Accueil Industrie Légère & Articles d'Usage Courant Tube, Pipe & Tuyau en Plastique Tube d'ondulation 2024 Liste de Produits

Tube d'ondulation

produits trouvés de fabricants et grossistes de confiance

Semiconductor Transistors MOSFET canal P MOS-Tube de champ G29 SOT-23

Semiconductor Transistors MOSFET canal P MOS-Tube de champ G29 SOT-23

Semiconductor Transistors MOSFET canal P MOS-Tube de champ G29 SOT-23

Semiconductor Transistors MOSFET canal P MOS-Tube de champ G29 SOT-23

Semiconductor Transistors MOSFET canal P MOS-Tube de champ G29 SOT-23

Semiconductor Transistors MOSFET canal P MOS-Tube de champ G29 SOT-23

1/ 6

Collection

Semiconductor Transistors MOSFET canal P MOS-Tube de champ G29 SOT-23

0,085-0,105 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

Application de l'outil électrique 40V Vdss transistor MOSFET le tube dans le GPND5X6 CAS

Application de l'outil électrique 40V Vdss transistor MOSFET le tube dans le GPND5X6 CAS

Application de l'outil électrique 40V Vdss transistor MOSFET le tube dans le GPND5X6 CAS

Application de l'outil électrique 40V Vdss transistor MOSFET le tube dans le GPND5X6 CAS

Application de l'outil électrique 40V Vdss transistor MOSFET le tube dans le GPND5X6 CAS

Application de l'outil électrique 40V Vdss transistor MOSFET le tube dans le GPND5X6 CAS

1/ 6

Collection

Application de l'outil électrique 40V Vdss transistor MOSFET le tube dans le GPND5X6 CAS

0,115-0,135 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Collection

Commande moteur DC de l'utilisation de MOSFET de puissance du tube du rabatteur/de l'emballage

0,077-0,12 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Emballage: Reel, with Antistatic Alluminum Foil Bag

Le transistor MOSFET N-CH Tube 200V 30A de l'automobile à 3 broches G30N20 pour-220F 50pcs/tube

Le transistor MOSFET N-CH Tube 200V 30A de l'automobile à 3 broches G30N20 pour-220F 50pcs/tube

Le transistor MOSFET N-CH Tube 200V 30A de l'automobile à 3 broches G30N20 pour-220F 50pcs/tube

Le transistor MOSFET N-CH Tube 200V 30A de l'automobile à 3 broches G30N20 pour-220F 50pcs/tube

Le transistor MOSFET N-CH Tube 200V 30A de l'automobile à 3 broches G30N20 pour-220F 50pcs/tube

Le transistor MOSFET N-CH Tube 200V 30A de l'automobile à 3 broches G30N20 pour-220F 50pcs/tube

1/ 6

Collection

Le transistor MOSFET N-CH Tube 200V 30A de l'automobile à 3 broches G30N20 pour-220F 50pcs/tube

0,17-0,2 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Structure: Planar

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Haute puissance

Matériel: Silicium

La SCÉ Goford2316 Alternative 3400L 30V 5.6A Sot Mosfet-23-3L

La SCÉ Goford2316 Alternative 3400L 30V 5.6A Sot Mosfet-23-3L

La SCÉ Goford2316 Alternative 3400L 30V 5.6A Sot Mosfet-23-3L

La SCÉ Goford2316 Alternative 3400L 30V 5.6A Sot Mosfet-23-3L

La SCÉ Goford2316 Alternative 3400L 30V 5.6A Sot Mosfet-23-3L

La SCÉ Goford2316 Alternative 3400L 30V 5.6A Sot Mosfet-23-3L

1/ 6

Collection

La SCÉ Goford2316 Alternative 3400L 30V 5.6A Sot Mosfet-23-3L

0,017-0,02 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Reel, with Antistatic Alluminum Foil Bag

Double N Canal 20V alimentation Metal Oxide IC SMD transistor MOSFET 9926b tube MOS

Double N Canal 20V alimentation Metal Oxide IC SMD transistor MOSFET 9926b tube MOS

Double N Canal 20V alimentation Metal Oxide IC SMD transistor MOSFET 9926b tube MOS

Double N Canal 20V alimentation Metal Oxide IC SMD transistor MOSFET 9926b tube MOS

Double N Canal 20V alimentation Metal Oxide IC SMD transistor MOSFET 9926b tube MOS

1/ 5

Collection

Double N Canal 20V alimentation Metal Oxide IC SMD transistor MOSFET 9926b tube MOS

100 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Reel, with Antistatic Alluminum Foil Bag

G16p03s IC canal P 30V 16un transistor MOSFET d'alimentation

G16p03s IC canal P 30V 16un transistor MOSFET d'alimentation

G16p03s IC canal P 30V 16un transistor MOSFET d'alimentation

G16p03s IC canal P 30V 16un transistor MOSFET d'alimentation

G16p03s IC canal P 30V 16un transistor MOSFET d'alimentation

G16p03s IC canal P 30V 16un transistor MOSFET d'alimentation

1/ 6

Collection

G16p03s IC canal P 30V 16un transistor MOSFET d'alimentation

100 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Reel, with Antistatic Alluminum Foil Bag

Sans plomb, -30V -4.2RoHS conforme EN CAS D'UN SOT-23 Mosfet à usage général 3401

Sans plomb, -30V -4.2RoHS conforme EN CAS D'UN SOT-23 Mosfet à usage général 3401

Sans plomb, -30V -4.2RoHS conforme EN CAS D'UN SOT-23 Mosfet à usage général 3401

Sans plomb, -30V -4.2RoHS conforme EN CAS D'UN SOT-23 Mosfet à usage général 3401

Sans plomb, -30V -4.2RoHS conforme EN CAS D'UN SOT-23 Mosfet à usage général 3401

Sans plomb, -30V -4.2RoHS conforme EN CAS D'UN SOT-23 Mosfet à usage général 3401

1/ 6

Collection

Sans plomb, -30V -4.2RoHS conforme EN CAS D'UN SOT-23 Mosfet à usage général 3401

0,008-0,01 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Reel, with Antistatic Alluminum Foil Bag

1/ 4

Collection

3401 -30V -4.2un N-Canal AO3407 AO3401un MOSFET de puissance

100 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Reel, with Antistatic Alluminum Foil Bag

1/ 4

Collection

3400 (FDN337N) 30V 5.8A SOT-23 N-CH SMD transistor MOS tube

0,017-0,02 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

Le Mosfet Package 3400 SOT-23 avec transistor de puissance haute Performacnce

Le Mosfet Package 3400 SOT-23 avec transistor de puissance haute Performacnce

Le Mosfet Package 3400 SOT-23 avec transistor de puissance haute Performacnce

Le Mosfet Package 3400 SOT-23 avec transistor de puissance haute Performacnce

Le Mosfet Package 3400 SOT-23 avec transistor de puissance haute Performacnce

Le Mosfet Package 3400 SOT-23 avec transistor de puissance haute Performacnce

1/ 6

Collection

Le Mosfet Package 3400 SOT-23 avec transistor de puissance haute Performacnce

0,009-0,015 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Reel, with Antistatic Alluminum Foil Bag

Gt52n10d5 GPND5*6-8L Transistor de puissance Substitut de BSC070N10ns5 100V MOSFET à canal N

Gt52n10d5 GPND5*6-8L Transistor de puissance Substitut de BSC070N10ns5 100V MOSFET à canal N

Gt52n10d5 GPND5*6-8L Transistor de puissance Substitut de BSC070N10ns5 100V MOSFET à canal N

Gt52n10d5 GPND5*6-8L Transistor de puissance Substitut de BSC070N10ns5 100V MOSFET à canal N

Gt52n10d5 GPND5*6-8L Transistor de puissance Substitut de BSC070N10ns5 100V MOSFET à canal N

Gt52n10d5 GPND5*6-8L Transistor de puissance Substitut de BSC070N10ns5 100V MOSFET à canal N

1/ 6

Collection

Gt52n10d5 GPND5*6-8L Transistor de puissance Substitut de BSC070N10ns5 100V MOSFET à canal N

0,009-0,9 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

Gt095N10K Substitut de DMT10H010LC3 100V, à-252, D-Park, transistor de puissance MOSFET,

Gt095N10K Substitut de DMT10H010LC3 100V, à-252, D-Park, transistor de puissance MOSFET,

Gt095N10K Substitut de DMT10H010LC3 100V, à-252, D-Park, transistor de puissance MOSFET,

Gt095N10K Substitut de DMT10H010LC3 100V, à-252, D-Park, transistor de puissance MOSFET,

Gt095N10K Substitut de DMT10H010LC3 100V, à-252, D-Park, transistor de puissance MOSFET,

Gt095N10K Substitut de DMT10H010LC3 100V, à-252, D-Park, transistor de puissance MOSFET,

1/ 6

Collection

Gt095N10K Substitut de DMT10H010LC3 100V, à-252, D-Park, transistor de puissance MOSFET,

0,009-0,9 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

Gt110n06D5 remplaçant Dmt6012lpsw 60V DFN 5*6-8L 45A 3.1W puissance MOSFET transister

Gt110n06D5 remplaçant Dmt6012lpsw 60V DFN 5*6-8L 45A 3.1W puissance MOSFET transister

Gt110n06D5 remplaçant Dmt6012lpsw 60V DFN 5*6-8L 45A 3.1W puissance MOSFET transister

Gt110n06D5 remplaçant Dmt6012lpsw 60V DFN 5*6-8L 45A 3.1W puissance MOSFET transister

Gt110n06D5 remplaçant Dmt6012lpsw 60V DFN 5*6-8L 45A 3.1W puissance MOSFET transister

Gt110n06D5 remplaçant Dmt6012lpsw 60V DFN 5*6-8L 45A 3.1W puissance MOSFET transister

1/ 6

Collection

Gt110n06D5 remplaçant Dmt6012lpsw 60V DFN 5*6-8L 45A 3.1W puissance MOSFET transister

0,009-0,9 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

Gt060n04D3 DFN3*3-8L 40V 40A 2.5V Max redresseur de composants électroniques à canal N Transistor MOSFET

Gt060n04D3 DFN3*3-8L 40V 40A 2.5V Max redresseur de composants électroniques à canal N Transistor MOSFET

Gt060n04D3 DFN3*3-8L 40V 40A 2.5V Max redresseur de composants électroniques à canal N Transistor MOSFET

Gt060n04D3 DFN3*3-8L 40V 40A 2.5V Max redresseur de composants électroniques à canal N Transistor MOSFET

Gt060n04D3 DFN3*3-8L 40V 40A 2.5V Max redresseur de composants électroniques à canal N Transistor MOSFET

Gt060n04D3 DFN3*3-8L 40V 40A 2.5V Max redresseur de composants électroniques à canal N Transistor MOSFET

1/ 6

Collection

Gt060n04D3 DFN3*3-8L 40V 40A 2.5V Max redresseur de composants électroniques à canal N Transistor MOSFET

0,009-0,9 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

Gt110N06D3 60V 14A 2,4 V max GPND à canal N3*3-8 L Transistor de puissance MOSFET de composants électroniques

Gt110N06D3 60V 14A 2,4 V max GPND à canal N3*3-8 L Transistor de puissance MOSFET de composants électroniques

Gt110N06D3 60V 14A 2,4 V max GPND à canal N3*3-8 L Transistor de puissance MOSFET de composants électroniques

Gt110N06D3 60V 14A 2,4 V max GPND à canal N3*3-8 L Transistor de puissance MOSFET de composants électroniques

Gt110N06D3 60V 14A 2,4 V max GPND à canal N3*3-8 L Transistor de puissance MOSFET de composants électroniques

Gt110N06D3 60V 14A 2,4 V max GPND à canal N3*3-8 L Transistor de puissance MOSFET de composants électroniques

1/ 6

Collection

Gt110N06D3 60V 14A 2,4 V max GPND à canal N3*3-8 L Transistor de puissance MOSFET de composants électroniques

0,009-0,9 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

Gt095N10t Substitut de Dmth DMT10H10H 100 V à-220 N Transistor de puissance MOSFET canal

Gt095N10t Substitut de Dmth DMT10H10H 100 V à-220 N Transistor de puissance MOSFET canal

Gt095N10t Substitut de Dmth DMT10H10H 100 V à-220 N Transistor de puissance MOSFET canal

Gt095N10t Substitut de Dmth DMT10H10H 100 V à-220 N Transistor de puissance MOSFET canal

Gt095N10t Substitut de Dmth DMT10H10H 100 V à-220 N Transistor de puissance MOSFET canal

Gt095N10t Substitut de Dmth DMT10H10H 100 V à-220 N Transistor de puissance MOSFET canal

1/ 6

Collection

Gt095N10t Substitut de Dmth DMT10H10H 100 V à-220 N Transistor de puissance MOSFET canal

0,009-0,9 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

Gt090n06D52 Remplacement du transistor de puissance 6010lpd Dfn5*6-8L Dual N-Channel 60V MOSFET

Gt090n06D52 Remplacement du transistor de puissance 6010lpd Dfn5*6-8L Dual N-Channel 60V MOSFET

Gt090n06D52 Remplacement du transistor de puissance 6010lpd Dfn5*6-8L Dual N-Channel 60V MOSFET

Gt090n06D52 Remplacement du transistor de puissance 6010lpd Dfn5*6-8L Dual N-Channel 60V MOSFET

Gt090n06D52 Remplacement du transistor de puissance 6010lpd Dfn5*6-8L Dual N-Channel 60V MOSFET

Gt090n06D52 Remplacement du transistor de puissance 6010lpd Dfn5*6-8L Dual N-Channel 60V MOSFET

1/ 6

Collection

Gt090n06D52 Remplacement du transistor de puissance 6010lpd Dfn5*6-8L Dual N-Channel 60V MOSFET

0,009-0,9 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

Gt55n06D5 remplaçant Dmt68m8lps 60V DFN 5*6-8L 53A 70W Power Transistor MOSFET

Gt55n06D5 remplaçant Dmt68m8lps 60V DFN 5*6-8L 53A 70W Power Transistor MOSFET

Gt55n06D5 remplaçant Dmt68m8lps 60V DFN 5*6-8L 53A 70W Power Transistor MOSFET

Gt55n06D5 remplaçant Dmt68m8lps 60V DFN 5*6-8L 53A 70W Power Transistor MOSFET

Gt55n06D5 remplaçant Dmt68m8lps 60V DFN 5*6-8L 53A 70W Power Transistor MOSFET

Gt55n06D5 remplaçant Dmt68m8lps 60V DFN 5*6-8L 53A 70W Power Transistor MOSFET

1/ 6

Collection

Gt55n06D5 remplaçant Dmt68m8lps 60V DFN 5*6-8L 53A 70W Power Transistor MOSFET

0,009-0,9 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

Gt095n10s Substitutions de Dmt10h009SSS SOP-8 100V 9mΩ 2.6V, transistor MOSFET de puissance

Gt095n10s Substitutions de Dmt10h009SSS SOP-8 100V 9mΩ 2.6V, transistor MOSFET de puissance

Gt095n10s Substitutions de Dmt10h009SSS SOP-8 100V 9mΩ 2.6V, transistor MOSFET de puissance

Gt095n10s Substitutions de Dmt10h009SSS SOP-8 100V 9mΩ 2.6V, transistor MOSFET de puissance

Gt095n10s Substitutions de Dmt10h009SSS SOP-8 100V 9mΩ 2.6V, transistor MOSFET de puissance

Gt095n10s Substitutions de Dmt10h009SSS SOP-8 100V 9mΩ 2.6V, transistor MOSFET de puissance

1/ 6

Collection

Gt095n10s Substitutions de Dmt10h009SSS SOP-8 100V 9mΩ 2.6V, transistor MOSFET de puissance

0,009-0,9 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

Paquet 2300 SOT-23 composant électronique de semiconducteurs transistor de puissance MOSFET driver de LED

Paquet 2300 SOT-23 composant électronique de semiconducteurs transistor de puissance MOSFET driver de LED

Paquet 2300 SOT-23 composant électronique de semiconducteurs transistor de puissance MOSFET driver de LED

Paquet 2300 SOT-23 composant électronique de semiconducteurs transistor de puissance MOSFET driver de LED

Paquet 2300 SOT-23 composant électronique de semiconducteurs transistor de puissance MOSFET driver de LED

Paquet 2300 SOT-23 composant électronique de semiconducteurs transistor de puissance MOSFET driver de LED

1/ 6

Collection

Paquet 2300 SOT-23 composant électronique de semiconducteurs transistor de puissance MOSFET driver de LED

0,009-0,9 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

Gt105N10d5 Croix de DMT15H017LPS & Nvmfws2d3p04m8l gpnd 100V5*6-8L MOSFET à canal N

Gt105N10d5 Croix de DMT15H017LPS & Nvmfws2d3p04m8l gpnd 100V5*6-8L MOSFET à canal N

Gt105N10d5 Croix de DMT15H017LPS & Nvmfws2d3p04m8l gpnd 100V5*6-8L MOSFET à canal N

Gt105N10d5 Croix de DMT15H017LPS & Nvmfws2d3p04m8l gpnd 100V5*6-8L MOSFET à canal N

Gt105N10d5 Croix de DMT15H017LPS & Nvmfws2d3p04m8l gpnd 100V5*6-8L MOSFET à canal N

Gt105N10d5 Croix de DMT15H017LPS & Nvmfws2d3p04m8l gpnd 100V5*6-8L MOSFET à canal N

1/ 6

Collection

Gt105N10d5 Croix de DMT15H017LPS & Nvmfws2d3p04m8l gpnd 100V5*6-8L MOSFET à canal N

0,009-0,9 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

Gt025n06D5 remplaçant Aon6260 60V, 95A, 120W, Dfn5*6-8L, 2,1mΩ , Transistor MOSFET

Gt025n06D5 remplaçant Aon6260 60V, 95A, 120W, Dfn5*6-8L, 2,1mΩ , Transistor MOSFET

Gt025n06D5 remplaçant Aon6260 60V, 95A, 120W, Dfn5*6-8L, 2,1mΩ , Transistor MOSFET

Gt025n06D5 remplaçant Aon6260 60V, 95A, 120W, Dfn5*6-8L, 2,1mΩ , Transistor MOSFET

Gt025n06D5 remplaçant Aon6260 60V, 95A, 120W, Dfn5*6-8L, 2,1mΩ , Transistor MOSFET

Gt025n06D5 remplaçant Aon6260 60V, 95A, 120W, Dfn5*6-8L, 2,1mΩ , Transistor MOSFET

1/ 6

Collection

Gt025n06D5 remplaçant Aon6260 60V, 95A, 120W, Dfn5*6-8L, 2,1mΩ , Transistor MOSFET

0,009-0,9 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

Gt110N06s pon-8 60V 14un redresseur à canal N High-Reliability transistor de puissance MOSFET

Gt110N06s pon-8 60V 14un redresseur à canal N High-Reliability transistor de puissance MOSFET

Gt110N06s pon-8 60V 14un redresseur à canal N High-Reliability transistor de puissance MOSFET

Gt110N06s pon-8 60V 14un redresseur à canal N High-Reliability transistor de puissance MOSFET

Gt110N06s pon-8 60V 14un redresseur à canal N High-Reliability transistor de puissance MOSFET

Gt110N06s pon-8 60V 14un redresseur à canal N High-Reliability transistor de puissance MOSFET

1/ 6

Collection

Gt110N06s pon-8 60V 14un redresseur à canal N High-Reliability transistor de puissance MOSFET

0,009-0,9 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

Gt52n10d5 N Mode d'amélioration de canal MOSFET de puissance

Gt52n10d5 N Mode d'amélioration de canal MOSFET de puissance

Gt52n10d5 N Mode d'amélioration de canal MOSFET de puissance

Gt52n10d5 N Mode d'amélioration de canal MOSFET de puissance

Gt52n10d5 N Mode d'amélioration de canal MOSFET de puissance

Gt52n10d5 N Mode d'amélioration de canal MOSFET de puissance

1/ 6

Collection

Gt52n10d5 N Mode d'amélioration de canal MOSFET de puissance

0,15-0,2 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

Driver de LED 30V du contrôleur de petite puissance N MOSFET de puissance de canal

Driver de LED 30V du contrôleur de petite puissance N MOSFET de puissance de canal

Driver de LED 30V du contrôleur de petite puissance N MOSFET de puissance de canal

Driver de LED 30V du contrôleur de petite puissance N MOSFET de puissance de canal

Driver de LED 30V du contrôleur de petite puissance N MOSFET de puissance de canal

Driver de LED 30V du contrôleur de petite puissance N MOSFET de puissance de canal

1/ 6

Collection

Driver de LED 30V du contrôleur de petite puissance N MOSFET de puissance de canal

0,009-0,015 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Reel, with Antistatic Alluminum Foil Bag

Excellente qualité Goford transistor à effet de champ de la marque des MOSFET

Excellente qualité Goford transistor à effet de champ de la marque des MOSFET

Excellente qualité Goford transistor à effet de champ de la marque des MOSFET

Excellente qualité Goford transistor à effet de champ de la marque des MOSFET

Excellente qualité Goford transistor à effet de champ de la marque des MOSFET

Excellente qualité Goford transistor à effet de champ de la marque des MOSFET

1/ 6

Collection

Excellente qualité Goford transistor à effet de champ de la marque des MOSFET

0,15-0,2 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

Transistors canal P puissance de distribution 2,5W MOSFET Trans P-CH 40V 7A G07p04s

Transistors canal P puissance de distribution 2,5W MOSFET Trans P-CH 40V 7A G07p04s

Transistors canal P puissance de distribution 2,5W MOSFET Trans P-CH 40V 7A G07p04s

Transistors canal P puissance de distribution 2,5W MOSFET Trans P-CH 40V 7A G07p04s

Transistors canal P puissance de distribution 2,5W MOSFET Trans P-CH 40V 7A G07p04s

Transistors canal P puissance de distribution 2,5W MOSFET Trans P-CH 40V 7A G07p04s

1/ 6

Collection

Transistors canal P puissance de distribution 2,5W MOSFET Trans P-CH 40V 7A G07p04s

0,115-0,135 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

Champ de silicium Transistors de puissance N-canal avec Insulated Gate G10N10une PON-8 100V 15A

Champ de silicium Transistors de puissance N-canal avec Insulated Gate G10N10une PON-8 100V 15A

Champ de silicium Transistors de puissance N-canal avec Insulated Gate G10N10une PON-8 100V 15A

Champ de silicium Transistors de puissance N-canal avec Insulated Gate G10N10une PON-8 100V 15A

Champ de silicium Transistors de puissance N-canal avec Insulated Gate G10N10une PON-8 100V 15A

Champ de silicium Transistors de puissance N-canal avec Insulated Gate G10N10une PON-8 100V 15A

1/ 6

Collection

Champ de silicium Transistors de puissance N-canal avec Insulated Gate G10N10une PON-8 100V 15A

0,062-0,099 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

MOSFET à mode amélioré canal P -40V -7A G07p04s SOP-8

MOSFET à mode amélioré canal P -40V -7A G07p04s SOP-8

MOSFET à mode amélioré canal P -40V -7A G07p04s SOP-8

MOSFET à mode amélioré canal P -40V -7A G07p04s SOP-8

MOSFET à mode amélioré canal P -40V -7A G07p04s SOP-8

MOSFET à mode amélioré canal P -40V -7A G07p04s SOP-8

1/ 6

Collection

MOSFET à mode amélioré canal P -40V -7A G07p04s SOP-8

0,115-0,135 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

Contacter Maintenant

certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

Plus

index rapide des produits

0-9 a b c d e f g h i j k l m n o p q r s t u v w xyz

Vous n'avez pas trouvé ce que vous voulez ?

Acheter Facile

Publiez des demandes d'achat et obtenez rapidement des devis.

Publier la Demande d'Achat

Catalogue

Autre

Caractéristiques du Produit

Fonction

Encapsulation Structure

certificat

Matériel

Niveau d'énergie

Fréquence de travail

Structure

Caractéristiques de l'Entreprise

Type de Membre

Type d'Entreprise

Capacité de R&D

Province & Région

Catégories de Produits Connexes

Tuyaux En Plastique

Recherches Populaires