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Transistor de puissance NPN silicium

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Transistors de puissance NPN triode PNP 2n3906 silicium 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

Transistors de puissance NPN triode PNP 2n3906 silicium 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

Transistors de puissance NPN triode PNP 2n3906 silicium 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

Transistors de puissance NPN triode PNP 2n3906 silicium 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

Transistors de puissance NPN triode PNP 2n3906 silicium 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

Transistors de puissance NPN triode PNP 2n3906 silicium 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

1/ 6

Collection

Transistors de puissance NPN triode PNP 2n3906 silicium 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

5,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Finest Pcb Assembly Limited

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

Transistor à puce au silicium Bu2508df NPN transistor de puissance RoHS original

Transistor à puce au silicium Bu2508df NPN transistor de puissance RoHS original

Transistor à puce au silicium Bu2508df NPN transistor de puissance RoHS original

Transistor à puce au silicium Bu2508df NPN transistor de puissance RoHS original

Transistor à puce au silicium Bu2508df NPN transistor de puissance RoHS original

Transistor à puce au silicium Bu2508df NPN transistor de puissance RoHS original

1/ 6

Collection

Transistor à puce au silicium Bu2508df NPN transistor de puissance RoHS original

0,01-0,1 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Semiconductor IC

Emballage: N/a

Standard: N/A

Marque Déposée: N/A

Origine: Original

Transistor de puissance NPN Silicium G10n06 60V 10A MOS

Transistor de puissance NPN Silicium G10n06 60V 10A MOS

Transistor de puissance NPN Silicium G10n06 60V 10A MOS

Transistor de puissance NPN Silicium G10n06 60V 10A MOS

Transistor de puissance NPN Silicium G10n06 60V 10A MOS

1/ 5

Collection

Transistor de puissance NPN Silicium G10n06 60V 10A MOS

0,09-0,11 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Reel, with Antistatic Alluminum Foil Bag

Transistors de puissance NPN silicium Bdv65c

Transistors de puissance NPN silicium Bdv65c

Transistors de puissance NPN silicium Bdv65c

Transistors de puissance NPN silicium Bdv65c

Transistors de puissance NPN silicium Bdv65c

Transistors de puissance NPN silicium Bdv65c

1/ 6

Collection

Transistors de puissance NPN silicium Bdv65c

0,9-1,87 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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forme: TREMPER

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thick Film IC

Emballage: Tube

Standard: iron and plastic

Origine: Chn

Transistors de puissance NPN silicium 2n6547

Transistors de puissance NPN silicium 2n6547

Transistors de puissance NPN silicium 2n6547

Transistors de puissance NPN silicium 2n6547

Transistors de puissance NPN silicium 2n6547

Transistors de puissance NPN silicium 2n6547

1/ 6

Collection

Transistors de puissance NPN silicium 2n6547

0,65-2,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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forme: Appartement

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thick Film IC

Transistors de puissance silicium NPN d'origine Bd243c to-220 transistor à effet de champ

Transistors de puissance silicium NPN d'origine Bd243c to-220 transistor à effet de champ

Transistors de puissance silicium NPN d'origine Bd243c to-220 transistor à effet de champ

Transistors de puissance silicium NPN d'origine Bd243c to-220 transistor à effet de champ

Transistors de puissance silicium NPN d'origine Bd243c to-220 transistor à effet de champ

Transistors de puissance silicium NPN d'origine Bd243c to-220 transistor à effet de champ

1/ 6

Collection

Transistors de puissance silicium NPN d'origine Bd243c to-220 transistor à effet de champ

0,01-1,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Fonction: Commutateur Transistor

Emballage: /

Standard: /

Marque Déposée: /

Origine: China

Capacité de Production: 500000

Ksh13007un 13007 à-220 série en mode de commutation silicium NPN Transistor de puissance

Ksh13007un 13007 à-220 série en mode de commutation silicium NPN Transistor de puissance

Ksh13007un 13007 à-220 série en mode de commutation silicium NPN Transistor de puissance

Ksh13007un 13007 à-220 série en mode de commutation silicium NPN Transistor de puissance

Ksh13007un 13007 à-220 série en mode de commutation silicium NPN Transistor de puissance

Ksh13007un 13007 à-220 série en mode de commutation silicium NPN Transistor de puissance

1/ 6

Collection

Ksh13007un 13007 à-220 série en mode de commutation silicium NPN Transistor de puissance

0,5-1,5 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Forme: GT

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: La diffusion

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Haute qualité C1027 Transistor de puissance NPN silicium à-92 2SC1027

Haute qualité C1027 Transistor de puissance NPN silicium à-92 2SC1027

Haute qualité C1027 Transistor de puissance NPN silicium à-92 2SC1027

Haute qualité C1027 Transistor de puissance NPN silicium à-92 2SC1027

Haute qualité C1027 Transistor de puissance NPN silicium à-92 2SC1027

Haute qualité C1027 Transistor de puissance NPN silicium à-92 2SC1027

1/ 6

Collection

Haute qualité C1027 Transistor de puissance NPN silicium à-92 2SC1027

0,08-0,4 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fonction: Photosensible,Puissance Triode

Structure: PNP

Standard: iron and plastic

Nouvel Original5586 C5586 2SC ISC à transistor de puissance NPN silicium-3

Nouvel Original5586 C5586 2SC ISC à transistor de puissance NPN silicium-3

Nouvel Original5586 C5586 2SC ISC à transistor de puissance NPN silicium-3

Nouvel Original5586 C5586 2SC ISC à transistor de puissance NPN silicium-3

Nouvel Original5586 C5586 2SC ISC à transistor de puissance NPN silicium-3

Nouvel Original5586 C5586 2SC ISC à transistor de puissance NPN silicium-3

1/ 6

Collection

Nouvel Original5586 C5586 2SC ISC à transistor de puissance NPN silicium-3

0,41-0,45 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Standard: standard

Marque Déposée: /

Origine: China

Capacité de Production: 10000

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

1/ 6

Collection

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

1,00-1,238 $US / Pièce

500 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: /

Standard: /

Marque Déposée: /

Transistor MOSFET NPN de puissance de semi-conducteur de haute qualité équivalent Itw1750A

Transistor MOSFET NPN de puissance de semi-conducteur de haute qualité équivalent Itw1750A

Transistor MOSFET NPN de puissance de semi-conducteur de haute qualité équivalent Itw1750A

Transistor MOSFET NPN de puissance de semi-conducteur de haute qualité équivalent Itw1750A

Transistor MOSFET NPN de puissance de semi-conducteur de haute qualité équivalent Itw1750A

Transistor MOSFET NPN de puissance de semi-conducteur de haute qualité équivalent Itw1750A

1/ 6

Collection

Transistor MOSFET NPN de puissance de semi-conducteur de haute qualité équivalent Itw1750A

1,19-2,28 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Pharm-Genics (Jiangsu) Pharmaceutical Equipment Trading Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Application: Produits électroniques

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Intensité lumineuse: Standard

Matériel: Silicium

Emballage: by Sea(Carton)

Transistor à faible signal NPN double SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité MMDT2222AQ

Transistor à faible signal NPN double SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité MMDT2222AQ

Transistor à faible signal NPN double SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité MMDT2222AQ

Transistor à faible signal NPN double SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité MMDT2222AQ

Transistor à faible signal NPN double SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité MMDT2222AQ

Transistor à faible signal NPN double SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité MMDT2222AQ

1/ 6

Collection

Transistor à faible signal NPN double SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité MMDT2222AQ

0,15-1,18 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: YJ

Transistor NPN sensibilité de la moitsure niveau 1 haute tension SOT-223 Applications PZT5551Q

Transistor NPN sensibilité de la moitsure niveau 1 haute tension SOT-223 Applications PZT5551Q

Transistor NPN sensibilité de la moitsure niveau 1 haute tension SOT-223 Applications PZT5551Q

Transistor NPN sensibilité de la moitsure niveau 1 haute tension SOT-223 Applications PZT5551Q

Transistor NPN sensibilité de la moitsure niveau 1 haute tension SOT-223 Applications PZT5551Q

Transistor NPN sensibilité de la moitsure niveau 1 haute tension SOT-223 Applications PZT5551Q

1/ 6

Collection

Transistor NPN sensibilité de la moitsure niveau 1 haute tension SOT-223 Applications PZT5551Q

0,85 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: YJ

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

1/ 6

Collection

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

5,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Finest Pcb Assembly Limited

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

Fabricant Transistor planaire épitaxial NPN silicium 13003

Fabricant Transistor planaire épitaxial NPN silicium 13003

Fabricant Transistor planaire épitaxial NPN silicium 13003

Fabricant Transistor planaire épitaxial NPN silicium 13003

Fabricant Transistor planaire épitaxial NPN silicium 13003

Fabricant Transistor planaire épitaxial NPN silicium 13003

1/ 6

Collection

Fabricant Transistor planaire épitaxial NPN silicium 13003

0,25-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Transistor NPN silicium Triple diffus 5200 à-3pl **%off

Transistor NPN silicium Triple diffus 5200 à-3pl **%off

Transistor NPN silicium Triple diffus 5200 à-3pl **%off

Transistor NPN silicium Triple diffus 5200 à-3pl **%off

Transistor NPN silicium Triple diffus 5200 à-3pl **%off

1/ 5

Collection

Transistor NPN silicium Triple diffus 5200 à-3pl **%off

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Transistor à petit signal double NPN+PNP SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité BC846BPNQ

Transistor à petit signal double NPN+PNP SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité BC846BPNQ

Transistor à petit signal double NPN+PNP SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité BC846BPNQ

Transistor à petit signal double NPN+PNP SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité BC846BPNQ

Transistor à petit signal double NPN+PNP SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité BC846BPNQ

Transistor à petit signal double NPN+PNP SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité BC846BPNQ

1/ 6

Collection

Transistor à petit signal double NPN+PNP SOT-363 époxy conforme à la norme UL-94 V-0 Norme d'inflammabilité BC846BPNQ

0,12-1,16 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Juxing Mmbt4403 60V600mA Plastic-Encapsulate SOT-23 transistors de commutation (NPN)

Juxing Mmbt4403 60V600mA Plastic-Encapsulate SOT-23 transistors de commutation (NPN)

Juxing Mmbt4403 60V600mA Plastic-Encapsulate SOT-23 transistors de commutation (NPN)

Juxing Mmbt4403 60V600mA Plastic-Encapsulate SOT-23 transistors de commutation (NPN)

Juxing Mmbt4403 60V600mA Plastic-Encapsulate SOT-23 transistors de commutation (NPN)

Juxing Mmbt4403 60V600mA Plastic-Encapsulate SOT-23 transistors de commutation (NPN)

1/ 6

Collection

Juxing Mmbt4403 60V600mA Plastic-Encapsulate SOT-23 transistors de commutation (NPN)

0,0183-0,0486 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Small Power

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Transistors numériques doubles NPN (résistances intégrées) Applications de fotus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-363 UMH10NQ

Transistors numériques doubles NPN (résistances intégrées) Applications de fotus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-363 UMH10NQ

Transistors numériques doubles NPN (résistances intégrées) Applications de fotus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-363 UMH10NQ

Transistors numériques doubles NPN (résistances intégrées) Applications de fotus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-363 UMH10NQ

Transistors numériques doubles NPN (résistances intégrées) Applications de fotus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-363 UMH10NQ

Transistors numériques doubles NPN (résistances intégrées) Applications de fotus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-363 UMH10NQ

1/ 6

Collection

Transistors numériques doubles NPN (résistances intégrées) Applications de fotus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-363 UMH10NQ

0,838 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Structure: Alliage

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc847b 50V0.1A SOT-23 (NPN)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc847b 50V0.1A SOT-23 (NPN)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc847b 50V0.1A SOT-23 (NPN)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc847b 50V0.1A SOT-23 (NPN)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc847b 50V0.1A SOT-23 (NPN)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc847b 50V0.1A SOT-23 (NPN)

1/ 6

Collection

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc847b 50V0.1A SOT-23 (NPN)

0,0183-0,0486 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-23 DTC123JCAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-23 DTC123JCAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-23 DTC123JCAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-23 DTC123JCAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-23 DTC123JCAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-23 DTC123JCAQ

1/ 6

Collection

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-23 DTC123JCAQ

0,689 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: MR

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures l'époxy est conforme à la norme d'inflammabilité UL-94 V-0 SOT-23 DTC143ECAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures l'époxy est conforme à la norme d'inflammabilité UL-94 V-0 SOT-23 DTC143ECAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures l'époxy est conforme à la norme d'inflammabilité UL-94 V-0 SOT-23 DTC143ECAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures l'époxy est conforme à la norme d'inflammabilité UL-94 V-0 SOT-23 DTC143ECAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures l'époxy est conforme à la norme d'inflammabilité UL-94 V-0 SOT-23 DTC143ECAQ

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures l'époxy est conforme à la norme d'inflammabilité UL-94 V-0 SOT-23 DTC143ECAQ

1/ 6

Collection

Transistors numériques NPN (résistances intégrées) Applications de fotures l'époxy est conforme à la norme d'inflammabilité UL-94 V-0 SOT-23 DTC143ECAQ

0,65 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Structure: Alliage

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc846b 80V0.1A SOT-23 (NPN)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc846b 80V0.1A SOT-23 (NPN)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc846b 80V0.1A SOT-23 (NPN)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc846b 80V0.1A SOT-23 (NPN)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc846b 80V0.1A SOT-23 (NPN)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc846b 80V0.1A SOT-23 (NPN)

1/ 6

Collection

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc846b 80V0.1A SOT-23 (NPN)

0,0183-0,0486 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

SOT-23 Transistors Plastic-Encapsulate transistor MOSFET de puissance (NPN) Applications Fetures Diode MMBT JSCJ-5551

SOT-23 Transistors Plastic-Encapsulate transistor MOSFET de puissance (NPN) Applications Fetures Diode MMBT JSCJ-5551

SOT-23 Transistors Plastic-Encapsulate transistor MOSFET de puissance (NPN) Applications Fetures Diode MMBT JSCJ-5551

SOT-23 Transistors Plastic-Encapsulate transistor MOSFET de puissance (NPN) Applications Fetures Diode MMBT JSCJ-5551

SOT-23 Transistors Plastic-Encapsulate transistor MOSFET de puissance (NPN) Applications Fetures Diode MMBT JSCJ-5551

SOT-23 Transistors Plastic-Encapsulate transistor MOSFET de puissance (NPN) Applications Fetures Diode MMBT JSCJ-5551

1/ 6

Collection

SOT-23 Transistors Plastic-Encapsulate transistor MOSFET de puissance (NPN) Applications Fetures Diode MMBT JSCJ-5551

0,13-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Transistor de puissance Darlington NPN haute tension 4 Ampers 350 volts NJD35N04G

Transistor de puissance Darlington NPN haute tension 4 Ampers 350 volts NJD35N04G

Transistor de puissance Darlington NPN haute tension 4 Ampers 350 volts NJD35N04G

Transistor de puissance Darlington NPN haute tension 4 Ampers 350 volts NJD35N04G

Transistor de puissance Darlington NPN haute tension 4 Ampers 350 volts NJD35N04G

Transistor de puissance Darlington NPN haute tension 4 Ampers 350 volts NJD35N04G

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Collection

Transistor de puissance Darlington NPN haute tension 4 Ampers 350 volts NJD35N04G

0,496 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Intensité lumineuse: Standard

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Marque Déposée: Merryelc

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc847c 50V0.1A (23 NPN)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc847c 50V0.1A (23 NPN)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc847c 50V0.1A (23 NPN)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc847c 50V0.1A (23 NPN)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc847c 50V0.1A (23 NPN)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc847c 50V0.1A (23 NPN)

1/ 6

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Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc847c 50V0.1A (23 NPN)

0,0183-0,0486 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Transistors à encapsulation plastique Joxing Mmbta92 -300V-0200mA (23 NPN)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Mmbta92 -300V-0200mA (23 NPN)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Mmbta92 -300V-0200mA (23 NPN)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Mmbta92 -300V-0200mA (23 NPN)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Mmbta92 -300V-0200mA (23 NPN)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Mmbta92 -300V-0200mA (23 NPN)

1/ 6

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Transistors à encapsulation plastique Joxing Mmbta92 -300V-0200mA (23 NPN)

0,0183-0,0486 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Transistors numériques NPN+PNP (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-363 UMD22NQ

Transistors numériques NPN+PNP (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-363 UMD22NQ

Transistors numériques NPN+PNP (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-363 UMD22NQ

Transistors numériques NPN+PNP (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-363 UMD22NQ

Transistors numériques NPN+PNP (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-363 UMD22NQ

Transistors numériques NPN+PNP (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-363 UMD22NQ

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Transistors numériques NPN+PNP (résistances intégrées) Applications pour les fœtus niveau de sensibilité à l'humidité 1 SOT-363 UMD22NQ

0,758 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Structure: Alliage

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Transistor régulateur haute tension à diode de récupération rapide

Transistor régulateur haute tension à diode de récupération rapide

Transistor régulateur haute tension à diode de récupération rapide

Transistor régulateur haute tension à diode de récupération rapide

Transistor régulateur haute tension à diode de récupération rapide

Transistor régulateur haute tension à diode de récupération rapide

1/ 6

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Transistor régulateur haute tension à diode de récupération rapide

0,2 $US / Pièce

660 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

0,63-0,7 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

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