Accueil Électricité & Électronique Semi-Conducteur Mosfet de gros 2024 Liste de Produits

Mosfet de gros

produits trouvés de fabricants et grossistes de confiance

Transistor original Irfr3910trlpbf to-252 MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irfr3910trlpbf to-252 MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irfr3910trlpbf to-252 MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irfr3910trlpbf to-252 MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irfr3910trlpbf to-252 MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irfr3910trlpbf to-252 MOSFET RoHS BOM Service

1/ 6

Collection

Transistor original Irfr3910trlpbf to-252 MOSFET RoHS BOM Service

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

MOSFET IRFP150NPBF N-CH 100 V 42A TO247AC

MOSFET IRFP150NPBF N-CH 100 V 42A TO247AC

MOSFET IRFP150NPBF N-CH 100 V 42A TO247AC

MOSFET IRFP150NPBF N-CH 100 V 42A TO247AC

MOSFET IRFP150NPBF N-CH 100 V 42A TO247AC

MOSFET IRFP150NPBF N-CH 100 V 42A TO247AC

1/ 6

Collection

MOSFET IRFP150NPBF N-CH 100 V 42A TO247AC

0,17-200,00 $US / Pièce

500 Pièces (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

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Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Semiconductor IC

Emballage: Box

Origine: China

Code SH: 8542399000

Capacité de Production: 1000000PCS

Juxing Lbss84lt1g -50V-0.13d'un mosfet Plastic-Encapsulate SOT-23

Juxing Lbss84lt1g -50V-0.13d'un mosfet Plastic-Encapsulate SOT-23

Juxing Lbss84lt1g -50V-0.13d'un mosfet Plastic-Encapsulate SOT-23

Juxing Lbss84lt1g -50V-0.13d'un mosfet Plastic-Encapsulate SOT-23

Juxing Lbss84lt1g -50V-0.13d'un mosfet Plastic-Encapsulate SOT-23

Juxing Lbss84lt1g -50V-0.13d'un mosfet Plastic-Encapsulate SOT-23

1/ 6

Collection

Juxing Lbss84lt1g -50V-0.13d'un mosfet Plastic-Encapsulate SOT-23

0,017-0,0289 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Yfw8n65ad à-252 MOSFET

Yfw8n65ad à-252 MOSFET

Yfw8n65ad à-252 MOSFET

Yfw8n65ad à-252 MOSFET

Yfw8n65ad à-252 MOSFET

Yfw8n65ad à-252 MOSFET

1/ 6

Collection

Yfw8n65ad à-252 MOSFET

0,005-0,04 $US / Pièce

1 250 Pièces (MOQ)

Guangdong Youfeng Microelectronics Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Semi-Conducteur Optoélectronique

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: 2.5K/Reel/Tap, Inner Box, Master

Standard: 360*360*260

MOSFET de puissance Nce30h10g NCE en mode d'amélioration canal N

MOSFET de puissance Nce30h10g NCE en mode d'amélioration canal N

MOSFET de puissance Nce30h10g NCE en mode d'amélioration canal N

MOSFET de puissance Nce30h10g NCE en mode d'amélioration canal N

MOSFET de puissance Nce30h10g NCE en mode d'amélioration canal N

MOSFET de puissance Nce30h10g NCE en mode d'amélioration canal N

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance Nce30h10g NCE en mode d'amélioration canal N

0,351-0,403 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: SMD

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: Cardboard Box

Bon prix de l'IC MCU STB13NM60n Mosfet Stmicroelectronics Trans N-CH 600V

Bon prix de l'IC MCU STB13NM60n Mosfet Stmicroelectronics Trans N-CH 600V

Bon prix de l'IC MCU STB13NM60n Mosfet Stmicroelectronics Trans N-CH 600V

Bon prix de l'IC MCU STB13NM60n Mosfet Stmicroelectronics Trans N-CH 600V

Bon prix de l'IC MCU STB13NM60n Mosfet Stmicroelectronics Trans N-CH 600V

Bon prix de l'IC MCU STB13NM60n Mosfet Stmicroelectronics Trans N-CH 600V

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Collection

Bon prix de l'IC MCU STB13NM60n Mosfet Stmicroelectronics Trans N-CH 600V

0,02-2,8 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Emi International (Hk) Co. Ltd

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Technique: Semiconductor IC

Emballage: Standard

Standard: standard

Marque Déposée: standard

Origine: USA

Code SH: 8541290000

1/ 4

Collection

Sj-Mosfet HCS60R150s 600V N-Canal Mosfet super jonction

0,8-0,95 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Intensité lumineuse: Standard

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: MOS

MOSFET mode d'amélioration à canal N 0,65A 60V Ao3460 Juxing avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration à canal N 0,65A 60V Ao3460 Juxing avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration à canal N 0,65A 60V Ao3460 Juxing avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration à canal N 0,65A 60V Ao3460 Juxing avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration à canal N 0,65A 60V Ao3460 Juxing avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration à canal N 0,65A 60V Ao3460 Juxing avec SOT-23

1/ 6

Collection

MOSFET mode d'amélioration à canal N 0,65A 60V Ao3460 Juxing avec SOT-23

0,017-0,0289 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Transistors MOSFET Irfb3206pbf Irfb3206 N-CH 60V 120A TO220AB Liste des séries PCB PCBA

Transistors MOSFET Irfb3206pbf Irfb3206 N-CH 60V 120A TO220AB Liste des séries PCB PCBA

Transistors MOSFET Irfb3206pbf Irfb3206 N-CH 60V 120A TO220AB Liste des séries PCB PCBA

Transistors MOSFET Irfb3206pbf Irfb3206 N-CH 60V 120A TO220AB Liste des séries PCB PCBA

Transistors MOSFET Irfb3206pbf Irfb3206 N-CH 60V 120A TO220AB Liste des séries PCB PCBA

Transistors MOSFET Irfb3206pbf Irfb3206 N-CH 60V 120A TO220AB Liste des séries PCB PCBA

1/ 6

Collection

Transistors MOSFET Irfb3206pbf Irfb3206 N-CH 60V 120A TO220AB Liste des séries PCB PCBA

0,8-1,2 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

certificat: RoHS,CE,ISO

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Standard: DIP/SMT

Marque Déposée: Original

100V / -100V complémentaires, MOSFET de puissance Faible Charge Miller Entrée/Sortie faible fuite d'applications Fetures Silicongear SOP-8-SGD100C03S

100V / -100V complémentaires, MOSFET de puissance Faible Charge Miller Entrée/Sortie faible fuite d'applications Fetures Silicongear SOP-8-SGD100C03S

100V / -100V complémentaires, MOSFET de puissance Faible Charge Miller Entrée/Sortie faible fuite d'applications Fetures Silicongear SOP-8-SGD100C03S

100V / -100V complémentaires, MOSFET de puissance Faible Charge Miller Entrée/Sortie faible fuite d'applications Fetures Silicongear SOP-8-SGD100C03S

100V / -100V complémentaires, MOSFET de puissance Faible Charge Miller Entrée/Sortie faible fuite d'applications Fetures Silicongear SOP-8-SGD100C03S

100V / -100V complémentaires, MOSFET de puissance Faible Charge Miller Entrée/Sortie faible fuite d'applications Fetures Silicongear SOP-8-SGD100C03S

1/ 6

Collection

100V / -100V complémentaires, MOSFET de puissance Faible Charge Miller Entrée/Sortie faible fuite d'applications Fetures Silicongear SOP-8-SGD100C03S

0,11-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

MOSFET de puissance mode d'amélioration canal N 240 a 60 V Dhs022n06D to-3pn

MOSFET de puissance mode d'amélioration canal N 240 a 60 V Dhs022n06D to-3pn

MOSFET de puissance mode d'amélioration canal N 240 a 60 V Dhs022n06D to-3pn

MOSFET de puissance mode d'amélioration canal N 240 a 60 V Dhs022n06D to-3pn

MOSFET de puissance mode d'amélioration canal N 240 a 60 V Dhs022n06D to-3pn

MOSFET de puissance mode d'amélioration canal N 240 a 60 V Dhs022n06D to-3pn

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance mode d'amélioration canal N 240 a 60 V Dhs022n06D to-3pn

0,01-0,2 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Transistor original Irlr3110ztrpbf 100V 42A 140W 14mΩ @10V, MOSFET to-252-2 (DPAK) 38A canal N RoHS

Transistor original Irlr3110ztrpbf 100V 42A 140W 14mΩ @10V, MOSFET to-252-2 (DPAK) 38A canal N RoHS

Transistor original Irlr3110ztrpbf 100V 42A 140W 14mΩ @10V, MOSFET to-252-2 (DPAK) 38A canal N RoHS

Transistor original Irlr3110ztrpbf 100V 42A 140W 14mΩ @10V, MOSFET to-252-2 (DPAK) 38A canal N RoHS

Transistor original Irlr3110ztrpbf 100V 42A 140W 14mΩ @10V, MOSFET to-252-2 (DPAK) 38A canal N RoHS

Transistor original Irlr3110ztrpbf 100V 42A 140W 14mΩ @10V, MOSFET to-252-2 (DPAK) 38A canal N RoHS

1/ 6

Collection

Transistor original Irlr3110ztrpbf 100V 42A 140W 14mΩ @10V, MOSFET to-252-2 (DPAK) 38A canal N RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

MOSFET de puissance 100 V à canal N et mode d'amélioration WMB080N10LG2 PDFN5060-8L

MOSFET de puissance 100 V à canal N et mode d'amélioration WMB080N10LG2 PDFN5060-8L

MOSFET de puissance 100 V à canal N et mode d'amélioration WMB080N10LG2 PDFN5060-8L

MOSFET de puissance 100 V à canal N et mode d'amélioration WMB080N10LG2 PDFN5060-8L

MOSFET de puissance 100 V à canal N et mode d'amélioration WMB080N10LG2 PDFN5060-8L

MOSFET de puissance 100 V à canal N et mode d'amélioration WMB080N10LG2 PDFN5060-8L

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance 100 V à canal N et mode d'amélioration WMB080N10LG2 PDFN5060-8L

0,16 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Puissance Triode

Emballage: Carton

Standard: metal

Marque Déposée: Merryelc

Origine: Guangdong, China

Transistor original Irfb7540pbf 60V 110A 160W 5,1 mΩ @10V, 65A MOSFET to-220 canal N RoHS

Transistor original Irfb7540pbf 60V 110A 160W 5,1 mΩ @10V, 65A MOSFET to-220 canal N RoHS

Transistor original Irfb7540pbf 60V 110A 160W 5,1 mΩ @10V, 65A MOSFET to-220 canal N RoHS

Transistor original Irfb7540pbf 60V 110A 160W 5,1 mΩ @10V, 65A MOSFET to-220 canal N RoHS

Transistor original Irfb7540pbf 60V 110A 160W 5,1 mΩ @10V, 65A MOSFET to-220 canal N RoHS

Transistor original Irfb7540pbf 60V 110A 160W 5,1 mΩ @10V, 65A MOSFET to-220 canal N RoHS

1/ 6

Collection

Transistor original Irfb7540pbf 60V 110A 160W 5,1 mΩ @10V, 65A MOSFET to-220 canal N RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

MOSFET Fw6n60as-R Yfw7n60as-R to-263

MOSFET Fw6n60as-R Yfw7n60as-R to-263

MOSFET Fw6n60as-R Yfw7n60as-R to-263

MOSFET Fw6n60as-R Yfw7n60as-R to-263

MOSFET Fw6n60as-R Yfw7n60as-R to-263

MOSFET Fw6n60as-R Yfw7n60as-R to-263

1/ 6

Collection

MOSFET Fw6n60as-R Yfw7n60as-R to-263

0,005-0,04 $US / Pièce

1 250 Pièces (MOQ)

Guangdong Youfeng Microelectronics Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Semi-Conducteur Optoélectronique

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: 800/Reel/Tap, Inner Box, Master

Standard: 590*250*170

MOSFET de puissance Nce4015s NCE N-Channel Enhancement mode

MOSFET de puissance Nce4015s NCE N-Channel Enhancement mode

MOSFET de puissance Nce4015s NCE N-Channel Enhancement mode

MOSFET de puissance Nce4015s NCE N-Channel Enhancement mode

MOSFET de puissance Nce4015s NCE N-Channel Enhancement mode

MOSFET de puissance Nce4015s NCE N-Channel Enhancement mode

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance Nce4015s NCE N-Channel Enhancement mode

0,1-1,2 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: SMD

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: Cardboard Box

Juxing 3A 20V TR2302 N-Mode d'amélioration de MOSFET canal avec SOT-23

Juxing 3A 20V TR2302 N-Mode d'amélioration de MOSFET canal avec SOT-23

Juxing 3A 20V TR2302 N-Mode d'amélioration de MOSFET canal avec SOT-23

Juxing 3A 20V TR2302 N-Mode d'amélioration de MOSFET canal avec SOT-23

Juxing 3A 20V TR2302 N-Mode d'amélioration de MOSFET canal avec SOT-23

Juxing 3A 20V TR2302 N-Mode d'amélioration de MOSFET canal avec SOT-23

1/ 6

Collection

Juxing 3A 20V TR2302 N-Mode d'amélioration de MOSFET canal avec SOT-23

0,0055-0,0156 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

MOSFET de puissance à double canal N à drain commun 24 V, protection ESD à faible résistance Applications de Fetures SiliconGear-SG2411TD

MOSFET de puissance à double canal N à drain commun 24 V, protection ESD à faible résistance Applications de Fetures SiliconGear-SG2411TD

MOSFET de puissance à double canal N à drain commun 24 V, protection ESD à faible résistance Applications de Fetures SiliconGear-SG2411TD

MOSFET de puissance à double canal N à drain commun 24 V, protection ESD à faible résistance Applications de Fetures SiliconGear-SG2411TD

MOSFET de puissance à double canal N à drain commun 24 V, protection ESD à faible résistance Applications de Fetures SiliconGear-SG2411TD

MOSFET de puissance à double canal N à drain commun 24 V, protection ESD à faible résistance Applications de Fetures SiliconGear-SG2411TD

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance à double canal N à drain commun 24 V, protection ESD à faible résistance Applications de Fetures SiliconGear-SG2411TD

0,09-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

MOSFET CH N 20 V Texas CSD95491q5mc

MOSFET CH N 20 V Texas CSD95491q5mc

MOSFET CH N 20 V Texas CSD95491q5mc

MOSFET CH N 20 V Texas CSD95491q5mc

MOSFET CH N 20 V Texas CSD95491q5mc

MOSFET CH N 20 V Texas CSD95491q5mc

1/ 6

Collection

MOSFET CH N 20 V Texas CSD95491q5mc

0,01 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Shanghai Gawin Electronic Technology Co., Ltd.

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forme: Appartement

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thick Film IC

Emballage: Carton

Standard: 1

Marque Déposée: 1

MOSFET de puissance 120 a 40 V à canal N amélioré Dte043n04na to-263

MOSFET de puissance 120 a 40 V à canal N amélioré Dte043n04na to-263

MOSFET de puissance 120 a 40 V à canal N amélioré Dte043n04na to-263

MOSFET de puissance 120 a 40 V à canal N amélioré Dte043n04na to-263

MOSFET de puissance 120 a 40 V à canal N amélioré Dte043n04na to-263

MOSFET de puissance 120 a 40 V à canal N amélioré Dte043n04na to-263

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance 120 a 40 V à canal N amélioré Dte043n04na to-263

0,01-0,2 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tape & Reel

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Amélioration de transistor à220f OSG65R290FF VDS-700V ID-45un RDS (ON) milliohm -290Qg-18nc pour alimentation du serveur EV Chargeur solaire/UPS MOSFET de puissance à canal N

Amélioration de transistor à220f OSG65R290FF VDS-700V ID-45un RDS (ON) milliohm -290Qg-18nc pour alimentation du serveur EV Chargeur solaire/UPS MOSFET de puissance à canal N

Amélioration de transistor à220f OSG65R290FF VDS-700V ID-45un RDS (ON) milliohm -290Qg-18nc pour alimentation du serveur EV Chargeur solaire/UPS MOSFET de puissance à canal N

Amélioration de transistor à220f OSG65R290FF VDS-700V ID-45un RDS (ON) milliohm -290Qg-18nc pour alimentation du serveur EV Chargeur solaire/UPS MOSFET de puissance à canal N

Amélioration de transistor à220f OSG65R290FF VDS-700V ID-45un RDS (ON) milliohm -290Qg-18nc pour alimentation du serveur EV Chargeur solaire/UPS MOSFET de puissance à canal N

Amélioration de transistor à220f OSG65R290FF VDS-700V ID-45un RDS (ON) milliohm -290Qg-18nc pour alimentation du serveur EV Chargeur solaire/UPS MOSFET de puissance à canal N

1/ 6

Collection

Amélioration de transistor à220f OSG65R290FF VDS-700V ID-45un RDS (ON) milliohm -290Qg-18nc pour alimentation du serveur EV Chargeur solaire/UPS MOSFET de puissance à canal N

0,1-1,1 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Irlr120trpbf produits semiconducteurs discrets - FET, MOSFET - simple to-252-3

Irlr120trpbf produits semiconducteurs discrets - FET, MOSFET - simple to-252-3

Irlr120trpbf produits semiconducteurs discrets - FET, MOSFET - simple to-252-3

Irlr120trpbf produits semiconducteurs discrets - FET, MOSFET - simple to-252-3

Irlr120trpbf produits semiconducteurs discrets - FET, MOSFET - simple to-252-3

Irlr120trpbf produits semiconducteurs discrets - FET, MOSFET - simple to-252-3

1/ 6

Collection

Irlr120trpbf produits semiconducteurs discrets - FET, MOSFET - simple to-252-3

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Emballage: N/a

Standard: DIP/SMD

Marque Déposée: N/A

Origine: Original

Capacité de Production: 5000

Transistors originaux MOSFET Irfp064n Irfp064 Irfp064npbf Irfp064vpbf BOM PCBA/PCB Service

Transistors originaux MOSFET Irfp064n Irfp064 Irfp064npbf Irfp064vpbf BOM PCBA/PCB Service

Transistors originaux MOSFET Irfp064n Irfp064 Irfp064npbf Irfp064vpbf BOM PCBA/PCB Service

Transistors originaux MOSFET Irfp064n Irfp064 Irfp064npbf Irfp064vpbf BOM PCBA/PCB Service

Transistors originaux MOSFET Irfp064n Irfp064 Irfp064npbf Irfp064vpbf BOM PCBA/PCB Service

Transistors originaux MOSFET Irfp064n Irfp064 Irfp064npbf Irfp064vpbf BOM PCBA/PCB Service

1/ 6

Collection

Transistors originaux MOSFET Irfp064n Irfp064 Irfp064npbf Irfp064vpbf BOM PCBA/PCB Service

1,00-2,5 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Emballage: Package

Standard: SMT/DIP

Marque Déposée: Original

Origine: Original

Boîtier IRF140NPBF TO-247AC MOSFET de puissance HEXFET 100 V 33 A.

Boîtier IRF140NPBF TO-247AC MOSFET de puissance HEXFET 100 V 33 A.

Boîtier IRF140NPBF TO-247AC MOSFET de puissance HEXFET 100 V 33 A.

Boîtier IRF140NPBF TO-247AC MOSFET de puissance HEXFET 100 V 33 A.

Boîtier IRF140NPBF TO-247AC MOSFET de puissance HEXFET 100 V 33 A.

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Boîtier IRF140NPBF TO-247AC MOSFET de puissance HEXFET 100 V 33 A.

0,845 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Application: Produits électroniques

certificat: RoHS,CE,ISO

Intensité lumineuse: Standard

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Transistor original MOSFET SO-8 Irf7317trpbf RoHS BOM Service

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Transistor original MOSFET SO-8 Irf7317trpbf RoHS BOM Service

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

IR2184SPBF IGBT strpbf IR2184mosfet IR2184

IR2184SPBF IGBT strpbf IR2184mosfet IR2184

IR2184SPBF IGBT strpbf IR2184mosfet IR2184

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IR2184SPBF IGBT strpbf IR2184mosfet IR2184

2,5-3,82 $US / Pièce

500 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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forme: TREMPER

Yfw120N10comme d'-263 MOSFET

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Yfw120N10comme d'-263 MOSFET

Yfw120N10comme d'-263 MOSFET

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Yfw120N10comme d'-263 MOSFET

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Yfw120N10comme d'-263 MOSFET

0,005-0,04 $US / Pièce

1 250 Pièces (MOQ)

Guangdong Youfeng Microelectronics Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Semi-Conducteur Optoélectronique

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: 800/Reel/Tap, Inner Box, Master

Standard: 590*250*170

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Collection

Pièces de rechange MOSFET IGBT pour transformateur de compteur numérique IGBT de Pièces de rechange pour machines à souder

0,001-30,00 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Exlentech Welding Equipments Co., Ltd.

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refroidissement Way: Refroidissement Air

style: Portable

Gamme de fréquences: Haute fréquence

Courant électrique: DC

Formulaire de travail: Un corps

Type: Metal-Arc Manuel Soudeur

MOSFET de puissance à canal N 30 V WMB017N03LG2

MOSFET de puissance à canal N 30 V WMB017N03LG2

MOSFET de puissance à canal N 30 V WMB017N03LG2

MOSFET de puissance à canal N 30 V WMB017N03LG2

MOSFET de puissance à canal N 30 V WMB017N03LG2

MOSFET de puissance à canal N 30 V WMB017N03LG2

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MOSFET de puissance à canal N 30 V WMB017N03LG2

0,183 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Intensité lumineuse: Standard

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Marque Déposée: Merry

MOSFET N 100 V/12 mΩ/60 a Dsb150n10L3 to-251b

MOSFET N 100 V/12 mΩ/60 a Dsb150n10L3 to-251b

MOSFET N 100 V/12 mΩ/60 a Dsb150n10L3 to-251b

MOSFET N 100 V/12 mΩ/60 a Dsb150n10L3 to-251b

MOSFET N 100 V/12 mΩ/60 a Dsb150n10L3 to-251b

MOSFET N 100 V/12 mΩ/60 a Dsb150n10L3 to-251b

1/ 6

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MOSFET N 100 V/12 mΩ/60 a Dsb150n10L3 to-251b

0,01-0,2 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

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