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Mosfet de gros

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Yfwg160N10à Yfwg170N10à Yfwg180N10à-220ab le MOSFET

Yfwg160N10à Yfwg170N10à Yfwg180N10à-220ab le MOSFET

Yfwg160N10à Yfwg170N10à Yfwg180N10à-220ab le MOSFET

Yfwg160N10à Yfwg170N10à Yfwg180N10à-220ab le MOSFET

Yfwg160N10à Yfwg170N10à Yfwg180N10à-220ab le MOSFET

Yfwg160N10à Yfwg170N10à Yfwg180N10à-220ab le MOSFET

1/ 6

Collection

Yfwg160N10à Yfwg170N10à Yfwg180N10à-220ab le MOSFET

0,005-0,04 $US / Pièce

1 250 Pièces (MOQ)

Guangdong Youfeng Microelectronics Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Semi-Conducteur Optoélectronique

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: 3K/Reel/Tap, Inner Box, Master

Standard: 590*250*170

Transistor MOSFET à découpage de tranchée à transistor à effet de champ mode d'amélioration de canal N Technologie DFN3333-8L applications des engrais YJQ53G06AQ

Transistor MOSFET à découpage de tranchée à transistor à effet de champ mode d'amélioration de canal N Technologie DFN3333-8L applications des engrais YJQ53G06AQ

Transistor MOSFET à découpage de tranchée à transistor à effet de champ mode d'amélioration de canal N Technologie DFN3333-8L applications des engrais YJQ53G06AQ

Transistor MOSFET à découpage de tranchée à transistor à effet de champ mode d'amélioration de canal N Technologie DFN3333-8L applications des engrais YJQ53G06AQ

Transistor MOSFET à découpage de tranchée à transistor à effet de champ mode d'amélioration de canal N Technologie DFN3333-8L applications des engrais YJQ53G06AQ

Transistor MOSFET à découpage de tranchée à transistor à effet de champ mode d'amélioration de canal N Technologie DFN3333-8L applications des engrais YJQ53G06AQ

1/ 6

Collection

Transistor MOSFET à découpage de tranchée à transistor à effet de champ mode d'amélioration de canal N Technologie DFN3333-8L applications des engrais YJQ53G06AQ

0,81 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: YJ

Le transistor Fdb8447L SOT-263 Contrôle du rétroéclairage LCD à canal N 40V15un FET MOS FDD8447L

Le transistor Fdb8447L SOT-263 Contrôle du rétroéclairage LCD à canal N 40V15un FET MOS FDD8447L

Le transistor Fdb8447L SOT-263 Contrôle du rétroéclairage LCD à canal N 40V15un FET MOS FDD8447L

Le transistor Fdb8447L SOT-263 Contrôle du rétroéclairage LCD à canal N 40V15un FET MOS FDD8447L

Le transistor Fdb8447L SOT-263 Contrôle du rétroéclairage LCD à canal N 40V15un FET MOS FDD8447L

Le transistor Fdb8447L SOT-263 Contrôle du rétroéclairage LCD à canal N 40V15un FET MOS FDD8447L

1/ 6

Collection

Le transistor Fdb8447L SOT-263 Contrôle du rétroéclairage LCD à canal N 40V15un FET MOS FDD8447L

0,65-1,96 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Emballage: N/a

Standard: DIP/SMD

Marque Déposée: N/A

Origine: Original

Capacité de Production: 5000

Transistor original Irlr3110ztrpbf 100V 42A 140W 14mΩ @10V, MOSFET to-252-2 (DPAK) 38A canal N RoHS

Transistor original Irlr3110ztrpbf 100V 42A 140W 14mΩ @10V, MOSFET to-252-2 (DPAK) 38A canal N RoHS

Transistor original Irlr3110ztrpbf 100V 42A 140W 14mΩ @10V, MOSFET to-252-2 (DPAK) 38A canal N RoHS

Transistor original Irlr3110ztrpbf 100V 42A 140W 14mΩ @10V, MOSFET to-252-2 (DPAK) 38A canal N RoHS

Transistor original Irlr3110ztrpbf 100V 42A 140W 14mΩ @10V, MOSFET to-252-2 (DPAK) 38A canal N RoHS

Transistor original Irlr3110ztrpbf 100V 42A 140W 14mΩ @10V, MOSFET to-252-2 (DPAK) 38A canal N RoHS

1/ 6

Collection

Transistor original Irlr3110ztrpbf 100V 42A 140W 14mΩ @10V, MOSFET to-252-2 (DPAK) 38A canal N RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

MOSFET de puissance avancé à canal N 68V/88A Ru6888r

MOSFET de puissance avancé à canal N 68V/88A Ru6888r

MOSFET de puissance avancé à canal N 68V/88A Ru6888r

MOSFET de puissance avancé à canal N 68V/88A Ru6888r

MOSFET de puissance avancé à canal N 68V/88A Ru6888r

MOSFET de puissance avancé à canal N 68V/88A Ru6888r

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance avancé à canal N 68V/88A Ru6888r

0,1-0,13 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Intensité lumineuse: Standard

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Origine: Guangdong, China

Transistor original Bsc039n06ns DFN-8 (5.1X5.9) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsc039n06ns DFN-8 (5.1X5.9) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsc039n06ns DFN-8 (5.1X5.9) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsc039n06ns DFN-8 (5.1X5.9) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsc039n06ns DFN-8 (5.1X5.9) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsc039n06ns DFN-8 (5.1X5.9) MOSFET RoHS BOM Service

1/ 6

Collection

Transistor original Bsc039n06ns DFN-8 (5.1X5.9) MOSFET RoHS BOM Service

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

MOSFET de puissance à canal N 100 V faible capacité d'entrée faible charge de grille SOP-8 / Fetures applications SiliconGear-DG100N13S

MOSFET de puissance à canal N 100 V faible capacité d'entrée faible charge de grille SOP-8 / Fetures applications SiliconGear-DG100N13S

MOSFET de puissance à canal N 100 V faible capacité d'entrée faible charge de grille SOP-8 / Fetures applications SiliconGear-DG100N13S

MOSFET de puissance à canal N 100 V faible capacité d'entrée faible charge de grille SOP-8 / Fetures applications SiliconGear-DG100N13S

MOSFET de puissance à canal N 100 V faible capacité d'entrée faible charge de grille SOP-8 / Fetures applications SiliconGear-DG100N13S

MOSFET de puissance à canal N 100 V faible capacité d'entrée faible charge de grille SOP-8 / Fetures applications SiliconGear-DG100N13S

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance à canal N 100 V faible capacité d'entrée faible charge de grille SOP-8 / Fetures applications SiliconGear-DG100N13S

0,11-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Transistor original Bsc0702lsatma1 Tdson-8 (5.1X5.9) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsc0702lsatma1 Tdson-8 (5.1X5.9) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsc0702lsatma1 Tdson-8 (5.1X5.9) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsc0702lsatma1 Tdson-8 (5.1X5.9) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsc0702lsatma1 Tdson-8 (5.1X5.9) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsc0702lsatma1 Tdson-8 (5.1X5.9) MOSFET RoHS BOM Service

1/ 6

Collection

Transistor original Bsc0702lsatma1 Tdson-8 (5.1X5.9) MOSFET RoHS BOM Service

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

LSB65R180GT TO-247 canal N 650 V, 20 a, MOSFET de puissance LonFETTM 0,18 Ω

LSB65R180GT TO-247 canal N 650 V, 20 a, MOSFET de puissance LonFETTM 0,18 Ω

LSB65R180GT TO-247 canal N 650 V, 20 a, MOSFET de puissance LonFETTM 0,18 Ω

LSB65R180GT TO-247 canal N 650 V, 20 a, MOSFET de puissance LonFETTM 0,18 Ω

LSB65R180GT TO-247 canal N 650 V, 20 a, MOSFET de puissance LonFETTM 0,18 Ω

LSB65R180GT TO-247 canal N 650 V, 20 a, MOSFET de puissance LonFETTM 0,18 Ω

1/ 6

Collection

LSB65R180GT TO-247 canal N 650 V, 20 a, MOSFET de puissance LonFETTM 0,18 Ω

0,695 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

50A 40V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance 50n04 à-220c

50A 40V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance 50n04 à-220c

50A 40V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance 50n04 à-220c

50A 40V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance 50n04 à-220c

50A 40V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance 50n04 à-220c

50A 40V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance 50n04 à-220c

1/ 6

Collection

50A 40V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance 50n04 à-220c

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tape & Reel

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Transistor original Bsc016n06ns 60V 30A 2.5W 1,6mΩ @10V, 50A canal N Tdson-8-FL (6X5) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsc016n06ns 60V 30A 2.5W 1,6mΩ @10V, 50A canal N Tdson-8-FL (6X5) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsc016n06ns 60V 30A 2.5W 1,6mΩ @10V, 50A canal N Tdson-8-FL (6X5) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsc016n06ns 60V 30A 2.5W 1,6mΩ @10V, 50A canal N Tdson-8-FL (6X5) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsc016n06ns 60V 30A 2.5W 1,6mΩ @10V, 50A canal N Tdson-8-FL (6X5) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsc016n06ns 60V 30A 2.5W 1,6mΩ @10V, 50A canal N Tdson-8-FL (6X5) MOSFET RoHS BOM Service

1/ 6

Collection

Transistor original Bsc016n06ns 60V 30A 2.5W 1,6mΩ @10V, 50A canal N Tdson-8-FL (6X5) MOSFET RoHS BOM Service

0,5 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

2n6718 le MOSFET P-CH 60V 15A à252 Transistors MOSFET Transistors FET

2n6718 le MOSFET P-CH 60V 15A à252 Transistors MOSFET Transistors FET

2n6718 le MOSFET P-CH 60V 15A à252 Transistors MOSFET Transistors FET

2n6718 le MOSFET P-CH 60V 15A à252 Transistors MOSFET Transistors FET

2n6718 le MOSFET P-CH 60V 15A à252 Transistors MOSFET Transistors FET

2n6718 le MOSFET P-CH 60V 15A à252 Transistors MOSFET Transistors FET

1/ 6

Collection

2n6718 le MOSFET P-CH 60V 15A à252 Transistors MOSFET Transistors FET

0,9-9 999,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Emi International (Hk) Co. Ltd

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Technique: Semiconductor IC

Emballage: Standard

Standard: standard

Marque Déposée: standard

Origine: USA

Code SH: 8541290000

Juxing 3A 20V TR2302 N-Mode d'amélioration de MOSFET canal avec SOT-23

Juxing 3A 20V TR2302 N-Mode d'amélioration de MOSFET canal avec SOT-23

Juxing 3A 20V TR2302 N-Mode d'amélioration de MOSFET canal avec SOT-23

Juxing 3A 20V TR2302 N-Mode d'amélioration de MOSFET canal avec SOT-23

Juxing 3A 20V TR2302 N-Mode d'amélioration de MOSFET canal avec SOT-23

Juxing 3A 20V TR2302 N-Mode d'amélioration de MOSFET canal avec SOT-23

1/ 6

Collection

Juxing 3A 20V TR2302 N-Mode d'amélioration de MOSFET canal avec SOT-23

0,0055-0,0156 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Diodes de redressement de pose générale Fr301 MOSFET DO-27 50 V/3 A.

Diodes de redressement de pose générale Fr301 MOSFET DO-27 50 V/3 A.

Diodes de redressement de pose générale Fr301 MOSFET DO-27 50 V/3 A.

Diodes de redressement de pose générale Fr301 MOSFET DO-27 50 V/3 A.

Diodes de redressement de pose générale Fr301 MOSFET DO-27 50 V/3 A.

Diodes de redressement de pose générale Fr301 MOSFET DO-27 50 V/3 A.

1/ 6

Collection

Diodes de redressement de pose générale Fr301 MOSFET DO-27 50 V/3 A.

0,001-0,003 $US / Pièce

50 000 Pièces (MOQ)

Chaozhou Haixinwei Electronics Factory

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur Intrinsèque

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Numérique

Demande: Radio

Irfu9024npbf Productstransistors semi-conducteurs discrets - fet, MOSFET - Single SOT-23

Irfu9024npbf Productstransistors semi-conducteurs discrets - fet, MOSFET - Single SOT-23

Irfu9024npbf Productstransistors semi-conducteurs discrets - fet, MOSFET - Single SOT-23

Irfu9024npbf Productstransistors semi-conducteurs discrets - fet, MOSFET - Single SOT-23

Irfu9024npbf Productstransistors semi-conducteurs discrets - fet, MOSFET - Single SOT-23

Irfu9024npbf Productstransistors semi-conducteurs discrets - fet, MOSFET - Single SOT-23

1/ 6

Collection

Irfu9024npbf Productstransistors semi-conducteurs discrets - fet, MOSFET - Single SOT-23

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Emballage: N/a

Standard: DIP/SMD

Marque Déposée: N/A

Origine: Original

Capacité de Production: 5000

Le transistor MOSFET électronique habituellement utilisés dans les circuits de l'amplificateur ou de commutation de circuits (assemblée) PCB

Le transistor MOSFET électronique habituellement utilisés dans les circuits de l'amplificateur ou de commutation de circuits (assemblée) PCB

Le transistor MOSFET électronique habituellement utilisés dans les circuits de l'amplificateur ou de commutation de circuits (assemblée) PCB

Le transistor MOSFET électronique habituellement utilisés dans les circuits de l'amplificateur ou de commutation de circuits (assemblée) PCB

Le transistor MOSFET électronique habituellement utilisés dans les circuits de l'amplificateur ou de commutation de circuits (assemblée) PCB

Le transistor MOSFET électronique habituellement utilisés dans les circuits de l'amplificateur ou de commutation de circuits (assemblée) PCB

1/ 6

Collection

Le transistor MOSFET électronique habituellement utilisés dans les circuits de l'amplificateur ou de commutation de circuits (assemblée) PCB

0,08-0,12 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Keep Moving Circuits Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Origine: China

Code SH: 8541290000

Capacité de Production: 50000000000/Year

MOSFET CH N 20 V Texas CSD95491q5mc

MOSFET CH N 20 V Texas CSD95491q5mc

MOSFET CH N 20 V Texas CSD95491q5mc

MOSFET CH N 20 V Texas CSD95491q5mc

MOSFET CH N 20 V Texas CSD95491q5mc

MOSFET CH N 20 V Texas CSD95491q5mc

1/ 6

Collection

MOSFET CH N 20 V Texas CSD95491q5mc

0,01 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Shanghai Gawin Electronic Technology Co., Ltd.

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forme: Appartement

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thick Film IC

Emballage: Carton

Standard: 1

Marque Déposée: 1

Le Mosfet avec Toshiba de la technologie numérique de la machine de soudage à l'Arc

Le Mosfet avec Toshiba de la technologie numérique de la machine de soudage à l'Arc

Le Mosfet avec Toshiba de la technologie numérique de la machine de soudage à l'Arc

Le Mosfet avec Toshiba de la technologie numérique de la machine de soudage à l'Arc

Le Mosfet avec Toshiba de la technologie numérique de la machine de soudage à l'Arc

1/ 5

Collection

Le Mosfet avec Toshiba de la technologie numérique de la machine de soudage à l'Arc

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Donrun Welding Equipment Co., Ltd.

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refroidissement Way: Refroidissement Air

style: Portable

Gamme de fréquences: Haute fréquence

Courant électrique: DC

Formulaire de travail: Noyau de fer

Type: Metal-Arc Manuel Soudeur

MOSFET to-220f Yfwg120n15af Yfwg190n15af

MOSFET to-220f Yfwg120n15af Yfwg190n15af

MOSFET to-220f Yfwg120n15af Yfwg190n15af

MOSFET to-220f Yfwg120n15af Yfwg190n15af

MOSFET to-220f Yfwg120n15af Yfwg190n15af

MOSFET to-220f Yfwg120n15af Yfwg190n15af

1/ 6

Collection

MOSFET to-220f Yfwg120n15af Yfwg190n15af

0,005-0,04 $US / Pièce

1 250 Pièces (MOQ)

Guangdong Youfeng Microelectronics Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Semi-Conducteur Optoélectronique

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: 1K/Reel/Tap, Inner Box, Master

Standard: 590*250*170

MOSFET de puissance 30V mode amélioration canal N WMB017N03LG2 PDFN5060-8L

MOSFET de puissance 30V mode amélioration canal N WMB017N03LG2 PDFN5060-8L

MOSFET de puissance 30V mode amélioration canal N WMB017N03LG2 PDFN5060-8L

MOSFET de puissance 30V mode amélioration canal N WMB017N03LG2 PDFN5060-8L

MOSFET de puissance 30V mode amélioration canal N WMB017N03LG2 PDFN5060-8L

MOSFET de puissance 30V mode amélioration canal N WMB017N03LG2 PDFN5060-8L

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance 30V mode amélioration canal N WMB017N03LG2 PDFN5060-8L

0,185 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Emballage: Carton

Standard: metal

Marque Déposée: Merryelc

Origine: Guangdong, China

Puce à circuit intégré AO4568 4568 Sop8 nouveaux mosfet original

Puce à circuit intégré AO4568 4568 Sop8 nouveaux mosfet original

Puce à circuit intégré AO4568 4568 Sop8 nouveaux mosfet original

Puce à circuit intégré AO4568 4568 Sop8 nouveaux mosfet original

Puce à circuit intégré AO4568 4568 Sop8 nouveaux mosfet original

Puce à circuit intégré AO4568 4568 Sop8 nouveaux mosfet original

1/ 6

Collection

Puce à circuit intégré AO4568 4568 Sop8 nouveaux mosfet original

0,5-1,00 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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forme: TREMPER

Technique: Thick Film IC

Marque Déposée: ETC1

Transistor original Irfr4510trpbf 100V 56A 143W 13,9 mΩ @10V, 38A MOSFET canal N to-252-2 (DPAK) RoHS BOM Service

Transistor original Irfr4510trpbf 100V 56A 143W 13,9 mΩ @10V, 38A MOSFET canal N to-252-2 (DPAK) RoHS BOM Service

Transistor original Irfr4510trpbf 100V 56A 143W 13,9 mΩ @10V, 38A MOSFET canal N to-252-2 (DPAK) RoHS BOM Service

Transistor original Irfr4510trpbf 100V 56A 143W 13,9 mΩ @10V, 38A MOSFET canal N to-252-2 (DPAK) RoHS BOM Service

Transistor original Irfr4510trpbf 100V 56A 143W 13,9 mΩ @10V, 38A MOSFET canal N to-252-2 (DPAK) RoHS BOM Service

Transistor original Irfr4510trpbf 100V 56A 143W 13,9 mΩ @10V, 38A MOSFET canal N to-252-2 (DPAK) RoHS BOM Service

1/ 6

Collection

Transistor original Irfr4510trpbf 100V 56A 143W 13,9 mΩ @10V, 38A MOSFET canal N to-252-2 (DPAK) RoHS BOM Service

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Alimentation canal N 100 V technologie Trench avancée MOSFET batteries secondaires lithium-ion Faible résistance SOT-23 SiliconGear-SG100N12N

Alimentation canal N 100 V technologie Trench avancée MOSFET batteries secondaires lithium-ion Faible résistance SOT-23 SiliconGear-SG100N12N

Alimentation canal N 100 V technologie Trench avancée MOSFET batteries secondaires lithium-ion Faible résistance SOT-23 SiliconGear-SG100N12N

Alimentation canal N 100 V technologie Trench avancée MOSFET batteries secondaires lithium-ion Faible résistance SOT-23 SiliconGear-SG100N12N

Alimentation canal N 100 V technologie Trench avancée MOSFET batteries secondaires lithium-ion Faible résistance SOT-23 SiliconGear-SG100N12N

Alimentation canal N 100 V technologie Trench avancée MOSFET batteries secondaires lithium-ion Faible résistance SOT-23 SiliconGear-SG100N12N

1/ 6

Collection

Alimentation canal N 100 V technologie Trench avancée MOSFET batteries secondaires lithium-ion Faible résistance SOT-23 SiliconGear-SG100N12N

0,19-0,91 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

1/ 4

Collection

Technologie MOSFET à convertisseur CC durable à économie d'énergie pour machine de soudage

69,00-150,00 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Exlentech Welding Equipments Co., Ltd.

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refroidissement Way: Refroidissement Air

style: Portable

Gamme de fréquences: Haute fréquence

Courant électrique: DC

Formulaire de travail: Un corps

Type: Metal-Arc Manuel Soudeur

100A 100V N-Canal MOSFET de puissance en mode d'amélioration de la DHS065N10 pour-220c

100A 100V N-Canal MOSFET de puissance en mode d'amélioration de la DHS065N10 pour-220c

100A 100V N-Canal MOSFET de puissance en mode d'amélioration de la DHS065N10 pour-220c

100A 100V N-Canal MOSFET de puissance en mode d'amélioration de la DHS065N10 pour-220c

100A 100V N-Canal MOSFET de puissance en mode d'amélioration de la DHS065N10 pour-220c

100A 100V N-Canal MOSFET de puissance en mode d'amélioration de la DHS065N10 pour-220c

1/ 6

Collection

100A 100V N-Canal MOSFET de puissance en mode d'amélioration de la DHS065N10 pour-220c

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type P

Emballage: Tape & Reel

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Transistor original Bsd314speh6327 30V 1,5A 500MW 230mΩ @ 4,5V, 1,2A MOSFET SOT-363-6 canal P RoHS

Transistor original Bsd314speh6327 30V 1,5A 500MW 230mΩ @ 4,5V, 1,2A MOSFET SOT-363-6 canal P RoHS

Transistor original Bsd314speh6327 30V 1,5A 500MW 230mΩ @ 4,5V, 1,2A MOSFET SOT-363-6 canal P RoHS

Transistor original Bsd314speh6327 30V 1,5A 500MW 230mΩ @ 4,5V, 1,2A MOSFET SOT-363-6 canal P RoHS

Transistor original Bsd314speh6327 30V 1,5A 500MW 230mΩ @ 4,5V, 1,2A MOSFET SOT-363-6 canal P RoHS

Transistor original Bsd314speh6327 30V 1,5A 500MW 230mΩ @ 4,5V, 1,2A MOSFET SOT-363-6 canal P RoHS

1/ 6

Collection

Transistor original Bsd314speh6327 30V 1,5A 500MW 230mΩ @ 4,5V, 1,2A MOSFET SOT-363-6 canal P RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

MOSFET SOT-723 Yfw3139ek

MOSFET SOT-723 Yfw3139ek

MOSFET SOT-723 Yfw3139ek

MOSFET SOT-723 Yfw3139ek

MOSFET SOT-723 Yfw3139ek

MOSFET SOT-723 Yfw3139ek

1/ 6

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MOSFET SOT-723 Yfw3139ek

0,005-0,04 $US / Pièce

1 250 Pièces (MOQ)

Guangdong Youfeng Microelectronics Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Semi-Conducteur Optoélectronique

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: 8K/Reel/Tap, Inner Box, Master

Standard: 550*210*220

100V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille PDFN 5x6-8L Applications Fetures Silicongear-DG100N03Q

100V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille PDFN 5x6-8L Applications Fetures Silicongear-DG100N03Q

100V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille PDFN 5x6-8L Applications Fetures Silicongear-DG100N03Q

100V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille PDFN 5x6-8L Applications Fetures Silicongear-DG100N03Q

100V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille PDFN 5x6-8L Applications Fetures Silicongear-DG100N03Q

100V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille PDFN 5x6-8L Applications Fetures Silicongear-DG100N03Q

1/ 6

Collection

100V N-Canal MOSFET de puissance faible capacité d'entrée faible charge de grille PDFN 5x6-8L Applications Fetures Silicongear-DG100N03Q

0,15-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

MOSFET de puissance 12 a 100 V à canal N mode d'amélioration Dh1K1n10b to-251b

MOSFET de puissance 12 a 100 V à canal N mode d'amélioration Dh1K1n10b to-251b

MOSFET de puissance 12 a 100 V à canal N mode d'amélioration Dh1K1n10b to-251b

MOSFET de puissance 12 a 100 V à canal N mode d'amélioration Dh1K1n10b to-251b

MOSFET de puissance 12 a 100 V à canal N mode d'amélioration Dh1K1n10b to-251b

MOSFET de puissance 12 a 100 V à canal N mode d'amélioration Dh1K1n10b to-251b

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance 12 a 100 V à canal N mode d'amélioration Dh1K1n10b to-251b

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tape & Reel

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Transistor original Irf7853trpbf 100V 8.3A 18mΩ @10V, 8,3A 2,5W MOSFET SOIC-8 à canal N SOIC-100 RoHS

Transistor original Irf7853trpbf 100V 8.3A 18mΩ @10V, 8,3A 2,5W MOSFET SOIC-8 à canal N SOIC-100 RoHS

Transistor original Irf7853trpbf 100V 8.3A 18mΩ @10V, 8,3A 2,5W MOSFET SOIC-8 à canal N SOIC-100 RoHS

Transistor original Irf7853trpbf 100V 8.3A 18mΩ @10V, 8,3A 2,5W MOSFET SOIC-8 à canal N SOIC-100 RoHS

Transistor original Irf7853trpbf 100V 8.3A 18mΩ @10V, 8,3A 2,5W MOSFET SOIC-8 à canal N SOIC-100 RoHS

Transistor original Irf7853trpbf 100V 8.3A 18mΩ @10V, 8,3A 2,5W MOSFET SOIC-8 à canal N SOIC-100 RoHS

1/ 6

Collection

Transistor original Irf7853trpbf 100V 8.3A 18mΩ @10V, 8,3A 2,5W MOSFET SOIC-8 à canal N SOIC-100 RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

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