Accueil Électricité & Électronique Semi-Conducteur Mosfet de gros 2024 Liste de Produits

Mosfet de gros

produits trouvés de fabricants et grossistes de confiance

Topologie de Vienne VDS, MOSFET de puissance haute tension

Topologie de Vienne VDS, MOSFET de puissance haute tension

Topologie de Vienne VDS, MOSFET de puissance haute tension

Topologie de Vienne VDS, MOSFET de puissance haute tension

Topologie de Vienne VDS, MOSFET de puissance haute tension

Topologie de Vienne VDS, MOSFET de puissance haute tension

1/ 6

Collection

Topologie de Vienne VDS, MOSFET de puissance haute tension

0,2 $US / Pièce

660 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

MOSFET de puissance à super jonction à canal N 21A 650 V Dhsj21n65W to-247

MOSFET de puissance à super jonction à canal N 21A 650 V Dhsj21n65W to-247

MOSFET de puissance à super jonction à canal N 21A 650 V Dhsj21n65W to-247

MOSFET de puissance à super jonction à canal N 21A 650 V Dhsj21n65W to-247

MOSFET de puissance à super jonction à canal N 21A 650 V Dhsj21n65W to-247

MOSFET de puissance à super jonction à canal N 21A 650 V Dhsj21n65W to-247

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance à super jonction à canal N 21A 650 V Dhsj21n65W to-247

0,01-0,2 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Carton

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

MOSFET de puissance Nce40p07s NCE mode d'amélioration canal P

MOSFET de puissance Nce40p07s NCE mode d'amélioration canal P

MOSFET de puissance Nce40p07s NCE mode d'amélioration canal P

MOSFET de puissance Nce40p07s NCE mode d'amélioration canal P

MOSFET de puissance Nce40p07s NCE mode d'amélioration canal P

MOSFET de puissance Nce40p07s NCE mode d'amélioration canal P

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance Nce40p07s NCE mode d'amélioration canal P

0,095-0,109 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type P

Paquet: SMD

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: Cardboard Box

Charge rapide EV Extral piles DC-DC High Power Interleaved LLC Topologies diode de récupération rapide FRD Osg60r030hzf TO247 Power MOSFET

Charge rapide EV Extral piles DC-DC High Power Interleaved LLC Topologies diode de récupération rapide FRD Osg60r030hzf TO247 Power MOSFET

Charge rapide EV Extral piles DC-DC High Power Interleaved LLC Topologies diode de récupération rapide FRD Osg60r030hzf TO247 Power MOSFET

Charge rapide EV Extral piles DC-DC High Power Interleaved LLC Topologies diode de récupération rapide FRD Osg60r030hzf TO247 Power MOSFET

Charge rapide EV Extral piles DC-DC High Power Interleaved LLC Topologies diode de récupération rapide FRD Osg60r030hzf TO247 Power MOSFET

Charge rapide EV Extral piles DC-DC High Power Interleaved LLC Topologies diode de récupération rapide FRD Osg60r030hzf TO247 Power MOSFET

1/ 6

Collection

Charge rapide EV Extral piles DC-DC High Power Interleaved LLC Topologies diode de récupération rapide FRD Osg60r030hzf TO247 Power MOSFET

0,2 $US / Pièce

660 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

1/ 3

Collection

Le transistor de SMD G16p03D3 GPND3X3-8L -30V -16Un canal P MOSFET à effet de champ

0,06-0,08 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Emballage: Reel, with Antistatic Alluminum Foil Bag

MOSFET à mode canal P Ao4435 -30 V.

MOSFET à mode canal P Ao4435 -30 V.

MOSFET à mode canal P Ao4435 -30 V.

MOSFET à mode canal P Ao4435 -30 V.

MOSFET à mode canal P Ao4435 -30 V.

MOSFET à mode canal P Ao4435 -30 V.

1/ 6

Collection

MOSFET à mode canal P Ao4435 -30 V.

0,05 $US / Pièce

20 000 Pièces (MOQ)

Shenzhen Topmay Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: commutation Triode

MOSFET de puissance à canal N simple haute tension solaire/UPS

MOSFET de puissance à canal N simple haute tension solaire/UPS

MOSFET de puissance à canal N simple haute tension solaire/UPS

MOSFET de puissance à canal N simple haute tension solaire/UPS

MOSFET de puissance à canal N simple haute tension solaire/UPS

MOSFET de puissance à canal N simple haute tension solaire/UPS

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance à canal N simple haute tension solaire/UPS

0,1-0,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: QFP/PFP

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Demande: Pile solaire

1/ 4

Collection

Transistor professionnel en gros 100V/100A 3,9mΩ DG100N02Q MOSFET de puissance avancés

0,2-0,23 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

1/ 4

Collection

Mode d'amélioration de transistor à effet de champ 20n06 60V 25un Mosfet d'applications de commutation

100 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

5A 200V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance B5N20 à-251

5A 200V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance B5N20 à-251

5A 200V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance B5N20 à-251

5A 200V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance B5N20 à-251

5A 200V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance B5N20 à-251

5A 200V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance B5N20 à-251

1/ 6

Collection

5A 200V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance B5N20 à-251

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep15t14 NCE

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep15t14 NCE

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep15t14 NCE

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep15t14 NCE

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep15t14 NCE

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep15t14 NCE

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep15t14 NCE

1,13-1,3 $US / Pièce

2 500 Pièces (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: Cardboard Box

Boîtier TO252 de systèmes photovoltaïques MOSFET de puissance Osg80r900df canal N 800 W 900 V.

Boîtier TO252 de systèmes photovoltaïques MOSFET de puissance Osg80r900df canal N 800 W 900 V.

Boîtier TO252 de systèmes photovoltaïques MOSFET de puissance Osg80r900df canal N 800 W 900 V.

Boîtier TO252 de systèmes photovoltaïques MOSFET de puissance Osg80r900df canal N 800 W 900 V.

Boîtier TO252 de systèmes photovoltaïques MOSFET de puissance Osg80r900df canal N 800 W 900 V.

Boîtier TO252 de systèmes photovoltaïques MOSFET de puissance Osg80r900df canal N 800 W 900 V.

1/ 6

Collection

Boîtier TO252 de systèmes photovoltaïques MOSFET de puissance Osg80r900df canal N 800 W 900 V.

0,1-0,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

MOSFET CANAL N 60 V 230 MA 2N7002K AVEC BOÎTIER SOT-23

MOSFET CANAL N 60 V 230 MA 2N7002K AVEC BOÎTIER SOT-23

MOSFET CANAL N 60 V 230 MA 2N7002K AVEC BOÎTIER SOT-23

MOSFET CANAL N 60 V 230 MA 2N7002K AVEC BOÎTIER SOT-23

MOSFET CANAL N 60 V 230 MA 2N7002K AVEC BOÎTIER SOT-23

MOSFET CANAL N 60 V 230 MA 2N7002K AVEC BOÎTIER SOT-23

1/ 6

Collection

MOSFET CANAL N 60 V 230 MA 2N7002K AVEC BOÎTIER SOT-23

0,0072-0,009 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Application: Produits électroniques

certificat: RoHS,ISO

Matériel: Silicium

Emballage: Tape Reel

Standard: SMD type

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx3080K 80A30V avec to-252

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx3080K 80A30V avec to-252

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx3080K 80A30V avec to-252

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx3080K 80A30V avec to-252

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx3080K 80A30V avec to-252

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx3080K 80A30V avec to-252

1/ 6

Collection

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx3080K 80A30V avec to-252

0,0055-0,0156 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Transistor de puissance MOSFET à mode d'amélioration de canal P Nce3401 NCE Ready stock Avec le modèle Sot-23 pour une utilisation comme interrupteur de charge ou dans Applications PWM

Transistor de puissance MOSFET à mode d'amélioration de canal P Nce3401 NCE Ready stock Avec le modèle Sot-23 pour une utilisation comme interrupteur de charge ou dans Applications PWM

Transistor de puissance MOSFET à mode d'amélioration de canal P Nce3401 NCE Ready stock Avec le modèle Sot-23 pour une utilisation comme interrupteur de charge ou dans Applications PWM

Transistor de puissance MOSFET à mode d'amélioration de canal P Nce3401 NCE Ready stock Avec le modèle Sot-23 pour une utilisation comme interrupteur de charge ou dans Applications PWM

Transistor de puissance MOSFET à mode d'amélioration de canal P Nce3401 NCE Ready stock Avec le modèle Sot-23 pour une utilisation comme interrupteur de charge ou dans Applications PWM

Transistor de puissance MOSFET à mode d'amélioration de canal P Nce3401 NCE Ready stock Avec le modèle Sot-23 pour une utilisation comme interrupteur de charge ou dans Applications PWM

1/ 6

Collection

Transistor de puissance MOSFET à mode d'amélioration de canal P Nce3401 NCE Ready stock Avec le modèle Sot-23 pour une utilisation comme interrupteur de charge ou dans Applications PWM

0,024-0,028 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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Emballage: Carton

Standard: SOT-23

Marque Déposée: NCE

Origine: China

Code SH: 8541290000

Capacité de Production: 1000000/Week

Transistor original MOSFET SOIC-8 à canal N SOIC- de 13 a 30 V 11 mΩ à 10 V, 7,3 a 2,5 W RoHS

Transistor original MOSFET SOIC-8 à canal N SOIC- de 13 a 30 V 11 mΩ à 10 V, 7,3 a 2,5 W RoHS

Transistor original MOSFET SOIC-8 à canal N SOIC- de 13 a 30 V 11 mΩ à 10 V, 7,3 a 2,5 W RoHS

Transistor original MOSFET SOIC-8 à canal N SOIC- de 13 a 30 V 11 mΩ à 10 V, 7,3 a 2,5 W RoHS

Transistor original MOSFET SOIC-8 à canal N SOIC- de 13 a 30 V 11 mΩ à 10 V, 7,3 a 2,5 W RoHS

Transistor original MOSFET SOIC-8 à canal N SOIC- de 13 a 30 V 11 mΩ à 10 V, 7,3 a 2,5 W RoHS

1/ 6

Collection

Transistor original MOSFET SOIC-8 à canal N SOIC- de 13 a 30 V 11 mΩ à 10 V, 7,3 a 2,5 W RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Boîtier MOSFET de puissance 800 W 900 V à canal N TO252 Osg80r900df

Boîtier MOSFET de puissance 800 W 900 V à canal N TO252 Osg80r900df

Boîtier MOSFET de puissance 800 W 900 V à canal N TO252 Osg80r900df

Boîtier MOSFET de puissance 800 W 900 V à canal N TO252 Osg80r900df

Boîtier MOSFET de puissance 800 W 900 V à canal N TO252 Osg80r900df

Boîtier MOSFET de puissance 800 W 900 V à canal N TO252 Osg80r900df

1/ 6

Collection

Boîtier MOSFET de puissance 800 W 900 V à canal N TO252 Osg80r900df

0,1-0,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: SMD

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Demande: Réfrigérateur

Transistor de puissance de l'IGBT G12p10K -100V -12un MOSFET pour alimentation

Transistor de puissance de l'IGBT G12p10K -100V -12un MOSFET pour alimentation

Transistor de puissance de l'IGBT G12p10K -100V -12un MOSFET pour alimentation

Transistor de puissance de l'IGBT G12p10K -100V -12un MOSFET pour alimentation

Transistor de puissance de l'IGBT G12p10K -100V -12un MOSFET pour alimentation

Transistor de puissance de l'IGBT G12p10K -100V -12un MOSFET pour alimentation

1/ 6

Collection

Transistor de puissance de l'IGBT G12p10K -100V -12un MOSFET pour alimentation

100 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Emballage: Carton

SJ7N60 SUPER MOSFET à canal N de jonction avec 7A 600V

SJ7N60 SUPER MOSFET à canal N de jonction avec 7A 600V

SJ7N60 SUPER MOSFET à canal N de jonction avec 7A 600V

SJ7N60 SUPER MOSFET à canal N de jonction avec 7A 600V

SJ7N60 SUPER MOSFET à canal N de jonction avec 7A 600V

1/ 5

Collection

SJ7N60 SUPER MOSFET à canal N de jonction avec 7A 600V

0,1-1,00 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd.

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Application: Produits électroniques

certificat: RoHS,ISO

Matériel: Silicium

Emballage: Tube

Standard: High Power

Marque Déposée: JF

MOSFET de puissance à canal N TO220F Osg55r190FF VDS-600V ID-60A

MOSFET de puissance à canal N TO220F Osg55r190FF VDS-600V ID-60A

MOSFET de puissance à canal N TO220F Osg55r190FF VDS-600V ID-60A

MOSFET de puissance à canal N TO220F Osg55r190FF VDS-600V ID-60A

MOSFET de puissance à canal N TO220F Osg55r190FF VDS-600V ID-60A

MOSFET de puissance à canal N TO220F Osg55r190FF VDS-600V ID-60A

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance à canal N TO220F Osg55r190FF VDS-600V ID-60A

0,3-1,3 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

1/ 4

Collection

-30V/-30Un 12mΩ RU30L30M3 Professional transistor MOSFET de puissance de pointe de gros

0,1-0,13 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Ndc7002n 7002 Ndc7002 MOSFET 2n-CH 50V 0.51A SSOT6 d'origine Sur Onsemi

Ndc7002n 7002 Ndc7002 MOSFET 2n-CH 50V 0.51A SSOT6 d'origine Sur Onsemi

Ndc7002n 7002 Ndc7002 MOSFET 2n-CH 50V 0.51A SSOT6 d'origine Sur Onsemi

Ndc7002n 7002 Ndc7002 MOSFET 2n-CH 50V 0.51A SSOT6 d'origine Sur Onsemi

Ndc7002n 7002 Ndc7002 MOSFET 2n-CH 50V 0.51A SSOT6 d'origine Sur Onsemi

Ndc7002n 7002 Ndc7002 MOSFET 2n-CH 50V 0.51A SSOT6 d'origine Sur Onsemi

1/ 6

Collection

Ndc7002n 7002 Ndc7002 MOSFET 2n-CH 50V 0.51A SSOT6 d'origine Sur Onsemi

1,00 $US / Sac

1 Sac (MOQ)

Shenzhen New Chip international Ltd

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forme: Appartement

Emballage: ESD

Capacité de Production: 10000box/1month

Ixtp34n65X2 transistor FET, transistor MOSFET simple, MOSFET

Ixtp34n65X2 transistor FET, transistor MOSFET simple, MOSFET

Ixtp34n65X2 transistor FET, transistor MOSFET simple, MOSFET

Ixtp34n65X2 transistor FET, transistor MOSFET simple, MOSFET

Ixtp34n65X2 transistor FET, transistor MOSFET simple, MOSFET

Ixtp34n65X2 transistor FET, transistor MOSFET simple, MOSFET

1/ 6

Collection

Ixtp34n65X2 transistor FET, transistor MOSFET simple, MOSFET

2,55-3,21 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Shenzhen Zhizhao Electronics Co., Ltd

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forme: Appartement

Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thin Film IC

Emballage: Tray, Box

Standard: SMD/SMT

Marque Déposée: Original brand

Yfw30n20af Yfw34n20af Mosfet à-220f

Yfw30n20af Yfw34n20af Mosfet à-220f

Yfw30n20af Yfw34n20af Mosfet à-220f

Yfw30n20af Yfw34n20af Mosfet à-220f

Yfw30n20af Yfw34n20af Mosfet à-220f

Yfw30n20af Yfw34n20af Mosfet à-220f

1/ 6

Collection

Yfw30n20af Yfw34n20af Mosfet à-220f

0,005-0,04 $US / Pièce

1 250 Pièces (MOQ)

Guangdong Youfeng Microelectronics Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Semi-Conducteur Optoélectronique

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: 1K/Reel/Tap, Inner Box, Master

Standard: 590*250*170

MOSFET 180AMP DC Arc inverseur machine à souder, soudage à l'arc Vente à chaud machine à souder MMA

MOSFET 180AMP DC Arc inverseur machine à souder, soudage à l'arc Vente à chaud machine à souder MMA

MOSFET 180AMP DC Arc inverseur machine à souder, soudage à l'arc Vente à chaud machine à souder MMA

MOSFET 180AMP DC Arc inverseur machine à souder, soudage à l'arc Vente à chaud machine à souder MMA

MOSFET 180AMP DC Arc inverseur machine à souder, soudage à l'arc Vente à chaud machine à souder MMA

MOSFET 180AMP DC Arc inverseur machine à souder, soudage à l'arc Vente à chaud machine à souder MMA

1/ 6

Collection

MOSFET 180AMP DC Arc inverseur machine à souder, soudage à l'arc Vente à chaud machine à souder MMA

70,00-75,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Taizhou Holly Electric Co., Ltd.

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refroidissement Way: Refroidissement Air

style: Portable

Gamme de fréquences: Haute fréquence

Courant électrique: DC

Formulaire de travail: Un corps

Type: Metal-Arc Manuel Soudeur

Transistor original Bsz0901ns 30V 145A 1,7mΩ @10V, 20A 69W canal N Tsdson-8 (3.3X3.3) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsz0901ns 30V 145A 1,7mΩ @10V, 20A 69W canal N Tsdson-8 (3.3X3.3) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsz0901ns 30V 145A 1,7mΩ @10V, 20A 69W canal N Tsdson-8 (3.3X3.3) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsz0901ns 30V 145A 1,7mΩ @10V, 20A 69W canal N Tsdson-8 (3.3X3.3) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsz0901ns 30V 145A 1,7mΩ @10V, 20A 69W canal N Tsdson-8 (3.3X3.3) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsz0901ns 30V 145A 1,7mΩ @10V, 20A 69W canal N Tsdson-8 (3.3X3.3) MOSFET RoHS BOM Service

1/ 6

Collection

Transistor original Bsz0901ns 30V 145A 1,7mΩ @10V, 20A 69W canal N Tsdson-8 (3.3X3.3) MOSFET RoHS BOM Service

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Le Mosfet N-CH 55V 110A à247AC Irfp064npbf

Le Mosfet N-CH 55V 110A à247AC Irfp064npbf

Le Mosfet N-CH 55V 110A à247AC Irfp064npbf

Le Mosfet N-CH 55V 110A à247AC Irfp064npbf

Le Mosfet N-CH 55V 110A à247AC Irfp064npbf

1/ 5

Collection

Le Mosfet N-CH 55V 110A à247AC Irfp064npbf

0,29-0,99 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Emi International (Hk) Co. Ltd

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Emballage: Original Package

Origine: Original

Code SH: 8542399000

L'IRF640MOSFET NPBF Trans N-CH 200V 18A d'-220

L'IRF640MOSFET NPBF Trans N-CH 200V 18A d'-220

L'IRF640MOSFET NPBF Trans N-CH 200V 18A d'-220

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L'IRF640MOSFET NPBF Trans N-CH 200V 18A d'-220

0,33-6,00 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

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Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Semiconductor IC

Emballage: Box

Origine: China

Code SH: 8542390000

Capacité de Production: 1000000PCS

Ce approuvé avec la technologie MOSFET Toshiba inverter welding machine (200A)

Ce approuvé avec la technologie MOSFET Toshiba inverter welding machine (200A)

Ce approuvé avec la technologie MOSFET Toshiba inverter welding machine (200A)

Ce approuvé avec la technologie MOSFET Toshiba inverter welding machine (200A)

Ce approuvé avec la technologie MOSFET Toshiba inverter welding machine (200A)

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Ce approuvé avec la technologie MOSFET Toshiba inverter welding machine (200A)

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Donrun Welding Equipment Co., Ltd.

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refroidissement Way: Refroidissement Air

style: Portable

Gamme de fréquences: Haute fréquence

Courant électrique: DC

Formulaire de travail: Noyau de fer

Type: Argon Arc Welder

Usine Vente en gros livraison rapide Hcs70r420s to-220f Package Semihow Super Junction MOSFET

Usine Vente en gros livraison rapide Hcs70r420s to-220f Package Semihow Super Junction MOSFET

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Usine Vente en gros livraison rapide Hcs70r420s to-220f Package Semihow Super Junction MOSFET

0,98-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

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