Accueil Électricité & Électronique Circuit Intégré Transistor bipolaire 2024 Liste de Produits

Transistor bipolaire

produits trouvés de fabricants et grossistes de confiance

Bd681 BD BD681g682 BD680 4A 100V Transistors NPN de puissance bipolaire

Bd681 BD BD681g682 BD680 4A 100V Transistors NPN de puissance bipolaire

Bd681 BD BD681g682 BD680 4A 100V Transistors NPN de puissance bipolaire

Bd681 BD BD681g682 BD680 4A 100V Transistors NPN de puissance bipolaire

Bd681 BD BD681g682 BD680 4A 100V Transistors NPN de puissance bipolaire

Bd681 BD BD681g682 BD680 4A 100V Transistors NPN de puissance bipolaire

1/ 6

Collection

Bd681 BD BD681g682 BD680 4A 100V Transistors NPN de puissance bipolaire

0,1-0,5 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Forme: ST

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Niveau d'énergie: Haute puissance

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor original Bfp460h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor original Bfp460h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor original Bfp460h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor original Bfp460h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor original Bfp460h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor original Bfp460h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor original Bfp460h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor bipolaire (BJT) PNP Bc327 Bc337 BC547 Bc549 Bc846 Bc847 Bd139

Transistor bipolaire (BJT) PNP Bc327 Bc337 BC547 Bc549 Bc846 Bc847 Bd139

Transistor bipolaire (BJT) PNP Bc327 Bc337 BC547 Bc549 Bc846 Bc847 Bd139

Transistor bipolaire (BJT) PNP Bc327 Bc337 BC547 Bc549 Bc846 Bc847 Bd139

Transistor bipolaire (BJT) PNP Bc327 Bc337 BC547 Bc549 Bc846 Bc847 Bd139

Transistor bipolaire (BJT) PNP Bc327 Bc337 BC547 Bc549 Bc846 Bc847 Bd139

1/ 6

Collection

Transistor bipolaire (BJT) PNP Bc327 Bc337 BC547 Bc549 Bc846 Bc847 Bd139

0,01-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE

Emballage: Standard

Standard: Standard

Origine: Original

Capacité de Production: 10000PCS/Day

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

1/ 6

Collection

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

0,23-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: MOSPEC

Transistor original Mmbt2907alt1htsa1 60V 330MW 100 à 150mA, 10V 600mA PNP transistors bipolaires SOT-23 - BJT RoHS BOM Service

Transistor original Mmbt2907alt1htsa1 60V 330MW 100 à 150mA, 10V 600mA PNP transistors bipolaires SOT-23 - BJT RoHS BOM Service

Transistor original Mmbt2907alt1htsa1 60V 330MW 100 à 150mA, 10V 600mA PNP transistors bipolaires SOT-23 - BJT RoHS BOM Service

Transistor original Mmbt2907alt1htsa1 60V 330MW 100 à 150mA, 10V 600mA PNP transistors bipolaires SOT-23 - BJT RoHS BOM Service

Transistor original Mmbt2907alt1htsa1 60V 330MW 100 à 150mA, 10V 600mA PNP transistors bipolaires SOT-23 - BJT RoHS BOM Service

Transistor original Mmbt2907alt1htsa1 60V 330MW 100 à 150mA, 10V 600mA PNP transistors bipolaires SOT-23 - BJT RoHS BOM Service

1/ 6

Collection

Transistor original Mmbt2907alt1htsa1 60V 330MW 100 à 150mA, 10V 600mA PNP transistors bipolaires SOT-23 - BJT RoHS BOM Service

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

1/ 6

Collection

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Irg4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistor

Irg4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistor

Irg4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistor

Irg4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistor

Irg4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistor

Irg4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistor

1/ 6

Collection

Irg4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistor

12,00-14,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Forme: ST

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Matériel: Silicium

MD1802FX (transistor bipolaire NPN BJT) 10 a 700 V 57 W à travers le trou Isowatt-218FX1803 MD1802 MD MD2001 série MD2009

MD1802FX (transistor bipolaire NPN BJT) 10 a 700 V 57 W à travers le trou Isowatt-218FX1803 MD1802 MD MD2001 série MD2009

MD1802FX (transistor bipolaire NPN BJT) 10 a 700 V 57 W à travers le trou Isowatt-218FX1803 MD1802 MD MD2001 série MD2009

MD1802FX (transistor bipolaire NPN BJT) 10 a 700 V 57 W à travers le trou Isowatt-218FX1803 MD1802 MD MD2001 série MD2009

MD1802FX (transistor bipolaire NPN BJT) 10 a 700 V 57 W à travers le trou Isowatt-218FX1803 MD1802 MD MD2001 série MD2009

MD1802FX (transistor bipolaire NPN BJT) 10 a 700 V 57 W à travers le trou Isowatt-218FX1803 MD1802 MD MD2001 série MD2009

1/ 6

Collection

MD1802FX (transistor bipolaire NPN BJT) 10 a 700 V 57 W à travers le trou Isowatt-218FX1803 MD1802 MD MD2001 série MD2009

0,01-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE

Emballage: Standard

Standard: Standard

Origine: Original

Capacité de Production: 10000PCS/Day

2sc1384y 2SC1318 1A 60V 1W transistor bipolaire à Petits signaux PNP

2sc1384y 2SC1318 1A 60V 1W transistor bipolaire à Petits signaux PNP

2sc1384y 2SC1318 1A 60V 1W transistor bipolaire à Petits signaux PNP

2sc1384y 2SC1318 1A 60V 1W transistor bipolaire à Petits signaux PNP

2sc1384y 2SC1318 1A 60V 1W transistor bipolaire à Petits signaux PNP

2sc1384y 2SC1318 1A 60V 1W transistor bipolaire à Petits signaux PNP

1/ 6

Collection

2sc1384y 2SC1318 1A 60V 1W transistor bipolaire à Petits signaux PNP

0,1-1,00 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Forme: ST

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Small Power

Origine: China

Mmbt5551 bipolaire (transistor NPN BJT) 160 V 600 MA 225 MW pour montage en surface SOT-23-3 (pour-236) Mmbt Mmbt5551lt1g5550 Mmbt Mmbt Mmbt5895401 série5088

Mmbt5551 bipolaire (transistor NPN BJT) 160 V 600 MA 225 MW pour montage en surface SOT-23-3 (pour-236) Mmbt Mmbt5551lt1g5550 Mmbt Mmbt Mmbt5895401 série5088

Mmbt5551 bipolaire (transistor NPN BJT) 160 V 600 MA 225 MW pour montage en surface SOT-23-3 (pour-236) Mmbt Mmbt5551lt1g5550 Mmbt Mmbt Mmbt5895401 série5088

Mmbt5551 bipolaire (transistor NPN BJT) 160 V 600 MA 225 MW pour montage en surface SOT-23-3 (pour-236) Mmbt Mmbt5551lt1g5550 Mmbt Mmbt Mmbt5895401 série5088

Mmbt5551 bipolaire (transistor NPN BJT) 160 V 600 MA 225 MW pour montage en surface SOT-23-3 (pour-236) Mmbt Mmbt5551lt1g5550 Mmbt Mmbt Mmbt5895401 série5088

Mmbt5551 bipolaire (transistor NPN BJT) 160 V 600 MA 225 MW pour montage en surface SOT-23-3 (pour-236) Mmbt Mmbt5551lt1g5550 Mmbt Mmbt Mmbt5895401 série5088

1/ 6

Collection

Mmbt5551 bipolaire (transistor NPN BJT) 160 V 600 MA 225 MW pour montage en surface SOT-23-3 (pour-236) Mmbt Mmbt5551lt1g5550 Mmbt Mmbt Mmbt5895401 série5088

0,01-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE

Emballage: Standard

Standard: Standard

Origine: Original

Capacité de Production: 10000PCS/Day

1/ 2

Collection

Transistor bipolaire original TNZ44H8 TNZ44 44h8

0,598 $US / Pièce

250 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Forme: ST

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Silicium

Standard: standard

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

1/ 6

Collection

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

1/ 6

Collection

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

0,09-0,12 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Overclocking

Bc BC817-40817-40R13 (bipolaire BJT) transistor NPN 45 V 800 MA 310 MW 100MHz SMD SOT-23-3 (D-236) BC817 série

Bc BC817-40817-40R13 (bipolaire BJT) transistor NPN 45 V 800 MA 310 MW 100MHz SMD SOT-23-3 (D-236) BC817 série

Bc BC817-40817-40R13 (bipolaire BJT) transistor NPN 45 V 800 MA 310 MW 100MHz SMD SOT-23-3 (D-236) BC817 série

Bc BC817-40817-40R13 (bipolaire BJT) transistor NPN 45 V 800 MA 310 MW 100MHz SMD SOT-23-3 (D-236) BC817 série

Bc BC817-40817-40R13 (bipolaire BJT) transistor NPN 45 V 800 MA 310 MW 100MHz SMD SOT-23-3 (D-236) BC817 série

Bc BC817-40817-40R13 (bipolaire BJT) transistor NPN 45 V 800 MA 310 MW 100MHz SMD SOT-23-3 (D-236) BC817 série

1/ 6

Collection

Bc BC817-40817-40R13 (bipolaire BJT) transistor NPN 45 V 800 MA 310 MW 100MHz SMD SOT-23-3 (D-236) BC817 série

0,01-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE

Emballage: Standard

Standard: Standard

Origine: Original

Capacité de Production: 10000PCS/Day

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Njw21193G Njw21194G 200W de puissance bipolaires Transistors PNP Njw21193 Njw21194

Njw21193G Njw21194G 200W de puissance bipolaires Transistors PNP Njw21193 Njw21194

Njw21193G Njw21194G 200W de puissance bipolaires Transistors PNP Njw21193 Njw21194

Njw21193G Njw21194G 200W de puissance bipolaires Transistors PNP Njw21193 Njw21194

Njw21193G Njw21194G 200W de puissance bipolaires Transistors PNP Njw21193 Njw21194

Njw21193G Njw21194G 200W de puissance bipolaires Transistors PNP Njw21193 Njw21194

1/ 6

Collection

Njw21193G Njw21194G 200W de puissance bipolaires Transistors PNP Njw21193 Njw21194

1,00-2,5 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Matériel: Silicium

Standard: /

Marque Déposée: CHN

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

1/ 6

Collection

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

1/ 4

Collection

C1815 2SC1815 petits signaux NPN transistor bipolaire

0,93-2,6 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Small Power

Origine: China

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

1/ 2

Collection

Mjl21193 Mjl21194 transistor amplificateur audio bipolaire 250V 16A

0,1-1,98 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Matériel: Germanium

Origine: Chn

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Nouveau transistor transistor NPN en ligne Bc557-B Bc557 to-92

Nouveau transistor transistor NPN en ligne Bc557-B Bc557 to-92

Nouveau transistor transistor NPN en ligne Bc557-B Bc557 to-92

Nouveau transistor transistor NPN en ligne Bc557-B Bc557 to-92

Nouveau transistor transistor NPN en ligne Bc557-B Bc557 to-92

Nouveau transistor transistor NPN en ligne Bc557-B Bc557 to-92

1/ 6

Collection

Nouveau transistor transistor NPN en ligne Bc557-B Bc557 to-92

0,32-0,52 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Forme: ST

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Structure: La diffusion

Encapsulation Structure: Verre Transistor Sealed

Matériel: Germanium

Semiconducteurs discrets Tw027z65c S1f Tw107z65c transistors G3 650V to-247-4L 27mohm

Semiconducteurs discrets Tw027z65c S1f Tw107z65c transistors G3 650V to-247-4L 27mohm

Semiconducteurs discrets Tw027z65c S1f Tw107z65c transistors G3 650V to-247-4L 27mohm

Semiconducteurs discrets Tw027z65c S1f Tw107z65c transistors G3 650V to-247-4L 27mohm

Semiconducteurs discrets Tw027z65c S1f Tw107z65c transistors G3 650V to-247-4L 27mohm

Semiconducteurs discrets Tw027z65c S1f Tw107z65c transistors G3 650V to-247-4L 27mohm

1/ 6

Collection

Semiconducteurs discrets Tw027z65c S1f Tw107z65c transistors G3 650V to-247-4L 27mohm

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

1/ 4

Collection

Mmbta06lt1g SMD conducteur que le transistor NPN silicium SOT-23

0,02-0,48 $US / Pièce

500 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: ST

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

Standard: Width: 1.3 mm

Uln2803adwr SOP-18 transistor 500 mA Darlington Uln2803A

Uln2803adwr SOP-18 transistor 500 mA Darlington Uln2803A

Uln2803adwr SOP-18 transistor 500 mA Darlington Uln2803A

Uln2803adwr SOP-18 transistor 500 mA Darlington Uln2803A

Uln2803adwr SOP-18 transistor 500 mA Darlington Uln2803A

Uln2803adwr SOP-18 transistor 500 mA Darlington Uln2803A

1/ 6

Collection

Uln2803adwr SOP-18 transistor 500 mA Darlington Uln2803A

0,07-0,08 $US / Pièce

500 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Overclocking

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