Accueil Électricité & Électronique Circuit Intégré Le MOS 2024 Liste de Produits

Le MOS

produits trouvés de fabricants et grossistes de confiance

Fbs Silan3878pn Microagent Silan Soudage par points Machine tube MOS 3878

Fbs Silan3878pn Microagent Silan Soudage par points Machine tube MOS 3878

Fbs Silan3878pn Microagent Silan Soudage par points Machine tube MOS 3878

Fbs Silan3878pn Microagent Silan Soudage par points Machine tube MOS 3878

Fbs Silan3878pn Microagent Silan Soudage par points Machine tube MOS 3878

Fbs Silan3878pn Microagent Silan Soudage par points Machine tube MOS 3878

1/ 6

Collection

Fbs Silan3878pn Microagent Silan Soudage par points Machine tube MOS 3878

1,19-2,28 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Pharm-Genics (Jiangsu) Pharmaceutical Equipment Trading Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Structure: Planar

Ci MOS transistor 2SD2394 to-220f D2394

Ci MOS transistor 2SD2394 to-220f D2394

Ci MOS transistor 2SD2394 to-220f D2394

Ci MOS transistor 2SD2394 to-220f D2394

Ci MOS transistor 2SD2394 to-220f D2394

Ci MOS transistor 2SD2394 to-220f D2394

1/ 6

Collection

Ci MOS transistor 2SD2394 to-220f D2394

1,00-1,8 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: PNP

Matériel: Silicium

Standard: Package TO-220F

Svs47n60pn Swaziland SL Stock initial de l'agent 47A 600V transistor de puissance MOS DP

Svs47n60pn Swaziland SL Stock initial de l'agent 47A 600V transistor de puissance MOS DP

Svs47n60pn Swaziland SL Stock initial de l'agent 47A 600V transistor de puissance MOS DP

Svs47n60pn Swaziland SL Stock initial de l'agent 47A 600V transistor de puissance MOS DP

Svs47n60pn Swaziland SL Stock initial de l'agent 47A 600V transistor de puissance MOS DP

Svs47n60pn Swaziland SL Stock initial de l'agent 47A 600V transistor de puissance MOS DP

1/ 6

Collection

Svs47n60pn Swaziland SL Stock initial de l'agent 47A 600V transistor de puissance MOS DP

1,19-2,28 $US / Pièce

600 Pièces (MOQ)

Pharm-Genics (Jiangsu) Pharmaceutical Equipment Trading Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Structure: Planar

Tph3r10aqm, MOSFET LQ 100V U-MOS X-H SOP-Advance (N) 3,1mohm

Tph3r10aqm, MOSFET LQ 100V U-MOS X-H SOP-Advance (N) 3,1mohm

Tph3r10aqm, MOSFET LQ 100V U-MOS X-H SOP-Advance (N) 3,1mohm

Tph3r10aqm, MOSFET LQ 100V U-MOS X-H SOP-Advance (N) 3,1mohm

Tph3r10aqm, MOSFET LQ 100V U-MOS X-H SOP-Advance (N) 3,1mohm

Tph3r10aqm, MOSFET LQ 100V U-MOS X-H SOP-Advance (N) 3,1mohm

1/ 6

Collection

Tph3r10aqm, MOSFET LQ 100V U-MOS X-H SOP-Advance (N) 3,1mohm

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Composant électronique Ntmt045n065sc1 MOSFET SIC MOS Pqfn88 650 V.

Composant électronique Ntmt045n065sc1 MOSFET SIC MOS Pqfn88 650 V.

Composant électronique Ntmt045n065sc1 MOSFET SIC MOS Pqfn88 650 V.

Composant électronique Ntmt045n065sc1 MOSFET SIC MOS Pqfn88 650 V.

Composant électronique Ntmt045n065sc1 MOSFET SIC MOS Pqfn88 650 V.

Composant électronique Ntmt045n065sc1 MOSFET SIC MOS Pqfn88 650 V.

1/ 6

Collection

Composant électronique Ntmt045n065sc1 MOSFET SIC MOS Pqfn88 650 V.

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

MOSFET Triode Ntbg025n065sc1 SIC MOS D2PAK-7L 650V 28.5 Mohms 395W

MOSFET Triode Ntbg025n065sc1 SIC MOS D2PAK-7L 650V 28.5 Mohms 395W

MOSFET Triode Ntbg025n065sc1 SIC MOS D2PAK-7L 650V 28.5 Mohms 395W

MOSFET Triode Ntbg025n065sc1 SIC MOS D2PAK-7L 650V 28.5 Mohms 395W

MOSFET Triode Ntbg025n065sc1 SIC MOS D2PAK-7L 650V 28.5 Mohms 395W

MOSFET Triode Ntbg025n065sc1 SIC MOS D2PAK-7L 650V 28.5 Mohms 395W

1/ 6

Collection

MOSFET Triode Ntbg025n065sc1 SIC MOS D2PAK-7L 650V 28.5 Mohms 395W

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors MOS discrets Psmn2r3-100ssej 2.28 Mohms 255 a 100 V.

Transistors MOS discrets Psmn2r3-100ssej 2.28 Mohms 255 a 100 V.

Transistors MOS discrets Psmn2r3-100ssej 2.28 Mohms 255 a 100 V.

Transistors MOS discrets Psmn2r3-100ssej 2.28 Mohms 255 a 100 V.

Transistors MOS discrets Psmn2r3-100ssej 2.28 Mohms 255 a 100 V.

Transistors MOS discrets Psmn2r3-100ssej 2.28 Mohms 255 a 100 V.

1/ 6

Collection

Transistors MOS discrets Psmn2r3-100ssej 2.28 Mohms 255 a 100 V.

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors Ntbg025n065sc1 MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 28.5 Mohms 106A 650 V.

Transistors Ntbg025n065sc1 MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 28.5 Mohms 106A 650 V.

Transistors Ntbg025n065sc1 MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 28.5 Mohms 106A 650 V.

Transistors Ntbg025n065sc1 MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 28.5 Mohms 106A 650 V.

Transistors Ntbg025n065sc1 MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 28.5 Mohms 106A 650 V.

Transistors Ntbg025n065sc1 MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 28.5 Mohms 106A 650 V.

1/ 6

Collection

Transistors Ntbg025n065sc1 MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 28.5 Mohms 106A 650 V.

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 50mohms

Transistors Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 50mohms

Transistors Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 50mohms

Transistors Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 50mohms

Transistors Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 50mohms

Transistors Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 50mohms

1/ 6

Collection

Transistors Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 50mohms

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Composant électronique Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

Composant électronique Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

Composant électronique Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

Composant électronique Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

Composant électronique Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

Composant électronique Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

1/ 6

Collection

Composant électronique Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors Ntbg014n120m3p MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14mohm 1200V

Transistors Ntbg014n120m3p MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14mohm 1200V

Transistors Ntbg014n120m3p MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14mohm 1200V

Transistors Ntbg014n120m3p MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14mohm 1200V

Transistors Ntbg014n120m3p MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14mohm 1200V

Transistors Ntbg014n120m3p MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14mohm 1200V

1/ 6

Collection

Transistors Ntbg014n120m3p MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14mohm 1200V

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Fds6680as SOP8 Patch 11.5A transistor MOS canal N 30 V.

Fds6680as SOP8 Patch 11.5A transistor MOS canal N 30 V.

Fds6680as SOP8 Patch 11.5A transistor MOS canal N 30 V.

Fds6680as SOP8 Patch 11.5A transistor MOS canal N 30 V.

Fds6680as SOP8 Patch 11.5A transistor MOS canal N 30 V.

Fds6680as SOP8 Patch 11.5A transistor MOS canal N 30 V.

1/ 6

Collection

Fds6680as SOP8 Patch 11.5A transistor MOS canal N 30 V.

2,00-3,02 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,CE,ISO

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode

Fonds bénévole spécial23n50pn Agent Silan Original 23A 500V 23n50 MOS d'impression

Fonds bénévole spécial23n50pn Agent Silan Original 23A 500V 23n50 MOS d'impression

Fonds bénévole spécial23n50pn Agent Silan Original 23A 500V 23n50 MOS d'impression

Fonds bénévole spécial23n50pn Agent Silan Original 23A 500V 23n50 MOS d'impression

Fonds bénévole spécial23n50pn Agent Silan Original 23A 500V 23n50 MOS d'impression

Fonds bénévole spécial23n50pn Agent Silan Original 23A 500V 23n50 MOS d'impression

1/ 6

Collection

Fonds bénévole spécial23n50pn Agent Silan Original 23A 500V 23n50 MOS d'impression

1,19-2,28 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Pharm-Genics (Jiangsu) Pharmaceutical Equipment Trading Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Structure: Planar

Fga25N120 Cuisinière à induction transistor à effet de champ d'IGBT 25A/1200V

Fga25N120 Cuisinière à induction transistor à effet de champ d'IGBT 25A/1200V

Fga25N120 Cuisinière à induction transistor à effet de champ d'IGBT 25A/1200V

Fga25N120 Cuisinière à induction transistor à effet de champ d'IGBT 25A/1200V

Fga25N120 Cuisinière à induction transistor à effet de champ d'IGBT 25A/1200V

Fga25N120 Cuisinière à induction transistor à effet de champ d'IGBT 25A/1200V

1/ 6

Collection

Fga25N120 Cuisinière à induction transistor à effet de champ d'IGBT 25A/1200V

0,7-0,85 $US / Pièce

450 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,CE

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx3080K 80A30V avec to-252

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx3080K 80A30V avec to-252

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx3080K 80A30V avec to-252

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx3080K 80A30V avec to-252

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx3080K 80A30V avec to-252

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx3080K 80A30V avec to-252

1/ 6

Collection

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx3080K 80A30V avec to-252

0,0055-0,0156 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

MOSFET mode d'amélioration de canal P Si2301 -2,8A -20V avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal P Si2301 -2,8A -20V avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal P Si2301 -2,8A -20V avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal P Si2301 -2,8A -20V avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal P Si2301 -2,8A -20V avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal P Si2301 -2,8A -20V avec SOT-23

1/ 6

Collection

MOSFET mode d'amélioration de canal P Si2301 -2,8A -20V avec SOT-23

0,0055-0,0156 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

MOSFET à mode d'amélioration de canal N 23 30 V A03400 de Juxing 5,8A avec SOT-30

MOSFET à mode d'amélioration de canal N 23 30 V A03400 de Juxing 5,8A avec SOT-30

MOSFET à mode d'amélioration de canal N 23 30 V A03400 de Juxing 5,8A avec SOT-30

MOSFET à mode d'amélioration de canal N 23 30 V A03400 de Juxing 5,8A avec SOT-30

MOSFET à mode d'amélioration de canal N 23 30 V A03400 de Juxing 5,8A avec SOT-30

MOSFET à mode d'amélioration de canal N 23 30 V A03400 de Juxing 5,8A avec SOT-30

1/ 6

Collection

MOSFET à mode d'amélioration de canal N 23 30 V A03400 de Juxing 5,8A avec SOT-30

0,0051-0,0156 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

MOSFET à mode d'amélioration de canal P Si2305 -5,8A -8V avec Sot-23

MOSFET à mode d'amélioration de canal P Si2305 -5,8A -8V avec Sot-23

MOSFET à mode d'amélioration de canal P Si2305 -5,8A -8V avec Sot-23

MOSFET à mode d'amélioration de canal P Si2305 -5,8A -8V avec Sot-23

MOSFET à mode d'amélioration de canal P Si2305 -5,8A -8V avec Sot-23

MOSFET à mode d'amélioration de canal P Si2305 -5,8A -8V avec Sot-23

1/ 6

Collection

MOSFET à mode d'amélioration de canal P Si2305 -5,8A -8V avec Sot-23

0,0055-0,0156 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Juxing Lbss84lt1g -50V-0.13d'un mosfet Plastic-Encapsulate SOT-23

Juxing Lbss84lt1g -50V-0.13d'un mosfet Plastic-Encapsulate SOT-23

Juxing Lbss84lt1g -50V-0.13d'un mosfet Plastic-Encapsulate SOT-23

Juxing Lbss84lt1g -50V-0.13d'un mosfet Plastic-Encapsulate SOT-23

Juxing Lbss84lt1g -50V-0.13d'un mosfet Plastic-Encapsulate SOT-23

Juxing Lbss84lt1g -50V-0.13d'un mosfet Plastic-Encapsulate SOT-23

1/ 6

Collection

Juxing Lbss84lt1g -50V-0.13d'un mosfet Plastic-Encapsulate SOT-23

0,017-0,0289 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

MOSFET mode d'amélioration à canal N Juxing 1A 60V 2n7002K avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration à canal N Juxing 1A 60V 2n7002K avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration à canal N Juxing 1A 60V 2n7002K avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration à canal N Juxing 1A 60V 2n7002K avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration à canal N Juxing 1A 60V 2n7002K avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration à canal N Juxing 1A 60V 2n7002K avec SOT-23

1/ 6

Collection

MOSFET mode d'amélioration à canal N Juxing 1A 60V 2n7002K avec SOT-23

0,0051-0,0156 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Juxing 90A30V Jx3090K avec to-252

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Juxing 90A30V Jx3090K avec to-252

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Juxing 90A30V Jx3090K avec to-252

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Juxing 90A30V Jx3090K avec to-252

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Juxing 90A30V Jx3090K avec to-252

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Juxing 90A30V Jx3090K avec to-252

1/ 6

Collection

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Juxing 90A30V Jx3090K avec to-252

0,0055-0,0156 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx2060K avec to-252 de Juxing 60A20V

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx2060K avec to-252 de Juxing 60A20V

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx2060K avec to-252 de Juxing 60A20V

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx2060K avec to-252 de Juxing 60A20V

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx2060K avec to-252 de Juxing 60A20V

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx2060K avec to-252 de Juxing 60A20V

1/ 6

Collection

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx2060K avec to-252 de Juxing 60A20V

0,0055-0,0156 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

MOSFET mode d'amélioration canal N 23 Ao8820 20 20V avec SOT-7A de Juxing

MOSFET mode d'amélioration canal N 23 Ao8820 20 20V avec SOT-7A de Juxing

MOSFET mode d'amélioration canal N 23 Ao8820 20 20V avec SOT-7A de Juxing

MOSFET mode d'amélioration canal N 23 Ao8820 20 20V avec SOT-7A de Juxing

MOSFET mode d'amélioration canal N 23 Ao8820 20 20V avec SOT-7A de Juxing

MOSFET mode d'amélioration canal N 23 Ao8820 20 20V avec SOT-7A de Juxing

1/ 6

Collection

MOSFET mode d'amélioration canal N 23 Ao8820 20 20V avec SOT-7A de Juxing

0,017-0,0289 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Fabricant Transistor planaire épitaxial NPN silicium 13003

Fabricant Transistor planaire épitaxial NPN silicium 13003

Fabricant Transistor planaire épitaxial NPN silicium 13003

Fabricant Transistor planaire épitaxial NPN silicium 13003

Fabricant Transistor planaire épitaxial NPN silicium 13003

Fabricant Transistor planaire épitaxial NPN silicium 13003

1/ 6

Collection

Fabricant Transistor planaire épitaxial NPN silicium 13003

0,25-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Juxing 3A 20V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET avec Triode SOT-23

Juxing 3A 20V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET avec Triode SOT-23

Juxing 3A 20V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET avec Triode SOT-23

Juxing 3A 20V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET avec Triode SOT-23

Juxing 3A 20V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET avec Triode SOT-23

Juxing 3A 20V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET avec Triode SOT-23

1/ 6

Collection

Juxing 3A 20V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET avec Triode SOT-23

0,0055-0,0156 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

MOSFET à encapsulation plastique Joxing Bss138 50V0.22A SOT-23

MOSFET à encapsulation plastique Joxing Bss138 50V0.22A SOT-23

MOSFET à encapsulation plastique Joxing Bss138 50V0.22A SOT-23

MOSFET à encapsulation plastique Joxing Bss138 50V0.22A SOT-23

MOSFET à encapsulation plastique Joxing Bss138 50V0.22A SOT-23

MOSFET à encapsulation plastique Joxing Bss138 50V0.22A SOT-23

1/ 6

Collection

MOSFET à encapsulation plastique Joxing Bss138 50V0.22A SOT-23

0,017-0,0289 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

MOSFET mode d'amélioration de canal P Juxing -5A -30V Ao4459 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal P Juxing -5A -30V Ao4459 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal P Juxing -5A -30V Ao4459 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal P Juxing -5A -30V Ao4459 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal P Juxing -5A -30V Ao4459 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal P Juxing -5A -30V Ao4459 avec SOT-23

1/ 6

Collection

MOSFET mode d'amélioration de canal P Juxing -5A -30V Ao4459 avec SOT-23

0,017-0,0289 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

MOSFET mode d'amélioration canal N 6,9A 30 V Ao4812 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration canal N 6,9A 30 V Ao4812 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration canal N 6,9A 30 V Ao4812 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration canal N 6,9A 30 V Ao4812 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration canal N 6,9A 30 V Ao4812 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration canal N 6,9A 30 V Ao4812 avec SOT-23

1/ 6

Collection

MOSFET mode d'amélioration canal N 6,9A 30 V Ao4812 avec SOT-23

0,017-0,0289 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

MOSFET mode d'amélioration à canal N 0,65A 60V Ao3460 Juxing avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration à canal N 0,65A 60V Ao3460 Juxing avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration à canal N 0,65A 60V Ao3460 Juxing avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration à canal N 0,65A 60V Ao3460 Juxing avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration à canal N 0,65A 60V Ao3460 Juxing avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration à canal N 0,65A 60V Ao3460 Juxing avec SOT-23

1/ 6

Collection

MOSFET mode d'amélioration à canal N 0,65A 60V Ao3460 Juxing avec SOT-23

0,017-0,0289 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

-50V Juxing -0.13un BSS84 P-Mode de canal avec MOSFET SOT-23

-50V Juxing -0.13un BSS84 P-Mode de canal avec MOSFET SOT-23

-50V Juxing -0.13un BSS84 P-Mode de canal avec MOSFET SOT-23

-50V Juxing -0.13un BSS84 P-Mode de canal avec MOSFET SOT-23

-50V Juxing -0.13un BSS84 P-Mode de canal avec MOSFET SOT-23

-50V Juxing -0.13un BSS84 P-Mode de canal avec MOSFET SOT-23

1/ 6

Collection

-50V Juxing -0.13un BSS84 P-Mode de canal avec MOSFET SOT-23

0,0055-0,0156 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

Visite Virtuelle à 360

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

index rapide des produits

0-9 a b c d e f g h i j k l m n o p q r s t u v w xyz

Vous n'avez pas trouvé ce que vous voulez ?

Acheter Facile

Publiez des demandes d'achat et obtenez rapidement des devis.

Publier la Demande d'Achat

Catalogue

Autre

Caractéristiques du Produit

Matériel

certificat

Fonction

Niveau d'énergie

Installation

Encapsulation Structure

Structure

Fréquence de travail

Caractéristiques de l'Entreprise

Type de Membre

Type d'Entreprise

Capacité de R&D

Province & Région

Catégories de Produits Connexes

Le Soudage

Recherches Populaires