Accueil Électricité & Électronique Circuit Intégré Transistor bipolaire 2024 Liste de Produits

Transistor bipolaire

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Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

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Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

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Collection

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor IGBT de puissance à canal N mode d'amélioration

Transistor IGBT de puissance à canal N mode d'amélioration

Transistor IGBT de puissance à canal N mode d'amélioration

Transistor IGBT de puissance à canal N mode d'amélioration

Transistor IGBT de puissance à canal N mode d'amélioration

Transistor IGBT de puissance à canal N mode d'amélioration

1/ 6

Collection

Transistor IGBT de puissance à canal N mode d'amélioration

0,3-1,3 $US / Pièce

330 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor bipolaire Trident-Gate Automotive Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Transistor bipolaire Trident-Gate Automotive Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Transistor bipolaire Trident-Gate Automotive Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Transistor bipolaire Trident-Gate Automotive Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Transistor bipolaire Trident-Gate Automotive Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Transistor bipolaire Trident-Gate Automotive Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

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Transistor bipolaire Trident-Gate Automotive Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Collecteur bas - tension de saturation de l'émetteur Ost40n120hmf 10µ S court-circuit Tolérance 1 200 V 40 a FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Collecteur bas - tension de saturation de l'émetteur Ost40n120hmf 10µ S court-circuit Tolérance 1 200 V 40 a FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Collecteur bas - tension de saturation de l'émetteur Ost40n120hmf 10µ S court-circuit Tolérance 1 200 V 40 a FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Collecteur bas - tension de saturation de l'émetteur Ost40n120hmf 10µ S court-circuit Tolérance 1 200 V 40 a FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Collecteur bas - tension de saturation de l'émetteur Ost40n120hmf 10µ S court-circuit Tolérance 1 200 V 40 a FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Collecteur bas - tension de saturation de l'émetteur Ost40n120hmf 10µ S court-circuit Tolérance 1 200 V 40 a FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

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Collection

Collecteur bas - tension de saturation de l'émetteur Ost40n120hmf 10µ S court-circuit Tolérance 1 200 V 40 a FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Industrie automobile Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Industrie automobile Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Industrie automobile Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Industrie automobile Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Industrie automobile Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Industrie automobile Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

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Collection

Industrie automobile Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Inverseur général d'IGBT automobile et industriel extrêmement fiable

Inverseur général d'IGBT automobile et industriel extrêmement fiable

Inverseur général d'IGBT automobile et industriel extrêmement fiable

Inverseur général d'IGBT automobile et industriel extrêmement fiable

Inverseur général d'IGBT automobile et industriel extrêmement fiable

Inverseur général d'IGBT automobile et industriel extrêmement fiable

1/ 6

Collection

Inverseur général d'IGBT automobile et industriel extrêmement fiable

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Effet de la dissipation de chaleur Matériaux Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n'IGBT

Effet de la dissipation de chaleur Matériaux Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n'IGBT

Effet de la dissipation de chaleur Matériaux Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n'IGBT

Effet de la dissipation de chaleur Matériaux Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n'IGBT

Effet de la dissipation de chaleur Matériaux Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n'IGBT

Effet de la dissipation de chaleur Matériaux Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n'IGBT

1/ 6

Collection

Effet de la dissipation de chaleur Matériaux Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n'IGBT

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Conditionneur d'alimentation Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Conditionneur d'alimentation Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Conditionneur d'alimentation Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Conditionneur d'alimentation Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Conditionneur d'alimentation Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Conditionneur d'alimentation Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

1/ 6

Collection

Conditionneur d'alimentation Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor mode d'amélioration TO247-4L Ost60n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,45V QG-105nc IGBT de puissance à canal N

Transistor mode d'amélioration TO247-4L Ost60n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,45V QG-105nc IGBT de puissance à canal N

Transistor mode d'amélioration TO247-4L Ost60n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,45V QG-105nc IGBT de puissance à canal N

Transistor mode d'amélioration TO247-4L Ost60n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,45V QG-105nc IGBT de puissance à canal N

Transistor mode d'amélioration TO247-4L Ost60n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,45V QG-105nc IGBT de puissance à canal N

Transistor mode d'amélioration TO247-4L Ost60n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,45V QG-105nc IGBT de puissance à canal N

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Transistor mode d'amélioration TO247-4L Ost60n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,45V QG-105nc IGBT de puissance à canal N

0,2-0,6 $US / Pièce

450 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost80n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-320UN VCE (sat) -1.45V QG-168nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost80n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-320UN VCE (sat) -1.45V QG-168nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost80n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-320UN VCE (sat) -1.45V QG-168nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost80n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-320UN VCE (sat) -1.45V QG-168nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost80n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-320UN VCE (sat) -1.45V QG-168nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost80n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-320UN VCE (sat) -1.45V QG-168nc N'IGBT de puissance canal-

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Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost80n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-320UN VCE (sat) -1.45V QG-168nc N'IGBT de puissance canal-

0,2-1,2 $US / Pièce

450 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost75n65hevf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1.45V QG-235nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost75n65hevf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1.45V QG-235nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost75n65hevf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1.45V QG-235nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost75n65hevf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1.45V QG-235nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost75n65hevf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1.45V QG-235nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost75n65hevf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1.45V QG-235nc N'IGBT de puissance canal-

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Collection

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost75n65hevf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1.45V QG-235nc N'IGBT de puissance canal-

0,2-0,6 $US / Pièce

330 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

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