Accueil Électricité & Électronique Semi-Conducteur Mosfet de puissance 2024 Liste de Produits

Mosfet de puissance

produits trouvés de fabricants et grossistes de confiance

MOSFET de puissance à canal N 80 V à simple capacité de charge POUR applications TO-220AB-D. / SiliconGear-DG80N02PB

MOSFET de puissance à canal N 80 V à simple capacité de charge POUR applications TO-220AB-D. / SiliconGear-DG80N02PB

MOSFET de puissance à canal N 80 V à simple capacité de charge POUR applications TO-220AB-D. / SiliconGear-DG80N02PB

MOSFET de puissance à canal N 80 V à simple capacité de charge POUR applications TO-220AB-D. / SiliconGear-DG80N02PB

MOSFET de puissance à canal N 80 V à simple capacité de charge POUR applications TO-220AB-D. / SiliconGear-DG80N02PB

MOSFET de puissance à canal N 80 V à simple capacité de charge POUR applications TO-220AB-D. / SiliconGear-DG80N02PB

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance à canal N 80 V à simple capacité de charge POUR applications TO-220AB-D. / SiliconGear-DG80N02PB

0,11-1,31 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Juxing 3A 20V TR2302 N-Mode d'amélioration de MOSFET canal avec SOT-23

Juxing 3A 20V TR2302 N-Mode d'amélioration de MOSFET canal avec SOT-23

Juxing 3A 20V TR2302 N-Mode d'amélioration de MOSFET canal avec SOT-23

Juxing 3A 20V TR2302 N-Mode d'amélioration de MOSFET canal avec SOT-23

Juxing 3A 20V TR2302 N-Mode d'amélioration de MOSFET canal avec SOT-23

Juxing 3A 20V TR2302 N-Mode d'amélioration de MOSFET canal avec SOT-23

1/ 6

Collection

Juxing 3A 20V TR2302 N-Mode d'amélioration de MOSFET canal avec SOT-23

0,0055-0,0156 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

1/ 3

Collection

LSB65R125HT SUPER Junction à canal N 650V, 25A, 0.125ΩPower MOSFET

2,00-3,00 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Intensité lumineuse: Standard

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Origine: Guangdong, China

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 180 a 85 V DSG041n08na to-220c

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 180 a 85 V DSG041n08na to-220c

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 180 a 85 V DSG041n08na to-220c

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 180 a 85 V DSG041n08na to-220c

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 180 a 85 V DSG041n08na to-220c

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 180 a 85 V DSG041n08na to-220c

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 180 a 85 V DSG041n08na to-220c

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P Nce15p25jk NCE 150 V 25 a avec To-252-2L

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P Nce15p25jk NCE 150 V 25 a avec To-252-2L

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P Nce15p25jk NCE 150 V 25 a avec To-252-2L

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P Nce15p25jk NCE 150 V 25 a avec To-252-2L

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P Nce15p25jk NCE 150 V 25 a avec To-252-2L

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P Nce15p25jk NCE 150 V 25 a avec To-252-2L

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P Nce15p25jk NCE 150 V 25 a avec To-252-2L

0,23-0,265 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type P

Paquet: SMD

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: Cardboard Box

MOSFET de puissance à super jonction 700V, 4A, 1,0Ω canal N applications Reactor-RMA70R1K0SN

MOSFET de puissance à super jonction 700V, 4A, 1,0Ω canal N applications Reactor-RMA70R1K0SN

MOSFET de puissance à super jonction 700V, 4A, 1,0Ω canal N applications Reactor-RMA70R1K0SN

MOSFET de puissance à super jonction 700V, 4A, 1,0Ω canal N applications Reactor-RMA70R1K0SN

MOSFET de puissance à super jonction 700V, 4A, 1,0Ω canal N applications Reactor-RMA70R1K0SN

MOSFET de puissance à super jonction 700V, 4A, 1,0Ω canal N applications Reactor-RMA70R1K0SN

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance à super jonction 700V, 4A, 1,0Ω canal N applications Reactor-RMA70R1K0SN

0,08-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

MOSFET de puissance à super jonction à canal N 7A 650 V Dhfsj7n65 to-220f

MOSFET de puissance à super jonction à canal N 7A 650 V Dhfsj7n65 to-220f

MOSFET de puissance à super jonction à canal N 7A 650 V Dhfsj7n65 to-220f

MOSFET de puissance à super jonction à canal N 7A 650 V Dhfsj7n65 to-220f

MOSFET de puissance à super jonction à canal N 7A 650 V Dhfsj7n65 to-220f

MOSFET de puissance à super jonction à canal N 7A 650 V Dhfsj7n65 to-220f

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance à super jonction à canal N 7A 650 V Dhfsj7n65 to-220f

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

SiliconGear-SG30N06E MOSFET 30V à canal N technologie Trench avancée à faible entrée Applications de mesure de capacité

SiliconGear-SG30N06E MOSFET 30V à canal N technologie Trench avancée à faible entrée Applications de mesure de capacité

SiliconGear-SG30N06E MOSFET 30V à canal N technologie Trench avancée à faible entrée Applications de mesure de capacité

SiliconGear-SG30N06E MOSFET 30V à canal N technologie Trench avancée à faible entrée Applications de mesure de capacité

SiliconGear-SG30N06E MOSFET 30V à canal N technologie Trench avancée à faible entrée Applications de mesure de capacité

SiliconGear-SG30N06E MOSFET 30V à canal N technologie Trench avancée à faible entrée Applications de mesure de capacité

1/ 6

Collection

SiliconGear-SG30N06E MOSFET 30V à canal N technologie Trench avancée à faible entrée Applications de mesure de capacité

0,15-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

1/ 3

Collection

N-Canal 650V 20un MOSFET de puissance du LSD65R180ht

0,1-0,13 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Intensité lumineuse: Standard

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Origine: Guangdong, China

85A 60V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DH066N06 TO-220

85A 60V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DH066N06 TO-220

85A 60V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DH066N06 TO-220

85A 60V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DH066N06 TO-220

85A 60V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DH066N06 TO-220

85A 60V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DH066N06 TO-220

1/ 6

Collection

85A 60V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DH066N06 TO-220

0,01-0,2 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 250 a 85 V Dhs020n88e to-263

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 250 a 85 V Dhs020n88e to-263

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 250 a 85 V Dhs020n88e to-263

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 250 a 85 V Dhs020n88e to-263

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 250 a 85 V Dhs020n88e to-263

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 250 a 85 V Dhs020n88e to-263

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 250 a 85 V Dhs020n88e to-263

0,535 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

MOSFET de puissance 40 V mode d'amélioration canal P, applications, tranchée de puissance Technology Way-on-WMS11P04T1

MOSFET de puissance 40 V mode d'amélioration canal P, applications, tranchée de puissance Technology Way-on-WMS11P04T1

MOSFET de puissance 40 V mode d'amélioration canal P, applications, tranchée de puissance Technology Way-on-WMS11P04T1

MOSFET de puissance 40 V mode d'amélioration canal P, applications, tranchée de puissance Technology Way-on-WMS11P04T1

MOSFET de puissance 40 V mode d'amélioration canal P, applications, tranchée de puissance Technology Way-on-WMS11P04T1

MOSFET de puissance 40 V mode d'amélioration canal P, applications, tranchée de puissance Technology Way-on-WMS11P04T1

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance 40 V mode d'amélioration canal P, applications, tranchée de puissance Technology Way-on-WMS11P04T1

0,18-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P JMTK440P04A TO-252

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P JMTK440P04A TO-252

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P JMTK440P04A TO-252

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P JMTK440P04A TO-252

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P JMTK440P04A TO-252

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P JMTK440P04A TO-252

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P JMTK440P04A TO-252

100 000 Pièces (MOQ)

Kunshan Huateng Electronics Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: Box

Marque Déposée: CHINA

MOSFET de puissance F16n60 to-220f 16 a 600 V à canal N amélioré

MOSFET de puissance F16n60 to-220f 16 a 600 V à canal N amélioré

MOSFET de puissance F16n60 to-220f 16 a 600 V à canal N amélioré

MOSFET de puissance F16n60 to-220f 16 a 600 V à canal N amélioré

MOSFET de puissance F16n60 to-220f 16 a 600 V à canal N amélioré

MOSFET de puissance F16n60 to-220f 16 a 600 V à canal N amélioré

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance F16n60 to-220f 16 a 600 V à canal N amélioré

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

D'-220AB-D / 60V N-MOSFET de puissance canal Capacitance entièrement caractérisés et avalanches Silicongear Fetures Applications-DG60N11PB

D'-220AB-D / 60V N-MOSFET de puissance canal Capacitance entièrement caractérisés et avalanches Silicongear Fetures Applications-DG60N11PB

D'-220AB-D / 60V N-MOSFET de puissance canal Capacitance entièrement caractérisés et avalanches Silicongear Fetures Applications-DG60N11PB

D'-220AB-D / 60V N-MOSFET de puissance canal Capacitance entièrement caractérisés et avalanches Silicongear Fetures Applications-DG60N11PB

D'-220AB-D / 60V N-MOSFET de puissance canal Capacitance entièrement caractérisés et avalanches Silicongear Fetures Applications-DG60N11PB

D'-220AB-D / 60V N-MOSFET de puissance canal Capacitance entièrement caractérisés et avalanches Silicongear Fetures Applications-DG60N11PB

1/ 6

Collection

D'-220AB-D / 60V N-MOSFET de puissance canal Capacitance entièrement caractérisés et avalanches Silicongear Fetures Applications-DG60N11PB

0,16-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

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MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 250 a 88 V Dhs020n88 to-220

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 250 a 88 V Dhs020n88 to-220

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 250 a 88 V Dhs020n88 to-220

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 250 a 88 V Dhs020n88 to-220

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 250 a 88 V Dhs020n88 to-220

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 250 a 88 V Dhs020n88 to-220

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal N 250 a 88 V Dhs020n88 to-220

0,535 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

250A 40V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DH019N04D à-252b

250A 40V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DH019N04D à-252b

250A 40V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DH019N04D à-252b

250A 40V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DH019N04D à-252b

250A 40V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DH019N04D à-252b

250A 40V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DH019N04D à-252b

1/ 6

Collection

250A 40V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DH019N04D à-252b

0,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE IRF260N TO-247AC 200V 50A HEXFET

TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE IRF260N TO-247AC 200V 50A HEXFET

TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE IRF260N TO-247AC 200V 50A HEXFET

TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE IRF260N TO-247AC 200V 50A HEXFET

TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE IRF260N TO-247AC 200V 50A HEXFET

TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE IRF260N TO-247AC 200V 50A HEXFET

1/ 6

Collection

TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE IRF260N TO-247AC 200V 50A HEXFET

0,579 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Application: Produits électroniques

certificat: RoHS,CE,ISO

Intensité lumineuse: Standard

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

MOSFET mode d'amélioration à canal N Juxing 1A 60V 2n7002K avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration à canal N Juxing 1A 60V 2n7002K avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration à canal N Juxing 1A 60V 2n7002K avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration à canal N Juxing 1A 60V 2n7002K avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration à canal N Juxing 1A 60V 2n7002K avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration à canal N Juxing 1A 60V 2n7002K avec SOT-23

1/ 6

Collection

MOSFET mode d'amélioration à canal N Juxing 1A 60V 2n7002K avec SOT-23

0,0051-0,0156 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Psc3011S-30V P-channel siliconegear MOSFET de puissance

Psc3011S-30V P-channel siliconegear MOSFET de puissance

Psc3011S-30V P-channel siliconegear MOSFET de puissance

Psc3011S-30V P-channel siliconegear MOSFET de puissance

Psc3011S-30V P-channel siliconegear MOSFET de puissance

Psc3011S-30V P-channel siliconegear MOSFET de puissance

1/ 6

Collection

Psc3011S-30V P-channel siliconegear MOSFET de puissance

0,045-0,05 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Emballage: Plastic Package

Standard: SOT-23 TO-92 SC70

Origine: Guangdong, China

Capacité de Production: 10000 Pieces/Day

Transistor à263-6D'AMÉLIORATION DE L'ESF10R021K7NF-960Vds-100 ID un RDS (ON) milliohm -2.1Qg-107nc pour régulateur de tension de commutation de puissance MOSFET à canal N

Transistor à263-6D'AMÉLIORATION DE L'ESF10R021K7NF-960Vds-100 ID un RDS (ON) milliohm -2.1Qg-107nc pour régulateur de tension de commutation de puissance MOSFET à canal N

Transistor à263-6D'AMÉLIORATION DE L'ESF10R021K7NF-960Vds-100 ID un RDS (ON) milliohm -2.1Qg-107nc pour régulateur de tension de commutation de puissance MOSFET à canal N

Transistor à263-6D'AMÉLIORATION DE L'ESF10R021K7NF-960Vds-100 ID un RDS (ON) milliohm -2.1Qg-107nc pour régulateur de tension de commutation de puissance MOSFET à canal N

Transistor à263-6D'AMÉLIORATION DE L'ESF10R021K7NF-960Vds-100 ID un RDS (ON) milliohm -2.1Qg-107nc pour régulateur de tension de commutation de puissance MOSFET à canal N

Transistor à263-6D'AMÉLIORATION DE L'ESF10R021K7NF-960Vds-100 ID un RDS (ON) milliohm -2.1Qg-107nc pour régulateur de tension de commutation de puissance MOSFET à canal N

1/ 6

Collection

Transistor à263-6D'AMÉLIORATION DE L'ESF10R021K7NF-960Vds-100 ID un RDS (ON) milliohm -2.1Qg-107nc pour régulateur de tension de commutation de puissance MOSFET à canal N

0,35-0,4 $US / Pièce

800 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

30V N-Canal de la technologie de pointe de puissance MOSFET Trench Fetures applications à faible capacité d'entrée Silicongear-SG30N05E

30V N-Canal de la technologie de pointe de puissance MOSFET Trench Fetures applications à faible capacité d'entrée Silicongear-SG30N05E

30V N-Canal de la technologie de pointe de puissance MOSFET Trench Fetures applications à faible capacité d'entrée Silicongear-SG30N05E

30V N-Canal de la technologie de pointe de puissance MOSFET Trench Fetures applications à faible capacité d'entrée Silicongear-SG30N05E

30V N-Canal de la technologie de pointe de puissance MOSFET Trench Fetures applications à faible capacité d'entrée Silicongear-SG30N05E

30V N-Canal de la technologie de pointe de puissance MOSFET Trench Fetures applications à faible capacité d'entrée Silicongear-SG30N05E

1/ 6

Collection

30V N-Canal de la technologie de pointe de puissance MOSFET Trench Fetures applications à faible capacité d'entrée Silicongear-SG30N05E

0,18-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

De nouvelles puces IC d'origine Infineon Ipa70R360p7sxksa1, également connu sous le nom de l'IAP70R360p7s simple canal N Coolmos MOSFET de puissance 700V - pour FP-220-3en stock

De nouvelles puces IC d'origine Infineon Ipa70R360p7sxksa1, également connu sous le nom de l'IAP70R360p7s simple canal N Coolmos MOSFET de puissance 700V - pour FP-220-3en stock

De nouvelles puces IC d'origine Infineon Ipa70R360p7sxksa1, également connu sous le nom de l'IAP70R360p7s simple canal N Coolmos MOSFET de puissance 700V - pour FP-220-3en stock

De nouvelles puces IC d'origine Infineon Ipa70R360p7sxksa1, également connu sous le nom de l'IAP70R360p7s simple canal N Coolmos MOSFET de puissance 700V - pour FP-220-3en stock

De nouvelles puces IC d'origine Infineon Ipa70R360p7sxksa1, également connu sous le nom de l'IAP70R360p7s simple canal N Coolmos MOSFET de puissance 700V - pour FP-220-3en stock

De nouvelles puces IC d'origine Infineon Ipa70R360p7sxksa1, également connu sous le nom de l'IAP70R360p7s simple canal N Coolmos MOSFET de puissance 700V - pour FP-220-3en stock

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Collection

De nouvelles puces IC d'origine Infineon Ipa70R360p7sxksa1, également connu sous le nom de l'IAP70R360p7s simple canal N Coolmos MOSFET de puissance 700V - pour FP-220-3en stock

0,48-0,55 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

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Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Semiconductor IC

Emballage: Tube

Standard: 700V, 12.5A

Marque Déposée: Infineon

Origine: Original

20A 650V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance 20n65 à-220c

20A 650V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance 20n65 à-220c

20A 650V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance 20n65 à-220c

20A 650V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance 20n65 à-220c

20A 650V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance 20n65 à-220c

20A 650V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance 20n65 à-220c

1/ 6

Collection

20A 650V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance 20n65 à-220c

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tape & Reel

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

MOSFET de puissance Nce4009s NCE à mode d'amélioration canal N

MOSFET de puissance Nce4009s NCE à mode d'amélioration canal N

MOSFET de puissance Nce4009s NCE à mode d'amélioration canal N

MOSFET de puissance Nce4009s NCE à mode d'amélioration canal N

MOSFET de puissance Nce4009s NCE à mode d'amélioration canal N

MOSFET de puissance Nce4009s NCE à mode d'amélioration canal N

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance Nce4009s NCE à mode d'amélioration canal N

0,047-0,055 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: SMD

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: Cardboard Box

18A 500V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance F18N50 à-220f

18A 500V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance F18N50 à-220f

18A 500V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance F18N50 à-220f

18A 500V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance F18N50 à-220f

18A 500V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance F18N50 à-220f

18A 500V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance F18N50 à-220f

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Collection

18A 500V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance F18N50 à-220f

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tape & Reel

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

MOSFET de puissance mode d'amélioration canal N 220 a 40 V DTG025n04na to-220c

MOSFET de puissance mode d'amélioration canal N 220 a 40 V DTG025n04na to-220c

MOSFET de puissance mode d'amélioration canal N 220 a 40 V DTG025n04na to-220c

MOSFET de puissance mode d'amélioration canal N 220 a 40 V DTG025n04na to-220c

MOSFET de puissance mode d'amélioration canal N 220 a 40 V DTG025n04na to-220c

MOSFET de puissance mode d'amélioration canal N 220 a 40 V DTG025n04na to-220c

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Collection

MOSFET de puissance mode d'amélioration canal N 220 a 40 V DTG025n04na to-220c

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type P

Emballage: Tape & Reel

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

MOSFET de puissance mode d'amélioration canal N 180 a 60 V Dhs022n06e

MOSFET de puissance mode d'amélioration canal N 180 a 60 V Dhs022n06e

MOSFET de puissance mode d'amélioration canal N 180 a 60 V Dhs022n06e

MOSFET de puissance mode d'amélioration canal N 180 a 60 V Dhs022n06e

MOSFET de puissance mode d'amélioration canal N 180 a 60 V Dhs022n06e

MOSFET de puissance mode d'amélioration canal N 180 a 60 V Dhs022n06e

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Collection

MOSFET de puissance mode d'amélioration canal N 180 a 60 V Dhs022n06e

0,01-0,2 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tape & Reel

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

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Collection

N-Canal 650V, 11A1) 0.38Ω MOSFET de puissance du LSD65R380ht

0,1-0,13 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Intensité lumineuse: Standard

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Mosfet

Silicongear DG60N12S PON-8 60V 11A 12mohm DG-FET canal 60V N-MOSFET de puissance

Silicongear DG60N12S PON-8 60V 11A 12mohm DG-FET canal 60V N-MOSFET de puissance

Silicongear DG60N12S PON-8 60V 11A 12mohm DG-FET canal 60V N-MOSFET de puissance

Silicongear DG60N12S PON-8 60V 11A 12mohm DG-FET canal 60V N-MOSFET de puissance

Silicongear DG60N12S PON-8 60V 11A 12mohm DG-FET canal 60V N-MOSFET de puissance

Silicongear DG60N12S PON-8 60V 11A 12mohm DG-FET canal 60V N-MOSFET de puissance

1/ 6

Collection

Silicongear DG60N12S PON-8 60V 11A 12mohm DG-FET canal 60V N-MOSFET de puissance

0,98-1,00 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

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Encapsulation Structure

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Matériel

Fréquence de travail

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