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Transistor bipolaire

produits trouvés de fabricants et grossistes de confiance

250V 16A Transistors bipolaires NPN Njw21193G Njw21194G

250V 16A Transistors bipolaires NPN Njw21193G Njw21194G

250V 16A Transistors bipolaires NPN Njw21193G Njw21194G

250V 16A Transistors bipolaires NPN Njw21193G Njw21194G

250V 16A Transistors bipolaires NPN Njw21193G Njw21194G

250V 16A Transistors bipolaires NPN Njw21193G Njw21194G

1/ 6

Collection

250V 16A Transistors bipolaires NPN Njw21193G Njw21194G

1,00-2,5 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fréquence de travail: Overclocking

Structure: Alliage

Encapsulation Structure: Céramique Transistor Emballé

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

1/ 6

Collection

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Bc846b (transistor bipolaire NPN BJT) 65 V 100 Ma 100MHz à 200 MW SMD SOT-23 BC846B BC846

Bc846b (transistor bipolaire NPN BJT) 65 V 100 Ma 100MHz à 200 MW SMD SOT-23 BC846B BC846

Bc846b (transistor bipolaire NPN BJT) 65 V 100 Ma 100MHz à 200 MW SMD SOT-23 BC846B BC846

Bc846b (transistor bipolaire NPN BJT) 65 V 100 Ma 100MHz à 200 MW SMD SOT-23 BC846B BC846

Bc846b (transistor bipolaire NPN BJT) 65 V 100 Ma 100MHz à 200 MW SMD SOT-23 BC846B BC846

Bc846b (transistor bipolaire NPN BJT) 65 V 100 Ma 100MHz à 200 MW SMD SOT-23 BC846B BC846

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Collection

Bc846b (transistor bipolaire NPN BJT) 65 V 100 Ma 100MHz à 200 MW SMD SOT-23 BC846B BC846

0,01-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Emballage: Standard

Standard: Standard

Origine: Original

Capacité de Production: 10000PCS/Day

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

1/ 6

Collection

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

0,23-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: MOSPEC

Mjd122 bipolaire (transistor darlington NPN BJT) 100 V 8 A 4MHz 1,75 W SMD Dpak Mjd122t4g

Mjd122 bipolaire (transistor darlington NPN BJT) 100 V 8 A 4MHz 1,75 W SMD Dpak Mjd122t4g

Mjd122 bipolaire (transistor darlington NPN BJT) 100 V 8 A 4MHz 1,75 W SMD Dpak Mjd122t4g

Mjd122 bipolaire (transistor darlington NPN BJT) 100 V 8 A 4MHz 1,75 W SMD Dpak Mjd122t4g

Mjd122 bipolaire (transistor darlington NPN BJT) 100 V 8 A 4MHz 1,75 W SMD Dpak Mjd122t4g

Mjd122 bipolaire (transistor darlington NPN BJT) 100 V 8 A 4MHz 1,75 W SMD Dpak Mjd122t4g

1/ 6

Collection

Mjd122 bipolaire (transistor darlington NPN BJT) 100 V 8 A 4MHz 1,75 W SMD Dpak Mjd122t4g

0,01-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Emballage: Standard

Standard: Standard

Origine: Original

Capacité de Production: 10000PCS/Day

2sc1384y 2SC1318 1A 60V 1W transistor bipolaire à Petits signaux PNP

2sc1384y 2SC1318 1A 60V 1W transistor bipolaire à Petits signaux PNP

2sc1384y 2SC1318 1A 60V 1W transistor bipolaire à Petits signaux PNP

2sc1384y 2SC1318 1A 60V 1W transistor bipolaire à Petits signaux PNP

2sc1384y 2SC1318 1A 60V 1W transistor bipolaire à Petits signaux PNP

2sc1384y 2SC1318 1A 60V 1W transistor bipolaire à Petits signaux PNP

1/ 6

Collection

2sc1384y 2SC1318 1A 60V 1W transistor bipolaire à Petits signaux PNP

0,1-1,00 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Forme: ST

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Small Power

Origine: China

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistor bipolaire (BJT) Smmbta06lt1g NPN 80 V 500 Ma 100 MHz CMS 225 MW Sot-23-3 Smmbta06lt3g Smmbta06lt Smmbta06

Transistor bipolaire (BJT) Smmbta06lt1g NPN 80 V 500 Ma 100 MHz CMS 225 MW Sot-23-3 Smmbta06lt3g Smmbta06lt Smmbta06

Transistor bipolaire (BJT) Smmbta06lt1g NPN 80 V 500 Ma 100 MHz CMS 225 MW Sot-23-3 Smmbta06lt3g Smmbta06lt Smmbta06

Transistor bipolaire (BJT) Smmbta06lt1g NPN 80 V 500 Ma 100 MHz CMS 225 MW Sot-23-3 Smmbta06lt3g Smmbta06lt Smmbta06

Transistor bipolaire (BJT) Smmbta06lt1g NPN 80 V 500 Ma 100 MHz CMS 225 MW Sot-23-3 Smmbta06lt3g Smmbta06lt Smmbta06

Transistor bipolaire (BJT) Smmbta06lt1g NPN 80 V 500 Ma 100 MHz CMS 225 MW Sot-23-3 Smmbta06lt3g Smmbta06lt Smmbta06

1/ 6

Collection

Transistor bipolaire (BJT) Smmbta06lt1g NPN 80 V 500 Ma 100 MHz CMS 225 MW Sot-23-3 Smmbta06lt3g Smmbta06lt Smmbta06

0,01-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Emballage: Standard

Standard: Standard

Origine: Original

Capacité de Production: 10000PCS/Day

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

1/ 2

Collection

Transistor bipolaire original TNZ44H8 TNZ44 44h8

0,598 $US / Pièce

250 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Forme: ST

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Silicium

Standard: standard

Transistor bipolaire à petits signaux 0,1A BC349

Transistor bipolaire à petits signaux 0,1A BC349

Transistor bipolaire à petits signaux 0,1A BC349

Transistor bipolaire à petits signaux 0,1A BC349

Transistor bipolaire à petits signaux 0,1A BC349

Transistor bipolaire à petits signaux 0,1A BC349

1/ 6

Collection

Transistor bipolaire à petits signaux 0,1A BC349

0,36 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Origine: China

Capacité de Production: 10000

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

1/ 6

Collection

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Njw21193G Njw21194G 200W de puissance bipolaires Transistors PNP Njw21193 Njw21194

Njw21193G Njw21194G 200W de puissance bipolaires Transistors PNP Njw21193 Njw21194

Njw21193G Njw21194G 200W de puissance bipolaires Transistors PNP Njw21193 Njw21194

Njw21193G Njw21194G 200W de puissance bipolaires Transistors PNP Njw21193 Njw21194

Njw21193G Njw21194G 200W de puissance bipolaires Transistors PNP Njw21193 Njw21194

Njw21193G Njw21194G 200W de puissance bipolaires Transistors PNP Njw21193 Njw21194

1/ 6

Collection

Njw21193G Njw21194G 200W de puissance bipolaires Transistors PNP Njw21193 Njw21194

1,00-2,5 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Matériel: Silicium

Standard: /

Marque Déposée: CHN

Transistor bipolaire (BJT) Bc807-40 PNP 45 V 800 Ma 100 MHz CMS 310 MW Sot-23-3 (TO-236) Bc807-40r13

Transistor bipolaire (BJT) Bc807-40 PNP 45 V 800 Ma 100 MHz CMS 310 MW Sot-23-3 (TO-236) Bc807-40r13

Transistor bipolaire (BJT) Bc807-40 PNP 45 V 800 Ma 100 MHz CMS 310 MW Sot-23-3 (TO-236) Bc807-40r13

Transistor bipolaire (BJT) Bc807-40 PNP 45 V 800 Ma 100 MHz CMS 310 MW Sot-23-3 (TO-236) Bc807-40r13

Transistor bipolaire (BJT) Bc807-40 PNP 45 V 800 Ma 100 MHz CMS 310 MW Sot-23-3 (TO-236) Bc807-40r13

Transistor bipolaire (BJT) Bc807-40 PNP 45 V 800 Ma 100 MHz CMS 310 MW Sot-23-3 (TO-236) Bc807-40r13

1/ 6

Collection

Transistor bipolaire (BJT) Bc807-40 PNP 45 V 800 Ma 100 MHz CMS 310 MW Sot-23-3 (TO-236) Bc807-40r13

0,01-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Emballage: Standard

Standard: Standard

Origine: Original

Capacité de Production: 10000PCS/Day

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

1/ 6

Collection

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

0,09-0,12 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Overclocking

Transistor bipolaire Mmbt5401 original PNP 150V 600mA 300MHz 350MW surface Monter le berceau-23

Transistor bipolaire Mmbt5401 original PNP 150V 600mA 300MHz 350MW surface Monter le berceau-23

Transistor bipolaire Mmbt5401 original PNP 150V 600mA 300MHz 350MW surface Monter le berceau-23

Transistor bipolaire Mmbt5401 original PNP 150V 600mA 300MHz 350MW surface Monter le berceau-23

Transistor bipolaire Mmbt5401 original PNP 150V 600mA 300MHz 350MW surface Monter le berceau-23

Transistor bipolaire Mmbt5401 original PNP 150V 600mA 300MHz 350MW surface Monter le berceau-23

1/ 6

Collection

Transistor bipolaire Mmbt5401 original PNP 150V 600mA 300MHz 350MW surface Monter le berceau-23

0,1 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: ISO

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Structure: La diffusion

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistor bipolaire à nouveau et original PNP SA940 150V 2A940 2SC2073 C2073

Transistor bipolaire à nouveau et original PNP SA940 150V 2A940 2SC2073 C2073

Transistor bipolaire à nouveau et original PNP SA940 150V 2A940 2SC2073 C2073

Transistor bipolaire à nouveau et original PNP SA940 150V 2A940 2SC2073 C2073

Transistor bipolaire à nouveau et original PNP SA940 150V 2A940 2SC2073 C2073

Transistor bipolaire à nouveau et original PNP SA940 150V 2A940 2SC2073 C2073

1/ 6

Collection

Transistor bipolaire à nouveau et original PNP SA940 150V 2A940 2SC2073 C2073

0,08-0,09 $US / Pièce

200 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Structure: Planar

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: Standard

Standard: standard

Mmbt5551 bipolaire (transistor NPN BJT) 160 V 600 MA 225 MW pour montage en surface SOT-23-3 (pour-236) Mmbt Mmbt5551lt1g5550 Mmbt Mmbt Mmbt5895401 série5088

Mmbt5551 bipolaire (transistor NPN BJT) 160 V 600 MA 225 MW pour montage en surface SOT-23-3 (pour-236) Mmbt Mmbt5551lt1g5550 Mmbt Mmbt Mmbt5895401 série5088

Mmbt5551 bipolaire (transistor NPN BJT) 160 V 600 MA 225 MW pour montage en surface SOT-23-3 (pour-236) Mmbt Mmbt5551lt1g5550 Mmbt Mmbt Mmbt5895401 série5088

Mmbt5551 bipolaire (transistor NPN BJT) 160 V 600 MA 225 MW pour montage en surface SOT-23-3 (pour-236) Mmbt Mmbt5551lt1g5550 Mmbt Mmbt Mmbt5895401 série5088

Mmbt5551 bipolaire (transistor NPN BJT) 160 V 600 MA 225 MW pour montage en surface SOT-23-3 (pour-236) Mmbt Mmbt5551lt1g5550 Mmbt Mmbt Mmbt5895401 série5088

Mmbt5551 bipolaire (transistor NPN BJT) 160 V 600 MA 225 MW pour montage en surface SOT-23-3 (pour-236) Mmbt Mmbt5551lt1g5550 Mmbt Mmbt Mmbt5895401 série5088

1/ 6

Collection

Mmbt5551 bipolaire (transistor NPN BJT) 160 V 600 MA 225 MW pour montage en surface SOT-23-3 (pour-236) Mmbt Mmbt5551lt1g5550 Mmbt Mmbt Mmbt5895401 série5088

0,01-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE

Emballage: Standard

Standard: Standard

Origine: Original

Capacité de Production: 10000PCS/Day

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Irg4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistor

Irg4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistor

Irg4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistor

Irg4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistor

Irg4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistor

Irg4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistor

1/ 6

Collection

Irg4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistor

12,00-14,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Forme: ST

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Matériel: Silicium

Bd681 BD BD681g682 BD680 4A 100V Transistors NPN de puissance bipolaire

Bd681 BD BD681g682 BD680 4A 100V Transistors NPN de puissance bipolaire

Bd681 BD BD681g682 BD680 4A 100V Transistors NPN de puissance bipolaire

Bd681 BD BD681g682 BD680 4A 100V Transistors NPN de puissance bipolaire

Bd681 BD BD681g682 BD680 4A 100V Transistors NPN de puissance bipolaire

Bd681 BD BD681g682 BD680 4A 100V Transistors NPN de puissance bipolaire

1/ 6

Collection

Bd681 BD BD681g682 BD680 4A 100V Transistors NPN de puissance bipolaire

0,1-0,5 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Forme: ST

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Niveau d'énergie: Haute puissance

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

1/ 6

Collection

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistor bipolaire (BJT) 2n5401 PNP 150 V 600 Ma 300 MHz DIP to-92 625 MW 2n5401

Transistor bipolaire (BJT) 2n5401 PNP 150 V 600 Ma 300 MHz DIP to-92 625 MW 2n5401

Transistor bipolaire (BJT) 2n5401 PNP 150 V 600 Ma 300 MHz DIP to-92 625 MW 2n5401

Transistor bipolaire (BJT) 2n5401 PNP 150 V 600 Ma 300 MHz DIP to-92 625 MW 2n5401

Transistor bipolaire (BJT) 2n5401 PNP 150 V 600 Ma 300 MHz DIP to-92 625 MW 2n5401

Transistor bipolaire (BJT) 2n5401 PNP 150 V 600 Ma 300 MHz DIP to-92 625 MW 2n5401

1/ 6

Collection

Transistor bipolaire (BJT) 2n5401 PNP 150 V 600 Ma 300 MHz DIP to-92 625 MW 2n5401

0,01-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

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Emballage: Standard

Standard: Standard

Origine: Original

Capacité de Production: 10000PCS/Day

Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

1/ 6

Collection

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

1,00-1,238 $US / Pièce

500 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: /

Standard: /

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