Accueil Électricité & Électronique Gaine de Câble e tube 2024 Liste de Produits

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Tube Tetrode électronique Triode 18n20 200V 18A d'-251 transistor MOSFET

Tube Tetrode électronique Triode 18n20 200V 18A d'-251 transistor MOSFET

Tube Tetrode électronique Triode 18n20 200V 18A d'-251 transistor MOSFET

Tube Tetrode électronique Triode 18n20 200V 18A d'-251 transistor MOSFET

Tube Tetrode électronique Triode 18n20 200V 18A d'-251 transistor MOSFET

1/ 5

Collection

Tube Tetrode électronique Triode 18n20 200V 18A d'-251 transistor MOSFET

0,136-0,139 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Structure: Planar

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Matériel: Silicium

Les composants électroniques Mmsz5231BT1G SMD DIODE du tube du régulateur de 5,1V

Les composants électroniques Mmsz5231BT1G SMD DIODE du tube du régulateur de 5,1V

Les composants électroniques Mmsz5231BT1G SMD DIODE du tube du régulateur de 5,1V

Les composants électroniques Mmsz5231BT1G SMD DIODE du tube du régulateur de 5,1V

Les composants électroniques Mmsz5231BT1G SMD DIODE du tube du régulateur de 5,1V

Les composants électroniques Mmsz5231BT1G SMD DIODE du tube du régulateur de 5,1V

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Collection

Les composants électroniques Mmsz5231BT1G SMD DIODE du tube du régulateur de 5,1V

0,16-0,5 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Forme: ST

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Structure: La diffusion

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Niveau d'énergie: Haute puissance

Topologies de commutateur à un convertisseur de retour auxiliaire de piles à chargement rapide Extral MOSFET de puissance

Topologies de commutateur à un convertisseur de retour auxiliaire de piles à chargement rapide Extral MOSFET de puissance

Topologies de commutateur à un convertisseur de retour auxiliaire de piles à chargement rapide Extral MOSFET de puissance

Topologies de commutateur à un convertisseur de retour auxiliaire de piles à chargement rapide Extral MOSFET de puissance

Topologies de commutateur à un convertisseur de retour auxiliaire de piles à chargement rapide Extral MOSFET de puissance

Topologies de commutateur à un convertisseur de retour auxiliaire de piles à chargement rapide Extral MOSFET de puissance

1/ 6

Collection

Topologies de commutateur à un convertisseur de retour auxiliaire de piles à chargement rapide Extral MOSFET de puissance

0,2 $US / Pièce

660 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Topologie de Vienne VDS, MOSFET de puissance haute tension

Topologie de Vienne VDS, MOSFET de puissance haute tension

Topologie de Vienne VDS, MOSFET de puissance haute tension

Topologie de Vienne VDS, MOSFET de puissance haute tension

Topologie de Vienne VDS, MOSFET de puissance haute tension

Topologie de Vienne VDS, MOSFET de puissance haute tension

1/ 6

Collection

Topologie de Vienne VDS, MOSFET de puissance haute tension

0,2 $US / Pièce

660 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Charge rapide EV Extral piles DC-DC High Power Interleaved LLC Topologies diode de récupération rapide FRD Osg60r030hzf TO247 Power MOSFET

Charge rapide EV Extral piles DC-DC High Power Interleaved LLC Topologies diode de récupération rapide FRD Osg60r030hzf TO247 Power MOSFET

Charge rapide EV Extral piles DC-DC High Power Interleaved LLC Topologies diode de récupération rapide FRD Osg60r030hzf TO247 Power MOSFET

Charge rapide EV Extral piles DC-DC High Power Interleaved LLC Topologies diode de récupération rapide FRD Osg60r030hzf TO247 Power MOSFET

Charge rapide EV Extral piles DC-DC High Power Interleaved LLC Topologies diode de récupération rapide FRD Osg60r030hzf TO247 Power MOSFET

Charge rapide EV Extral piles DC-DC High Power Interleaved LLC Topologies diode de récupération rapide FRD Osg60r030hzf TO247 Power MOSFET

1/ 6

Collection

Charge rapide EV Extral piles DC-DC High Power Interleaved LLC Topologies diode de récupération rapide FRD Osg60r030hzf TO247 Power MOSFET

0,2 $US / Pièce

660 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Boîtier TO252 de systèmes photovoltaïques MOSFET de puissance Osg80r900df canal N 800 W 900 V.

Boîtier TO252 de systèmes photovoltaïques MOSFET de puissance Osg80r900df canal N 800 W 900 V.

Boîtier TO252 de systèmes photovoltaïques MOSFET de puissance Osg80r900df canal N 800 W 900 V.

Boîtier TO252 de systèmes photovoltaïques MOSFET de puissance Osg80r900df canal N 800 W 900 V.

Boîtier TO252 de systèmes photovoltaïques MOSFET de puissance Osg80r900df canal N 800 W 900 V.

Boîtier TO252 de systèmes photovoltaïques MOSFET de puissance Osg80r900df canal N 800 W 900 V.

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Collection

Boîtier TO252 de systèmes photovoltaïques MOSFET de puissance Osg80r900df canal N 800 W 900 V.

0,1-0,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

MOSFET de puissance à canal N TO220F Osg55r190FF VDS-600V ID-60A

MOSFET de puissance à canal N TO220F Osg55r190FF VDS-600V ID-60A

MOSFET de puissance à canal N TO220F Osg55r190FF VDS-600V ID-60A

MOSFET de puissance à canal N TO220F Osg55r190FF VDS-600V ID-60A

MOSFET de puissance à canal N TO220F Osg55r190FF VDS-600V ID-60A

MOSFET de puissance à canal N TO220F Osg55r190FF VDS-600V ID-60A

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance à canal N TO220F Osg55r190FF VDS-600V ID-60A

0,3-1,3 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

1/ 3

Collection

Hcs80R380s Alimentation à découpage (SMPS) Semihow Super Junction Mosfet est adapté pour la conduite d'alimentation LED

0,98-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistors Original Irfr9024ntrpbf MOSFET P-CH 55V 11A DPAK Irfr9024 Electronic Composant

Transistors Original Irfr9024ntrpbf MOSFET P-CH 55V 11A DPAK Irfr9024 Electronic Composant

Transistors Original Irfr9024ntrpbf MOSFET P-CH 55V 11A DPAK Irfr9024 Electronic Composant

Transistors Original Irfr9024ntrpbf MOSFET P-CH 55V 11A DPAK Irfr9024 Electronic Composant

Transistors Original Irfr9024ntrpbf MOSFET P-CH 55V 11A DPAK Irfr9024 Electronic Composant

Transistors Original Irfr9024ntrpbf MOSFET P-CH 55V 11A DPAK Irfr9024 Electronic Composant

1/ 6

Collection

Transistors Original Irfr9024ntrpbf MOSFET P-CH 55V 11A DPAK Irfr9024 Electronic Composant

0,17-0,2 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Silicongear SG60N10S PON-8 VDSS=60V RDS(ON),12mΩ(max.)@VGS=10V ID=9 Un MOSFET de puissance à canal N

Silicongear SG60N10S PON-8 VDSS=60V RDS(ON),12mΩ(max.)@VGS=10V ID=9 Un MOSFET de puissance à canal N

Silicongear SG60N10S PON-8 VDSS=60V RDS(ON),12mΩ(max.)@VGS=10V ID=9 Un MOSFET de puissance à canal N

Silicongear SG60N10S PON-8 VDSS=60V RDS(ON),12mΩ(max.)@VGS=10V ID=9 Un MOSFET de puissance à canal N

Silicongear SG60N10S PON-8 VDSS=60V RDS(ON),12mΩ(max.)@VGS=10V ID=9 Un MOSFET de puissance à canal N

Silicongear SG60N10S PON-8 VDSS=60V RDS(ON),12mΩ(max.)@VGS=10V ID=9 Un MOSFET de puissance à canal N

1/ 6

Collection

Silicongear SG60N10S PON-8 VDSS=60V RDS(ON),12mΩ(max.)@VGS=10V ID=9 Un MOSFET de puissance à canal N

0,98-1,00 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor original MOSFET SOIC-8 à canal N 20 a 30V 20 a 2,5 W 4 mΩ à 10V, 20 a, service de nomenclature RoHS

Transistor original MOSFET SOIC-8 à canal N 20 a 30V 20 a 2,5 W 4 mΩ à 10V, 20 a, service de nomenclature RoHS

Transistor original MOSFET SOIC-8 à canal N 20 a 30V 20 a 2,5 W 4 mΩ à 10V, 20 a, service de nomenclature RoHS

Transistor original MOSFET SOIC-8 à canal N 20 a 30V 20 a 2,5 W 4 mΩ à 10V, 20 a, service de nomenclature RoHS

Transistor original MOSFET SOIC-8 à canal N 20 a 30V 20 a 2,5 W 4 mΩ à 10V, 20 a, service de nomenclature RoHS

Transistor original MOSFET SOIC-8 à canal N 20 a 30V 20 a 2,5 W 4 mΩ à 10V, 20 a, service de nomenclature RoHS

1/ 6

Collection

Transistor original MOSFET SOIC-8 à canal N 20 a 30V 20 a 2,5 W 4 mΩ à 10V, 20 a, service de nomenclature RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistors originaux Mmbta06lt1g Rans NPN 80V 0,5A SOT23-3 Mmbta06 électronique Service BOM de composants

Transistors originaux Mmbta06lt1g Rans NPN 80V 0,5A SOT23-3 Mmbta06 électronique Service BOM de composants

Transistors originaux Mmbta06lt1g Rans NPN 80V 0,5A SOT23-3 Mmbta06 électronique Service BOM de composants

Transistors originaux Mmbta06lt1g Rans NPN 80V 0,5A SOT23-3 Mmbta06 électronique Service BOM de composants

Transistors originaux Mmbta06lt1g Rans NPN 80V 0,5A SOT23-3 Mmbta06 électronique Service BOM de composants

Transistors originaux Mmbta06lt1g Rans NPN 80V 0,5A SOT23-3 Mmbta06 électronique Service BOM de composants

1/ 6

Collection

Transistors originaux Mmbta06lt1g Rans NPN 80V 0,5A SOT23-3 Mmbta06 électronique Service BOM de composants

0,01-0,05 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

1/ 4

Collection

100V/4.4mΩ 60.9Un DG100N15Q N-Canal MOSFET de puissance de pointe

0,3-0,33 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor original Irfb4020pbf 200V 18A 100mΩ @10V, 11A 100W N Canal to-220 MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irfb4020pbf 200V 18A 100mΩ @10V, 11A 100W N Canal to-220 MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irfb4020pbf 200V 18A 100mΩ @10V, 11A 100W N Canal to-220 MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irfb4020pbf 200V 18A 100mΩ @10V, 11A 100W N Canal to-220 MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irfb4020pbf 200V 18A 100mΩ @10V, 11A 100W N Canal to-220 MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irfb4020pbf 200V 18A 100mΩ @10V, 11A 100W N Canal to-220 MOSFET RoHS BOM Service

1/ 6

Collection

Transistor original Irfb4020pbf 200V 18A 100mΩ @10V, 11A 100W N Canal to-220 MOSFET RoHS BOM Service

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

TM2G0040120K s'appliquent à l'onduleur photovoltaïque 1200V N-Canal MOSFET de puissance de carbure de silicium

TM2G0040120K s'appliquent à l'onduleur photovoltaïque 1200V N-Canal MOSFET de puissance de carbure de silicium

TM2G0040120K s'appliquent à l'onduleur photovoltaïque 1200V N-Canal MOSFET de puissance de carbure de silicium

TM2G0040120K s'appliquent à l'onduleur photovoltaïque 1200V N-Canal MOSFET de puissance de carbure de silicium

TM2G0040120K s'appliquent à l'onduleur photovoltaïque 1200V N-Canal MOSFET de puissance de carbure de silicium

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Collection

TM2G0040120K s'appliquent à l'onduleur photovoltaïque 1200V N-Canal MOSFET de puissance de carbure de silicium

0,1-1,00 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor original MOSFET SOIC-8 à canal P 4.6A 70mΩ à 10V, 4.6A 2.5W RoHS pour transistor Irf7205trpbf 30V 4.6A 70mΩ à 10V

Transistor original MOSFET SOIC-8 à canal P 4.6A 70mΩ à 10V, 4.6A 2.5W RoHS pour transistor Irf7205trpbf 30V 4.6A 70mΩ à 10V

Transistor original MOSFET SOIC-8 à canal P 4.6A 70mΩ à 10V, 4.6A 2.5W RoHS pour transistor Irf7205trpbf 30V 4.6A 70mΩ à 10V

Transistor original MOSFET SOIC-8 à canal P 4.6A 70mΩ à 10V, 4.6A 2.5W RoHS pour transistor Irf7205trpbf 30V 4.6A 70mΩ à 10V

Transistor original MOSFET SOIC-8 à canal P 4.6A 70mΩ à 10V, 4.6A 2.5W RoHS pour transistor Irf7205trpbf 30V 4.6A 70mΩ à 10V

Transistor original MOSFET SOIC-8 à canal P 4.6A 70mΩ à 10V, 4.6A 2.5W RoHS pour transistor Irf7205trpbf 30V 4.6A 70mΩ à 10V

1/ 6

Collection

Transistor original MOSFET SOIC-8 à canal P 4.6A 70mΩ à 10V, 4.6A 2.5W RoHS pour transistor Irf7205trpbf 30V 4.6A 70mΩ à 10V

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Boîtier TO-220F HCS65R380S 650V 10,4A 0,38Ω ESD intégré 650 V canal N MOSFET à super jonction

Boîtier TO-220F HCS65R380S 650V 10,4A 0,38Ω ESD intégré 650 V canal N MOSFET à super jonction

Boîtier TO-220F HCS65R380S 650V 10,4A 0,38Ω ESD intégré 650 V canal N MOSFET à super jonction

Boîtier TO-220F HCS65R380S 650V 10,4A 0,38Ω ESD intégré 650 V canal N MOSFET à super jonction

Boîtier TO-220F HCS65R380S 650V 10,4A 0,38Ω ESD intégré 650 V canal N MOSFET à super jonction

Boîtier TO-220F HCS65R380S 650V 10,4A 0,38Ω ESD intégré 650 V canal N MOSFET à super jonction

1/ 6

Collection

Boîtier TO-220F HCS65R380S 650V 10,4A 0,38Ω ESD intégré 650 V canal N MOSFET à super jonction

0,4-0,45 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

1/ 4

Collection

Le transistor de professionnels de commerce de gros Advanced Power 30V/6A 26mΩ RU3400B

0,19-10,18 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor original Irfts9342trpbf 30V 5.8A 32mΩ @10V, 5,8A 2W canal P TSOP-6-1.5mm MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irfts9342trpbf 30V 5.8A 32mΩ @10V, 5,8A 2W canal P TSOP-6-1.5mm MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irfts9342trpbf 30V 5.8A 32mΩ @10V, 5,8A 2W canal P TSOP-6-1.5mm MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irfts9342trpbf 30V 5.8A 32mΩ @10V, 5,8A 2W canal P TSOP-6-1.5mm MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irfts9342trpbf 30V 5.8A 32mΩ @10V, 5,8A 2W canal P TSOP-6-1.5mm MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Irfts9342trpbf 30V 5.8A 32mΩ @10V, 5,8A 2W canal P TSOP-6-1.5mm MOSFET RoHS BOM Service

1/ 6

Collection

Transistor original Irfts9342trpbf 30V 5.8A 32mΩ @10V, 5,8A 2W canal P TSOP-6-1.5mm MOSFET RoHS BOM Service

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

1/ 4

Collection

MOSFET de puissance avancé à canal N 100V/71A 9,6 mΩ DG100N03D

0,26-0,28 $US / Pièce

2 500 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Amélioration du transistor TO252 Osg80r1K4df VDS-850V ID-12A RDS (ON) -1,4 ohm QG-7.5nc Pour éclairage LED PC Power Telecom Power MOSFET de puissance canal N

Amélioration du transistor TO252 Osg80r1K4df VDS-850V ID-12A RDS (ON) -1,4 ohm QG-7.5nc Pour éclairage LED PC Power Telecom Power MOSFET de puissance canal N

Amélioration du transistor TO252 Osg80r1K4df VDS-850V ID-12A RDS (ON) -1,4 ohm QG-7.5nc Pour éclairage LED PC Power Telecom Power MOSFET de puissance canal N

Amélioration du transistor TO252 Osg80r1K4df VDS-850V ID-12A RDS (ON) -1,4 ohm QG-7.5nc Pour éclairage LED PC Power Telecom Power MOSFET de puissance canal N

Amélioration du transistor TO252 Osg80r1K4df VDS-850V ID-12A RDS (ON) -1,4 ohm QG-7.5nc Pour éclairage LED PC Power Telecom Power MOSFET de puissance canal N

Amélioration du transistor TO252 Osg80r1K4df VDS-850V ID-12A RDS (ON) -1,4 ohm QG-7.5nc Pour éclairage LED PC Power Telecom Power MOSFET de puissance canal N

1/ 6

Collection

Amélioration du transistor TO252 Osg80r1K4df VDS-850V ID-12A RDS (ON) -1,4 ohm QG-7.5nc Pour éclairage LED PC Power Telecom Power MOSFET de puissance canal N

0,1-1,1 $US / Pièce

2 500 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Alimentation en mode-840Vds-80V ID un RDS (ON) milliohm -2.6Qg Sfgmos-148.1nc à263 Sfg280N08Kf Enhancemenn-Channel MOSFET

Alimentation en mode-840Vds-80V ID un RDS (ON) milliohm -2.6Qg Sfgmos-148.1nc à263 Sfg280N08Kf Enhancemenn-Channel MOSFET

Alimentation en mode-840Vds-80V ID un RDS (ON) milliohm -2.6Qg Sfgmos-148.1nc à263 Sfg280N08Kf Enhancemenn-Channel MOSFET

Alimentation en mode-840Vds-80V ID un RDS (ON) milliohm -2.6Qg Sfgmos-148.1nc à263 Sfg280N08Kf Enhancemenn-Channel MOSFET

Alimentation en mode-840Vds-80V ID un RDS (ON) milliohm -2.6Qg Sfgmos-148.1nc à263 Sfg280N08Kf Enhancemenn-Channel MOSFET

Alimentation en mode-840Vds-80V ID un RDS (ON) milliohm -2.6Qg Sfgmos-148.1nc à263 Sfg280N08Kf Enhancemenn-Channel MOSFET

1/ 6

Collection

Alimentation en mode-840Vds-80V ID un RDS (ON) milliohm -2.6Qg Sfgmos-148.1nc à263 Sfg280N08Kf Enhancemenn-Channel MOSFET

0,1-0,6 $US / Pièce

800 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires SOT-343 NPN 3,5 V 100 MW Bfp520h6327 d'origine - Service BJT RoHS BOM

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Charge rapide Extral niveau aux Flyback convertir puissance haute tension MOSFET

Charge rapide Extral niveau aux Flyback convertir puissance haute tension MOSFET

Charge rapide Extral niveau aux Flyback convertir puissance haute tension MOSFET

Charge rapide Extral niveau aux Flyback convertir puissance haute tension MOSFET

Charge rapide Extral niveau aux Flyback convertir puissance haute tension MOSFET

Charge rapide Extral niveau aux Flyback convertir puissance haute tension MOSFET

1/ 6

Collection

Charge rapide Extral niveau aux Flyback convertir puissance haute tension MOSFET

0,2 $US / Pièce

660 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

1/ 4

Collection

20V/6A 10mΩ RU207C N-Canal MOSFET de puissance de pointe

0,023-0,024 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor original Bsc016n04lsg 40V 100A 139W 2,3mΩ @ 4,5V, 50A canal N MOSFET (8 6X5) RoHS BOM Service

Transistor original Bsc016n04lsg 40V 100A 139W 2,3mΩ @ 4,5V, 50A canal N MOSFET (8 6X5) RoHS BOM Service

Transistor original Bsc016n04lsg 40V 100A 139W 2,3mΩ @ 4,5V, 50A canal N MOSFET (8 6X5) RoHS BOM Service

Transistor original Bsc016n04lsg 40V 100A 139W 2,3mΩ @ 4,5V, 50A canal N MOSFET (8 6X5) RoHS BOM Service

Transistor original Bsc016n04lsg 40V 100A 139W 2,3mΩ @ 4,5V, 50A canal N MOSFET (8 6X5) RoHS BOM Service

Transistor original Bsc016n04lsg 40V 100A 139W 2,3mΩ @ 4,5V, 50A canal N MOSFET (8 6X5) RoHS BOM Service

1/ 6

Collection

Transistor original Bsc016n04lsg 40V 100A 139W 2,3mΩ @ 4,5V, 50A canal N MOSFET (8 6X5) RoHS BOM Service

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistors MOSFET Irf1404pbf Irf1404 Irf1404lpbf composants électroniques Irf1404L nomenclature Service

Transistors MOSFET Irf1404pbf Irf1404 Irf1404lpbf composants électroniques Irf1404L nomenclature Service

Transistors MOSFET Irf1404pbf Irf1404 Irf1404lpbf composants électroniques Irf1404L nomenclature Service

Transistors MOSFET Irf1404pbf Irf1404 Irf1404lpbf composants électroniques Irf1404L nomenclature Service

Transistors MOSFET Irf1404pbf Irf1404 Irf1404lpbf composants électroniques Irf1404L nomenclature Service

Transistors MOSFET Irf1404pbf Irf1404 Irf1404lpbf composants électroniques Irf1404L nomenclature Service

1/ 6

Collection

Transistors MOSFET Irf1404pbf Irf1404 Irf1404lpbf composants électroniques Irf1404L nomenclature Service

1,00-2,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Commerce de gros que le transistor Hcd65r640 à-252 Package Avalanche 100 % testés Semihow Super Mosfet de jonction

Commerce de gros que le transistor Hcd65r640 à-252 Package Avalanche 100 % testés Semihow Super Mosfet de jonction

Commerce de gros que le transistor Hcd65r640 à-252 Package Avalanche 100 % testés Semihow Super Mosfet de jonction

Commerce de gros que le transistor Hcd65r640 à-252 Package Avalanche 100 % testés Semihow Super Mosfet de jonction

Commerce de gros que le transistor Hcd65r640 à-252 Package Avalanche 100 % testés Semihow Super Mosfet de jonction

1/ 5

Collection

Commerce de gros que le transistor Hcd65r640 à-252 Package Avalanche 100 % testés Semihow Super Mosfet de jonction

0,78-0,8 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor original Bsz160n10ns3g 100V 8A 2,1W 16mΩ @10V, 20A canal N Tsdson-8 (3.3X3.3) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsz160n10ns3g 100V 8A 2,1W 16mΩ @10V, 20A canal N Tsdson-8 (3.3X3.3) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsz160n10ns3g 100V 8A 2,1W 16mΩ @10V, 20A canal N Tsdson-8 (3.3X3.3) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsz160n10ns3g 100V 8A 2,1W 16mΩ @10V, 20A canal N Tsdson-8 (3.3X3.3) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsz160n10ns3g 100V 8A 2,1W 16mΩ @10V, 20A canal N Tsdson-8 (3.3X3.3) MOSFET RoHS BOM Service

Transistor original Bsz160n10ns3g 100V 8A 2,1W 16mΩ @10V, 20A canal N Tsdson-8 (3.3X3.3) MOSFET RoHS BOM Service

1/ 6

Collection

Transistor original Bsz160n10ns3g 100V 8A 2,1W 16mΩ @10V, 20A canal N Tsdson-8 (3.3X3.3) MOSFET RoHS BOM Service

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

HCD65R320 À-252 D-Pak Paquet construit dans l'EDD Semihow-Diode de 650V N-Canal MOSFET Coolmos super jonction

HCD65R320 À-252 D-Pak Paquet construit dans l'EDD Semihow-Diode de 650V N-Canal MOSFET Coolmos super jonction

HCD65R320 À-252 D-Pak Paquet construit dans l'EDD Semihow-Diode de 650V N-Canal MOSFET Coolmos super jonction

HCD65R320 À-252 D-Pak Paquet construit dans l'EDD Semihow-Diode de 650V N-Canal MOSFET Coolmos super jonction

HCD65R320 À-252 D-Pak Paquet construit dans l'EDD Semihow-Diode de 650V N-Canal MOSFET Coolmos super jonction

HCD65R320 À-252 D-Pak Paquet construit dans l'EDD Semihow-Diode de 650V N-Canal MOSFET Coolmos super jonction

1/ 6

Collection

HCD65R320 À-252 D-Pak Paquet construit dans l'EDD Semihow-Diode de 650V N-Canal MOSFET Coolmos super jonction

0,48-0,5 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

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