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Transistor bipolaire

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Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

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Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

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Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

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Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor d'origine Bfp450h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

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Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

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Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

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Transistors bipolaires Original Bfr182e6327 12 V 250 MW 100 à 10 mA, 8 V 35 mA Sot-23 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistors bipolaires Original Bfr182e6327 12 V 250 MW 100 à 10 mA, 8 V 35 mA Sot-23 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistors bipolaires Original Bfr182e6327 12 V 250 MW 100 à 10 mA, 8 V 35 mA Sot-23 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistors bipolaires Bfp640esdh6327 Sot-343-4 d'origine - BJT RoHS BOM Service

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Transistor original Mmbt2907alt1htsa1 60V 330MW 100 à 150mA, 10V 600mA PNP transistors bipolaires SOT-23 - BJT RoHS BOM Service

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Transistor original Mmbt2907alt1htsa1 60V 330MW 100 à 150mA, 10V 600mA PNP transistors bipolaires SOT-23 - BJT RoHS BOM Service

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Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

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Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

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Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

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Transistors bipolaires Bfp196wh6327xtsa1 Sot-343 d'origine - BJT, nomenclature RoHS Service

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Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

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Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

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Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

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Matériel: Germanium

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Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

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Transistors bipolaires Original Bfp640h6327 4,5V 200MW 50mA NPN Sot-343 - Service de BOM RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp640h6327 4,5V 200MW 50mA NPN Sot-343 - Service de BOM RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp640h6327 4,5V 200MW 50mA NPN Sot-343 - Service de BOM RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp640h6327 4,5V 200MW 50mA NPN Sot-343 - Service de BOM RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp640h6327 4,5V 200MW 50mA NPN Sot-343 - Service de BOM RoHS BJT

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Matériel: Germanium

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Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor original Bfp460h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor original Bfp460h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor original Bfp460h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor original Bfp460h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor original Bfp460h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

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Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistors bipolaires Bfp410h6327 4,5V 150MW 95@13mA, 2V 40mA NPN Sot-343-4 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp410h6327 4,5V 150MW 95@13mA, 2V 40mA NPN Sot-343-4 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp410h6327 4,5V 150MW 95@13mA, 2V 40mA NPN Sot-343-4 - BJT Service de nomenclature RoHS

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Transistors bipolaires Bfp410h6327 4,5V 150MW 95@13mA, 2V 40mA NPN Sot-343-4 - BJT Service de nomenclature RoHS

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

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2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

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Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Pdtc123Yu, 115 Pre-Biased (transistor bipolaire à Pre-Biased npn BJT) - 50 V 100 MA 200 MW SMD SOT-323 Pdtc Pdtc123yu123

Pdtc123Yu, 115 Pre-Biased (transistor bipolaire à Pre-Biased npn BJT) - 50 V 100 MA 200 MW SMD SOT-323 Pdtc Pdtc123yu123

Pdtc123Yu, 115 Pre-Biased (transistor bipolaire à Pre-Biased npn BJT) - 50 V 100 MA 200 MW SMD SOT-323 Pdtc Pdtc123yu123

Pdtc123Yu, 115 Pre-Biased (transistor bipolaire à Pre-Biased npn BJT) - 50 V 100 MA 200 MW SMD SOT-323 Pdtc Pdtc123yu123

Pdtc123Yu, 115 Pre-Biased (transistor bipolaire à Pre-Biased npn BJT) - 50 V 100 MA 200 MW SMD SOT-323 Pdtc Pdtc123yu123

Pdtc123Yu, 115 Pre-Biased (transistor bipolaire à Pre-Biased npn BJT) - 50 V 100 MA 200 MW SMD SOT-323 Pdtc Pdtc123yu123

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Pdtc123Yu, 115 Pre-Biased (transistor bipolaire à Pre-Biased npn BJT) - 50 V 100 MA 200 MW SMD SOT-323 Pdtc Pdtc123yu123

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Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Matériel: Germanium

Emballage: Standard

Origine: Original

Capacité de Production: 10000PCS/Day

Rn1301 transistor bipolaire pré-polarisé (BJT) NPN - pré-polarisé 50 V 100 Ma 250 MHz 100 MW montage en surface SC-70 CMS Rn1301, LF

Rn1301 transistor bipolaire pré-polarisé (BJT) NPN - pré-polarisé 50 V 100 Ma 250 MHz 100 MW montage en surface SC-70 CMS Rn1301, LF

Rn1301 transistor bipolaire pré-polarisé (BJT) NPN - pré-polarisé 50 V 100 Ma 250 MHz 100 MW montage en surface SC-70 CMS Rn1301, LF

Rn1301 transistor bipolaire pré-polarisé (BJT) NPN - pré-polarisé 50 V 100 Ma 250 MHz 100 MW montage en surface SC-70 CMS Rn1301, LF

Rn1301 transistor bipolaire pré-polarisé (BJT) NPN - pré-polarisé 50 V 100 Ma 250 MHz 100 MW montage en surface SC-70 CMS Rn1301, LF

Rn1301 transistor bipolaire pré-polarisé (BJT) NPN - pré-polarisé 50 V 100 Ma 250 MHz 100 MW montage en surface SC-70 CMS Rn1301, LF

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Rn1301 transistor bipolaire pré-polarisé (BJT) NPN - pré-polarisé 50 V 100 Ma 250 MHz 100 MW montage en surface SC-70 CMS Rn1301, LF

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Matériel: Germanium

Emballage: Standard

Origine: Original

Capacité de Production: 10000PCS/Day

Transistor bipolaire Mmbt5401 original PNP 150V 600mA 300MHz 350MW surface Monter le berceau-23

Transistor bipolaire Mmbt5401 original PNP 150V 600mA 300MHz 350MW surface Monter le berceau-23

Transistor bipolaire Mmbt5401 original PNP 150V 600mA 300MHz 350MW surface Monter le berceau-23

Transistor bipolaire Mmbt5401 original PNP 150V 600mA 300MHz 350MW surface Monter le berceau-23

Transistor bipolaire Mmbt5401 original PNP 150V 600mA 300MHz 350MW surface Monter le berceau-23

Transistor bipolaire Mmbt5401 original PNP 150V 600mA 300MHz 350MW surface Monter le berceau-23

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Transistor bipolaire Mmbt5401 original PNP 150V 600mA 300MHz 350MW surface Monter le berceau-23

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certificat: ISO

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Structure: La diffusion

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

1/ 6

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Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Semiconducteurs discrets Tw027z65c S1f Tw107z65c transistors G3 650V to-247-4L 27mohm

Semiconducteurs discrets Tw027z65c S1f Tw107z65c transistors G3 650V to-247-4L 27mohm

Semiconducteurs discrets Tw027z65c S1f Tw107z65c transistors G3 650V to-247-4L 27mohm

Semiconducteurs discrets Tw027z65c S1f Tw107z65c transistors G3 650V to-247-4L 27mohm

Semiconducteurs discrets Tw027z65c S1f Tw107z65c transistors G3 650V to-247-4L 27mohm

Semiconducteurs discrets Tw027z65c S1f Tw107z65c transistors G3 650V to-247-4L 27mohm

1/ 6

Collection

Semiconducteurs discrets Tw027z65c S1f Tw107z65c transistors G3 650V to-247-4L 27mohm

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor MOSFET MOSFET à base de carbure de silicium 1 canal 189 W Imza65r027m1hxksa1

Transistor MOSFET MOSFET à base de carbure de silicium 1 canal 189 W Imza65r027m1hxksa1

Transistor MOSFET MOSFET à base de carbure de silicium 1 canal 189 W Imza65r027m1hxksa1

Transistor MOSFET MOSFET à base de carbure de silicium 1 canal 189 W Imza65r027m1hxksa1

Transistor MOSFET MOSFET à base de carbure de silicium 1 canal 189 W Imza65r027m1hxksa1

Transistor MOSFET MOSFET à base de carbure de silicium 1 canal 189 W Imza65r027m1hxksa1

1/ 6

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Transistor MOSFET MOSFET à base de carbure de silicium 1 canal 189 W Imza65r027m1hxksa1

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Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistors nouveaux et originaux Unr212400L Un4212- (TA) Trans Prebias PNP 50 V 0,5A Mini3

Transistors nouveaux et originaux Unr212400L Un4212- (TA) Trans Prebias PNP 50 V 0,5A Mini3

Transistors nouveaux et originaux Unr212400L Un4212- (TA) Trans Prebias PNP 50 V 0,5A Mini3

Transistors nouveaux et originaux Unr212400L Un4212- (TA) Trans Prebias PNP 50 V 0,5A Mini3

Transistors nouveaux et originaux Unr212400L Un4212- (TA) Trans Prebias PNP 50 V 0,5A Mini3

Transistors nouveaux et originaux Unr212400L Un4212- (TA) Trans Prebias PNP 50 V 0,5A Mini3

1/ 6

Collection

Transistors nouveaux et originaux Unr212400L Un4212- (TA) Trans Prebias PNP 50 V 0,5A Mini3

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Nouveau transistor transistor NPN en ligne Bc557-B Bc557 to-92

Nouveau transistor transistor NPN en ligne Bc557-B Bc557 to-92

Nouveau transistor transistor NPN en ligne Bc557-B Bc557 to-92

Nouveau transistor transistor NPN en ligne Bc557-B Bc557 to-92

Nouveau transistor transistor NPN en ligne Bc557-B Bc557 to-92

Nouveau transistor transistor NPN en ligne Bc557-B Bc557 to-92

1/ 6

Collection

Nouveau transistor transistor NPN en ligne Bc557-B Bc557 to-92

0,32-0,52 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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Forme: ST

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Structure: La diffusion

Encapsulation Structure: Verre Transistor Sealed

Matériel: Germanium

1/ 3

Collection

J6920Hot la vente d'un téléviseur HDTV Transistor Ligne J6920 en stock

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Structure: Alliage

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Niveau d'énergie: Haute puissance

Matériel: Germanium

Standard: standard

1/ 2

Collection

Mjl21193 Mjl21194 transistor amplificateur audio bipolaire 250V 16A

0,1-1,98 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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Matériel: Germanium

Origine: Chn

Transistors nouveaux et originaux Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3,1 mohm

Transistors nouveaux et originaux Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3,1 mohm

Transistors nouveaux et originaux Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3,1 mohm

Transistors nouveaux et originaux Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3,1 mohm

Transistors nouveaux et originaux Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3,1 mohm

Transistors nouveaux et originaux Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3,1 mohm

1/ 6

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Transistors nouveaux et originaux Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3,1 mohm

0,001-0,1 $US / Pièce

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Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

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