Accueil Électricité & Électronique Circuit Intégré Transistor à effet de champ 2024 Liste de Produits

Transistor à effet de champ

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Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ vitesse de commutation rapide SOT-323 Applications de Fetures 2N7002KDWHQ

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ vitesse de commutation rapide SOT-323 Applications de Fetures 2N7002KDWHQ

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ vitesse de commutation rapide SOT-323 Applications de Fetures 2N7002KDWHQ

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ vitesse de commutation rapide SOT-323 Applications de Fetures 2N7002KDWHQ

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ vitesse de commutation rapide SOT-323 Applications de Fetures 2N7002KDWHQ

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ vitesse de commutation rapide SOT-323 Applications de Fetures 2N7002KDWHQ

1/ 6

Collection

Mode d'amélioration du canal N transistor à effet de champ vitesse de commutation rapide SOT-323 Applications de Fetures 2N7002KDWHQ

0,18-1,16 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Structure: Planar

Niveau d'énergie: Haute puissance

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

N-canal en mode d'amélioration de transistor à effet de champ d'applications Fetures Diode de MOSFET de puissance 20V, 5D'UN TEC-CES2312A

N-canal en mode d'amélioration de transistor à effet de champ d'applications Fetures Diode de MOSFET de puissance 20V, 5D'UN TEC-CES2312A

N-canal en mode d'amélioration de transistor à effet de champ d'applications Fetures Diode de MOSFET de puissance 20V, 5D'UN TEC-CES2312A

N-canal en mode d'amélioration de transistor à effet de champ d'applications Fetures Diode de MOSFET de puissance 20V, 5D'UN TEC-CES2312A

N-canal en mode d'amélioration de transistor à effet de champ d'applications Fetures Diode de MOSFET de puissance 20V, 5D'UN TEC-CES2312A

N-canal en mode d'amélioration de transistor à effet de champ d'applications Fetures Diode de MOSFET de puissance 20V, 5D'UN TEC-CES2312A

1/ 6

Collection

N-canal en mode d'amélioration de transistor à effet de champ d'applications Fetures Diode de MOSFET de puissance 20V, 5D'UN TEC-CES2312A

0,08-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Transistor Haute Pression Retour

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

1/ 2

Collection

Le transistor de puissance Field-Effect Irfb4020pbf Irfb4020 à-220 IR

0,8-2,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Irfb4229 Irfb4229pbf Mosfet transistor à effet de champ

Irfb4229 Irfb4229pbf Mosfet transistor à effet de champ

Irfb4229 Irfb4229pbf Mosfet transistor à effet de champ

Irfb4229 Irfb4229pbf Mosfet transistor à effet de champ

Irfb4229 Irfb4229pbf Mosfet transistor à effet de champ

Irfb4229 Irfb4229pbf Mosfet transistor à effet de champ

1/ 6

Collection

Irfb4229 Irfb4229pbf Mosfet transistor à effet de champ

2,362-4,129 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Forme: GT

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

1/ 2

Collection

CEM9926A 20V 6A package SO-8 N-canal en mode d'amélioration de transistor à effet de champ le MOSFET

0,48-0,5 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

CEZ6405 P-PAK 5X6 -60V, -21A, RDS(on) = 48m W @VGS = -10V. Canal P transistor à effet de champ Mode d'amélioration de MOS de MOSFET

CEZ6405 P-PAK 5X6 -60V, -21A, RDS(on) = 48m W @VGS = -10V. Canal P transistor à effet de champ Mode d'amélioration de MOS de MOSFET

CEZ6405 P-PAK 5X6 -60V, -21A, RDS(on) = 48m W @VGS = -10V. Canal P transistor à effet de champ Mode d'amélioration de MOS de MOSFET

CEZ6405 P-PAK 5X6 -60V, -21A, RDS(on) = 48m W @VGS = -10V. Canal P transistor à effet de champ Mode d'amélioration de MOS de MOSFET

CEZ6405 P-PAK 5X6 -60V, -21A, RDS(on) = 48m W @VGS = -10V. Canal P transistor à effet de champ Mode d'amélioration de MOS de MOSFET

CEZ6405 P-PAK 5X6 -60V, -21A, RDS(on) = 48m W @VGS = -10V. Canal P transistor à effet de champ Mode d'amélioration de MOS de MOSFET

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Collection

CEZ6405 P-PAK 5X6 -60V, -21A, RDS(on) = 48m W @VGS = -10V. Canal P transistor à effet de champ Mode d'amélioration de MOS de MOSFET

0,16-0,2 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

La SCÉ2312 20V 4.5A boîtier SOT-23 N canaux en mode d'amélioration de transistor à effet de champ le MOSFET

La SCÉ2312 20V 4.5A boîtier SOT-23 N canaux en mode d'amélioration de transistor à effet de champ le MOSFET

La SCÉ2312 20V 4.5A boîtier SOT-23 N canaux en mode d'amélioration de transistor à effet de champ le MOSFET

La SCÉ2312 20V 4.5A boîtier SOT-23 N canaux en mode d'amélioration de transistor à effet de champ le MOSFET

La SCÉ2312 20V 4.5A boîtier SOT-23 N canaux en mode d'amélioration de transistor à effet de champ le MOSFET

La SCÉ2312 20V 4.5A boîtier SOT-23 N canaux en mode d'amélioration de transistor à effet de champ le MOSFET

1/ 6

Collection

La SCÉ2312 20V 4.5A boîtier SOT-23 N canaux en mode d'amélioration de transistor à effet de champ le MOSFET

0,48-0,5 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Le Mosfet 120un transistor à effet de champ 40V G120n04un MOSFET pour convertisseurs multiport USB

Le Mosfet 120un transistor à effet de champ 40V G120n04un MOSFET pour convertisseurs multiport USB

Le Mosfet 120un transistor à effet de champ 40V G120n04un MOSFET pour convertisseurs multiport USB

Le Mosfet 120un transistor à effet de champ 40V G120n04un MOSFET pour convertisseurs multiport USB

Le Mosfet 120un transistor à effet de champ 40V G120n04un MOSFET pour convertisseurs multiport USB

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Collection

Le Mosfet 120un transistor à effet de champ 40V G120n04un MOSFET pour convertisseurs multiport USB

0,189-0,269 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Fonction: Commutateur Transistor

Structure: Planar

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Emballage: Carton

Topologie de Vienne VDS, MOSFET de puissance haute tension

Topologie de Vienne VDS, MOSFET de puissance haute tension

Topologie de Vienne VDS, MOSFET de puissance haute tension

Topologie de Vienne VDS, MOSFET de puissance haute tension

Topologie de Vienne VDS, MOSFET de puissance haute tension

Topologie de Vienne VDS, MOSFET de puissance haute tension

1/ 6

Collection

Topologie de Vienne VDS, MOSFET de puissance haute tension

0,2 $US / Pièce

660 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Charge rapide EV Extral piles DC-DC High Power Interleaved LLC Topologies diode de récupération rapide FRD Osg60r030hzf TO247 Power MOSFET

Charge rapide EV Extral piles DC-DC High Power Interleaved LLC Topologies diode de récupération rapide FRD Osg60r030hzf TO247 Power MOSFET

Charge rapide EV Extral piles DC-DC High Power Interleaved LLC Topologies diode de récupération rapide FRD Osg60r030hzf TO247 Power MOSFET

Charge rapide EV Extral piles DC-DC High Power Interleaved LLC Topologies diode de récupération rapide FRD Osg60r030hzf TO247 Power MOSFET

Charge rapide EV Extral piles DC-DC High Power Interleaved LLC Topologies diode de récupération rapide FRD Osg60r030hzf TO247 Power MOSFET

Charge rapide EV Extral piles DC-DC High Power Interleaved LLC Topologies diode de récupération rapide FRD Osg60r030hzf TO247 Power MOSFET

1/ 6

Collection

Charge rapide EV Extral piles DC-DC High Power Interleaved LLC Topologies diode de récupération rapide FRD Osg60r030hzf TO247 Power MOSFET

0,2 $US / Pièce

660 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Boîtier TO252 de systèmes photovoltaïques MOSFET de puissance Osg80r900df canal N 800 W 900 V.

Boîtier TO252 de systèmes photovoltaïques MOSFET de puissance Osg80r900df canal N 800 W 900 V.

Boîtier TO252 de systèmes photovoltaïques MOSFET de puissance Osg80r900df canal N 800 W 900 V.

Boîtier TO252 de systèmes photovoltaïques MOSFET de puissance Osg80r900df canal N 800 W 900 V.

Boîtier TO252 de systèmes photovoltaïques MOSFET de puissance Osg80r900df canal N 800 W 900 V.

Boîtier TO252 de systèmes photovoltaïques MOSFET de puissance Osg80r900df canal N 800 W 900 V.

1/ 6

Collection

Boîtier TO252 de systèmes photovoltaïques MOSFET de puissance Osg80r900df canal N 800 W 900 V.

0,1-0,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

MOSFET de puissance à canal N TO220F Osg55r190FF VDS-600V ID-60A

MOSFET de puissance à canal N TO220F Osg55r190FF VDS-600V ID-60A

MOSFET de puissance à canal N TO220F Osg55r190FF VDS-600V ID-60A

MOSFET de puissance à canal N TO220F Osg55r190FF VDS-600V ID-60A

MOSFET de puissance à canal N TO220F Osg55r190FF VDS-600V ID-60A

MOSFET de puissance à canal N TO220F Osg55r190FF VDS-600V ID-60A

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance à canal N TO220F Osg55r190FF VDS-600V ID-60A

0,3-1,3 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

TAJ Automotive RangeStandard Tantalum - condensateurs produ automobile MOSFET à futures Applications AVX-TAJA226K010

TAJ Automotive RangeStandard Tantalum - condensateurs produ automobile MOSFET à futures Applications AVX-TAJA226K010

TAJ Automotive RangeStandard Tantalum - condensateurs produ automobile MOSFET à futures Applications AVX-TAJA226K010

TAJ Automotive RangeStandard Tantalum - condensateurs produ automobile MOSFET à futures Applications AVX-TAJA226K010

TAJ Automotive RangeStandard Tantalum - condensateurs produ automobile MOSFET à futures Applications AVX-TAJA226K010

TAJ Automotive RangeStandard Tantalum - condensateurs produ automobile MOSFET à futures Applications AVX-TAJA226K010

1/ 6

Collection

TAJ Automotive RangeStandard Tantalum - condensateurs produ automobile MOSFET à futures Applications AVX-TAJA226K010

0,18-1,01 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

MOSFET de puissance à double canal N à drain commun 24 V, protection ESD à faible résistance Applications de Fetures SiliconGear-SG2411TD

MOSFET de puissance à double canal N à drain commun 24 V, protection ESD à faible résistance Applications de Fetures SiliconGear-SG2411TD

MOSFET de puissance à double canal N à drain commun 24 V, protection ESD à faible résistance Applications de Fetures SiliconGear-SG2411TD

MOSFET de puissance à double canal N à drain commun 24 V, protection ESD à faible résistance Applications de Fetures SiliconGear-SG2411TD

MOSFET de puissance à double canal N à drain commun 24 V, protection ESD à faible résistance Applications de Fetures SiliconGear-SG2411TD

MOSFET de puissance à double canal N à drain commun 24 V, protection ESD à faible résistance Applications de Fetures SiliconGear-SG2411TD

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance à double canal N à drain commun 24 V, protection ESD à faible résistance Applications de Fetures SiliconGear-SG2411TD

0,09-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

MOSFET de puissance à canal N 80 V à simple FET applications capacité de charge PDFN 5*6-8L / SiliconGear-SG80N07HQ

MOSFET de puissance à canal N 80 V à simple FET applications capacité de charge PDFN 5*6-8L / SiliconGear-SG80N07HQ

MOSFET de puissance à canal N 80 V à simple FET applications capacité de charge PDFN 5*6-8L / SiliconGear-SG80N07HQ

MOSFET de puissance à canal N 80 V à simple FET applications capacité de charge PDFN 5*6-8L / SiliconGear-SG80N07HQ

MOSFET de puissance à canal N 80 V à simple FET applications capacité de charge PDFN 5*6-8L / SiliconGear-SG80N07HQ

MOSFET de puissance à canal N 80 V à simple FET applications capacité de charge PDFN 5*6-8L / SiliconGear-SG80N07HQ

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance à canal N 80 V à simple FET applications capacité de charge PDFN 5*6-8L / SiliconGear-SG80N07HQ

0,09-0,96 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Sfgmos excitateur de moteur d'alimentation en mode commuté Vds-80V ID-840un RDS (ON) milliohm -2.6Qg Mosfet Enhancemenn-Channel-148.1nc à263 Sfg280N08kft Ransistor

Sfgmos excitateur de moteur d'alimentation en mode commuté Vds-80V ID-840un RDS (ON) milliohm -2.6Qg Mosfet Enhancemenn-Channel-148.1nc à263 Sfg280N08kft Ransistor

Sfgmos excitateur de moteur d'alimentation en mode commuté Vds-80V ID-840un RDS (ON) milliohm -2.6Qg Mosfet Enhancemenn-Channel-148.1nc à263 Sfg280N08kft Ransistor

Sfgmos excitateur de moteur d'alimentation en mode commuté Vds-80V ID-840un RDS (ON) milliohm -2.6Qg Mosfet Enhancemenn-Channel-148.1nc à263 Sfg280N08kft Ransistor

Sfgmos excitateur de moteur d'alimentation en mode commuté Vds-80V ID-840un RDS (ON) milliohm -2.6Qg Mosfet Enhancemenn-Channel-148.1nc à263 Sfg280N08kft Ransistor

Sfgmos excitateur de moteur d'alimentation en mode commuté Vds-80V ID-840un RDS (ON) milliohm -2.6Qg Mosfet Enhancemenn-Channel-148.1nc à263 Sfg280N08kft Ransistor

1/ 6

Collection

Sfgmos excitateur de moteur d'alimentation en mode commuté Vds-80V ID-840un RDS (ON) milliohm -2.6Qg Mosfet Enhancemenn-Channel-148.1nc à263 Sfg280N08kft Ransistor

0,1-0,6 $US / Pièce

800 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Diode à récupération rapide Osg65r038hzaf TO247 VDS 650V RDS38mΩ certifiée AEC-Q101 MOSFET

Diode à récupération rapide Osg65r038hzaf TO247 VDS 650V RDS38mΩ certifiée AEC-Q101 MOSFET

Diode à récupération rapide Osg65r038hzaf TO247 VDS 650V RDS38mΩ certifiée AEC-Q101 MOSFET

Diode à récupération rapide Osg65r038hzaf TO247 VDS 650V RDS38mΩ certifiée AEC-Q101 MOSFET

Diode à récupération rapide Osg65r038hzaf TO247 VDS 650V RDS38mΩ certifiée AEC-Q101 MOSFET

Diode à récupération rapide Osg65r038hzaf TO247 VDS 650V RDS38mΩ certifiée AEC-Q101 MOSFET

1/ 6

Collection

Diode à récupération rapide Osg65r038hzaf TO247 VDS 650V RDS38mΩ certifiée AEC-Q101 MOSFET

0,2 $US / Pièce

660 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Convertisseurs DC/DC MOSFET à technologie Trench avancée et à canal N 100 V Onduleur hors ligne faible résistance à l'activation TO-263 SiliconGear-SG100N05G

Convertisseurs DC/DC MOSFET à technologie Trench avancée et à canal N 100 V Onduleur hors ligne faible résistance à l'activation TO-263 SiliconGear-SG100N05G

Convertisseurs DC/DC MOSFET à technologie Trench avancée et à canal N 100 V Onduleur hors ligne faible résistance à l'activation TO-263 SiliconGear-SG100N05G

Convertisseurs DC/DC MOSFET à technologie Trench avancée et à canal N 100 V Onduleur hors ligne faible résistance à l'activation TO-263 SiliconGear-SG100N05G

Convertisseurs DC/DC MOSFET à technologie Trench avancée et à canal N 100 V Onduleur hors ligne faible résistance à l'activation TO-263 SiliconGear-SG100N05G

Convertisseurs DC/DC MOSFET à technologie Trench avancée et à canal N 100 V Onduleur hors ligne faible résistance à l'activation TO-263 SiliconGear-SG100N05G

1/ 6

Collection

Convertisseurs DC/DC MOSFET à technologie Trench avancée et à canal N 100 V Onduleur hors ligne faible résistance à l'activation TO-263 SiliconGear-SG100N05G

0,19-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

1/ 3

Collection

Transistor professionnel Hcs65r380s boîtier to-220f MOSFET à super jonction Semihow adapté à l'alimentation du variateur, source de charge Flash

0,3-0,38 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Pilote de motopuissance AEC-Q101 VDS 650V RDS99mΩ MOSFET

Pilote de motopuissance AEC-Q101 VDS 650V RDS99mΩ MOSFET

Pilote de motopuissance AEC-Q101 VDS 650V RDS99mΩ MOSFET

Pilote de motopuissance AEC-Q101 VDS 650V RDS99mΩ MOSFET

Pilote de motopuissance AEC-Q101 VDS 650V RDS99mΩ MOSFET

Pilote de motopuissance AEC-Q101 VDS 650V RDS99mΩ MOSFET

1/ 6

Collection

Pilote de motopuissance AEC-Q101 VDS 650V RDS99mΩ MOSFET

0,2 $US / Pièce

660 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

MOSFET de puissance avancé HCFL70R360 canal N 700V/11,7A 360mΩ

MOSFET de puissance avancé HCFL70R360 canal N 700V/11,7A 360mΩ

MOSFET de puissance avancé HCFL70R360 canal N 700V/11,7A 360mΩ

MOSFET de puissance avancé HCFL70R360 canal N 700V/11,7A 360mΩ

MOSFET de puissance avancé HCFL70R360 canal N 700V/11,7A 360mΩ

1/ 5

Collection

MOSFET de puissance avancé HCFL70R360 canal N 700V/11,7A 360mΩ

0,3-0,39 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

TM2G0080120D s'applique à l'onduleur photovoltaïque 1200V à canal N au carbure de silicium MOSFET

TM2G0080120D s'applique à l'onduleur photovoltaïque 1200V à canal N au carbure de silicium MOSFET

TM2G0080120D s'applique à l'onduleur photovoltaïque 1200V à canal N au carbure de silicium MOSFET

TM2G0080120D s'applique à l'onduleur photovoltaïque 1200V à canal N au carbure de silicium MOSFET

TM2G0080120D s'applique à l'onduleur photovoltaïque 1200V à canal N au carbure de silicium MOSFET

TM2G0080120D s'applique à l'onduleur photovoltaïque 1200V à canal N au carbure de silicium MOSFET

1/ 6

Collection

TM2G0080120D s'applique à l'onduleur photovoltaïque 1200V à canal N au carbure de silicium MOSFET

0,1-1,00 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Mode d'amélioration de transistor MOSFET de puissance à canal N à252 OSG80R650df Vds-850V ID-24un RDS (ON) milliohm -650Qg-12.1nc pour Telecom Alimentation de serveur d'alimentation

Mode d'amélioration de transistor MOSFET de puissance à canal N à252 OSG80R650df Vds-850V ID-24un RDS (ON) milliohm -650Qg-12.1nc pour Telecom Alimentation de serveur d'alimentation

Mode d'amélioration de transistor MOSFET de puissance à canal N à252 OSG80R650df Vds-850V ID-24un RDS (ON) milliohm -650Qg-12.1nc pour Telecom Alimentation de serveur d'alimentation

Mode d'amélioration de transistor MOSFET de puissance à canal N à252 OSG80R650df Vds-850V ID-24un RDS (ON) milliohm -650Qg-12.1nc pour Telecom Alimentation de serveur d'alimentation

Mode d'amélioration de transistor MOSFET de puissance à canal N à252 OSG80R650df Vds-850V ID-24un RDS (ON) milliohm -650Qg-12.1nc pour Telecom Alimentation de serveur d'alimentation

Mode d'amélioration de transistor MOSFET de puissance à canal N à252 OSG80R650df Vds-850V ID-24un RDS (ON) milliohm -650Qg-12.1nc pour Telecom Alimentation de serveur d'alimentation

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Collection

Mode d'amélioration de transistor MOSFET de puissance à canal N à252 OSG80R650df Vds-850V ID-24un RDS (ON) milliohm -650Qg-12.1nc pour Telecom Alimentation de serveur d'alimentation

2 500 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

MOSFET haute tension à diode de récupération rapide pour PFC sans cavalier Totem-Pole

MOSFET haute tension à diode de récupération rapide pour PFC sans cavalier Totem-Pole

MOSFET haute tension à diode de récupération rapide pour PFC sans cavalier Totem-Pole

MOSFET haute tension à diode de récupération rapide pour PFC sans cavalier Totem-Pole

MOSFET haute tension à diode de récupération rapide pour PFC sans cavalier Totem-Pole

MOSFET haute tension à diode de récupération rapide pour PFC sans cavalier Totem-Pole

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Collection

MOSFET haute tension à diode de récupération rapide pour PFC sans cavalier Totem-Pole

0,2 $US / Pièce

660 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

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Collection

MOSFET de puissance avancé à canal N RU6070L 60 V/70 A. 6 mΩ

0,16-0,17 $US / Pièce

2 500 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

Visite Virtuelle à 360

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Remplacement parfait de la puissance du serveur pour le circuit Gallium Nitrude (GAN) MOSFET Super si

Remplacement parfait de la puissance du serveur pour le circuit Gallium Nitrude (GAN) MOSFET Super si

Remplacement parfait de la puissance du serveur pour le circuit Gallium Nitrude (GAN) MOSFET Super si

Remplacement parfait de la puissance du serveur pour le circuit Gallium Nitrude (GAN) MOSFET Super si

Remplacement parfait de la puissance du serveur pour le circuit Gallium Nitrude (GAN) MOSFET Super si

Remplacement parfait de la puissance du serveur pour le circuit Gallium Nitrude (GAN) MOSFET Super si

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Remplacement parfait de la puissance du serveur pour le circuit Gallium Nitrude (GAN) MOSFET Super si

0,2 $US / Pièce

660 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Alimentation 40 V canal P technologie de tranchée avancée MOSFET Fetures applications faible SiliconGear-SGP4038D sur résistance

Alimentation 40 V canal P technologie de tranchée avancée MOSFET Fetures applications faible SiliconGear-SGP4038D sur résistance

Alimentation 40 V canal P technologie de tranchée avancée MOSFET Fetures applications faible SiliconGear-SGP4038D sur résistance

Alimentation 40 V canal P technologie de tranchée avancée MOSFET Fetures applications faible SiliconGear-SGP4038D sur résistance

Alimentation 40 V canal P technologie de tranchée avancée MOSFET Fetures applications faible SiliconGear-SGP4038D sur résistance

Alimentation 40 V canal P technologie de tranchée avancée MOSFET Fetures applications faible SiliconGear-SGP4038D sur résistance

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Alimentation 40 V canal P technologie de tranchée avancée MOSFET Fetures applications faible SiliconGear-SGP4038D sur résistance

0,09-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Amélioration du transistor TO263-6L Sfs08r013K7NF VDS-80 ID-1600A RDS (ON) -1,3 milliohms QG-166nc Pour MOSFET de puissance N de driver de moteur de chargeur PD

Amélioration du transistor TO263-6L Sfs08r013K7NF VDS-80 ID-1600A RDS (ON) -1,3 milliohms QG-166nc Pour MOSFET de puissance N de driver de moteur de chargeur PD

Amélioration du transistor TO263-6L Sfs08r013K7NF VDS-80 ID-1600A RDS (ON) -1,3 milliohms QG-166nc Pour MOSFET de puissance N de driver de moteur de chargeur PD

Amélioration du transistor TO263-6L Sfs08r013K7NF VDS-80 ID-1600A RDS (ON) -1,3 milliohms QG-166nc Pour MOSFET de puissance N de driver de moteur de chargeur PD

Amélioration du transistor TO263-6L Sfs08r013K7NF VDS-80 ID-1600A RDS (ON) -1,3 milliohms QG-166nc Pour MOSFET de puissance N de driver de moteur de chargeur PD

Amélioration du transistor TO263-6L Sfs08r013K7NF VDS-80 ID-1600A RDS (ON) -1,3 milliohms QG-166nc Pour MOSFET de puissance N de driver de moteur de chargeur PD

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Amélioration du transistor TO263-6L Sfs08r013K7NF VDS-80 ID-1600A RDS (ON) -1,3 milliohms QG-166nc Pour MOSFET de puissance N de driver de moteur de chargeur PD

0,15-0,25 $US / Pièce

800 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Affichage grand écran meilleur que le dispositif Gallium Nitrude (GAN) En fonctionnement haute fréquence MOSFET Super si

Affichage grand écran meilleur que le dispositif Gallium Nitrude (GAN) En fonctionnement haute fréquence MOSFET Super si

Affichage grand écran meilleur que le dispositif Gallium Nitrude (GAN) En fonctionnement haute fréquence MOSFET Super si

Affichage grand écran meilleur que le dispositif Gallium Nitrude (GAN) En fonctionnement haute fréquence MOSFET Super si

Affichage grand écran meilleur que le dispositif Gallium Nitrude (GAN) En fonctionnement haute fréquence MOSFET Super si

Affichage grand écran meilleur que le dispositif Gallium Nitrude (GAN) En fonctionnement haute fréquence MOSFET Super si

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Affichage grand écran meilleur que le dispositif Gallium Nitrude (GAN) En fonctionnement haute fréquence MOSFET Super si

0,2 $US / Pièce

660 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

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D'-252 Package Avalanche 100 % testés Semihow Super RoHS Mosfet de jonction avec la certification CE

0,9-0,98 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

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