Accueil Électricité & Électronique Semi-Conducteur Mosfet de gros 2024 Liste de Produits

Mosfet de gros

produits trouvés de fabricants et grossistes de confiance

MOSFET Yfw40n03s Yfw50n03s SOP-8

MOSFET Yfw40n03s Yfw50n03s SOP-8

MOSFET Yfw40n03s Yfw50n03s SOP-8

MOSFET Yfw40n03s Yfw50n03s SOP-8

MOSFET Yfw40n03s Yfw50n03s SOP-8

MOSFET Yfw40n03s Yfw50n03s SOP-8

1/ 6

Collection

MOSFET Yfw40n03s Yfw50n03s SOP-8

0,005-0,04 $US / Pièce

1 250 Pièces (MOQ)

Guangdong Youfeng Microelectronics Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Semi-Conducteur Optoélectronique

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: 3K/Reel/Tap, Inner Box, Master

Standard: 550*210*220

60V N-Canal MOSFET de puissance faible capacitance faible Charge de commutation Miller à-220AB-D / Applications Fetures Silicongear-DG60N02PB

60V N-Canal MOSFET de puissance faible capacitance faible Charge de commutation Miller à-220AB-D / Applications Fetures Silicongear-DG60N02PB

60V N-Canal MOSFET de puissance faible capacitance faible Charge de commutation Miller à-220AB-D / Applications Fetures Silicongear-DG60N02PB

60V N-Canal MOSFET de puissance faible capacitance faible Charge de commutation Miller à-220AB-D / Applications Fetures Silicongear-DG60N02PB

60V N-Canal MOSFET de puissance faible capacitance faible Charge de commutation Miller à-220AB-D / Applications Fetures Silicongear-DG60N02PB

60V N-Canal MOSFET de puissance faible capacitance faible Charge de commutation Miller à-220AB-D / Applications Fetures Silicongear-DG60N02PB

1/ 6

Collection

60V N-Canal MOSFET de puissance faible capacitance faible Charge de commutation Miller à-220AB-D / Applications Fetures Silicongear-DG60N02PB

0,16-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Composants électroniques de nouveau et original IR MOS FET IRF630N à canal N-220 de l'IRF63n

Composants électroniques de nouveau et original IR MOS FET IRF630N à canal N-220 de l'IRF63n

Composants électroniques de nouveau et original IR MOS FET IRF630N à canal N-220 de l'IRF63n

Composants électroniques de nouveau et original IR MOS FET IRF630N à canal N-220 de l'IRF63n

Composants électroniques de nouveau et original IR MOS FET IRF630N à canal N-220 de l'IRF63n

Composants électroniques de nouveau et original IR MOS FET IRF630N à canal N-220 de l'IRF63n

1/ 6

Collection

Composants électroniques de nouveau et original IR MOS FET IRF630N à canal N-220 de l'IRF63n

500 Pièces (MOQ)

Hangzhou Electric Driving Technology Co., Ltd.

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forme: TREMPER

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Emballage: Carton Box

Standard: 22x17

Marque Déposée: EDT

Origine: Zhejiang

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Juxing 90A30V Jx3090K avec to-252

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Juxing 90A30V Jx3090K avec to-252

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Juxing 90A30V Jx3090K avec to-252

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Juxing 90A30V Jx3090K avec to-252

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Juxing 90A30V Jx3090K avec to-252

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Juxing 90A30V Jx3090K avec to-252

1/ 6

Collection

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Juxing 90A30V Jx3090K avec to-252

0,0055-0,0156 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Transistor original MOSFET SO-8 Irf7317trpbf RoHS BOM Service

Transistor original MOSFET SO-8 Irf7317trpbf RoHS BOM Service

Transistor original MOSFET SO-8 Irf7317trpbf RoHS BOM Service

Transistor original MOSFET SO-8 Irf7317trpbf RoHS BOM Service

Transistor original MOSFET SO-8 Irf7317trpbf RoHS BOM Service

Transistor original MOSFET SO-8 Irf7317trpbf RoHS BOM Service

1/ 6

Collection

Transistor original MOSFET SO-8 Irf7317trpbf RoHS BOM Service

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

1/ 3

Collection

LSG70R640GT TO-252 N-Channel 700V, 7A, MOSFET de puissance LonFETTM 0,64Ω

1,00-1,5 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Intensité lumineuse: Standard

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Origine: Guangdong, China

4n60 qualité originale de transistors MOSFET à220/220F/252/263

4n60 qualité originale de transistors MOSFET à220/220F/252/263

4n60 qualité originale de transistors MOSFET à220/220F/252/263

4n60 qualité originale de transistors MOSFET à220/220F/252/263

4n60 qualité originale de transistors MOSFET à220/220F/252/263

4n60 qualité originale de transistors MOSFET à220/220F/252/263

1/ 6

Collection

4n60 qualité originale de transistors MOSFET à220/220F/252/263

0,035 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Zhongxin Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

MOSFET de puissance en mode d'amélioration de canal P Nce20p45q NCE -20V -45A

MOSFET de puissance en mode d'amélioration de canal P Nce20p45q NCE -20V -45A

MOSFET de puissance en mode d'amélioration de canal P Nce20p45q NCE -20V -45A

MOSFET de puissance en mode d'amélioration de canal P Nce20p45q NCE -20V -45A

MOSFET de puissance en mode d'amélioration de canal P Nce20p45q NCE -20V -45A

MOSFET de puissance en mode d'amélioration de canal P Nce20p45q NCE -20V -45A

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance en mode d'amélioration de canal P Nce20p45q NCE -20V -45A

0,122-0,2 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type P

Paquet: SMD

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: Carton

1/ 4

Collection

Technologie MOSFET à convertisseur CC durable à économie d'énergie pour machine de soudage

69,00-150,00 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Exlentech Welding Equipments Co., Ltd.

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refroidissement Way: Refroidissement Air

style: Portable

Gamme de fréquences: Haute fréquence

Courant électrique: DC

Formulaire de travail: Un corps

Type: Metal-Arc Manuel Soudeur

Usine directement à canal N GPND 60V 53un MOSFET pour pd

Usine directement à canal N GPND 60V 53un MOSFET pour pd

Usine directement à canal N GPND 60V 53un MOSFET pour pd

Usine directement à canal N GPND 60V 53un MOSFET pour pd

Usine directement à canal N GPND 60V 53un MOSFET pour pd

Usine directement à canal N GPND 60V 53un MOSFET pour pd

1/ 6

Collection

Usine directement à canal N GPND 60V 53un MOSFET pour pd

0,129-0,219 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Haute puissance

Matériel: Silicium

Emballage: Reel, with Antistatic Alluminum Foil Bag

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 250 a 85 V Dhs020n88e to-263

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 250 a 85 V Dhs020n88e to-263

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 250 a 85 V Dhs020n88e to-263

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 250 a 85 V Dhs020n88e to-263

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 250 a 85 V Dhs020n88e to-263

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 250 a 85 V Dhs020n88e to-263

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 250 a 85 V Dhs020n88e to-263

0,535 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

MOSFET mode d'amélioration de canal P Juxing -4.1A -30V Ao3407 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal P Juxing -4.1A -30V Ao3407 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal P Juxing -4.1A -30V Ao3407 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal P Juxing -4.1A -30V Ao3407 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal P Juxing -4.1A -30V Ao3407 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal P Juxing -4.1A -30V Ao3407 avec SOT-23

1/ 6

Collection

MOSFET mode d'amélioration de canal P Juxing -4.1A -30V Ao3407 avec SOT-23

0,017-0,0289 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Le ventilateur3227Ntzd tmx3155TC1g ins NC45025At1g7SV00P5X Le Mosfet de sur

Le ventilateur3227Ntzd tmx3155TC1g ins NC45025At1g7SV00P5X Le Mosfet de sur

Le ventilateur3227Ntzd tmx3155TC1g ins NC45025At1g7SV00P5X Le Mosfet de sur

Le ventilateur3227Ntzd tmx3155TC1g ins NC45025At1g7SV00P5X Le Mosfet de sur

Le ventilateur3227Ntzd tmx3155TC1g ins NC45025At1g7SV00P5X Le Mosfet de sur

Le ventilateur3227Ntzd tmx3155TC1g ins NC45025At1g7SV00P5X Le Mosfet de sur

1/ 6

Collection

Le ventilateur3227Ntzd tmx3155TC1g ins NC45025At1g7SV00P5X Le Mosfet de sur

0,1-0,3 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Emi International (Hk) Co. Ltd

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Technique: Semiconductor IC

Emballage: Reel/Tapy

Standard: Original

Marque Déposée: Original

Origine: Original

Code SH: 8536411000

De nouveaux composants électroniques d'origine puces Electronics Microchip Technology Arf1500 RF Mosfet N-CH 500V 60A 40 MHz 750 W T1 N-CH en stock

De nouveaux composants électroniques d'origine puces Electronics Microchip Technology Arf1500 RF Mosfet N-CH 500V 60A 40 MHz 750 W T1 N-CH en stock

De nouveaux composants électroniques d'origine puces Electronics Microchip Technology Arf1500 RF Mosfet N-CH 500V 60A 40 MHz 750 W T1 N-CH en stock

De nouveaux composants électroniques d'origine puces Electronics Microchip Technology Arf1500 RF Mosfet N-CH 500V 60A 40 MHz 750 W T1 N-CH en stock

De nouveaux composants électroniques d'origine puces Electronics Microchip Technology Arf1500 RF Mosfet N-CH 500V 60A 40 MHz 750 W T1 N-CH en stock

De nouveaux composants électroniques d'origine puces Electronics Microchip Technology Arf1500 RF Mosfet N-CH 500V 60A 40 MHz 750 W T1 N-CH en stock

1/ 6

Collection

De nouveaux composants électroniques d'origine puces Electronics Microchip Technology Arf1500 RF Mosfet N-CH 500V 60A 40 MHz 750 W T1 N-CH en stock

128,00-145,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

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Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Semiconductor IC

Emballage: Box

Standard: 500 V 750 W 40 Mhz

Marque Déposée: Microchip

Origine: Original

Yfw7n70Yfwj as-R15n70as-R-263 le MOSFET

Yfw7n70Yfwj as-R15n70as-R-263 le MOSFET

Yfw7n70Yfwj as-R15n70as-R-263 le MOSFET

Yfw7n70Yfwj as-R15n70as-R-263 le MOSFET

Yfw7n70Yfwj as-R15n70as-R-263 le MOSFET

Yfw7n70Yfwj as-R15n70as-R-263 le MOSFET

1/ 6

Collection

Yfw7n70Yfwj as-R15n70as-R-263 le MOSFET

0,005-0,04 $US / Pièce

1 250 Pièces (MOQ)

Guangdong Youfeng Microelectronics Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Semi-Conducteur Optoélectronique

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: 800/Reel/Tap, Inner Box, Master

Standard: 590*250*170

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Transistor original Bss308peh6327 30V 2A 500MW 80mΩ @10V, 2A MOSFET SOT-23 canal P RoHS

Transistor original Bss308peh6327 30V 2A 500MW 80mΩ @10V, 2A MOSFET SOT-23 canal P RoHS

Transistor original Bss308peh6327 30V 2A 500MW 80mΩ @10V, 2A MOSFET SOT-23 canal P RoHS

Transistor original Bss308peh6327 30V 2A 500MW 80mΩ @10V, 2A MOSFET SOT-23 canal P RoHS

Transistor original Bss308peh6327 30V 2A 500MW 80mΩ @10V, 2A MOSFET SOT-23 canal P RoHS

Transistor original Bss308peh6327 30V 2A 500MW 80mΩ @10V, 2A MOSFET SOT-23 canal P RoHS

1/ 6

Collection

Transistor original Bss308peh6327 30V 2A 500MW 80mΩ @10V, 2A MOSFET SOT-23 canal P RoHS

0,5 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

1/ 3

Collection

600V 7A à F -220MOSFET de puissance à canal N LNC7n60d

0,1-0,13 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Intensité lumineuse: Standard

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Origine: Guangdong, China

Composant électronique 1A 600V SVF MOSFET1N60A/M/MJ/B/D/F/H

Composant électronique 1A 600V SVF MOSFET1N60A/M/MJ/B/D/F/H

Composant électronique 1A 600V SVF MOSFET1N60A/M/MJ/B/D/F/H

Composant électronique 1A 600V SVF MOSFET1N60A/M/MJ/B/D/F/H

Composant électronique 1A 600V SVF MOSFET1N60A/M/MJ/B/D/F/H

Composant électronique 1A 600V SVF MOSFET1N60A/M/MJ/B/D/F/H

1/ 6

Collection

Composant électronique 1A 600V SVF MOSFET1N60A/M/MJ/B/D/F/H

0,03-0,15 $US / Pièce

2 000 Pièces (MOQ)

CTC Technology Co., Ltd.

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forme: TREMPER

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thin Film IC

Emballage: Carton

Standard: AC 85-265V

Marque Déposée: Chipown

MOSFET CANAL N À SUPER JONCTION SJ5N65 AVEC 5A 650 V.

MOSFET CANAL N À SUPER JONCTION SJ5N65 AVEC 5A 650 V.

MOSFET CANAL N À SUPER JONCTION SJ5N65 AVEC 5A 650 V.

MOSFET CANAL N À SUPER JONCTION SJ5N65 AVEC 5A 650 V.

MOSFET CANAL N À SUPER JONCTION SJ5N65 AVEC 5A 650 V.

MOSFET CANAL N À SUPER JONCTION SJ5N65 AVEC 5A 650 V.

1/ 6

Collection

MOSFET CANAL N À SUPER JONCTION SJ5N65 AVEC 5A 650 V.

0,1-1,00 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd.

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Application: Produits électroniques

certificat: RoHS,ISO

Matériel: Silicium

Emballage: Tube

Standard: High Power

Marque Déposée: JF

Transistor original Irlml6302trpbf 20V 780mA 540MW 600mΩ @ 4,5V, 610mA MOSFET SOT-23 canal P RoHS

Transistor original Irlml6302trpbf 20V 780mA 540MW 600mΩ @ 4,5V, 610mA MOSFET SOT-23 canal P RoHS

Transistor original Irlml6302trpbf 20V 780mA 540MW 600mΩ @ 4,5V, 610mA MOSFET SOT-23 canal P RoHS

Transistor original Irlml6302trpbf 20V 780mA 540MW 600mΩ @ 4,5V, 610mA MOSFET SOT-23 canal P RoHS

Transistor original Irlml6302trpbf 20V 780mA 540MW 600mΩ @ 4,5V, 610mA MOSFET SOT-23 canal P RoHS

Transistor original Irlml6302trpbf 20V 780mA 540MW 600mΩ @ 4,5V, 610mA MOSFET SOT-23 canal P RoHS

1/ 6

Collection

Transistor original Irlml6302trpbf 20V 780mA 540MW 600mΩ @ 4,5V, 610mA MOSFET SOT-23 canal P RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistor à263-6D'AMÉLIORATION DE L'ESF10R021K7NF-960Vds-100 ID un RDS (ON) milliohm -2.1Qg-107nc pour régulateur de tension de commutation de puissance MOSFET à canal N

Transistor à263-6D'AMÉLIORATION DE L'ESF10R021K7NF-960Vds-100 ID un RDS (ON) milliohm -2.1Qg-107nc pour régulateur de tension de commutation de puissance MOSFET à canal N

Transistor à263-6D'AMÉLIORATION DE L'ESF10R021K7NF-960Vds-100 ID un RDS (ON) milliohm -2.1Qg-107nc pour régulateur de tension de commutation de puissance MOSFET à canal N

Transistor à263-6D'AMÉLIORATION DE L'ESF10R021K7NF-960Vds-100 ID un RDS (ON) milliohm -2.1Qg-107nc pour régulateur de tension de commutation de puissance MOSFET à canal N

Transistor à263-6D'AMÉLIORATION DE L'ESF10R021K7NF-960Vds-100 ID un RDS (ON) milliohm -2.1Qg-107nc pour régulateur de tension de commutation de puissance MOSFET à canal N

Transistor à263-6D'AMÉLIORATION DE L'ESF10R021K7NF-960Vds-100 ID un RDS (ON) milliohm -2.1Qg-107nc pour régulateur de tension de commutation de puissance MOSFET à canal N

1/ 6

Collection

Transistor à263-6D'AMÉLIORATION DE L'ESF10R021K7NF-960Vds-100 ID un RDS (ON) milliohm -2.1Qg-107nc pour régulateur de tension de commutation de puissance MOSFET à canal N

0,35-0,4 $US / Pièce

800 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

MOSFET à super jonction à canal N 800 V, boîtier D-PAK HCD80R380

MOSFET à super jonction à canal N 800 V, boîtier D-PAK HCD80R380

MOSFET à super jonction à canal N 800 V, boîtier D-PAK HCD80R380

MOSFET à super jonction à canal N 800 V, boîtier D-PAK HCD80R380

MOSFET à super jonction à canal N 800 V, boîtier D-PAK HCD80R380

MOSFET à super jonction à canal N 800 V, boîtier D-PAK HCD80R380

1/ 6

Collection

MOSFET à super jonction à canal N 800 V, boîtier D-PAK HCD80R380

0,38 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Intensité lumineuse: Standard

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Marque Déposée: Merry

Origine: Guangdong, China

Transistor original Irf7329trpbf 12V 9.2A 2W 17mΩ @ 4,5V, 9.2A 2 MOSFET SOIC-8 à canal P RoHS BOM Service

Transistor original Irf7329trpbf 12V 9.2A 2W 17mΩ @ 4,5V, 9.2A 2 MOSFET SOIC-8 à canal P RoHS BOM Service

Transistor original Irf7329trpbf 12V 9.2A 2W 17mΩ @ 4,5V, 9.2A 2 MOSFET SOIC-8 à canal P RoHS BOM Service

Transistor original Irf7329trpbf 12V 9.2A 2W 17mΩ @ 4,5V, 9.2A 2 MOSFET SOIC-8 à canal P RoHS BOM Service

Transistor original Irf7329trpbf 12V 9.2A 2W 17mΩ @ 4,5V, 9.2A 2 MOSFET SOIC-8 à canal P RoHS BOM Service

Transistor original Irf7329trpbf 12V 9.2A 2W 17mΩ @ 4,5V, 9.2A 2 MOSFET SOIC-8 à canal P RoHS BOM Service

1/ 6

Collection

Transistor original Irf7329trpbf 12V 9.2A 2W 17mΩ @ 4,5V, 9.2A 2 MOSFET SOIC-8 à canal P RoHS BOM Service

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

SGN3055V 30 V N-canal siliconegear MOSFET de puissance

SGN3055V 30 V N-canal siliconegear MOSFET de puissance

SGN3055V 30 V N-canal siliconegear MOSFET de puissance

SGN3055V 30 V N-canal siliconegear MOSFET de puissance

SGN3055V 30 V N-canal siliconegear MOSFET de puissance

1/ 5

Collection

SGN3055V 30 V N-canal siliconegear MOSFET de puissance

0,18-0,2 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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forme: TREMPER

Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Thick Film IC

Emballage: Plastic Package

Standard: PDFN 3.3 x 3.3-8L

Marque Déposée: Merryelc

Transistors originaux Irf520 Irf520n Irf520nl MOSFET Irf520pbf Irf520npbf TO220AB BOM Service

Transistors originaux Irf520 Irf520n Irf520nl MOSFET Irf520pbf Irf520npbf TO220AB BOM Service

Transistors originaux Irf520 Irf520n Irf520nl MOSFET Irf520pbf Irf520npbf TO220AB BOM Service

Transistors originaux Irf520 Irf520n Irf520nl MOSFET Irf520pbf Irf520npbf TO220AB BOM Service

Transistors originaux Irf520 Irf520n Irf520nl MOSFET Irf520pbf Irf520npbf TO220AB BOM Service

Transistors originaux Irf520 Irf520n Irf520nl MOSFET Irf520pbf Irf520npbf TO220AB BOM Service

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Transistors originaux Irf520 Irf520n Irf520nl MOSFET Irf520pbf Irf520npbf TO220AB BOM Service

0,2-1,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Emballage: Package

Standard: SMT/DIP

Marque Déposée: Original

Origine: Original

PDFN 5*6-8L 100V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Fetures Applications Faible Faible Charge Miller Silicongear-SG100N03Q

PDFN 5*6-8L 100V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Fetures Applications Faible Faible Charge Miller Silicongear-SG100N03Q

PDFN 5*6-8L 100V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Fetures Applications Faible Faible Charge Miller Silicongear-SG100N03Q

PDFN 5*6-8L 100V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Fetures Applications Faible Faible Charge Miller Silicongear-SG100N03Q

PDFN 5*6-8L 100V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Fetures Applications Faible Faible Charge Miller Silicongear-SG100N03Q

PDFN 5*6-8L 100V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Fetures Applications Faible Faible Charge Miller Silicongear-SG100N03Q

1/ 6

Collection

PDFN 5*6-8L 100V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Fetures Applications Faible Faible Charge Miller Silicongear-SG100N03Q

0,15-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

MOSFET TRANS P-CH AONR21357 30 V 21 A

MOSFET TRANS P-CH AONR21357 30 V 21 A

MOSFET TRANS P-CH AONR21357 30 V 21 A

MOSFET TRANS P-CH AONR21357 30 V 21 A

MOSFET TRANS P-CH AONR21357 30 V 21 A

MOSFET TRANS P-CH AONR21357 30 V 21 A

1/ 6

Collection

MOSFET TRANS P-CH AONR21357 30 V 21 A

0,05-200,00 $US / Pièce

500 Pièces (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

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Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Semiconductor IC

Emballage: Box

Origine: China

Code SH: 8542390000

Capacité de Production: 1000000PCS

Transistor original Bss316nh6327 30V 1,4A 500 MW 160mΩ @10V, 1,4A MOSFET SOT-23 à canal N RoHS

Transistor original Bss316nh6327 30V 1,4A 500 MW 160mΩ @10V, 1,4A MOSFET SOT-23 à canal N RoHS

Transistor original Bss316nh6327 30V 1,4A 500 MW 160mΩ @10V, 1,4A MOSFET SOT-23 à canal N RoHS

Transistor original Bss316nh6327 30V 1,4A 500 MW 160mΩ @10V, 1,4A MOSFET SOT-23 à canal N RoHS

Transistor original Bss316nh6327 30V 1,4A 500 MW 160mΩ @10V, 1,4A MOSFET SOT-23 à canal N RoHS

Transistor original Bss316nh6327 30V 1,4A 500 MW 160mΩ @10V, 1,4A MOSFET SOT-23 à canal N RoHS

1/ 6

Collection

Transistor original Bss316nh6327 30V 1,4A 500 MW 160mΩ @10V, 1,4A MOSFET SOT-23 à canal N RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

MOSFET CH N 20 V Texas CSD95491q5mc

MOSFET CH N 20 V Texas CSD95491q5mc

MOSFET CH N 20 V Texas CSD95491q5mc

MOSFET CH N 20 V Texas CSD95491q5mc

MOSFET CH N 20 V Texas CSD95491q5mc

MOSFET CH N 20 V Texas CSD95491q5mc

1/ 6

Collection

MOSFET CH N 20 V Texas CSD95491q5mc

0,01 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Shanghai Gawin Electronic Technology Co., Ltd.

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forme: Appartement

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thick Film IC

Emballage: Carton

Standard: 1

Marque Déposée: 1

MOSFET de puissance 100 a 30 V à canal N mode d'amélioration Dhb100n03 to-251b

MOSFET de puissance 100 a 30 V à canal N mode d'amélioration Dhb100n03 to-251b

MOSFET de puissance 100 a 30 V à canal N mode d'amélioration Dhb100n03 to-251b

MOSFET de puissance 100 a 30 V à canal N mode d'amélioration Dhb100n03 to-251b

MOSFET de puissance 100 a 30 V à canal N mode d'amélioration Dhb100n03 to-251b

MOSFET de puissance 100 a 30 V à canal N mode d'amélioration Dhb100n03 to-251b

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance 100 a 30 V à canal N mode d'amélioration Dhb100n03 to-251b

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tape & Reel

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

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