Accueil Électricité & Électronique Semi-Conducteur Mosfet de puissance 2024 Liste de Produits

Mosfet de puissance

produits trouvés de fabricants et grossistes de confiance

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx2060K avec to-252 de Juxing 60A20V

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx2060K avec to-252 de Juxing 60A20V

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx2060K avec to-252 de Juxing 60A20V

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx2060K avec to-252 de Juxing 60A20V

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx2060K avec to-252 de Juxing 60A20V

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx2060K avec to-252 de Juxing 60A20V

1/ 6

Collection

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Jx2060K avec to-252 de Juxing 60A20V

0,0055-0,0156 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Convertisseur Flyback aux un commutateur topologie MOSFET de puissance haute tension

Convertisseur Flyback aux un commutateur topologie MOSFET de puissance haute tension

Convertisseur Flyback aux un commutateur topologie MOSFET de puissance haute tension

Convertisseur Flyback aux un commutateur topologie MOSFET de puissance haute tension

Convertisseur Flyback aux un commutateur topologie MOSFET de puissance haute tension

Convertisseur Flyback aux un commutateur topologie MOSFET de puissance haute tension

1/ 6

Collection

Convertisseur Flyback aux un commutateur topologie MOSFET de puissance haute tension

0,2 $US / Pièce

660 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

MOSFET de puissance 252 a 60 V à canal N amélioré DHD30n06 to-30

MOSFET de puissance 252 a 60 V à canal N amélioré DHD30n06 to-30

MOSFET de puissance 252 a 60 V à canal N amélioré DHD30n06 to-30

MOSFET de puissance 252 a 60 V à canal N amélioré DHD30n06 to-30

MOSFET de puissance 252 a 60 V à canal N amélioré DHD30n06 to-30

MOSFET de puissance 252 a 60 V à canal N amélioré DHD30n06 to-30

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance 252 a 60 V à canal N amélioré DHD30n06 to-30

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tape & Reel

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

En stock Nce4953 NCE mode d'amélioration du canal P avec SOP-8 pour une utilisation comme commutateur de charge ou dans les applications PWM.

En stock Nce4953 NCE mode d'amélioration du canal P avec SOP-8 pour une utilisation comme commutateur de charge ou dans les applications PWM.

En stock Nce4953 NCE mode d'amélioration du canal P avec SOP-8 pour une utilisation comme commutateur de charge ou dans les applications PWM.

En stock Nce4953 NCE mode d'amélioration du canal P avec SOP-8 pour une utilisation comme commutateur de charge ou dans les applications PWM.

En stock Nce4953 NCE mode d'amélioration du canal P avec SOP-8 pour une utilisation comme commutateur de charge ou dans les applications PWM.

En stock Nce4953 NCE mode d'amélioration du canal P avec SOP-8 pour une utilisation comme commutateur de charge ou dans les applications PWM.

1/ 6

Collection

En stock Nce4953 NCE mode d'amélioration du canal P avec SOP-8 pour une utilisation comme commutateur de charge ou dans les applications PWM.

0,043-0,045 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type P

Paquet: SMD

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: Carton

MOSFET mode d'amélioration de canal N Juxing -4.2A -30V Ao3401 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal N Juxing -4.2A -30V Ao3401 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal N Juxing -4.2A -30V Ao3401 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal N Juxing -4.2A -30V Ao3401 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal N Juxing -4.2A -30V Ao3401 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal N Juxing -4.2A -30V Ao3401 avec SOT-23

1/ 6

Collection

MOSFET mode d'amélioration de canal N Juxing -4.2A -30V Ao3401 avec SOT-23

0,0055-0,0156 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

-85A -60V MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P Dtd125p06la to-252

-85A -60V MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P Dtd125p06la to-252

-85A -60V MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P Dtd125p06la to-252

-85A -60V MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P Dtd125p06la to-252

-85A -60V MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P Dtd125p06la to-252

-85A -60V MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P Dtd125p06la to-252

1/ 6

Collection

-85A -60V MOSFET de puissance à mode d'amélioration de canal P Dtd125p06la to-252

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type P

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

De nouveaux composants électriques de l'électronique d'origine Stmicroelectronics Std25NF20 Automotive-Grade N canaux, 200 V 0,10 ohms moy., 18 d'un MOSFET de puissance Stripfet en stock

De nouveaux composants électriques de l'électronique d'origine Stmicroelectronics Std25NF20 Automotive-Grade N canaux, 200 V 0,10 ohms moy., 18 d'un MOSFET de puissance Stripfet en stock

De nouveaux composants électriques de l'électronique d'origine Stmicroelectronics Std25NF20 Automotive-Grade N canaux, 200 V 0,10 ohms moy., 18 d'un MOSFET de puissance Stripfet en stock

De nouveaux composants électriques de l'électronique d'origine Stmicroelectronics Std25NF20 Automotive-Grade N canaux, 200 V 0,10 ohms moy., 18 d'un MOSFET de puissance Stripfet en stock

De nouveaux composants électriques de l'électronique d'origine Stmicroelectronics Std25NF20 Automotive-Grade N canaux, 200 V 0,10 ohms moy., 18 d'un MOSFET de puissance Stripfet en stock

De nouveaux composants électriques de l'électronique d'origine Stmicroelectronics Std25NF20 Automotive-Grade N canaux, 200 V 0,10 ohms moy., 18 d'un MOSFET de puissance Stripfet en stock

1/ 6

Collection

De nouveaux composants électriques de l'électronique d'origine Stmicroelectronics Std25NF20 Automotive-Grade N canaux, 200 V 0,10 ohms moy., 18 d'un MOSFET de puissance Stripfet en stock

1,62-1,91 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

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Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Semiconductor IC

Emballage: Tape and Reel

Standard: 200V 18A 0.10 Ohm

Marque Déposée: STMicroelectronics

Origine: Original

MOSFET de puissance SIC 5 a 1700 V canal N Dcc1K0m170g1 to-247

MOSFET de puissance SIC 5 a 1700 V canal N Dcc1K0m170g1 to-247

MOSFET de puissance SIC 5 a 1700 V canal N Dcc1K0m170g1 to-247

MOSFET de puissance SIC 5 a 1700 V canal N Dcc1K0m170g1 to-247

MOSFET de puissance SIC 5 a 1700 V canal N Dcc1K0m170g1 to-247

MOSFET de puissance SIC 5 a 1700 V canal N Dcc1K0m170g1 to-247

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance SIC 5 a 1700 V canal N Dcc1K0m170g1 to-247

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Standard: Sic

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Nce01np03s NCE N-Channel et P-Channel Enhancement mode MOSFET de puissance avec SOP-8

Nce01np03s NCE N-Channel et P-Channel Enhancement mode MOSFET de puissance avec SOP-8

Nce01np03s NCE N-Channel et P-Channel Enhancement mode MOSFET de puissance avec SOP-8

Nce01np03s NCE N-Channel et P-Channel Enhancement mode MOSFET de puissance avec SOP-8

Nce01np03s NCE N-Channel et P-Channel Enhancement mode MOSFET de puissance avec SOP-8

Nce01np03s NCE N-Channel et P-Channel Enhancement mode MOSFET de puissance avec SOP-8

1/ 6

Collection

Nce01np03s NCE N-Channel et P-Channel Enhancement mode MOSFET de puissance avec SOP-8

0,124-0,143 $US / Pièce

4 000 Pièces (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Paquet: SMD

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: Carton

Standard: SOP-8

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Si2306 30 V avec Sot-23 Juxing 3,5A

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Si2306 30 V avec Sot-23 Juxing 3,5A

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Si2306 30 V avec Sot-23 Juxing 3,5A

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Si2306 30 V avec Sot-23 Juxing 3,5A

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Si2306 30 V avec Sot-23 Juxing 3,5A

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Si2306 30 V avec Sot-23 Juxing 3,5A

1/ 6

Collection

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Si2306 30 V avec Sot-23 Juxing 3,5A

0,0055-0,0156 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Transistor mosfet de puissance à canal N 247 500 V super-IRFPS37N50A

Transistor mosfet de puissance à canal N 247 500 V super-IRFPS37N50A

Transistor mosfet de puissance à canal N 247 500 V super-IRFPS37N50A

Transistor mosfet de puissance à canal N 247 500 V super-IRFPS37N50A

Transistor mosfet de puissance à canal N 247 500 V super-IRFPS37N50A

Transistor mosfet de puissance à canal N 247 500 V super-IRFPS37N50A

1/ 6

Collection

Transistor mosfet de puissance à canal N 247 500 V super-IRFPS37N50A

0,783 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Intensité lumineuse: Standard

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Marque Déposée: Merry

MOSFET de puissance 60 V à canal N amélioré applications alimentation à diodes Wayon-WMS09N06TS

MOSFET de puissance 60 V à canal N amélioré applications alimentation à diodes Wayon-WMS09N06TS

MOSFET de puissance 60 V à canal N amélioré applications alimentation à diodes Wayon-WMS09N06TS

MOSFET de puissance 60 V à canal N amélioré applications alimentation à diodes Wayon-WMS09N06TS

MOSFET de puissance 60 V à canal N amélioré applications alimentation à diodes Wayon-WMS09N06TS

MOSFET de puissance 60 V à canal N amélioré applications alimentation à diodes Wayon-WMS09N06TS

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance 60 V à canal N amélioré applications alimentation à diodes Wayon-WMS09N06TS

0,18-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep60t20 NCE, 60 V 200 A.

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep60t20 NCE, 60 V 200 A.

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep60t20 NCE, 60 V 200 A.

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep60t20 NCE, 60 V 200 A.

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep60t20 NCE, 60 V 200 A.

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep60t20 NCE, 60 V 200 A.

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep60t20 NCE, 60 V 200 A.

0,92-1,058 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: Cardboard Box

150A 150V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DSG059N15na

150A 150V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DSG059N15na

150A 150V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DSG059N15na

150A 150V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DSG059N15na

150A 150V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DSG059N15na

150A 150V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DSG059N15na

1/ 6

Collection

150A 150V N-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance DSG059N15na

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Juxing 0,17A 100 V Bss123 avec SOT-23

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Juxing 0,17A 100 V Bss123 avec SOT-23

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Juxing 0,17A 100 V Bss123 avec SOT-23

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Juxing 0,17A 100 V Bss123 avec SOT-23

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Juxing 0,17A 100 V Bss123 avec SOT-23

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Juxing 0,17A 100 V Bss123 avec SOT-23

1/ 6

Collection

MOSFET à mode d'amélioration de canal N Juxing 0,17A 100 V Bss123 avec SOT-23

0,017-0,0289 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

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MOSFET de puissance Nce4009s NCE à mode d'amélioration canal N

MOSFET de puissance Nce4009s NCE à mode d'amélioration canal N

MOSFET de puissance Nce4009s NCE à mode d'amélioration canal N

MOSFET de puissance Nce4009s NCE à mode d'amélioration canal N

MOSFET de puissance Nce4009s NCE à mode d'amélioration canal N

MOSFET de puissance Nce4009s NCE à mode d'amélioration canal N

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance Nce4009s NCE à mode d'amélioration canal N

0,047-0,055 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: SMD

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: Cardboard Box

Juxing 160A 60V LG160N06AP à canal N Mode d'amélioration de MOSFET avec d-220c

Juxing 160A 60V LG160N06AP à canal N Mode d'amélioration de MOSFET avec d-220c

Juxing 160A 60V LG160N06AP à canal N Mode d'amélioration de MOSFET avec d-220c

Juxing 160A 60V LG160N06AP à canal N Mode d'amélioration de MOSFET avec d-220c

Juxing 160A 60V LG160N06AP à canal N Mode d'amélioration de MOSFET avec d-220c

Juxing 160A 60V LG160N06AP à canal N Mode d'amélioration de MOSFET avec d-220c

1/ 6

Collection

Juxing 160A 60V LG160N06AP à canal N Mode d'amélioration de MOSFET avec d-220c

0,0098-0,2146 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

MOSFET de puissance Super Trench II Ncep10n12K NCE canal N.

MOSFET de puissance Super Trench II Ncep10n12K NCE canal N.

MOSFET de puissance Super Trench II Ncep10n12K NCE canal N.

MOSFET de puissance Super Trench II Ncep10n12K NCE canal N.

MOSFET de puissance Super Trench II Ncep10n12K NCE canal N.

MOSFET de puissance Super Trench II Ncep10n12K NCE canal N.

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance Super Trench II Ncep10n12K NCE canal N.

0,1-1,2 $US / Pièce

2 500 Pièces (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: SMD

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: Cardboard Box

MOSFET mode d'amélioration de canal P Juxing -4.1A -30V Ao3407 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal P Juxing -4.1A -30V Ao3407 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal P Juxing -4.1A -30V Ao3407 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal P Juxing -4.1A -30V Ao3407 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal P Juxing -4.1A -30V Ao3407 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal P Juxing -4.1A -30V Ao3407 avec SOT-23

1/ 6

Collection

MOSFET mode d'amélioration de canal P Juxing -4.1A -30V Ao3407 avec SOT-23

0,017-0,0289 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Nouveau MOSFET de puissance IRF 44A, 100V, 0.030 ohms, canal N Irfp150n

Nouveau MOSFET de puissance IRF 44A, 100V, 0.030 ohms, canal N Irfp150n

Nouveau MOSFET de puissance IRF 44A, 100V, 0.030 ohms, canal N Irfp150n

Nouveau MOSFET de puissance IRF 44A, 100V, 0.030 ohms, canal N Irfp150n

Nouveau MOSFET de puissance IRF 44A, 100V, 0.030 ohms, canal N Irfp150n

Nouveau MOSFET de puissance IRF 44A, 100V, 0.030 ohms, canal N Irfp150n

1/ 6

Collection

Nouveau MOSFET de puissance IRF 44A, 100V, 0.030 ohms, canal N Irfp150n

1,19-2,28 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Pharm-Genics (Jiangsu) Pharmaceutical Equipment Trading Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Application: Produits électroniques

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Intensité lumineuse: Standard

Matériel: Silicium

Emballage: by Sea(Carton)

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) Commutation à grande vitesse TO-263-7L applications de Fetures YJD212060B7GHQ

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) Commutation à grande vitesse TO-263-7L applications de Fetures YJD212060B7GHQ

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) Commutation à grande vitesse TO-263-7L applications de Fetures YJD212060B7GHQ

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) Commutation à grande vitesse TO-263-7L applications de Fetures YJD212060B7GHQ

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) Commutation à grande vitesse TO-263-7L applications de Fetures YJD212060B7GHQ

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) Commutation à grande vitesse TO-263-7L applications de Fetures YJD212060B7GHQ

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) Commutation à grande vitesse TO-263-7L applications de Fetures YJD212060B7GHQ

0,76 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: YJ

Transistor MOSFET de puissance à super jonction à canal N 650 V 11,5 a Nce65t360, Nce65t360d, Nce65t360f

Transistor MOSFET de puissance à super jonction à canal N 650 V 11,5 a Nce65t360, Nce65t360d, Nce65t360f

Transistor MOSFET de puissance à super jonction à canal N 650 V 11,5 a Nce65t360, Nce65t360d, Nce65t360f

Transistor MOSFET de puissance à super jonction à canal N 650 V 11,5 a Nce65t360, Nce65t360d, Nce65t360f

Transistor MOSFET de puissance à super jonction à canal N 650 V 11,5 a Nce65t360, Nce65t360d, Nce65t360f

Transistor MOSFET de puissance à super jonction à canal N 650 V 11,5 a Nce65t360, Nce65t360d, Nce65t360f

1/ 6

Collection

Transistor MOSFET de puissance à super jonction à canal N 650 V 11,5 a Nce65t360, Nce65t360d, Nce65t360f

0,483-0,555 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: Carton

Paire gratuit Applications Fetures MOSFET de puissance d'amélioration de vitesse de commutation rapide Way-sur-WM02DH50M3

Paire gratuit Applications Fetures MOSFET de puissance d'amélioration de vitesse de commutation rapide Way-sur-WM02DH50M3

Paire gratuit Applications Fetures MOSFET de puissance d'amélioration de vitesse de commutation rapide Way-sur-WM02DH50M3

Paire gratuit Applications Fetures MOSFET de puissance d'amélioration de vitesse de commutation rapide Way-sur-WM02DH50M3

Paire gratuit Applications Fetures MOSFET de puissance d'amélioration de vitesse de commutation rapide Way-sur-WM02DH50M3

Paire gratuit Applications Fetures MOSFET de puissance d'amélioration de vitesse de commutation rapide Way-sur-WM02DH50M3

1/ 6

Collection

Paire gratuit Applications Fetures MOSFET de puissance d'amélioration de vitesse de commutation rapide Way-sur-WM02DH50M3

0,08-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

MOSFET de puissance D5n50 to-252b 5 a 500 V à canal N amélioré

MOSFET de puissance D5n50 to-252b 5 a 500 V à canal N amélioré

MOSFET de puissance D5n50 to-252b 5 a 500 V à canal N amélioré

MOSFET de puissance D5n50 to-252b 5 a 500 V à canal N amélioré

MOSFET de puissance D5n50 to-252b 5 a 500 V à canal N amélioré

MOSFET de puissance D5n50 to-252b 5 a 500 V à canal N amélioré

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance D5n50 to-252b 5 a 500 V à canal N amélioré

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tape & Reel

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

-40V MOSFET de puissance canal P faible résistance RDS (on) Low Gate Charger SOP-8 Fetures applications SiliconGear-SGP4028S

-40V MOSFET de puissance canal P faible résistance RDS (on) Low Gate Charger SOP-8 Fetures applications SiliconGear-SGP4028S

-40V MOSFET de puissance canal P faible résistance RDS (on) Low Gate Charger SOP-8 Fetures applications SiliconGear-SGP4028S

-40V MOSFET de puissance canal P faible résistance RDS (on) Low Gate Charger SOP-8 Fetures applications SiliconGear-SGP4028S

-40V MOSFET de puissance canal P faible résistance RDS (on) Low Gate Charger SOP-8 Fetures applications SiliconGear-SGP4028S

-40V MOSFET de puissance canal P faible résistance RDS (on) Low Gate Charger SOP-8 Fetures applications SiliconGear-SGP4028S

1/ 6

Collection

-40V MOSFET de puissance canal P faible résistance RDS (on) Low Gate Charger SOP-8 Fetures applications SiliconGear-SGP4028S

0,18-0,97 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

1/ 3

Collection

30V/20A Ru30d20M2 N-Canal MOSFET de puissance de pointe

0,1-0,13 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Intensité lumineuse: Standard

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Origine: Guangdong, China

MOSFET mode d'amélioration à canal N Juxing 1A 60V 2n7002K avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration à canal N Juxing 1A 60V 2n7002K avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration à canal N Juxing 1A 60V 2n7002K avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration à canal N Juxing 1A 60V 2n7002K avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration à canal N Juxing 1A 60V 2n7002K avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration à canal N Juxing 1A 60V 2n7002K avec SOT-23

1/ 6

Collection

MOSFET mode d'amélioration à canal N Juxing 1A 60V 2n7002K avec SOT-23

0,0051-0,0156 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

-MOSFET de puissance à canal P 20 V pour fournir un excellent RDS(ON) et une grille basse Charge Fetures applications SiliconGear-SGP2010S

-MOSFET de puissance à canal P 20 V pour fournir un excellent RDS(ON) et une grille basse Charge Fetures applications SiliconGear-SGP2010S

-MOSFET de puissance à canal P 20 V pour fournir un excellent RDS(ON) et une grille basse Charge Fetures applications SiliconGear-SGP2010S

-MOSFET de puissance à canal P 20 V pour fournir un excellent RDS(ON) et une grille basse Charge Fetures applications SiliconGear-SGP2010S

-MOSFET de puissance à canal P 20 V pour fournir un excellent RDS(ON) et une grille basse Charge Fetures applications SiliconGear-SGP2010S

-MOSFET de puissance à canal P 20 V pour fournir un excellent RDS(ON) et une grille basse Charge Fetures applications SiliconGear-SGP2010S

1/ 6

Collection

-MOSFET de puissance à canal P 20 V pour fournir un excellent RDS(ON) et une grille basse Charge Fetures applications SiliconGear-SGP2010S

0,16-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

MOSFET de puissance à super jonction canal N NCE65T2K4I NCE

MOSFET de puissance à super jonction canal N NCE65T2K4I NCE

MOSFET de puissance à super jonction canal N NCE65T2K4I NCE

MOSFET de puissance à super jonction canal N NCE65T2K4I NCE

MOSFET de puissance à super jonction canal N NCE65T2K4I NCE

MOSFET de puissance à super jonction canal N NCE65T2K4I NCE

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance à super jonction canal N NCE65T2K4I NCE

0,122-0,143 $US / Pièce

4 000 Pièces (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: Cardboard Box

Canal P MOSFET de puissance de pointe

Canal P MOSFET de puissance de pointe

Canal P MOSFET de puissance de pointe

Canal P MOSFET de puissance de pointe

Canal P MOSFET de puissance de pointe

1/ 5

Collection

Canal P MOSFET de puissance de pointe

0,01-0,02 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Intensité lumineuse: Standard

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Origine: Guangdong, China

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