Accueil Électricité & Électronique Semi-Conducteur Mosfet de gros 2024 Liste de Produits

Mosfet de gros

produits trouvés de fabricants et grossistes de confiance

200d'une performance constante Mosfet Arc DC inverter welding Machine

200d'une performance constante Mosfet Arc DC inverter welding Machine

200d'une performance constante Mosfet Arc DC inverter welding Machine

200d'une performance constante Mosfet Arc DC inverter welding Machine

200d'une performance constante Mosfet Arc DC inverter welding Machine

200d'une performance constante Mosfet Arc DC inverter welding Machine

1/ 6

Collection

200d'une performance constante Mosfet Arc DC inverter welding Machine

68,00-72,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Taizhou Holly Electric Co., Ltd.

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style: Portable

Gamme de fréquences: Basse fréquence

Courant électrique: DC

Formulaire de travail: Un corps

Type: Metal-Arc Manuel Soudeur

Emballage: Carton Box/Color Box/Pallets

Haute puissance 2x1450W@8ohm amplificateur audio MOSFET Sanway PRO (FP7000)

Haute puissance 2x1450W@8ohm amplificateur audio MOSFET Sanway PRO (FP7000)

Haute puissance 2x1450W@8ohm amplificateur audio MOSFET Sanway PRO (FP7000)

Haute puissance 2x1450W@8ohm amplificateur audio MOSFET Sanway PRO (FP7000)

Haute puissance 2x1450W@8ohm amplificateur audio MOSFET Sanway PRO (FP7000)

Haute puissance 2x1450W@8ohm amplificateur audio MOSFET Sanway PRO (FP7000)

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Collection

Haute puissance 2x1450W@8ohm amplificateur audio MOSFET Sanway PRO (FP7000)

800,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Sanway Audio Equipment Co., Ltd.

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Type: Amplificateur professionnel

Usage: AV

Utilisé Pour: Professionnel

Type de tube: Amplificateur à Transistor

Fonction: Amplificateur Combiné

Channel Sound: 2.1

De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

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Collection

De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

0,38-0,45 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

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Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Semiconductor IC

Emballage: T/R

Standard: 30V 4.2A

Marque Déposée: Vishay

Origine: Original

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Collection

Pièces de rechange MOSFET IGBT pour transformateur de compteur numérique IGBT de Pièces de rechange pour machines à souder

0,001-30,00 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Exlentech Welding Equipments Co., Ltd.

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refroidissement Way: Refroidissement Air

style: Portable

Gamme de fréquences: Haute fréquence

Courant électrique: DC

Formulaire de travail: Un corps

Type: Metal-Arc Manuel Soudeur

Ndc7002n 7002 Ndc7002 MOSFET 2n-CH 50V 0.51A SSOT6 d'origine Sur Onsemi

Ndc7002n 7002 Ndc7002 MOSFET 2n-CH 50V 0.51A SSOT6 d'origine Sur Onsemi

Ndc7002n 7002 Ndc7002 MOSFET 2n-CH 50V 0.51A SSOT6 d'origine Sur Onsemi

Ndc7002n 7002 Ndc7002 MOSFET 2n-CH 50V 0.51A SSOT6 d'origine Sur Onsemi

Ndc7002n 7002 Ndc7002 MOSFET 2n-CH 50V 0.51A SSOT6 d'origine Sur Onsemi

Ndc7002n 7002 Ndc7002 MOSFET 2n-CH 50V 0.51A SSOT6 d'origine Sur Onsemi

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Collection

Ndc7002n 7002 Ndc7002 MOSFET 2n-CH 50V 0.51A SSOT6 d'origine Sur Onsemi

1,00 $US / Sac

1 Sac (MOQ)

Shenzhen New Chip international Ltd

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forme: Appartement

Emballage: ESD

Capacité de Production: 10000box/1month

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 100 V technologie avancée de tranchée de puissance Way-on-WMO25N10T1

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 100 V technologie avancée de tranchée de puissance Way-on-WMO25N10T1

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 100 V technologie avancée de tranchée de puissance Way-on-WMO25N10T1

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 100 V technologie avancée de tranchée de puissance Way-on-WMO25N10T1

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 100 V technologie avancée de tranchée de puissance Way-on-WMO25N10T1

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 100 V technologie avancée de tranchée de puissance Way-on-WMO25N10T1

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Collection

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 100 V technologie avancée de tranchée de puissance Way-on-WMO25N10T1

0,08-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Yfw5n50af Yfw8n50af MOSFET to-220f Yfw10n50 (0.5mm)

Yfw5n50af Yfw8n50af MOSFET to-220f Yfw10n50 (0.5mm)

Yfw5n50af Yfw8n50af MOSFET to-220f Yfw10n50 (0.5mm)

Yfw5n50af Yfw8n50af MOSFET to-220f Yfw10n50 (0.5mm)

Yfw5n50af Yfw8n50af MOSFET to-220f Yfw10n50 (0.5mm)

Yfw5n50af Yfw8n50af MOSFET to-220f Yfw10n50 (0.5mm)

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Collection

Yfw5n50af Yfw8n50af MOSFET to-220f Yfw10n50 (0.5mm)

0,005-0,04 $US / Pièce

1 250 Pièces (MOQ)

Guangdong Youfeng Microelectronics Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Semi-Conducteur Optoélectronique

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: 1K/Reel/Tap, Inner Box, Master

Standard: 590*250*170

Transistor original Irfr5305trpbf 55V 31A 65mΩ @ 10V, 16A 110W MOSFET canal P to-252-2 (DPAK) RoHS BOM Service

Transistor original Irfr5305trpbf 55V 31A 65mΩ @ 10V, 16A 110W MOSFET canal P to-252-2 (DPAK) RoHS BOM Service

Transistor original Irfr5305trpbf 55V 31A 65mΩ @ 10V, 16A 110W MOSFET canal P to-252-2 (DPAK) RoHS BOM Service

Transistor original Irfr5305trpbf 55V 31A 65mΩ @ 10V, 16A 110W MOSFET canal P to-252-2 (DPAK) RoHS BOM Service

Transistor original Irfr5305trpbf 55V 31A 65mΩ @ 10V, 16A 110W MOSFET canal P to-252-2 (DPAK) RoHS BOM Service

Transistor original Irfr5305trpbf 55V 31A 65mΩ @ 10V, 16A 110W MOSFET canal P to-252-2 (DPAK) RoHS BOM Service

1/ 6

Collection

Transistor original Irfr5305trpbf 55V 31A 65mΩ @ 10V, 16A 110W MOSFET canal P to-252-2 (DPAK) RoHS BOM Service

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

MOSFET de puissance mode d'amélioration de canal N 68V 100 a Dh060n07D to-252b

MOSFET de puissance mode d'amélioration de canal N 68V 100 a Dh060n07D to-252b

MOSFET de puissance mode d'amélioration de canal N 68V 100 a Dh060n07D to-252b

MOSFET de puissance mode d'amélioration de canal N 68V 100 a Dh060n07D to-252b

MOSFET de puissance mode d'amélioration de canal N 68V 100 a Dh060n07D to-252b

MOSFET de puissance mode d'amélioration de canal N 68V 100 a Dh060n07D to-252b

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Collection

MOSFET de puissance mode d'amélioration de canal N 68V 100 a Dh060n07D to-252b

0,45 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type P

Emballage: Tape & Reel

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

MOSFET de puissance à canal N 120 V capacité faible Miller capacité entièrement caractérisée TO-220AB / engrais applications SiliconGear-DG120N02P

MOSFET de puissance à canal N 120 V capacité faible Miller capacité entièrement caractérisée TO-220AB / engrais applications SiliconGear-DG120N02P

MOSFET de puissance à canal N 120 V capacité faible Miller capacité entièrement caractérisée TO-220AB / engrais applications SiliconGear-DG120N02P

MOSFET de puissance à canal N 120 V capacité faible Miller capacité entièrement caractérisée TO-220AB / engrais applications SiliconGear-DG120N02P

MOSFET de puissance à canal N 120 V capacité faible Miller capacité entièrement caractérisée TO-220AB / engrais applications SiliconGear-DG120N02P

MOSFET de puissance à canal N 120 V capacité faible Miller capacité entièrement caractérisée TO-220AB / engrais applications SiliconGear-DG120N02P

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Collection

MOSFET de puissance à canal N 120 V capacité faible Miller capacité entièrement caractérisée TO-220AB / engrais applications SiliconGear-DG120N02P

0,16-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Transistor original Bsz160n10ns3g 100V 8A 2,1W 16mΩ @10V, 20A canal N Tsdson-8 (3.3X3.3) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsz160n10ns3g 100V 8A 2,1W 16mΩ @10V, 20A canal N Tsdson-8 (3.3X3.3) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsz160n10ns3g 100V 8A 2,1W 16mΩ @10V, 20A canal N Tsdson-8 (3.3X3.3) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsz160n10ns3g 100V 8A 2,1W 16mΩ @10V, 20A canal N Tsdson-8 (3.3X3.3) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsz160n10ns3g 100V 8A 2,1W 16mΩ @10V, 20A canal N Tsdson-8 (3.3X3.3) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsz160n10ns3g 100V 8A 2,1W 16mΩ @10V, 20A canal N Tsdson-8 (3.3X3.3) MOSFET RoHS BOM Service

1/ 6

Collection

Transistor original Bsz160n10ns3g 100V 8A 2,1W 16mΩ @10V, 20A canal N Tsdson-8 (3.3X3.3) MOSFET RoHS BOM Service

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistor à effet de champ à mode d'amélioration de canal N MOSFET SOT-23 semi-conducteur 2N7002

Transistor à effet de champ à mode d'amélioration de canal N MOSFET SOT-23 semi-conducteur 2N7002

Transistor à effet de champ à mode d'amélioration de canal N MOSFET SOT-23 semi-conducteur 2N7002

Transistor à effet de champ à mode d'amélioration de canal N MOSFET SOT-23 semi-conducteur 2N7002

Transistor à effet de champ à mode d'amélioration de canal N MOSFET SOT-23 semi-conducteur 2N7002

Transistor à effet de champ à mode d'amélioration de canal N MOSFET SOT-23 semi-conducteur 2N7002

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Collection

Transistor à effet de champ à mode d'amélioration de canal N MOSFET SOT-23 semi-conducteur 2N7002

0,0079-0,013 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Shenzhen Beryu Technology Electronics Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Emballage: 3000PCS

Marque Déposée: YANGJIE

Origine: Made in China

Code SH: 8542329000

Yfw9n65comme Yfw10n40comme Yfw10n50comme d'-263 MOSFET

Yfw9n65comme Yfw10n40comme Yfw10n50comme d'-263 MOSFET

Yfw9n65comme Yfw10n40comme Yfw10n50comme d'-263 MOSFET

Yfw9n65comme Yfw10n40comme Yfw10n50comme d'-263 MOSFET

Yfw9n65comme Yfw10n40comme Yfw10n50comme d'-263 MOSFET

Yfw9n65comme Yfw10n40comme Yfw10n50comme d'-263 MOSFET

1/ 6

Collection

Yfw9n65comme Yfw10n40comme Yfw10n50comme d'-263 MOSFET

0,005-0,04 $US / Pièce

1 250 Pièces (MOQ)

Guangdong Youfeng Microelectronics Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Semi-Conducteur Optoélectronique

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: 800/Reel/Tap, Inner Box, Master

Standard: 590*250*170

MOSFET de puissance LSD65R180GT TO-220F canal N 650 V, 20 a, 0,18 Ω LonFET

MOSFET de puissance LSD65R180GT TO-220F canal N 650 V, 20 a, 0,18 Ω LonFET

MOSFET de puissance LSD65R180GT TO-220F canal N 650 V, 20 a, 0,18 Ω LonFET

MOSFET de puissance LSD65R180GT TO-220F canal N 650 V, 20 a, 0,18 Ω LonFET

MOSFET de puissance LSD65R180GT TO-220F canal N 650 V, 20 a, 0,18 Ω LonFET

MOSFET de puissance LSD65R180GT TO-220F canal N 650 V, 20 a, 0,18 Ω LonFET

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance LSD65R180GT TO-220F canal N 650 V, 20 a, 0,18 Ω LonFET

0,21-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Intensité lumineuse: Standard

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep60t18 NCE

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep60t18 NCE

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep60t18 NCE

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep60t18 NCE

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep60t18 NCE

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep60t18 NCE

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep60t18 NCE

0,483-0,555 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: Cardboard Box

Transistor original Irfb4020pbf 200V 18A 100mΩ @10V, 11A 100W N Canal to-220 MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irfb4020pbf 200V 18A 100mΩ @10V, 11A 100W N Canal to-220 MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irfb4020pbf 200V 18A 100mΩ @10V, 11A 100W N Canal to-220 MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irfb4020pbf 200V 18A 100mΩ @10V, 11A 100W N Canal to-220 MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irfb4020pbf 200V 18A 100mΩ @10V, 11A 100W N Canal to-220 MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irfb4020pbf 200V 18A 100mΩ @10V, 11A 100W N Canal to-220 MOSFET RoHS BOM Service

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Collection

Transistor original Irfb4020pbf 200V 18A 100mΩ @10V, 11A 100W N Canal to-220 MOSFET RoHS BOM Service

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Juxing Lbss84lt1g -50V-0.13d'un mosfet Plastic-Encapsulate SOT-23

Juxing Lbss84lt1g -50V-0.13d'un mosfet Plastic-Encapsulate SOT-23

Juxing Lbss84lt1g -50V-0.13d'un mosfet Plastic-Encapsulate SOT-23

Juxing Lbss84lt1g -50V-0.13d'un mosfet Plastic-Encapsulate SOT-23

Juxing Lbss84lt1g -50V-0.13d'un mosfet Plastic-Encapsulate SOT-23

Juxing Lbss84lt1g -50V-0.13d'un mosfet Plastic-Encapsulate SOT-23

1/ 6

Collection

Juxing Lbss84lt1g -50V-0.13d'un mosfet Plastic-Encapsulate SOT-23

0,017-0,0289 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

MOSFET de puissance Nce6003 NCE à mode d'amélioration canal N

MOSFET de puissance Nce6003 NCE à mode d'amélioration canal N

MOSFET de puissance Nce6003 NCE à mode d'amélioration canal N

MOSFET de puissance Nce6003 NCE à mode d'amélioration canal N

MOSFET de puissance Nce6003 NCE à mode d'amélioration canal N

MOSFET de puissance Nce6003 NCE à mode d'amélioration canal N

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance Nce6003 NCE à mode d'amélioration canal N

0,026-0,03 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type P

Paquet: SMD

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: Cardboard Box

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx2060K avec to-252 de Juxing 60A20V

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx2060K avec to-252 de Juxing 60A20V

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx2060K avec to-252 de Juxing 60A20V

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx2060K avec to-252 de Juxing 60A20V

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx2060K avec to-252 de Juxing 60A20V

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx2060K avec to-252 de Juxing 60A20V

1/ 6

Collection

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx2060K avec to-252 de Juxing 60A20V

0,0055-0,0156 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Irf9362trpbf Irf7313trpbf transistor transistor transistor transistor MOSFET Mosfetfet

Irf9362trpbf Irf7313trpbf transistor transistor transistor transistor MOSFET Mosfetfet

Irf9362trpbf Irf7313trpbf transistor transistor transistor transistor MOSFET Mosfetfet

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Irf9362trpbf Irf7313trpbf transistor transistor transistor transistor MOSFET Mosfetfet

Irf9362trpbf Irf7313trpbf transistor transistor transistor transistor MOSFET Mosfetfet

1/ 6

Collection

Irf9362trpbf Irf7313trpbf transistor transistor transistor transistor MOSFET Mosfetfet

0,33-0,55 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Shenzhen Zhizhao Electronics Co., Ltd

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forme: Appartement

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thin Film IC

Emballage: Tray, Box

Standard: SMD/SMT

Marque Déposée: Original brand

MOSFET de puissance LNH5N65B à canal N 650 V, 5 A.

MOSFET de puissance LNH5N65B à canal N 650 V, 5 A.

MOSFET de puissance LNH5N65B à canal N 650 V, 5 A.

MOSFET de puissance LNH5N65B à canal N 650 V, 5 A.

MOSFET de puissance LNH5N65B à canal N 650 V, 5 A.

MOSFET de puissance LNH5N65B à canal N 650 V, 5 A.

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance LNH5N65B à canal N 650 V, 5 A.

0,12-0,58 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: Subminiature

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: 1.5 x 0.7 x 0.2

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep60t12A NCE

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep60t12A NCE

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep60t12A NCE

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep60t12A NCE

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep60t12A NCE

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep60t12A NCE

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep60t12A NCE

0,429-0,499 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: Cardboard Box

Ce approuvé avec la technologie MOSFET Toshiba inverter welding machine (200A)

Ce approuvé avec la technologie MOSFET Toshiba inverter welding machine (200A)

Ce approuvé avec la technologie MOSFET Toshiba inverter welding machine (200A)

Ce approuvé avec la technologie MOSFET Toshiba inverter welding machine (200A)

Ce approuvé avec la technologie MOSFET Toshiba inverter welding machine (200A)

1/ 5

Collection

Ce approuvé avec la technologie MOSFET Toshiba inverter welding machine (200A)

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Donrun Welding Equipment Co., Ltd.

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refroidissement Way: Refroidissement Air

style: Portable

Gamme de fréquences: Haute fréquence

Courant électrique: DC

Formulaire de travail: Noyau de fer

Type: Argon Arc Welder

Transistor original Ipd082n10n3g 100V 80A 8,6 mΩ @10V, 73A 125W N Canal to-252-3 MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Ipd082n10n3g 100V 80A 8,6 mΩ @10V, 73A 125W N Canal to-252-3 MOSFET RoHS BOM Service

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Transistor original Ipd082n10n3g 100V 80A 8,6 mΩ @10V, 73A 125W N Canal to-252-3 MOSFET RoHS BOM Service

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Transistor original Ipd082n10n3g 100V 80A 8,6 mΩ @10V, 73A 125W N Canal to-252-3 MOSFET RoHS BOM Service

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

MOSFET de puissance 20 a 100 V mode d'amélioration canal N Dhs400n10d to-252b

MOSFET de puissance 20 a 100 V mode d'amélioration canal N Dhs400n10d to-252b

MOSFET de puissance 20 a 100 V mode d'amélioration canal N Dhs400n10d to-252b

MOSFET de puissance 20 a 100 V mode d'amélioration canal N Dhs400n10d to-252b

MOSFET de puissance 20 a 100 V mode d'amélioration canal N Dhs400n10d to-252b

MOSFET de puissance 20 a 100 V mode d'amélioration canal N Dhs400n10d to-252b

1/ 6

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MOSFET de puissance 20 a 100 V mode d'amélioration canal N Dhs400n10d to-252b

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type P

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

L'IPL60R085p7auma1 Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET -, MOSFET - Single Pg-Vson-4

L'IPL60R085p7auma1 Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET -, MOSFET - Single Pg-Vson-4

L'IPL60R085p7auma1 Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET -, MOSFET - Single Pg-Vson-4

L'IPL60R085p7auma1 Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET -, MOSFET - Single Pg-Vson-4

L'IPL60R085p7auma1 Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET -, MOSFET - Single Pg-Vson-4

L'IPL60R085p7auma1 Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET -, MOSFET - Single Pg-Vson-4

1/ 6

Collection

L'IPL60R085p7auma1 Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET -, MOSFET - Single Pg-Vson-4

0,05-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Emballage: N/a

Standard: DIP/SMD

Marque Déposée: N/A

Origine: Original

Capacité de Production: 5000

1200V/10UN TD5G10120D N-Canal MOSFET de puissance de pointe

1200V/10UN TD5G10120D N-Canal MOSFET de puissance de pointe

1200V/10UN TD5G10120D N-Canal MOSFET de puissance de pointe

1200V/10UN TD5G10120D N-Canal MOSFET de puissance de pointe

1200V/10UN TD5G10120D N-Canal MOSFET de puissance de pointe

1/ 5

Collection

1200V/10UN TD5G10120D N-Canal MOSFET de puissance de pointe

3,4-3,5 $US / Pièce

6 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

MOSFET SOD-523 Yfw3139ek

MOSFET SOD-523 Yfw3139ek

MOSFET SOD-523 Yfw3139ek

MOSFET SOD-523 Yfw3139ek

MOSFET SOD-523 Yfw3139ek

MOSFET SOD-523 Yfw3139ek

1/ 6

Collection

MOSFET SOD-523 Yfw3139ek

0,005-0,04 $US / Pièce

1 250 Pièces (MOQ)

Guangdong Youfeng Microelectronics Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Semi-Conducteur Optoélectronique

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: 3K/Reel/Tap, Inner Box, Master

Standard: 550*210*220

Le ventilateur3227Ntzd tmx3155TC1g ins NC45025At1g7SV00P5X Le Mosfet de sur

Le ventilateur3227Ntzd tmx3155TC1g ins NC45025At1g7SV00P5X Le Mosfet de sur

Le ventilateur3227Ntzd tmx3155TC1g ins NC45025At1g7SV00P5X Le Mosfet de sur

Le ventilateur3227Ntzd tmx3155TC1g ins NC45025At1g7SV00P5X Le Mosfet de sur

Le ventilateur3227Ntzd tmx3155TC1g ins NC45025At1g7SV00P5X Le Mosfet de sur

Le ventilateur3227Ntzd tmx3155TC1g ins NC45025At1g7SV00P5X Le Mosfet de sur

1/ 6

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Le ventilateur3227Ntzd tmx3155TC1g ins NC45025At1g7SV00P5X Le Mosfet de sur

0,1-0,3 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Emi International (Hk) Co. Ltd

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Technique: Semiconductor IC

Emballage: Reel/Tapy

Standard: Original

Marque Déposée: Original

Origine: Original

Code SH: 8536411000

Transistor original Irlr7843trpbf 30V 161A 3,3 mΩ @10V, 15A MOSFET to-252-2 (DPAK) à canal N to- (140 W) RoHS

Transistor original Irlr7843trpbf 30V 161A 3,3 mΩ @10V, 15A MOSFET to-252-2 (DPAK) à canal N to- (140 W) RoHS

Transistor original Irlr7843trpbf 30V 161A 3,3 mΩ @10V, 15A MOSFET to-252-2 (DPAK) à canal N to- (140 W) RoHS

Transistor original Irlr7843trpbf 30V 161A 3,3 mΩ @10V, 15A MOSFET to-252-2 (DPAK) à canal N to- (140 W) RoHS

Transistor original Irlr7843trpbf 30V 161A 3,3 mΩ @10V, 15A MOSFET to-252-2 (DPAK) à canal N to- (140 W) RoHS

Transistor original Irlr7843trpbf 30V 161A 3,3 mΩ @10V, 15A MOSFET to-252-2 (DPAK) à canal N to- (140 W) RoHS

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Transistor original Irlr7843trpbf 30V 161A 3,3 mΩ @10V, 15A MOSFET to-252-2 (DPAK) à canal N to- (140 W) RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

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