Accueil Électricité & Électronique Gaine de Câble e tube 2024 Liste de Produits

e tube

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MOSFET de puissance N-ch 500 V 5 a 1,35 ohms WMO5N50D1B TO-252

MOSFET de puissance N-ch 500 V 5 a 1,35 ohms WMO5N50D1B TO-252

MOSFET de puissance N-ch 500 V 5 a 1,35 ohms WMO5N50D1B TO-252

MOSFET de puissance N-ch 500 V 5 a 1,35 ohms WMO5N50D1B TO-252

MOSFET de puissance N-ch 500 V 5 a 1,35 ohms WMO5N50D1B TO-252

MOSFET de puissance N-ch 500 V 5 a 1,35 ohms WMO5N50D1B TO-252

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance N-ch 500 V 5 a 1,35 ohms WMO5N50D1B TO-252

0,044 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Emballage: Carton

Standard: metal

Marque Déposée: Merryelc

Transistors à encapsulation plastique NPN 200 mA SOT-23 Mmbt3904

Transistors à encapsulation plastique NPN 200 mA SOT-23 Mmbt3904

Transistors à encapsulation plastique NPN 200 mA SOT-23 Mmbt3904

Transistors à encapsulation plastique NPN 200 mA SOT-23 Mmbt3904

Transistors à encapsulation plastique NPN 200 mA SOT-23 Mmbt3904

Transistors à encapsulation plastique NPN 200 mA SOT-23 Mmbt3904

1/ 6

Collection

Transistors à encapsulation plastique NPN 200 mA SOT-23 Mmbt3904

0,01 $US / Pièce

200 Pièces (MOQ)

Shenzhen Airuixin Technology Co., Ltd.

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Installation: Plug-in Triode

Fonction: Darlington Tube

Emballage: Reel

Standard: 3K/R

Marque Déposée: CJ

Origine: China

MOSFET Tw027z65c G3 650V SIC-MOSFET to-247-4L 27mohm

MOSFET Tw027z65c G3 650V SIC-MOSFET to-247-4L 27mohm

MOSFET Tw027z65c G3 650V SIC-MOSFET to-247-4L 27mohm

MOSFET Tw027z65c G3 650V SIC-MOSFET to-247-4L 27mohm

MOSFET Tw027z65c G3 650V SIC-MOSFET to-247-4L 27mohm

MOSFET Tw027z65c G3 650V SIC-MOSFET to-247-4L 27mohm

1/ 6

Collection

MOSFET Tw027z65c G3 650V SIC-MOSFET to-247-4L 27mohm

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors à encapsulation plastique transistor Darlington (NPN)

Transistors à encapsulation plastique transistor Darlington (NPN)

Transistors à encapsulation plastique transistor Darlington (NPN)

Transistors à encapsulation plastique transistor Darlington (NPN)

Transistors à encapsulation plastique transistor Darlington (NPN)

Transistors à encapsulation plastique transistor Darlington (NPN)

1/ 6

Collection

Transistors à encapsulation plastique transistor Darlington (NPN)

0,23 $US / Pièce

200 Pièces (MOQ)

Shenzhen Airuixin Technology Co., Ltd.

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Installation: Plug-in Triode

Fonction: Darlington Tube

Structure: NPN

Emballage: Tube

Standard: 50/TUBE

Marque Déposée: CJ

Transistors Ntbg014n120m3p MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14mohm 1200V

Transistors Ntbg014n120m3p MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14mohm 1200V

Transistors Ntbg014n120m3p MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14mohm 1200V

Transistors Ntbg014n120m3p MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14mohm 1200V

Transistors Ntbg014n120m3p MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14mohm 1200V

Transistors Ntbg014n120m3p MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14mohm 1200V

1/ 6

Collection

Transistors Ntbg014n120m3p MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14mohm 1200V

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Diodes Vishay 1n4148tr à usage général, alimentation, commutation 100 V 300 mA DO-35 500 MW

Diodes Vishay 1n4148tr à usage général, alimentation, commutation 100 V 300 mA DO-35 500 MW

Diodes Vishay 1n4148tr à usage général, alimentation, commutation 100 V 300 mA DO-35 500 MW

Diodes Vishay 1n4148tr à usage général, alimentation, commutation 100 V 300 mA DO-35 500 MW

Diodes Vishay 1n4148tr à usage général, alimentation, commutation 100 V 300 mA DO-35 500 MW

Diodes Vishay 1n4148tr à usage général, alimentation, commutation 100 V 300 mA DO-35 500 MW

1/ 6

Collection

Diodes Vishay 1n4148tr à usage général, alimentation, commutation 100 V 300 mA DO-35 500 MW

0,011-0,04 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

0,38-0,5 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

MOSFET Bss138p SOT23 to-236ab Bss138p, 215

MOSFET Bss138p SOT23 to-236ab Bss138p, 215

MOSFET Bss138p SOT23 to-236ab Bss138p, 215

MOSFET Bss138p SOT23 to-236ab Bss138p, 215

MOSFET Bss138p SOT23 to-236ab Bss138p, 215

MOSFET Bss138p SOT23 to-236ab Bss138p, 215

1/ 6

Collection

MOSFET Bss138p SOT23 to-236ab Bss138p, 215

0,03-0,275 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Small Power

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Bzt52c3V3s produits de remplacement Bzy55b3V3 RBG diodes Zener 500 MW, 2%, diode Zener à petit signal

Bzt52c3V3s produits de remplacement Bzy55b3V3 RBG diodes Zener 500 MW, 2%, diode Zener à petit signal

Bzt52c3V3s produits de remplacement Bzy55b3V3 RBG diodes Zener 500 MW, 2%, diode Zener à petit signal

Bzt52c3V3s produits de remplacement Bzy55b3V3 RBG diodes Zener 500 MW, 2%, diode Zener à petit signal

Bzt52c3V3s produits de remplacement Bzy55b3V3 RBG diodes Zener 500 MW, 2%, diode Zener à petit signal

Bzt52c3V3s produits de remplacement Bzy55b3V3 RBG diodes Zener 500 MW, 2%, diode Zener à petit signal

1/ 6

Collection

Bzt52c3V3s produits de remplacement Bzy55b3V3 RBG diodes Zener 500 MW, 2%, diode Zener à petit signal

0,9-21,00 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: Planar

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

0,36-0,45 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

0,63-0,7 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Ti Ua78m33ckcs to-220 Régulateurs de tension linéaire 3.3 V 500 mA, fixer le régulateur de tension POS

Ti Ua78m33ckcs to-220 Régulateurs de tension linéaire 3.3 V 500 mA, fixer le régulateur de tension POS

Ti Ua78m33ckcs to-220 Régulateurs de tension linéaire 3.3 V 500 mA, fixer le régulateur de tension POS

Ti Ua78m33ckcs to-220 Régulateurs de tension linéaire 3.3 V 500 mA, fixer le régulateur de tension POS

Ti Ua78m33ckcs to-220 Régulateurs de tension linéaire 3.3 V 500 mA, fixer le régulateur de tension POS

Ti Ua78m33ckcs to-220 Régulateurs de tension linéaire 3.3 V 500 mA, fixer le régulateur de tension POS

1/ 6

Collection

Ti Ua78m33ckcs to-220 Régulateurs de tension linéaire 3.3 V 500 mA, fixer le régulateur de tension POS

0,515-0,632 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Small Power

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

1/ 6

Collection

IRLML0060TRPBF MOSFET CANAL N CMS 60V 2.7A SOT23

0,1-1,2 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

0,63-0,7 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

1/ 6

Collection

IPW60R099C6 MOSFET TRANS CANAL N 650V 38A TO247-3

0,1-1,2 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Transistors à encapsulation plastique NPN 600 mA SOT-23 Mmbt5551

Transistors à encapsulation plastique NPN 600 mA SOT-23 Mmbt5551

Transistors à encapsulation plastique NPN 600 mA SOT-23 Mmbt5551

Transistors à encapsulation plastique NPN 600 mA SOT-23 Mmbt5551

Transistors à encapsulation plastique NPN 600 mA SOT-23 Mmbt5551

Transistors à encapsulation plastique NPN 600 mA SOT-23 Mmbt5551

1/ 6

Collection

Transistors à encapsulation plastique NPN 600 mA SOT-23 Mmbt5551

0,013 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Shenzhen Airuixin Technology Co., Ltd.

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Installation: Plug-in Triode

Fonction: Darlington Tube

Emballage: Reel

Standard: 3K/R

Marque Déposée: CJ

Origine: China

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

1/ 6

Collection

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors à encapsulation plastique CJ Bt134 to-126

Transistors à encapsulation plastique CJ Bt134 to-126

Transistors à encapsulation plastique CJ Bt134 to-126

Transistors à encapsulation plastique CJ Bt134 to-126

Transistors à encapsulation plastique CJ Bt134 to-126

Transistors à encapsulation plastique CJ Bt134 to-126

1/ 6

Collection

Transistors à encapsulation plastique CJ Bt134 to-126

0,09 $US / Pièce

200 Pièces (MOQ)

Shenzhen Airuixin Technology Co., Ltd.

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Installation: Plug-in Triode

Fonction: Darlington Tube

Emballage: Bag

Standard: 200/bag

Marque Déposée: CJ

Origine: China

Electronics Ssm6j214fe(Te85L, F Lowon Res MOSFET ID=-3,6A Vdss 30V

Electronics Ssm6j214fe(Te85L, F Lowon Res MOSFET ID=-3,6A Vdss 30V

Electronics Ssm6j214fe(Te85L, F Lowon Res MOSFET ID=-3,6A Vdss 30V

Electronics Ssm6j214fe(Te85L, F Lowon Res MOSFET ID=-3,6A Vdss 30V

Electronics Ssm6j214fe(Te85L, F Lowon Res MOSFET ID=-3,6A Vdss 30V

Electronics Ssm6j214fe(Te85L, F Lowon Res MOSFET ID=-3,6A Vdss 30V

1/ 6

Collection

Electronics Ssm6j214fe(Te85L, F Lowon Res MOSFET ID=-3,6A Vdss 30V

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors MOSFET Buk6d23-40eh Buk6d23-40e/Sot1220 CMS/CMS

Transistors MOSFET Buk6d23-40eh Buk6d23-40e/Sot1220 CMS/CMS

Transistors MOSFET Buk6d23-40eh Buk6d23-40e/Sot1220 CMS/CMS

Transistors MOSFET Buk6d23-40eh Buk6d23-40e/Sot1220 CMS/CMS

Transistors MOSFET Buk6d23-40eh Buk6d23-40e/Sot1220 CMS/CMS

Transistors MOSFET Buk6d23-40eh Buk6d23-40e/Sot1220 CMS/CMS

1/ 6

Collection

Transistors MOSFET Buk6d23-40eh Buk6d23-40e/Sot1220 CMS/CMS

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

MOSFET Imza65r107m1hxksa1 en carbure de silicium to-247-4 traversant

MOSFET Imza65r107m1hxksa1 en carbure de silicium to-247-4 traversant

MOSFET Imza65r107m1hxksa1 en carbure de silicium to-247-4 traversant

MOSFET Imza65r107m1hxksa1 en carbure de silicium to-247-4 traversant

MOSFET Imza65r107m1hxksa1 en carbure de silicium to-247-4 traversant

MOSFET Imza65r107m1hxksa1 en carbure de silicium to-247-4 traversant

1/ 6

Collection

MOSFET Imza65r107m1hxksa1 en carbure de silicium to-247-4 traversant

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

MOSFET Dmth10h032lpswq-13 Bvdss : 61V~100V Powerdi5060-8/SWP T&R 2.5K

MOSFET Dmth10h032lpswq-13 Bvdss : 61V~100V Powerdi5060-8/SWP T&R 2.5K

MOSFET Dmth10h032lpswq-13 Bvdss : 61V~100V Powerdi5060-8/SWP T&R 2.5K

MOSFET Dmth10h032lpswq-13 Bvdss : 61V~100V Powerdi5060-8/SWP T&R 2.5K

MOSFET Dmth10h032lpswq-13 Bvdss : 61V~100V Powerdi5060-8/SWP T&R 2.5K

MOSFET Dmth10h032lpswq-13 Bvdss : 61V~100V Powerdi5060-8/SWP T&R 2.5K

1/ 6

Collection

MOSFET Dmth10h032lpswq-13 Bvdss : 61V~100V Powerdi5060-8/SWP T&R 2.5K

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

1/ 6

Collection

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Matériel: Silicium

Transistors MOSFET N-CH 80V 300A Hsoof-8 Ipt012n08n5atma1 CMS/CMS

Transistors MOSFET N-CH 80V 300A Hsoof-8 Ipt012n08n5atma1 CMS/CMS

Transistors MOSFET N-CH 80V 300A Hsoof-8 Ipt012n08n5atma1 CMS/CMS

Transistors MOSFET N-CH 80V 300A Hsoof-8 Ipt012n08n5atma1 CMS/CMS

Transistors MOSFET N-CH 80V 300A Hsoof-8 Ipt012n08n5atma1 CMS/CMS

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors MOSFET Dmws120h100sm4 SIC Bvdss 1000V TO247-4 tube 30PS

Transistors MOSFET Dmws120h100sm4 SIC Bvdss 1000V TO247-4 tube 30PS

Transistors MOSFET Dmws120h100sm4 SIC Bvdss 1000V TO247-4 tube 30PS

Transistors MOSFET Dmws120h100sm4 SIC Bvdss 1000V TO247-4 tube 30PS

Transistors MOSFET Dmws120h100sm4 SIC Bvdss 1000V TO247-4 tube 30PS

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Irfr5505trpbf Irfr5410trpbf transistors Irfr5305trpbf to-252-2

Irfr5505trpbf Irfr5410trpbf transistors Irfr5305trpbf to-252-2

Irfr5505trpbf Irfr5410trpbf transistors Irfr5305trpbf to-252-2

Irfr5505trpbf Irfr5410trpbf transistors Irfr5305trpbf to-252-2

Irfr5505trpbf Irfr5410trpbf transistors Irfr5305trpbf to-252-2

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Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode

Sirène à composants électroniques 700dp-T1-Ge3 Triode 3,2 Mohms 120 a 100 V.

Sirène à composants électroniques 700dp-T1-Ge3 Triode 3,2 Mohms 120 a 100 V.

Sirène à composants électroniques 700dp-T1-Ge3 Triode 3,2 Mohms 120 a 100 V.

Sirène à composants électroniques 700dp-T1-Ge3 Triode 3,2 Mohms 120 a 100 V.

Sirène à composants électroniques 700dp-T1-Ge3 Triode 3,2 Mohms 120 a 100 V.

Sirène à composants électroniques 700dp-T1-Ge3 Triode 3,2 Mohms 120 a 100 V.

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Composant électronique Iglr60r190d1xuma1 190mohms 12,8A 800V 55.5W

Composant électronique Iglr60r190d1xuma1 190mohms 12,8A 800V 55.5W

Composant électronique Iglr60r190d1xuma1 190mohms 12,8A 800V 55.5W

Composant électronique Iglr60r190d1xuma1 190mohms 12,8A 800V 55.5W

Composant électronique Iglr60r190d1xuma1 190mohms 12,8A 800V 55.5W

Composant électronique Iglr60r190d1xuma1 190mohms 12,8A 800V 55.5W

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Composant électronique Iglr60r190d1xuma1 190mohms 12,8A 800V 55.5W

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Tph3r10aqm, MOSFET LQ 100V U-MOS X-H SOP-Advance (N) 3,1mohm

Tph3r10aqm, MOSFET LQ 100V U-MOS X-H SOP-Advance (N) 3,1mohm

Tph3r10aqm, MOSFET LQ 100V U-MOS X-H SOP-Advance (N) 3,1mohm

Tph3r10aqm, MOSFET LQ 100V U-MOS X-H SOP-Advance (N) 3,1mohm

Tph3r10aqm, MOSFET LQ 100V U-MOS X-H SOP-Advance (N) 3,1mohm

Tph3r10aqm, MOSFET LQ 100V U-MOS X-H SOP-Advance (N) 3,1mohm

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