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Transistor bipolaire

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Transistors bipolaires Original Bfr182e6327 12 V 250 MW 100 à 10 mA, 8 V 35 mA Sot-23 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistors bipolaires Original Bfr182e6327 12 V 250 MW 100 à 10 mA, 8 V 35 mA Sot-23 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

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Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor original Bfp460h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

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Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

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Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

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Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

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Transistors bipolaires Bfp196wh6327xtsa1 Sot-343 d'origine - BJT, nomenclature RoHS Service

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Transistors bipolaires Bfp196wh6327xtsa1 Sot-343 d'origine - BJT, nomenclature RoHS Service

Transistors bipolaires Bfp196wh6327xtsa1 Sot-343 d'origine - BJT, nomenclature RoHS Service

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Matériel: Germanium

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Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistor original Mmbt2907alt1htsa1 60V 330MW 100 à 150mA, 10V 600mA PNP transistors bipolaires SOT-23 - BJT RoHS BOM Service

Transistor original Mmbt2907alt1htsa1 60V 330MW 100 à 150mA, 10V 600mA PNP transistors bipolaires SOT-23 - BJT RoHS BOM Service

Transistor original Mmbt2907alt1htsa1 60V 330MW 100 à 150mA, 10V 600mA PNP transistors bipolaires SOT-23 - BJT RoHS BOM Service

Transistor original Mmbt2907alt1htsa1 60V 330MW 100 à 150mA, 10V 600mA PNP transistors bipolaires SOT-23 - BJT RoHS BOM Service

Transistor original Mmbt2907alt1htsa1 60V 330MW 100 à 150mA, 10V 600mA PNP transistors bipolaires SOT-23 - BJT RoHS BOM Service

Transistor original Mmbt2907alt1htsa1 60V 330MW 100 à 150mA, 10V 600mA PNP transistors bipolaires SOT-23 - BJT RoHS BOM Service

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Transistor original Mmbt2907alt1htsa1 60V 330MW 100 à 150mA, 10V 600mA PNP transistors bipolaires SOT-23 - BJT RoHS BOM Service

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

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Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

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Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

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Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

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Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor d'origine Bfp450h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor d'origine Bfp450h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor d'origine Bfp450h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor d'origine Bfp450h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor d'origine Bfp450h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor d'origine Bfp450h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

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Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor d'origine Bfp450h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

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Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistors bipolaires Bfp410h6327 4,5V 150MW 95@13mA, 2V 40mA NPN Sot-343-4 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp410h6327 4,5V 150MW 95@13mA, 2V 40mA NPN Sot-343-4 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp410h6327 4,5V 150MW 95@13mA, 2V 40mA NPN Sot-343-4 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp410h6327 4,5V 150MW 95@13mA, 2V 40mA NPN Sot-343-4 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp410h6327 4,5V 150MW 95@13mA, 2V 40mA NPN Sot-343-4 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp410h6327 4,5V 150MW 95@13mA, 2V 40mA NPN Sot-343-4 - BJT Service de nomenclature RoHS

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Transistors bipolaires Bfp410h6327 4,5V 150MW 95@13mA, 2V 40mA NPN Sot-343-4 - BJT Service de nomenclature RoHS

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

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Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

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Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

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Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

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Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

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Matériel: Germanium

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Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

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Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

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Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

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Transistors bipolaires Original Bfp640h6327 4,5V 200MW 50mA NPN Sot-343 - Service de BOM RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp640h6327 4,5V 200MW 50mA NPN Sot-343 - Service de BOM RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp640h6327 4,5V 200MW 50mA NPN Sot-343 - Service de BOM RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp640h6327 4,5V 200MW 50mA NPN Sot-343 - Service de BOM RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp640h6327 4,5V 200MW 50mA NPN Sot-343 - Service de BOM RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp640h6327 4,5V 200MW 50mA NPN Sot-343 - Service de BOM RoHS BJT

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Transistors bipolaires Original Bfp640h6327 4,5V 200MW 50mA NPN Sot-343 - Service de BOM RoHS BJT

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Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

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Transistors bipolaires Bfp640esdh6327 Sot-343-4 d'origine - BJT RoHS BOM Service

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

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Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

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Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor bipolaire Mmbt5401 original PNP 150V 600mA 300MHz 350MW surface Monter le berceau-23

Transistor bipolaire Mmbt5401 original PNP 150V 600mA 300MHz 350MW surface Monter le berceau-23

Transistor bipolaire Mmbt5401 original PNP 150V 600mA 300MHz 350MW surface Monter le berceau-23

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Transistor bipolaire Mmbt5401 original PNP 150V 600mA 300MHz 350MW surface Monter le berceau-23

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Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Structure: La diffusion

Semiconducteurs discrets Tw027z65c S1f Tw107z65c transistors G3 650V to-247-4L 27mohm

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Semiconducteurs discrets Tw027z65c S1f Tw107z65c transistors G3 650V to-247-4L 27mohm

Semiconducteurs discrets Tw027z65c S1f Tw107z65c transistors G3 650V to-247-4L 27mohm

Semiconducteurs discrets Tw027z65c S1f Tw107z65c transistors G3 650V to-247-4L 27mohm

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Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistors nouveaux et originaux Unr212400L Un4212- (TA) Trans Prebias PNP 50 V 0,5A Mini3

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Transistors nouveaux et originaux Unr212400L Un4212- (TA) Trans Prebias PNP 50 V 0,5A Mini3

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Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor MOSFET MOSFET à base de carbure de silicium 1 canal 189 W Imza65r027m1hxksa1

Transistor MOSFET MOSFET à base de carbure de silicium 1 canal 189 W Imza65r027m1hxksa1

Transistor MOSFET MOSFET à base de carbure de silicium 1 canal 189 W Imza65r027m1hxksa1

Transistor MOSFET MOSFET à base de carbure de silicium 1 canal 189 W Imza65r027m1hxksa1

Transistor MOSFET MOSFET à base de carbure de silicium 1 canal 189 W Imza65r027m1hxksa1

Transistor MOSFET MOSFET à base de carbure de silicium 1 canal 189 W Imza65r027m1hxksa1

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Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

MOSFET canal N 650 V 39 Mohm 54 a MDmesh M9 Power MOSFET

MOSFET canal N 650 V 39 Mohm 54 a MDmesh M9 Power MOSFET

MOSFET canal N 650 V 39 Mohm 54 a MDmesh M9 Power MOSFET

MOSFET canal N 650 V 39 Mohm 54 a MDmesh M9 Power MOSFET

MOSFET canal N 650 V 39 Mohm 54 a MDmesh M9 Power MOSFET

MOSFET canal N 650 V 39 Mohm 54 a MDmesh M9 Power MOSFET

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MOSFET canal N 650 V 39 Mohm 54 a MDmesh M9 Power MOSFET

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Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistors nouveaux et originaux Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3,1 mohm

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Transistors nouveaux et originaux Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3,1 mohm

Transistors nouveaux et originaux Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3,1 mohm

Transistors nouveaux et originaux Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3,1 mohm

Transistors nouveaux et originaux Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3,1 mohm

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Transistors nouveaux et originaux Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3,1 mohm

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Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistors PNP 50V Digital Bjt 100mA 100MW à 3 broches RN2318 (TE85L, F)

Transistors PNP 50V Digital Bjt 100mA 100MW à 3 broches RN2318 (TE85L, F)

Transistors PNP 50V Digital Bjt 100mA 100MW à 3 broches RN2318 (TE85L, F)

Transistors PNP 50V Digital Bjt 100mA 100MW à 3 broches RN2318 (TE85L, F)

Transistors PNP 50V Digital Bjt 100mA 100MW à 3 broches RN2318 (TE85L, F)

Transistors PNP 50V Digital Bjt 100mA 100MW à 3 broches RN2318 (TE85L, F)

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Transistors PNP 50V Digital Bjt 100mA 100MW à 3 broches RN2318 (TE85L, F)

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certificat: ISO

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour

Fréquence de travail: Haute fréquence

Structure: La diffusion

Transistors originaux Mje340g Mje34 Mje350g Mje35 300V 0,5A To126 nomenclature Service

Transistors originaux Mje340g Mje34 Mje350g Mje35 300V 0,5A To126 nomenclature Service

Transistors originaux Mje340g Mje34 Mje350g Mje35 300V 0,5A To126 nomenclature Service

Transistors originaux Mje340g Mje34 Mje350g Mje35 300V 0,5A To126 nomenclature Service

Transistors originaux Mje340g Mje34 Mje350g Mje35 300V 0,5A To126 nomenclature Service

Transistors originaux Mje340g Mje34 Mje350g Mje35 300V 0,5A To126 nomenclature Service

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Forme: ST

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Matériel: Germanium

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Transistors originaux Mmbta06lt1g Rans NPN 80V 0,5A SOT23-3 Mmbta06 électronique Service BOM de composants

Transistors originaux Mmbta06lt1g Rans NPN 80V 0,5A SOT23-3 Mmbta06 électronique Service BOM de composants

Transistors originaux Mmbta06lt1g Rans NPN 80V 0,5A SOT23-3 Mmbta06 électronique Service BOM de composants

Transistors originaux Mmbta06lt1g Rans NPN 80V 0,5A SOT23-3 Mmbta06 électronique Service BOM de composants

Transistors originaux Mmbta06lt1g Rans NPN 80V 0,5A SOT23-3 Mmbta06 électronique Service BOM de composants

Transistors originaux Mmbta06lt1g Rans NPN 80V 0,5A SOT23-3 Mmbta06 électronique Service BOM de composants

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Transistors originaux Mmbta06lt1g Rans NPN 80V 0,5A SOT23-3 Mmbta06 électronique Service BOM de composants

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Forme: ST

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Mje13003 E13003 transistor Mje13 NPN 400V 1,5A 10MHz 1,4W original Service de nomenclature de composants électroniques

Mje13003 E13003 transistor Mje13 NPN 400V 1,5A 10MHz 1,4W original Service de nomenclature de composants électroniques

Mje13003 E13003 transistor Mje13 NPN 400V 1,5A 10MHz 1,4W original Service de nomenclature de composants électroniques

Mje13003 E13003 transistor Mje13 NPN 400V 1,5A 10MHz 1,4W original Service de nomenclature de composants électroniques

Mje13003 E13003 transistor Mje13 NPN 400V 1,5A 10MHz 1,4W original Service de nomenclature de composants électroniques

Mje13003 E13003 transistor Mje13 NPN 400V 1,5A 10MHz 1,4W original Service de nomenclature de composants électroniques

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