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Transistor de puissance NPN silicium

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Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

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Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

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Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

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Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

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Niveau d'énergie: Haute puissance

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Composants électroniques Irfr320trpbf-Be3 transistors MOSFET Irfr320trpbf 400 V.

Composants électroniques Irfr320trpbf-Be3 transistors MOSFET Irfr320trpbf 400 V.

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Composants électroniques Irfr320trpbf-Be3 transistors MOSFET Irfr320trpbf 400 V.

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors MOSFET N-CH 80V 300A Hsoof-8 Ipt012n08n5atma1 CMS/CMS

Transistors MOSFET N-CH 80V 300A Hsoof-8 Ipt012n08n5atma1 CMS/CMS

Transistors MOSFET N-CH 80V 300A Hsoof-8 Ipt012n08n5atma1 CMS/CMS

Transistors MOSFET N-CH 80V 300A Hsoof-8 Ipt012n08n5atma1 CMS/CMS

Transistors MOSFET N-CH 80V 300A Hsoof-8 Ipt012n08n5atma1 CMS/CMS

Transistors MOSFET N-CH 80V 300A Hsoof-8 Ipt012n08n5atma1 CMS/CMS

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Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

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Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors MOSFET Dmws120h100sm4 SIC Bvdss 1000V TO247-4 tube 30PS

Transistors MOSFET Dmws120h100sm4 SIC Bvdss 1000V TO247-4 tube 30PS

Transistors MOSFET Dmws120h100sm4 SIC Bvdss 1000V TO247-4 tube 30PS

Transistors MOSFET Dmws120h100sm4 SIC Bvdss 1000V TO247-4 tube 30PS

Transistors MOSFET Dmws120h100sm4 SIC Bvdss 1000V TO247-4 tube 30PS

Transistors MOSFET Dmws120h100sm4 SIC Bvdss 1000V TO247-4 tube 30PS

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Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors MOS discrets Psmn2r3-100ssej 2.28 Mohms 255 a 100 V.

Transistors MOS discrets Psmn2r3-100ssej 2.28 Mohms 255 a 100 V.

Transistors MOS discrets Psmn2r3-100ssej 2.28 Mohms 255 a 100 V.

Transistors MOS discrets Psmn2r3-100ssej 2.28 Mohms 255 a 100 V.

Transistors MOS discrets Psmn2r3-100ssej 2.28 Mohms 255 a 100 V.

Transistors MOS discrets Psmn2r3-100ssej 2.28 Mohms 255 a 100 V.

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Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors MOSFET Buk6d23-40eh Buk6d23-40e/Sot1220 CMS/CMS

Transistors MOSFET Buk6d23-40eh Buk6d23-40e/Sot1220 CMS/CMS

Transistors MOSFET Buk6d23-40eh Buk6d23-40e/Sot1220 CMS/CMS

Transistors MOSFET Buk6d23-40eh Buk6d23-40e/Sot1220 CMS/CMS

Transistors MOSFET Buk6d23-40eh Buk6d23-40e/Sot1220 CMS/CMS

Transistors MOSFET Buk6d23-40eh Buk6d23-40e/Sot1220 CMS/CMS

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Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Ipb014n04NF2satma1 D2PAK-3 MOSFET 1.45 Mohms 191 a 40 V transistors

Ipb014n04NF2satma1 D2PAK-3 MOSFET 1.45 Mohms 191 a 40 V transistors

Ipb014n04NF2satma1 D2PAK-3 MOSFET 1.45 Mohms 191 a 40 V transistors

Ipb014n04NF2satma1 D2PAK-3 MOSFET 1.45 Mohms 191 a 40 V transistors

Ipb014n04NF2satma1 D2PAK-3 MOSFET 1.45 Mohms 191 a 40 V transistors

Ipb014n04NF2satma1 D2PAK-3 MOSFET 1.45 Mohms 191 a 40 V transistors

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Ipb014n04NF2satma1 D2PAK-3 MOSFET 1.45 Mohms 191 a 40 V transistors

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Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors MOSFET Sqs181elnw-T1 PowerPak 1212-8sw 31mohm 10V 48mohm 4,5V

Transistors MOSFET Sqs181elnw-T1 PowerPak 1212-8sw 31mohm 10V 48mohm 4,5V

Transistors MOSFET Sqs181elnw-T1 PowerPak 1212-8sw 31mohm 10V 48mohm 4,5V

Transistors MOSFET Sqs181elnw-T1 PowerPak 1212-8sw 31mohm 10V 48mohm 4,5V

Transistors MOSFET Sqs181elnw-T1 PowerPak 1212-8sw 31mohm 10V 48mohm 4,5V

Transistors MOSFET Sqs181elnw-T1 PowerPak 1212-8sw 31mohm 10V 48mohm 4,5V

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Transistors MOSFET Sqs181elnw-T1 PowerPak 1212-8sw 31mohm 10V 48mohm 4,5V

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Structure: NPN

Matériel: Silicium

Electronique Iaucn04s7n005atma1 550 Uohms 414A transistors PG-Tdson-8 40 V.

Electronique Iaucn04s7n005atma1 550 Uohms 414A transistors PG-Tdson-8 40 V.

Electronique Iaucn04s7n005atma1 550 Uohms 414A transistors PG-Tdson-8 40 V.

Electronique Iaucn04s7n005atma1 550 Uohms 414A transistors PG-Tdson-8 40 V.

Electronique Iaucn04s7n005atma1 550 Uohms 414A transistors PG-Tdson-8 40 V.

Electronique Iaucn04s7n005atma1 550 Uohms 414A transistors PG-Tdson-8 40 V.

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Electronique Iaucn04s7n005atma1 550 Uohms 414A transistors PG-Tdson-8 40 V.

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Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors Ipb048n15n5lfatma1 to-263-3 150V 120A 3.9 Mohms composant électronique

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Transistors Ipb048n15n5lfatma1 to-263-3 150V 120A 3.9 Mohms composant électronique

Transistors Ipb048n15n5lfatma1 to-263-3 150V 120A 3.9 Mohms composant électronique

Transistors Ipb048n15n5lfatma1 to-263-3 150V 120A 3.9 Mohms composant électronique

Transistors Ipb048n15n5lfatma1 to-263-3 150V 120A 3.9 Mohms composant électronique

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Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors Ipb023n04NF2satma1 D2PAK-3 2.35 Mohms 122A 40V Electronics

Transistors Ipb023n04NF2satma1 D2PAK-3 2.35 Mohms 122A 40V Electronics

Transistors Ipb023n04NF2satma1 D2PAK-3 2.35 Mohms 122A 40V Electronics

Transistors Ipb023n04NF2satma1 D2PAK-3 2.35 Mohms 122A 40V Electronics

Transistors Ipb023n04NF2satma1 D2PAK-3 2.35 Mohms 122A 40V Electronics

Transistors Ipb023n04NF2satma1 D2PAK-3 2.35 Mohms 122A 40V Electronics

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Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors to-247-4 1 canal 16.5 Mohms Imyh200r012m1hxksa1 traversant

Transistors to-247-4 1 canal 16.5 Mohms Imyh200r012m1hxksa1 traversant

Transistors to-247-4 1 canal 16.5 Mohms Imyh200r012m1hxksa1 traversant

Transistors to-247-4 1 canal 16.5 Mohms Imyh200r012m1hxksa1 traversant

Transistors to-247-4 1 canal 16.5 Mohms Imyh200r012m1hxksa1 traversant

Transistors to-247-4 1 canal 16.5 Mohms Imyh200r012m1hxksa1 traversant

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Transistors to-247-4 1 canal 16.5 Mohms Imyh200r012m1hxksa1 traversant

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Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

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Structure: NPN

Matériel: Silicium

MOSFET High Power Ipsw60r031cfd7xksa1_nouveaux transistors CoolMOS to-247-3

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MOSFET High Power Ipsw60r031cfd7xksa1_nouveaux transistors CoolMOS to-247-3

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Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors Imyh200r075m1hxksa1 to-247-4 98mohms 34A 2kv 267W CMS/CMS

Transistors Imyh200r075m1hxksa1 to-247-4 98mohms 34A 2kv 267W CMS/CMS

Transistors Imyh200r075m1hxksa1 to-247-4 98mohms 34A 2kv 267W CMS/CMS

Transistors Imyh200r075m1hxksa1 to-247-4 98mohms 34A 2kv 267W CMS/CMS

Transistors Imyh200r075m1hxksa1 to-247-4 98mohms 34A 2kv 267W CMS/CMS

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Structure: NPN

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Transistors Ipf012n06NF2satma1 to-263-7 1.2 Mohms 60V 282A

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Transistors Ipf012n06NF2satma1 to-263-7 1.2 Mohms 60V 282A

Transistors Ipf012n06NF2satma1 to-263-7 1.2 Mohms 60V 282A

Transistors Ipf012n06NF2satma1 to-263-7 1.2 Mohms 60V 282A

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Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors Iaua250n04s6n007euma1 700uohms 380A 40V électronique

Transistors Iaua250n04s6n007euma1 700uohms 380A 40V électronique

Transistors Iaua250n04s6n007euma1 700uohms 380A 40V électronique

Transistors Iaua250n04s6n007euma1 700uohms 380A 40V électronique

Transistors Iaua250n04s6n007euma1 700uohms 380A 40V électronique

Transistors Iaua250n04s6n007euma1 700uohms 380A 40V électronique

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Transistors Iaua250n04s6n007euma1 700uohms 380A 40V électronique

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

2SA1540 A1540 Transistor PNP à-126 200V 0,1A

2SA1540 A1540 Transistor PNP à-126 200V 0,1A

2SA1540 A1540 Transistor PNP à-126 200V 0,1A

2SA1540 A1540 Transistor PNP à-126 200V 0,1A

2SA1540 A1540 Transistor PNP à-126 200V 0,1A

2SA1540 A1540 Transistor PNP à-126 200V 0,1A

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2SA1540 A1540 Transistor PNP à-126 200V 0,1A

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10 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

1/ 2

Collection

Transistor de puissance Darlington NPN Astuce142

0,42 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Céramique Transistor Emballé

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Origine: China

1/ 4

Collection

Transistor de puissance bipolaires pnp 3 a 100 V 40 W Astuce32c en stock

0,14-0,711 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistor de puissance Sot-23 70 V CMS Bav70 A4 0,2 A.

Transistor de puissance Sot-23 70 V CMS Bav70 A4 0,2 A.

Transistor de puissance Sot-23 70 V CMS Bav70 A4 0,2 A.

Transistor de puissance Sot-23 70 V CMS Bav70 A4 0,2 A.

Transistor de puissance Sot-23 70 V CMS Bav70 A4 0,2 A.

Transistor de puissance Sot-23 70 V CMS Bav70 A4 0,2 A.

1/ 6

Collection

Transistor de puissance Sot-23 70 V CMS Bav70 A4 0,2 A.

0,0045 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Nouvel Original Amplificateur Audio Haute puissance Paire Mjl Mjl du tube21195 Transistor21196

Nouvel Original Amplificateur Audio Haute puissance Paire Mjl Mjl du tube21195 Transistor21196

Nouvel Original Amplificateur Audio Haute puissance Paire Mjl Mjl du tube21195 Transistor21196

Nouvel Original Amplificateur Audio Haute puissance Paire Mjl Mjl du tube21195 Transistor21196

Nouvel Original Amplificateur Audio Haute puissance Paire Mjl Mjl du tube21195 Transistor21196

Nouvel Original Amplificateur Audio Haute puissance Paire Mjl Mjl du tube21195 Transistor21196

1/ 6

Collection

Nouvel Original Amplificateur Audio Haute puissance Paire Mjl Mjl du tube21195 Transistor21196

0,1-0,99 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode

Fqp intérieur9n50c 9n50c 9a Effet de champ500V Inline à220 transistor NPN

Fqp intérieur9n50c 9n50c 9a Effet de champ500V Inline à220 transistor NPN

Fqp intérieur9n50c 9n50c 9a Effet de champ500V Inline à220 transistor NPN

Fqp intérieur9n50c 9n50c 9a Effet de champ500V Inline à220 transistor NPN

Fqp intérieur9n50c 9n50c 9a Effet de champ500V Inline à220 transistor NPN

Fqp intérieur9n50c 9n50c 9a Effet de champ500V Inline à220 transistor NPN

1/ 6

Collection

Fqp intérieur9n50c 9n50c 9a Effet de champ500V Inline à220 transistor NPN

0,8-2,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Le transistor irf450 Field-Effect irf450 500V12A original et nouveau

Le transistor irf450 Field-Effect irf450 500V12A original et nouveau

Le transistor irf450 Field-Effect irf450 500V12A original et nouveau

Le transistor irf450 Field-Effect irf450 500V12A original et nouveau

Le transistor irf450 Field-Effect irf450 500V12A original et nouveau

Le transistor irf450 Field-Effect irf450 500V12A original et nouveau

1/ 6

Collection

Le transistor irf450 Field-Effect irf450 500V12A original et nouveau

0,01-0,2 $US / Pièce

500 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Céramique Transistor Emballé

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Bu941 BU941p 400V 15A BU941ZP Transistor de puissance élevée

Bu941 BU941p 400V 15A BU941ZP Transistor de puissance élevée

Bu941 BU941p 400V 15A BU941ZP Transistor de puissance élevée

Bu941 BU941p 400V 15A BU941ZP Transistor de puissance élevée

Bu941 BU941p 400V 15A BU941ZP Transistor de puissance élevée

Bu941 BU941p 400V 15A BU941ZP Transistor de puissance élevée

1/ 6

Collection

Bu941 BU941p 400V 15A BU941ZP Transistor de puissance élevée

0,2-0,8 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

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Encapsulation Structure: Céramique Transistor Emballé

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode

Transistors Darlington complémentaires Silicon Power Bdw93C 12A 100V

Transistors Darlington complémentaires Silicon Power Bdw93C 12A 100V

Transistors Darlington complémentaires Silicon Power Bdw93C 12A 100V

Transistors Darlington complémentaires Silicon Power Bdw93C 12A 100V

Transistors Darlington complémentaires Silicon Power Bdw93C 12A 100V

Transistors Darlington complémentaires Silicon Power Bdw93C 12A 100V

1/ 6

Collection

Transistors Darlington complémentaires Silicon Power Bdw93C 12A 100V

0,36 $US / Pièce

500 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Emballage: /

2SC3852 Transistor planaire épitaxial NPN silicium conducteur pour l'électrovanne et le moteur, régulateur de la série et l'usage général)

2SC3852 Transistor planaire épitaxial NPN silicium conducteur pour l'électrovanne et le moteur, régulateur de la série et l'usage général)

2SC3852 Transistor planaire épitaxial NPN silicium conducteur pour l'électrovanne et le moteur, régulateur de la série et l'usage général)

2SC3852 Transistor planaire épitaxial NPN silicium conducteur pour l'électrovanne et le moteur, régulateur de la série et l'usage général)

2SC3852 Transistor planaire épitaxial NPN silicium conducteur pour l'électrovanne et le moteur, régulateur de la série et l'usage général)

2SC3852 Transistor planaire épitaxial NPN silicium conducteur pour l'électrovanne et le moteur, régulateur de la série et l'usage général)

1/ 6

Collection

2SC3852 Transistor planaire épitaxial NPN silicium conducteur pour l'électrovanne et le moteur, régulateur de la série et l'usage général)

1,03-3,32 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

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