Accueil Électricité & Électronique Circuit Intégré Transistor à effet de champ 2024 Liste de Produits

Transistor à effet de champ

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Nouveaux circuits intégrés Niko-SEM Pk632ba champ du mode d'amélioration du canal N Transistor à effet sans halogène et sans plomb en stock

Nouveaux circuits intégrés Niko-SEM Pk632ba champ du mode d'amélioration du canal N Transistor à effet sans halogène et sans plomb en stock

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Nouveaux circuits intégrés Niko-SEM Pk632ba champ du mode d'amélioration du canal N Transistor à effet sans halogène et sans plomb en stock

Nouveaux circuits intégrés Niko-SEM Pk632ba champ du mode d'amélioration du canal N Transistor à effet sans halogène et sans plomb en stock

Nouveaux circuits intégrés Niko-SEM Pk632ba champ du mode d'amélioration du canal N Transistor à effet sans halogène et sans plomb en stock

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Collection

Nouveaux circuits intégrés Niko-SEM Pk632ba champ du mode d'amélioration du canal N Transistor à effet sans halogène et sans plomb en stock

0,99-1,19 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

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Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Semiconductor IC

Emballage: Tape and Reel

Standard: 5.8x4.9mm

Marque Déposée: NIKO-SEM

Origine: Original

Livraison rapide Stock transistor à effet de champ Mosfet 30V 50A

Livraison rapide Stock transistor à effet de champ Mosfet 30V 50A

Livraison rapide Stock transistor à effet de champ Mosfet 30V 50A

Livraison rapide Stock transistor à effet de champ Mosfet 30V 50A

Livraison rapide Stock transistor à effet de champ Mosfet 30V 50A

Livraison rapide Stock transistor à effet de champ Mosfet 30V 50A

1/ 6

Collection

Livraison rapide Stock transistor à effet de champ Mosfet 30V 50A

0,07-0,08 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Emballage: Carton

Standard: TO-252 package

Le Mosfet G50N03K 30V 65A Dpak transistor à effet de champ

Le Mosfet G50N03K 30V 65A Dpak transistor à effet de champ

Le Mosfet G50N03K 30V 65A Dpak transistor à effet de champ

Le Mosfet G50N03K 30V 65A Dpak transistor à effet de champ

Le Mosfet G50N03K 30V 65A Dpak transistor à effet de champ

Le Mosfet G50N03K 30V 65A Dpak transistor à effet de champ

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Collection

Le Mosfet G50N03K 30V 65A Dpak transistor à effet de champ

100 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Emballage: Carton

Standard: TO-252 package

LED Contrôleur Flikerless 5N20A 200V 5d'un transistor à effet de champ actif

LED Contrôleur Flikerless 5N20A 200V 5d'un transistor à effet de champ actif

LED Contrôleur Flikerless 5N20A 200V 5d'un transistor à effet de champ actif

LED Contrôleur Flikerless 5N20A 200V 5d'un transistor à effet de champ actif

LED Contrôleur Flikerless 5N20A 200V 5d'un transistor à effet de champ actif

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Collection

LED Contrôleur Flikerless 5N20A 200V 5d'un transistor à effet de champ actif

100 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Emballage: Reel, with Antistatic Alluminum Foil Bag

1/ 3

Collection

Mode d'amélioration de transistor à effet de champ G33N03D3 30V 33A Dfn3.3*3.3

0,065-0,078 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

La Chine usine de Field-Effect transistor MOSFET canal P MOS 45p40 à-252

La Chine usine de Field-Effect transistor MOSFET canal P MOS 45p40 à-252

La Chine usine de Field-Effect transistor MOSFET canal P MOS 45p40 à-252

La Chine usine de Field-Effect transistor MOSFET canal P MOS 45p40 à-252

La Chine usine de Field-Effect transistor MOSFET canal P MOS 45p40 à-252

La Chine usine de Field-Effect transistor MOSFET canal P MOS 45p40 à-252

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Collection

La Chine usine de Field-Effect transistor MOSFET canal P MOS 45p40 à-252

0,115-0,135 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

MOSFET à effet de champ G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A CMS canal P. Transistor de puissance

MOSFET à effet de champ G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A CMS canal P. Transistor de puissance

MOSFET à effet de champ G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A CMS canal P. Transistor de puissance

MOSFET à effet de champ G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A CMS canal P. Transistor de puissance

MOSFET à effet de champ G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A CMS canal P. Transistor de puissance

MOSFET à effet de champ G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A CMS canal P. Transistor de puissance

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Collection

MOSFET à effet de champ G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A CMS canal P. Transistor de puissance

0,06-0,08 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Emballage: Reel, with Antistatic Alluminum Foil Bag

Atteindre approuvé Sop-8 60V 6A Effet de champ transistor MOSFET

Atteindre approuvé Sop-8 60V 6A Effet de champ transistor MOSFET

Atteindre approuvé Sop-8 60V 6A Effet de champ transistor MOSFET

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Atteindre approuvé Sop-8 60V 6A Effet de champ transistor MOSFET

Atteindre approuvé Sop-8 60V 6A Effet de champ transistor MOSFET

1/ 6

Collection

Atteindre approuvé Sop-8 60V 6A Effet de champ transistor MOSFET

0,001-9,99 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Standard: SOP-8 package

Marque Déposée: GOFORD

1/ 3

Collection

Le transistor de SMD G16p03D3 GPND3X3-8L -30V -16Un canal P MOSFET à effet de champ

0,06-0,08 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Emballage: Reel, with Antistatic Alluminum Foil Bag

1/ 4

Collection

Mode d'amélioration de transistor à effet de champ 20n06 60V 25un Mosfet d'applications de commutation

100 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

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De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

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Collection

De nouvelles puces IC d'origine Vishay TR2343CDS-T1-Ge3 transistor MOSFET canal P, Trans Mosfet, Field-Effect Transistor petits signaux 4.7 un 30 V en stock

0,38-0,45 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

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Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Semiconductor IC

Emballage: T/R

Standard: 30V 4.2A

Marque Déposée: Vishay

Origine: Original

Nouveaux composants électroniques d'origine Alpha & Omega Semiconductor transistor à effet de champ de puissance Aonr21357, 18A I (D), MOSFET canal N en stock

Nouveaux composants électroniques d'origine Alpha & Omega Semiconductor transistor à effet de champ de puissance Aonr21357, 18A I (D), MOSFET canal N en stock

Nouveaux composants électroniques d'origine Alpha & Omega Semiconductor transistor à effet de champ de puissance Aonr21357, 18A I (D), MOSFET canal N en stock

Nouveaux composants électroniques d'origine Alpha & Omega Semiconductor transistor à effet de champ de puissance Aonr21357, 18A I (D), MOSFET canal N en stock

Nouveaux composants électroniques d'origine Alpha & Omega Semiconductor transistor à effet de champ de puissance Aonr21357, 18A I (D), MOSFET canal N en stock

Nouveaux composants électroniques d'origine Alpha & Omega Semiconductor transistor à effet de champ de puissance Aonr21357, 18A I (D), MOSFET canal N en stock

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Collection

Nouveaux composants électroniques d'origine Alpha & Omega Semiconductor transistor à effet de champ de puissance Aonr21357, 18A I (D), MOSFET canal N en stock

0,18-0,25 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

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Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Semiconductor IC

Emballage: T/R

Standard: 3 V 21A, 3x3

Marque Déposée: Alpha & Omega Semiconductor

Origine: Original

Transistors à effet de champ Insulated-Gate (MOSFET) pour le signal de commutation

Transistors à effet de champ Insulated-Gate (MOSFET) pour le signal de commutation

Transistors à effet de champ Insulated-Gate (MOSFET) pour le signal de commutation

Transistors à effet de champ Insulated-Gate (MOSFET) pour le signal de commutation

Transistors à effet de champ Insulated-Gate (MOSFET) pour le signal de commutation

Transistors à effet de champ Insulated-Gate (MOSFET) pour le signal de commutation

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Collection

Transistors à effet de champ Insulated-Gate (MOSFET) pour le signal de commutation

0,054-0,089 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

P-CH tranchée MOSFET transistor à effet de champ dans un gpnd3*3-8 L Package pour l'interrupteur de puissance

P-CH tranchée MOSFET transistor à effet de champ dans un gpnd3*3-8 L Package pour l'interrupteur de puissance

P-CH tranchée MOSFET transistor à effet de champ dans un gpnd3*3-8 L Package pour l'interrupteur de puissance

P-CH tranchée MOSFET transistor à effet de champ dans un gpnd3*3-8 L Package pour l'interrupteur de puissance

P-CH tranchée MOSFET transistor à effet de champ dans un gpnd3*3-8 L Package pour l'interrupteur de puissance

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Collection

P-CH tranchée MOSFET transistor à effet de champ dans un gpnd3*3-8 L Package pour l'interrupteur de puissance

100 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Standard: DFN3*3-8L

Marque Déposée: GOFORD

G6p06 SO-8 p-CH Vdss 60V Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Mosfet Tranasistor

G6p06 SO-8 p-CH Vdss 60V Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Mosfet Tranasistor

G6p06 SO-8 p-CH Vdss 60V Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Mosfet Tranasistor

G6p06 SO-8 p-CH Vdss 60V Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Mosfet Tranasistor

G6p06 SO-8 p-CH Vdss 60V Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Mosfet Tranasistor

G6p06 SO-8 p-CH Vdss 60V Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Mosfet Tranasistor

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Collection

G6p06 SO-8 p-CH Vdss 60V Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Mosfet Tranasistor

0,051-0,059 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Reel, with Antistatic Alluminum Foil Bag

Le Mosfet 120un transistor à effet de champ 40V G120n04un MOSFET pour convertisseurs multiport USB

Le Mosfet 120un transistor à effet de champ 40V G120n04un MOSFET pour convertisseurs multiport USB

Le Mosfet 120un transistor à effet de champ 40V G120n04un MOSFET pour convertisseurs multiport USB

Le Mosfet 120un transistor à effet de champ 40V G120n04un MOSFET pour convertisseurs multiport USB

Le Mosfet 120un transistor à effet de champ 40V G120n04un MOSFET pour convertisseurs multiport USB

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Collection

Le Mosfet 120un transistor à effet de champ 40V G120n04un MOSFET pour convertisseurs multiport USB

0,189-0,269 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Structure: Planar

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Emballage: Carton

5N20A 200V 5d'un transistor à effet de champ pour les MOSFET Irfr220ntrlpbf

5N20A 200V 5d'un transistor à effet de champ pour les MOSFET Irfr220ntrlpbf

5N20A 200V 5d'un transistor à effet de champ pour les MOSFET Irfr220ntrlpbf

5N20A 200V 5d'un transistor à effet de champ pour les MOSFET Irfr220ntrlpbf

5N20A 200V 5d'un transistor à effet de champ pour les MOSFET Irfr220ntrlpbf

1/ 5

Collection

5N20A 200V 5d'un transistor à effet de champ pour les MOSFET Irfr220ntrlpbf

0,074-0,099 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Emballage: Reel, with Antistatic Alluminum Foil Bag

4A 650V TO-220 SVF4N65 plastic package N-channel Transistor MOSFET

4A 650V TO-220 SVF4N65 plastic package N-channel Transistor MOSFET

4A 650V TO-220 SVF4N65 plastic package N-channel Transistor MOSFET

4A 650V TO-220 SVF4N65 plastic package N-channel Transistor MOSFET

4A 650V TO-220 SVF4N65 plastic package N-channel Transistor MOSFET

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Collection

4A 650V TO-220 SVF4N65 plastic package N-channel Transistor MOSFET

0,05-0,15 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

CTC Technology Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Demande: Réfrigérateur

Remplacement de Fdmc4435BZ MOSFET canal P -30V boîtier DFN pour mobile Recharge rapide

Remplacement de Fdmc4435BZ MOSFET canal P -30V boîtier DFN pour mobile Recharge rapide

Remplacement de Fdmc4435BZ MOSFET canal P -30V boîtier DFN pour mobile Recharge rapide

Remplacement de Fdmc4435BZ MOSFET canal P -30V boîtier DFN pour mobile Recharge rapide

Remplacement de Fdmc4435BZ MOSFET canal P -30V boîtier DFN pour mobile Recharge rapide

1/ 5

Collection

Remplacement de Fdmc4435BZ MOSFET canal P -30V boîtier DFN pour mobile Recharge rapide

0,001-0,06 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Emballage: Carton

Standard: DFN package

Transistor de puissance de l'IGBT G12p10K -100V -12un MOSFET pour alimentation

Transistor de puissance de l'IGBT G12p10K -100V -12un MOSFET pour alimentation

Transistor de puissance de l'IGBT G12p10K -100V -12un MOSFET pour alimentation

Transistor de puissance de l'IGBT G12p10K -100V -12un MOSFET pour alimentation

Transistor de puissance de l'IGBT G12p10K -100V -12un MOSFET pour alimentation

Transistor de puissance de l'IGBT G12p10K -100V -12un MOSFET pour alimentation

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Collection

Transistor de puissance de l'IGBT G12p10K -100V -12un MOSFET pour alimentation

100 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

1/ 4

Collection

Pièces de rechange MOSFET IGBT pour transformateur de compteur numérique IGBT de Pièces de rechange pour machines à souder

0,001-30,00 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Exlentech Welding Equipments Co., Ltd.

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refroidissement Way: Refroidissement Air

style: Portable

Gamme de fréquences: Haute fréquence

Courant électrique: DC

Formulaire de travail: Un corps

Type: Metal-Arc Manuel Soudeur

MOSFET de puissance avancé à canal N 680V/12A 0,8mΩ Zg12n65

MOSFET de puissance avancé à canal N 680V/12A 0,8mΩ Zg12n65

MOSFET de puissance avancé à canal N 680V/12A 0,8mΩ Zg12n65

MOSFET de puissance avancé à canal N 680V/12A 0,8mΩ Zg12n65

MOSFET de puissance avancé à canal N 680V/12A 0,8mΩ Zg12n65

MOSFET de puissance avancé à canal N 680V/12A 0,8mΩ Zg12n65

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Collection

MOSFET de puissance avancé à canal N 680V/12A 0,8mΩ Zg12n65

0,083 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Zhongxin Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Haute puissance 2x1450W@8ohm amplificateur audio MOSFET Sanway PRO (FP7000)

Haute puissance 2x1450W@8ohm amplificateur audio MOSFET Sanway PRO (FP7000)

Haute puissance 2x1450W@8ohm amplificateur audio MOSFET Sanway PRO (FP7000)

Haute puissance 2x1450W@8ohm amplificateur audio MOSFET Sanway PRO (FP7000)

Haute puissance 2x1450W@8ohm amplificateur audio MOSFET Sanway PRO (FP7000)

Haute puissance 2x1450W@8ohm amplificateur audio MOSFET Sanway PRO (FP7000)

1/ 6

Collection

Haute puissance 2x1450W@8ohm amplificateur audio MOSFET Sanway PRO (FP7000)

800,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Sanway Audio Equipment Co., Ltd.

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Type: Amplificateur professionnel

Usage: AV

Utilisé Pour: Professionnel

Type de tube: Amplificateur à Transistor

Fonction: Amplificateur Combiné

Channel Sound: 2.1

Composants électriques de moyenne puissance MOSFET à effet de champ G65p06t pour l-220

Composants électriques de moyenne puissance MOSFET à effet de champ G65p06t pour l-220

Composants électriques de moyenne puissance MOSFET à effet de champ G65p06t pour l-220

Composants électriques de moyenne puissance MOSFET à effet de champ G65p06t pour l-220

Composants électriques de moyenne puissance MOSFET à effet de champ G65p06t pour l-220

Composants électriques de moyenne puissance MOSFET à effet de champ G65p06t pour l-220

1/ 6

Collection

Composants électriques de moyenne puissance MOSFET à effet de champ G65p06t pour l-220

25 000 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Haute puissance

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

Chine Fabricant de MOSFET

Chine Fabricant de MOSFET

Chine Fabricant de MOSFET

Chine Fabricant de MOSFET

Chine Fabricant de MOSFET

Chine Fabricant de MOSFET

1/ 6

Collection

Chine Fabricant de MOSFET

100 Pièces (MOQ)

Jiangsu Zhongxin Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

1/ 4

Collection

2024 convertisseur de machine de soudage à l'arc MMA à conception populaire IGBT or Technologie MOSFET

19,00-59,00 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Exlentech Welding Equipments Co., Ltd.

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refroidissement Way: Refroidissement Air

style: Portable

Gamme de fréquences: Haute fréquence

Courant électrique: DC

Formulaire de travail: Un corps

Type: Metal-Arc Manuel Soudeur

Rce MOSFET canal P en mode d'amélioration de l'alimentation RCE40P07S Cmponent électronique

Rce MOSFET canal P en mode d'amélioration de l'alimentation RCE40P07S Cmponent électronique

Rce MOSFET canal P en mode d'amélioration de l'alimentation RCE40P07S Cmponent électronique

Rce MOSFET canal P en mode d'amélioration de l'alimentation RCE40P07S Cmponent électronique

Rce MOSFET canal P en mode d'amélioration de l'alimentation RCE40P07S Cmponent électronique

Rce MOSFET canal P en mode d'amélioration de l'alimentation RCE40P07S Cmponent électronique

1/ 6

Collection

Rce MOSFET canal P en mode d'amélioration de l'alimentation RCE40P07S Cmponent électronique

0,05-0,15 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

CTC Technology Co., Ltd.

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forme: Appartement

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thin Film IC

Emballage: Carton

Standard: Other

Marque Déposée: NCEPOWER

MOSFET de puissance F7n80 to-220f mode d'amélioration de canal N 800 V 7 a **%Off

MOSFET de puissance F7n80 to-220f mode d'amélioration de canal N 800 V 7 a **%Off

MOSFET de puissance F7n80 to-220f mode d'amélioration de canal N 800 V 7 a **%Off

MOSFET de puissance F7n80 to-220f mode d'amélioration de canal N 800 V 7 a **%Off

MOSFET de puissance F7n80 to-220f mode d'amélioration de canal N 800 V 7 a **%Off

MOSFET de puissance F7n80 to-220f mode d'amélioration de canal N 800 V 7 a **%Off

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance F7n80 to-220f mode d'amélioration de canal N 800 V 7 a **%Off

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

1/ 4

Collection

1002L 100V 2A N-canal (AO3442) Mode d'amélioration de MOSFET à effet de champ

0,023-0,036 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Emballage: Reel, with Antistatic Alluminum Foil Bag

110A 60V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DH066N06e

110A 60V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DH066N06e

110A 60V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DH066N06e

110A 60V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DH066N06e

110A 60V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DH066N06e

110A 60V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DH066N06e

1/ 6

Collection

110A 60V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DH066N06e

0,01-0,2 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

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