures Silicongear-psc4028Q

-40V p-MOSFET de puissance canal On-Resistance Faible Faible capacité d'entrée Applications Fetures Silicongear-psc4028Q

1/ 6

Collection

-40V p-MOSFET de puissance canal On-Resistance Faible Faible capacité d'entrée Applications Fetures Silicongear-psc4028Q

0,09-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Faible capacité d'entrée faible charge Miller batteries secondaires lithium-ion 60 V. MOSFET de puissance N-Channel Fetures applications SiliconGear-SG60N03LI

Faible capacité d'entrée faible charge Miller batteries secondaires lithium-ion 60 V. MOSFET de puissance N-Channel Fetures applications SiliconGear-SG60N03LI

Faible capacité d'entrée faible charge Miller batteries secondaires lithium-ion 60 V. MOSFET de puissance N-Channel Fetures applications SiliconGear-SG60N03LI

Faible capacité d'entrée faible charge Miller batteries secondaires lithium-ion 60 V. MOSFET de puissance N-Channel Fetures applications SiliconGear-SG60N03LI

Faible capacité d'entrée faible charge Miller batteries secondaires lithium-ion 60 V. MOSFET de puissance N-Channel Fetures applications SiliconGear-SG60N03LI

Faible capacité d'entrée faible charge Miller batteries secondaires lithium-ion 60 V. MOSFET de puissance N-Channel Fetures applications SiliconGear-SG60N03LI

1/ 6

Collection

Faible capacité d'entrée faible charge Miller batteries secondaires lithium-ion 60 V. MOSFET de puissance N-Channel Fetures applications SiliconGear-SG60N03LI

0,09-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Silicongear DG100N03PB À-220AB-D VDSS=100V RDS(ON) max. VGS=10V 10mΩ ID=77A de la DG-FET™ 100V N-Canal MOSFET de puissance

Silicongear DG100N03PB À-220AB-D VDSS=100V RDS(ON) max. VGS=10V 10mΩ ID=77A de la DG-FET™ 100V N-Canal MOSFET de puissance

Silicongear DG100N03PB À-220AB-D VDSS=100V RDS(ON) max. VGS=10V 10mΩ ID=77A de la DG-FET™ 100V N-Canal MOSFET de puissance

Silicongear DG100N03PB À-220AB-D VDSS=100V RDS(ON) max. VGS=10V 10mΩ ID=77A de la DG-FET™ 100V N-Canal MOSFET de puissance

Silicongear DG100N03PB À-220AB-D VDSS=100V RDS(ON) max. VGS=10V 10mΩ ID=77A de la DG-FET™ 100V N-Canal MOSFET de puissance

Silicongear DG100N03PB À-220AB-D VDSS=100V RDS(ON) max. VGS=10V 10mΩ ID=77A de la DG-FET™ 100V N-Canal MOSFET de puissance

1/ 6

Collection

Silicongear DG100N03PB À-220AB-D VDSS=100V RDS(ON) max. VGS=10V 10mΩ ID=77A de la DG-FET™ 100V N-Canal MOSFET de puissance

0,98-1,00 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

LSB65R180GT TO-247 canal N 650 V, 20 a, MOSFET de puissance LonFETTM 0,18 Ω

LSB65R180GT TO-247 canal N 650 V, 20 a, MOSFET de puissance LonFETTM 0,18 Ω

LSB65R180GT TO-247 canal N 650 V, 20 a, MOSFET de puissance LonFETTM 0,18 Ω

LSB65R180GT TO-247 canal N 650 V, 20 a, MOSFET de puissance LonFETTM 0,18 Ω

LSB65R180GT TO-247 canal N 650 V, 20 a, MOSFET de puissance LonFETTM 0,18 Ω

LSB65R180GT TO-247 canal N 650 V, 20 a, MOSFET de puissance LonFETTM 0,18 Ω

1/ 6

Collection

LSB65R180GT TO-247 canal N 650 V, 20 a, MOSFET de puissance LonFETTM 0,18 Ω

0,695 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Mode d'amélioration du canal N sensibilité à l'humidité du transistor à effet de champ niveau 1 PDFN5060-8L applications des engrais YJGD60G04HHQ

Mode d'amélioration du canal N sensibilité à l'humidité du transistor à effet de champ niveau 1 PDFN5060-8L applications des engrais YJGD60G04HHQ

Mode d'amélioration du canal N sensibilité à l'humidité du transistor à effet de champ niveau 1 PDFN5060-8L applications des engrais YJGD60G04HHQ

Mode d'amélioration du canal N sensibilité à l'humidité du transistor à effet de champ niveau 1 PDFN5060-8L applications des engrais YJGD60G04HHQ

Mode d'amélioration du canal N sensibilité à l'humidité du transistor à effet de champ niveau 1 PDFN5060-8L applications des engrais YJGD60G04HHQ

Mode d'amélioration du canal N sensibilité à l'humidité du transistor à effet de champ niveau 1 PDFN5060-8L applications des engrais YJGD60G04HHQ

1/ 6

Collection

Mode d'amélioration du canal N sensibilité à l'humidité du transistor à effet de champ niveau 1 PDFN5060-8L applications des engrais YJGD60G04HHQ

0,91 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: YJ

À 60V-251AA / MOSFET de puissance à canal N Applications Fetures unique charge Silicongear capacitance-DG60N12I

À 60V-251AA / MOSFET de puissance à canal N Applications Fetures unique charge Silicongear capacitance-DG60N12I

À 60V-251AA / MOSFET de puissance à canal N Applications Fetures unique charge Silicongear capacitance-DG60N12I

À 60V-251AA / MOSFET de puissance à canal N Applications Fetures unique charge Silicongear capacitance-DG60N12I

À 60V-251AA / MOSFET de puissance à canal N Applications Fetures unique charge Silicongear capacitance-DG60N12I

À 60V-251AA / MOSFET de puissance à canal N Applications Fetures unique charge Silicongear capacitance-DG60N12I

1/ 6

Collection

À 60V-251AA / MOSFET de puissance à canal N Applications Fetures unique charge Silicongear capacitance-DG60N12I

0,15-1,27 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

-MOSFET de puissance à canal P 20 V pour fournir un excellent RDS(ON) et une grille basse Charge Fetures applications SiliconGear-SGP2010S

-MOSFET de puissance à canal P 20 V pour fournir un excellent RDS(ON) et une grille basse Charge Fetures applications SiliconGear-SGP2010S

-MOSFET de puissance à canal P 20 V pour fournir un excellent RDS(ON) et une grille basse Charge Fetures applications SiliconGear-SGP2010S

-MOSFET de puissance à canal P 20 V pour fournir un excellent RDS(ON) et une grille basse Charge Fetures applications SiliconGear-SGP2010S

-MOSFET de puissance à canal P 20 V pour fournir un excellent RDS(ON) et une grille basse Charge Fetures applications SiliconGear-SGP2010S

-MOSFET de puissance à canal P 20 V pour fournir un excellent RDS(ON) et une grille basse Charge Fetures applications SiliconGear-SGP2010S

1/ 6

Collection

-MOSFET de puissance à canal P 20 V pour fournir un excellent RDS(ON) et une grille basse Charge Fetures applications SiliconGear-SGP2010S

0,16-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

PDFN3.3x3.3-8L / 100V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille d'applications Fetures Silicongear-DG100N03E

PDFN3.3x3.3-8L / 100V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille d'applications Fetures Silicongear-DG100N03E

PDFN3.3x3.3-8L / 100V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille d'applications Fetures Silicongear-DG100N03E

PDFN3.3x3.3-8L / 100V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille d'applications Fetures Silicongear-DG100N03E

PDFN3.3x3.3-8L / 100V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille d'applications Fetures Silicongear-DG100N03E

PDFN3.3x3.3-8L / 100V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille d'applications Fetures Silicongear-DG100N03E

1/ 6

Collection

PDFN3.3x3.3-8L / 100V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille d'applications Fetures Silicongear-DG100N03E

0,14-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

1/ 4

Collection

30V/20A 8.5mΩ RU30D20M2 N-Canal MOSFET de puissance de pointe

0,12-0,14 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

MOSFET de puissance 80 V canal N capacité entièrement caractérisée et Avalanche PDFN 5X6-8L / Fetures applications Silicontear-DG80N05HQ

MOSFET de puissance 80 V canal N capacité entièrement caractérisée et Avalanche PDFN 5X6-8L / Fetures applications Silicontear-DG80N05HQ

MOSFET de puissance 80 V canal N capacité entièrement caractérisée et Avalanche PDFN 5X6-8L / Fetures applications Silicontear-DG80N05HQ

MOSFET de puissance 80 V canal N capacité entièrement caractérisée et Avalanche PDFN 5X6-8L / Fetures applications Silicontear-DG80N05HQ

MOSFET de puissance 80 V canal N capacité entièrement caractérisée et Avalanche PDFN 5X6-8L / Fetures applications Silicontear-DG80N05HQ

MOSFET de puissance 80 V canal N capacité entièrement caractérisée et Avalanche PDFN 5X6-8L / Fetures applications Silicontear-DG80N05HQ

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance 80 V canal N capacité entièrement caractérisée et Avalanche PDFN 5X6-8L / Fetures applications Silicontear-DG80N05HQ

0,16-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

-30V MOSFET de puissance canal P technologie Trench avancée faible résistance aux chocs Applications SiliconGear-SGP3011D

-30V MOSFET de puissance canal P technologie Trench avancée faible résistance aux chocs Applications SiliconGear-SGP3011D

-30V MOSFET de puissance canal P technologie Trench avancée faible résistance aux chocs Applications SiliconGear-SGP3011D

-30V MOSFET de puissance canal P technologie Trench avancée faible résistance aux chocs Applications SiliconGear-SGP3011D

-30V MOSFET de puissance canal P technologie Trench avancée faible résistance aux chocs Applications SiliconGear-SGP3011D

-30V MOSFET de puissance canal P technologie Trench avancée faible résistance aux chocs Applications SiliconGear-SGP3011D

1/ 6

Collection

-30V MOSFET de puissance canal P technologie Trench avancée faible résistance aux chocs Applications SiliconGear-SGP3011D

0,11-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

MOSFET de puissance 60 V canal N applications faible résistance faible Miller Charger SiliconGear-SG60N02Q

MOSFET de puissance 60 V canal N applications faible résistance faible Miller Charger SiliconGear-SG60N02Q

MOSFET de puissance 60 V canal N applications faible résistance faible Miller Charger SiliconGear-SG60N02Q

MOSFET de puissance 60 V canal N applications faible résistance faible Miller Charger SiliconGear-SG60N02Q

MOSFET de puissance 60 V canal N applications faible résistance faible Miller Charger SiliconGear-SG60N02Q

MOSFET de puissance 60 V canal N applications faible résistance faible Miller Charger SiliconGear-SG60N02Q

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance 60 V canal N applications faible résistance faible Miller Charger SiliconGear-SG60N02Q

0,16-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Faible résistance à l'allumage faible capacité d'entrée technologie de tranchée MOSFET de puissance 40V canal N VDSS 40V, ID 149A, SiliconGear-SG40N01LP

Faible résistance à l'allumage faible capacité d'entrée technologie de tranchée MOSFET de puissance 40V canal N VDSS 40V, ID 149A, SiliconGear-SG40N01LP

Faible résistance à l'allumage faible capacité d'entrée technologie de tranchée MOSFET de puissance 40V canal N VDSS 40V, ID 149A, SiliconGear-SG40N01LP

Faible résistance à l'allumage faible capacité d'entrée technologie de tranchée MOSFET de puissance 40V canal N VDSS 40V, ID 149A, SiliconGear-SG40N01LP

Faible résistance à l'allumage faible capacité d'entrée technologie de tranchée MOSFET de puissance 40V canal N VDSS 40V, ID 149A, SiliconGear-SG40N01LP

Faible résistance à l'allumage faible capacité d'entrée technologie de tranchée MOSFET de puissance 40V canal N VDSS 40V, ID 149A, SiliconGear-SG40N01LP

1/ 6

Collection

Faible résistance à l'allumage faible capacité d'entrée technologie de tranchée MOSFET de puissance 40V canal N VDSS 40V, ID 149A, SiliconGear-SG40N01LP

0,11-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

MOSFET de puissance 100 V canal N, simple, Fetures applications capacité de charge TO-220AB-D. / SiliconGear-DG100N16PB

MOSFET de puissance 100 V canal N, simple, Fetures applications capacité de charge TO-220AB-D. / SiliconGear-DG100N16PB

MOSFET de puissance 100 V canal N, simple, Fetures applications capacité de charge TO-220AB-D. / SiliconGear-DG100N16PB

MOSFET de puissance 100 V canal N, simple, Fetures applications capacité de charge TO-220AB-D. / SiliconGear-DG100N16PB

MOSFET de puissance 100 V canal N, simple, Fetures applications capacité de charge TO-220AB-D. / SiliconGear-DG100N16PB

MOSFET de puissance 100 V canal N, simple, Fetures applications capacité de charge TO-220AB-D. / SiliconGear-DG100N16PB

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance 100 V canal N, simple, Fetures applications capacité de charge TO-220AB-D. / SiliconGear-DG100N16PB

0,09-1,26 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) Tension de blocage élevée TO-247-4L applications de futures YJD206560NCFG1Q

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) Tension de blocage élevée TO-247-4L applications de futures YJD206560NCFG1Q

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) Tension de blocage élevée TO-247-4L applications de futures YJD206560NCFG1Q

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) Tension de blocage élevée TO-247-4L applications de futures YJD206560NCFG1Q

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) Tension de blocage élevée TO-247-4L applications de futures YJD206560NCFG1Q

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) Tension de blocage élevée TO-247-4L applications de futures YJD206560NCFG1Q

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) Tension de blocage élevée TO-247-4L applications de futures YJD206560NCFG1Q

0,79 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: YJ

MOSFET de puissance 100 V canal N faible résistance à l'allumage faible capacité d'entrée Applications TO-220 SiliconGear-SG100N05P

MOSFET de puissance 100 V canal N faible résistance à l'allumage faible capacité d'entrée Applications TO-220 SiliconGear-SG100N05P

MOSFET de puissance 100 V canal N faible résistance à l'allumage faible capacité d'entrée Applications TO-220 SiliconGear-SG100N05P

MOSFET de puissance 100 V canal N faible résistance à l'allumage faible capacité d'entrée Applications TO-220 SiliconGear-SG100N05P

MOSFET de puissance 100 V canal N faible résistance à l'allumage faible capacité d'entrée Applications TO-220 SiliconGear-SG100N05P

MOSFET de puissance 100 V canal N faible résistance à l'allumage faible capacité d'entrée Applications TO-220 SiliconGear-SG100N05P

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance 100 V canal N faible résistance à l'allumage faible capacité d'entrée Applications TO-220 SiliconGear-SG100N05P

0,08-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

MOSFET de puissance à canal N 30 V faible charge Miller faible fuite d'entrée/sortie PDFN 5x6-8L / Fetures applications SiliconGear-SG30N03Q

MOSFET de puissance à canal N 30 V faible charge Miller faible fuite d'entrée/sortie PDFN 5x6-8L / Fetures applications SiliconGear-SG30N03Q

MOSFET de puissance à canal N 30 V faible charge Miller faible fuite d'entrée/sortie PDFN 5x6-8L / Fetures applications SiliconGear-SG30N03Q

MOSFET de puissance à canal N 30 V faible charge Miller faible fuite d'entrée/sortie PDFN 5x6-8L / Fetures applications SiliconGear-SG30N03Q

MOSFET de puissance à canal N 30 V faible charge Miller faible fuite d'entrée/sortie PDFN 5x6-8L / Fetures applications SiliconGear-SG30N03Q

MOSFET de puissance à canal N 30 V faible charge Miller faible fuite d'entrée/sortie PDFN 5x6-8L / Fetures applications SiliconGear-SG30N03Q

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance à canal N 30 V faible charge Miller faible fuite d'entrée/sortie PDFN 5x6-8L / Fetures applications SiliconGear-SG30N03Q

0,12-0,89 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Organisme / moteur de commande de charge 60V N-Canal de la technologie de pointe de puissance MOSFET Trench Silicongear-SG60N02D

Organisme / moteur de commande de charge 60V N-Canal de la technologie de pointe de puissance MOSFET Trench Silicongear-SG60N02D

Organisme / moteur de commande de charge 60V N-Canal de la technologie de pointe de puissance MOSFET Trench Silicongear-SG60N02D

Organisme / moteur de commande de charge 60V N-Canal de la technologie de pointe de puissance MOSFET Trench Silicongear-SG60N02D

Organisme / moteur de commande de charge 60V N-Canal de la technologie de pointe de puissance MOSFET Trench Silicongear-SG60N02D

Organisme / moteur de commande de charge 60V N-Canal de la technologie de pointe de puissance MOSFET Trench Silicongear-SG60N02D

1/ 6

Collection

Organisme / moteur de commande de charge 60V N-Canal de la technologie de pointe de puissance MOSFET Trench Silicongear-SG60N02D

0,13-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

RU8205G 20V/6A TSSOP-8 N-Canal MOSFET de puissance de pointe pour BMS RU8205C6 Diode à semi-conducteurs MOS

RU8205G 20V/6A TSSOP-8 N-Canal MOSFET de puissance de pointe pour BMS RU8205C6 Diode à semi-conducteurs MOS

RU8205G 20V/6A TSSOP-8 N-Canal MOSFET de puissance de pointe pour BMS RU8205C6 Diode à semi-conducteurs MOS

RU8205G 20V/6A TSSOP-8 N-Canal MOSFET de puissance de pointe pour BMS RU8205C6 Diode à semi-conducteurs MOS

RU8205G 20V/6A TSSOP-8 N-Canal MOSFET de puissance de pointe pour BMS RU8205C6 Diode à semi-conducteurs MOS

RU8205G 20V/6A TSSOP-8 N-Canal MOSFET de puissance de pointe pour BMS RU8205C6 Diode à semi-conducteurs MOS

1/ 6

Collection

RU8205G 20V/6A TSSOP-8 N-Canal MOSFET de puissance de pointe pour BMS RU8205C6 Diode à semi-conducteurs MOS

0,034-0,035 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ RDS(on) et FOM faibles TO-252 applications de futures YJD90G06AQ

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ RDS(on) et FOM faibles TO-252 applications de futures YJD90G06AQ

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ RDS(on) et FOM faibles TO-252 applications de futures YJD90G06AQ

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ RDS(on) et FOM faibles TO-252 applications de futures YJD90G06AQ

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ RDS(on) et FOM faibles TO-252 applications de futures YJD90G06AQ

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ RDS(on) et FOM faibles TO-252 applications de futures YJD90G06AQ

1/ 6

Collection

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ RDS(on) et FOM faibles TO-252 applications de futures YJD90G06AQ

0,11-1,22 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: YJ

CONVERTISSEURS DC/DC MOSFET À CANAL N TO-263 60 V AVEC technologie Trench avancée Et UPS hors ligne SiliconGear-SG60N03G

CONVERTISSEURS DC/DC MOSFET À CANAL N TO-263 60 V AVEC technologie Trench avancée Et UPS hors ligne SiliconGear-SG60N03G

CONVERTISSEURS DC/DC MOSFET À CANAL N TO-263 60 V AVEC technologie Trench avancée Et UPS hors ligne SiliconGear-SG60N03G

CONVERTISSEURS DC/DC MOSFET À CANAL N TO-263 60 V AVEC technologie Trench avancée Et UPS hors ligne SiliconGear-SG60N03G

CONVERTISSEURS DC/DC MOSFET À CANAL N TO-263 60 V AVEC technologie Trench avancée Et UPS hors ligne SiliconGear-SG60N03G

CONVERTISSEURS DC/DC MOSFET À CANAL N TO-263 60 V AVEC technologie Trench avancée Et UPS hors ligne SiliconGear-SG60N03G

1/ 6

Collection

CONVERTISSEURS DC/DC MOSFET À CANAL N TO-263 60 V AVEC technologie Trench avancée Et UPS hors ligne SiliconGear-SG60N03G

0,08-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

100V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille pour les applications Fetures Silicongear-220FAB-DG100N03P

100V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille pour les applications Fetures Silicongear-220FAB-DG100N03P

100V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille pour les applications Fetures Silicongear-220FAB-DG100N03P

100V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille pour les applications Fetures Silicongear-220FAB-DG100N03P

100V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille pour les applications Fetures Silicongear-220FAB-DG100N03P

100V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille pour les applications Fetures Silicongear-220FAB-DG100N03P

1/ 6

Collection

100V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille pour les applications Fetures Silicongear-220FAB-DG100N03P

0,18-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration canal N excellent boîtier pour la chaleur Applications de dissipation DE PÉAGES YJT300G10AQ

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration canal N excellent boîtier pour la chaleur Applications de dissipation DE PÉAGES YJT300G10AQ

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration canal N excellent boîtier pour la chaleur Applications de dissipation DE PÉAGES YJT300G10AQ

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration canal N excellent boîtier pour la chaleur Applications de dissipation DE PÉAGES YJT300G10AQ

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration canal N excellent boîtier pour la chaleur Applications de dissipation DE PÉAGES YJT300G10AQ

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration canal N excellent boîtier pour la chaleur Applications de dissipation DE PÉAGES YJT300G10AQ

1/ 6

Collection

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration canal N excellent boîtier pour la chaleur Applications de dissipation DE PÉAGES YJT300G10AQ

0,71 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: YJ

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) sans halogène, conforme RoHS TO-247-4L applications de FET YJD212040NCFGHQ

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) sans halogène, conforme RoHS TO-247-4L applications de FET YJD212040NCFGHQ

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) sans halogène, conforme RoHS TO-247-4L applications de FET YJD212040NCFGHQ

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) sans halogène, conforme RoHS TO-247-4L applications de FET YJD212040NCFGHQ

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) sans halogène, conforme RoHS TO-247-4L applications de FET YJD212040NCFGHQ

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) sans halogène, conforme RoHS TO-247-4L applications de FET YJD212040NCFGHQ

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) sans halogène, conforme RoHS TO-247-4L applications de FET YJD212040NCFGHQ

0,82 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: YJ

1/ 4

Collection

20V/6A 10mΩ RU207C N-Canal MOSFET de puissance de pointe

0,023-0,024 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

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