Accueil Électricité & Électronique Circuit Intégré Transistor bipolaire 2024 Liste de Produits

Transistor bipolaire

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Transistors bipolaires Bfp410h6327 4,5V 150MW 95@13mA, 2V 40mA NPN Sot-343-4 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp410h6327 4,5V 150MW 95@13mA, 2V 40mA NPN Sot-343-4 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp410h6327 4,5V 150MW 95@13mA, 2V 40mA NPN Sot-343-4 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp410h6327 4,5V 150MW 95@13mA, 2V 40mA NPN Sot-343-4 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp410h6327 4,5V 150MW 95@13mA, 2V 40mA NPN Sot-343-4 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp410h6327 4,5V 150MW 95@13mA, 2V 40mA NPN Sot-343-4 - BJT Service de nomenclature RoHS

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Transistors bipolaires Bfp410h6327 4,5V 150MW 95@13mA, 2V 40mA NPN Sot-343-4 - BJT Service de nomenclature RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistor bipolaire à grille isolée 600 V 12 a IRG4BC30UD TO-220AB avec ultra-rapide Diode de récupération souple IGBT copack ultra-rapide

Transistor bipolaire à grille isolée 600 V 12 a IRG4BC30UD TO-220AB avec ultra-rapide Diode de récupération souple IGBT copack ultra-rapide

Transistor bipolaire à grille isolée 600 V 12 a IRG4BC30UD TO-220AB avec ultra-rapide Diode de récupération souple IGBT copack ultra-rapide

Transistor bipolaire à grille isolée 600 V 12 a IRG4BC30UD TO-220AB avec ultra-rapide Diode de récupération souple IGBT copack ultra-rapide

Transistor bipolaire à grille isolée 600 V 12 a IRG4BC30UD TO-220AB avec ultra-rapide Diode de récupération souple IGBT copack ultra-rapide

Transistor bipolaire à grille isolée 600 V 12 a IRG4BC30UD TO-220AB avec ultra-rapide Diode de récupération souple IGBT copack ultra-rapide

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Transistor bipolaire à grille isolée 600 V 12 a IRG4BC30UD TO-220AB avec ultra-rapide Diode de récupération souple IGBT copack ultra-rapide

1,259 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Application: Produits électroniques

certificat: RoHS,CE,ISO

Intensité lumineuse: Standard

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor d'origine Bfp450h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor d'origine Bfp450h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor d'origine Bfp450h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor d'origine Bfp450h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor d'origine Bfp450h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor d'origine Bfp450h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

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Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor d'origine Bfp450h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

0,1 $US / Pièce

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

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Collection

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

0,23-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: MOSPEC

Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

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Transistors bipolaires Original transistor Bfp420h6327 4,5V 210MW 95@20mA, 4V 60mA NPN Sot-343 - BJT Service de nomenclature RoHS

0,1 $US / Pièce

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

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Transistors bipolaires Bfq19sh6327 15V 1W 100@70mA, 8V 120mA NPN Sot-89-3 - BJT Service de nomenclature RoHS

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Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

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Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

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Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistors bipolaires Bfp760h6327 4 V 240 MW 250 à 35 mA, 3 V 70 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistors bipolaires Bfp740h6327 4 V 160 MW 250 à 25 mA, 3 V 45 mA NPN Sot-343 - Service de nomenclature BJT RoHS

0,1 $US / Pièce

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistors bipolaires Bfp196wh6327xtsa1 Sot-343 d'origine - BJT, nomenclature RoHS Service

Transistors bipolaires Bfp196wh6327xtsa1 Sot-343 d'origine - BJT, nomenclature RoHS Service

Transistors bipolaires Bfp196wh6327xtsa1 Sot-343 d'origine - BJT, nomenclature RoHS Service

Transistors bipolaires Bfp196wh6327xtsa1 Sot-343 d'origine - BJT, nomenclature RoHS Service

Transistors bipolaires Bfp196wh6327xtsa1 Sot-343 d'origine - BJT, nomenclature RoHS Service

Transistors bipolaires Bfp196wh6327xtsa1 Sot-343 d'origine - BJT, nomenclature RoHS Service

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Collection

Transistors bipolaires Bfp196wh6327xtsa1 Sot-343 d'origine - BJT, nomenclature RoHS Service

0,1 $US / Pièce

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

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Collection

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

0,1 $US / Pièce

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Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

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Transistor original Bc817K25e6327htsa1 45V 500MW 160 à 100mA, 1V 500mA NPN transistors bipolaires SOT-23 - BJT Service de nomenclature RoHS

0,1 $US / Pièce

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistors bipolaires SOT-23-3 Original Bfr193e6327htsa1 12V 580MW 100@30mA, 8V 80mA - Service de nomenclature BJT RoHS

0,1 $US / Pièce

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Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistor original Mmbt2907alt1htsa1 60V 330MW 100 à 150mA, 10V 600mA PNP transistors bipolaires SOT-23 - BJT RoHS BOM Service

Transistor original Mmbt2907alt1htsa1 60V 330MW 100 à 150mA, 10V 600mA PNP transistors bipolaires SOT-23 - BJT RoHS BOM Service

Transistor original Mmbt2907alt1htsa1 60V 330MW 100 à 150mA, 10V 600mA PNP transistors bipolaires SOT-23 - BJT RoHS BOM Service

Transistor original Mmbt2907alt1htsa1 60V 330MW 100 à 150mA, 10V 600mA PNP transistors bipolaires SOT-23 - BJT RoHS BOM Service

Transistor original Mmbt2907alt1htsa1 60V 330MW 100 à 150mA, 10V 600mA PNP transistors bipolaires SOT-23 - BJT RoHS BOM Service

Transistor original Mmbt2907alt1htsa1 60V 330MW 100 à 150mA, 10V 600mA PNP transistors bipolaires SOT-23 - BJT RoHS BOM Service

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Collection

Transistor original Mmbt2907alt1htsa1 60V 330MW 100 à 150mA, 10V 600mA PNP transistors bipolaires SOT-23 - BJT RoHS BOM Service

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

0,1 $US / Pièce

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor original Bfp460h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor original Bfp460h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor original Bfp460h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor original Bfp460h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor original Bfp460h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor original Bfp460h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

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Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor original Bfp460h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

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Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistors bipolaires Original Bfr182e6327 12 V 250 MW 100 à 10 mA, 8 V 35 mA Sot-23 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Original Bfr182e6327 12 V 250 MW 100 à 10 mA, 8 V 35 mA Sot-23 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Original Bfr182e6327 12 V 250 MW 100 à 10 mA, 8 V 35 mA Sot-23 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Original Bfr182e6327 12 V 250 MW 100 à 10 mA, 8 V 35 mA Sot-23 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Original Bfr182e6327 12 V 250 MW 100 à 10 mA, 8 V 35 mA Sot-23 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Original Bfr182e6327 12 V 250 MW 100 à 10 mA, 8 V 35 mA Sot-23 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistors bipolaires Original Bfr182e6327 12 V 250 MW 100 à 10 mA, 8 V 35 mA Sot-23 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistors bipolaires Original Bfp640h6327 4,5V 200MW 50mA NPN Sot-343 - Service de BOM RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp640h6327 4,5V 200MW 50mA NPN Sot-343 - Service de BOM RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp640h6327 4,5V 200MW 50mA NPN Sot-343 - Service de BOM RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp640h6327 4,5V 200MW 50mA NPN Sot-343 - Service de BOM RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp640h6327 4,5V 200MW 50mA NPN Sot-343 - Service de BOM RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp640h6327 4,5V 200MW 50mA NPN Sot-343 - Service de BOM RoHS BJT

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Transistors bipolaires Original Bfp640h6327 4,5V 200MW 50mA NPN Sot-343 - Service de BOM RoHS BJT

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Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

SGN3055V 30 V N-canal siliconegear MOSFET de puissance

SGN3055V 30 V N-canal siliconegear MOSFET de puissance

SGN3055V 30 V N-canal siliconegear MOSFET de puissance

SGN3055V 30 V N-canal siliconegear MOSFET de puissance

SGN3055V 30 V N-canal siliconegear MOSFET de puissance

1/ 5

Collection

SGN3055V 30 V N-canal siliconegear MOSFET de puissance

0,18-0,2 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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forme: TREMPER

Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Thick Film IC

Emballage: Plastic Package

Standard: PDFN 3.3 x 3.3-8L

Marque Déposée: Merryelc

Transistors bipolaires Bfp640esdh6327 Sot-343-4 d'origine - BJT RoHS BOM Service

Transistors bipolaires Bfp640esdh6327 Sot-343-4 d'origine - BJT RoHS BOM Service

Transistors bipolaires Bfp640esdh6327 Sot-343-4 d'origine - BJT RoHS BOM Service

Transistors bipolaires Bfp640esdh6327 Sot-343-4 d'origine - BJT RoHS BOM Service

Transistors bipolaires Bfp640esdh6327 Sot-343-4 d'origine - BJT RoHS BOM Service

Transistors bipolaires Bfp640esdh6327 Sot-343-4 d'origine - BJT RoHS BOM Service

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires Bfp640esdh6327 Sot-343-4 d'origine - BJT RoHS BOM Service

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

0,38-0,5 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

0,36-0,45 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

0,63-0,7 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

0,63-0,7 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Nouveaux circuits IC originaux Infineon Ipd100n04s402atma1 également connu sous le nom de Ipd100n04s4-02 Transistor de puissance N-CH MOSFET de transmission 40 V 100 a automobile en stock

Nouveaux circuits IC originaux Infineon Ipd100n04s402atma1 également connu sous le nom de Ipd100n04s4-02 Transistor de puissance N-CH MOSFET de transmission 40 V 100 a automobile en stock

Nouveaux circuits IC originaux Infineon Ipd100n04s402atma1 également connu sous le nom de Ipd100n04s4-02 Transistor de puissance N-CH MOSFET de transmission 40 V 100 a automobile en stock

Nouveaux circuits IC originaux Infineon Ipd100n04s402atma1 également connu sous le nom de Ipd100n04s4-02 Transistor de puissance N-CH MOSFET de transmission 40 V 100 a automobile en stock

Nouveaux circuits IC originaux Infineon Ipd100n04s402atma1 également connu sous le nom de Ipd100n04s4-02 Transistor de puissance N-CH MOSFET de transmission 40 V 100 a automobile en stock

Nouveaux circuits IC originaux Infineon Ipd100n04s402atma1 également connu sous le nom de Ipd100n04s4-02 Transistor de puissance N-CH MOSFET de transmission 40 V 100 a automobile en stock

1/ 6

Collection

Nouveaux circuits IC originaux Infineon Ipd100n04s402atma1 également connu sous le nom de Ipd100n04s4-02 Transistor de puissance N-CH MOSFET de transmission 40 V 100 a automobile en stock

0,88-1,25 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

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Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Semiconductor IC

Emballage: T/R

Standard: 40 V 2 mOhm 100 A

Marque Déposée: Infineon

Origine: Original

Série OEM Service de soutien de la nomenclature des composants électroniques, ICS, diodes, transistors triodes,

Série OEM Service de soutien de la nomenclature des composants électroniques, ICS, diodes, transistors triodes,

Série OEM Service de soutien de la nomenclature des composants électroniques, ICS, diodes, transistors triodes,

Série OEM Service de soutien de la nomenclature des composants électroniques, ICS, diodes, transistors triodes,

Série OEM Service de soutien de la nomenclature des composants électroniques, ICS, diodes, transistors triodes,

Série OEM Service de soutien de la nomenclature des composants électroniques, ICS, diodes, transistors triodes,

1/ 6

Collection

Série OEM Service de soutien de la nomenclature des composants électroniques, ICS, diodes, transistors triodes,

1,00 $US / Sac

1 Sac (MOQ)

Shenzhen New Chip international Ltd

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forme: Appartement

Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Thick Film IC

Emballage: ESD Bag

Capacité de Production: 10000box/1month

Transistors SOT23 SMD

Transistors SOT23 SMD

Transistors SOT23 SMD

Transistors SOT23 SMD

Transistors SOT23 SMD

Transistors SOT23 SMD

1/ 6

Collection

Transistors SOT23 SMD

0,003 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Elecsound Technology Company Limited

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forme: TREMPER

Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Semiconductor IC

Emballage: Bulk / Reel

Standard: ROHS

Marque Déposée: ELECSOUND

Nouveaux circuits intégrés d'origine pour composants électroniques Alpha et Omega Semiconductor MOSFET canal N RoHS SOIC-8 A4294A 100V 11,5A 11,5A 3,1W En stock

Nouveaux circuits intégrés d'origine pour composants électroniques Alpha et Omega Semiconductor MOSFET canal N RoHS SOIC-8 A4294A 100V 11,5A 11,5A 3,1W En stock

Nouveaux circuits intégrés d'origine pour composants électroniques Alpha et Omega Semiconductor MOSFET canal N RoHS SOIC-8 A4294A 100V 11,5A 11,5A 3,1W En stock

Nouveaux circuits intégrés d'origine pour composants électroniques Alpha et Omega Semiconductor MOSFET canal N RoHS SOIC-8 A4294A 100V 11,5A 11,5A 3,1W En stock

Nouveaux circuits intégrés d'origine pour composants électroniques Alpha et Omega Semiconductor MOSFET canal N RoHS SOIC-8 A4294A 100V 11,5A 11,5A 3,1W En stock

Nouveaux circuits intégrés d'origine pour composants électroniques Alpha et Omega Semiconductor MOSFET canal N RoHS SOIC-8 A4294A 100V 11,5A 11,5A 3,1W En stock

1/ 6

Collection

Nouveaux circuits intégrés d'origine pour composants électroniques Alpha et Omega Semiconductor MOSFET canal N RoHS SOIC-8 A4294A 100V 11,5A 11,5A 3,1W En stock

0,18-0,25 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

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Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Semiconductor IC

Emballage: Original

Standard: 100V 11.5A

Marque Déposée: Alpha & Omega Semiconductor

Origine: Original

Nouveaux circuits IC originaux Infineon Ipd50p04p4l11atma2 également connu sous le nom de Ipd50p04p4l-11 Transistor de puissance Optimos-P2 MOSFET automobile à canal P en stock

Nouveaux circuits IC originaux Infineon Ipd50p04p4l11atma2 également connu sous le nom de Ipd50p04p4l-11 Transistor de puissance Optimos-P2 MOSFET automobile à canal P en stock

Nouveaux circuits IC originaux Infineon Ipd50p04p4l11atma2 également connu sous le nom de Ipd50p04p4l-11 Transistor de puissance Optimos-P2 MOSFET automobile à canal P en stock

Nouveaux circuits IC originaux Infineon Ipd50p04p4l11atma2 également connu sous le nom de Ipd50p04p4l-11 Transistor de puissance Optimos-P2 MOSFET automobile à canal P en stock

Nouveaux circuits IC originaux Infineon Ipd50p04p4l11atma2 également connu sous le nom de Ipd50p04p4l-11 Transistor de puissance Optimos-P2 MOSFET automobile à canal P en stock

Nouveaux circuits IC originaux Infineon Ipd50p04p4l11atma2 également connu sous le nom de Ipd50p04p4l-11 Transistor de puissance Optimos-P2 MOSFET automobile à canal P en stock

1/ 6

Collection

Nouveaux circuits IC originaux Infineon Ipd50p04p4l11atma2 également connu sous le nom de Ipd50p04p4l-11 Transistor de puissance Optimos-P2 MOSFET automobile à canal P en stock

0,38-0,45 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

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Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Semiconductor IC

Emballage: T/R

Standard: 40V 50A

Marque Déposée: Infineon

Origine: Original

De nouvelles puces IC d'origine Infineon IPC100N04s51r2atma1, également connu comme l'IPC100n04S5-1R2 40V, N-CH, MOSFET Automobile, SS08 (5X6) , Optimos-5 en stock

De nouvelles puces IC d'origine Infineon IPC100N04s51r2atma1, également connu comme l'IPC100n04S5-1R2 40V, N-CH, MOSFET Automobile, SS08 (5X6) , Optimos-5 en stock

De nouvelles puces IC d'origine Infineon IPC100N04s51r2atma1, également connu comme l'IPC100n04S5-1R2 40V, N-CH, MOSFET Automobile, SS08 (5X6) , Optimos-5 en stock

De nouvelles puces IC d'origine Infineon IPC100N04s51r2atma1, également connu comme l'IPC100n04S5-1R2 40V, N-CH, MOSFET Automobile, SS08 (5X6) , Optimos-5 en stock

De nouvelles puces IC d'origine Infineon IPC100N04s51r2atma1, également connu comme l'IPC100n04S5-1R2 40V, N-CH, MOSFET Automobile, SS08 (5X6) , Optimos-5 en stock

De nouvelles puces IC d'origine Infineon IPC100N04s51r2atma1, également connu comme l'IPC100n04S5-1R2 40V, N-CH, MOSFET Automobile, SS08 (5X6) , Optimos-5 en stock

1/ 6

Collection

De nouvelles puces IC d'origine Infineon IPC100N04s51r2atma1, également connu comme l'IPC100n04S5-1R2 40V, N-CH, MOSFET Automobile, SS08 (5X6) , Optimos-5 en stock

0,38-0,45 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

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Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Semiconductor IC

Emballage: T/R

Standard: 40V 100A

Marque Déposée: Infineon

Origine: Original

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certificat

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