Accueil Électricité & Électronique Semi-Conducteur Mosfet de puissance 2024 Liste de Produits

Mosfet de puissance

produits trouvés de fabricants et grossistes de confiance

MOSFET de puissance semi-Osg65r038hzf TO247 d'Oriental pour chargeur EV

MOSFET de puissance semi-Osg65r038hzf TO247 d'Oriental pour chargeur EV

MOSFET de puissance semi-Osg65r038hzf TO247 d'Oriental pour chargeur EV

MOSFET de puissance semi-Osg65r038hzf TO247 d'Oriental pour chargeur EV

MOSFET de puissance semi-Osg65r038hzf TO247 d'Oriental pour chargeur EV

MOSFET de puissance semi-Osg65r038hzf TO247 d'Oriental pour chargeur EV

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance semi-Osg65r038hzf TO247 d'Oriental pour chargeur EV

0,2 $US / Pièce

660 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

1/ 4

Collection

-30V/-30Un 12mΩ RU30L30M3 Professional transistor MOSFET de puissance de pointe de gros

0,1-0,13 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

SOP-8 / 60V N-MOSFET de puissance canal Fetures Applications unique charge Silicongear capacitance-DG60N13S

SOP-8 / 60V N-MOSFET de puissance canal Fetures Applications unique charge Silicongear capacitance-DG60N13S

SOP-8 / 60V N-MOSFET de puissance canal Fetures Applications unique charge Silicongear capacitance-DG60N13S

SOP-8 / 60V N-MOSFET de puissance canal Fetures Applications unique charge Silicongear capacitance-DG60N13S

SOP-8 / 60V N-MOSFET de puissance canal Fetures Applications unique charge Silicongear capacitance-DG60N13S

SOP-8 / 60V N-MOSFET de puissance canal Fetures Applications unique charge Silicongear capacitance-DG60N13S

1/ 6

Collection

SOP-8 / 60V N-MOSFET de puissance canal Fetures Applications unique charge Silicongear capacitance-DG60N13S

0,09-1,13 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Nouveaux circuits IC originaux Infineon Ipd50p04p4l11atma2 également connu sous le nom de Ipd50p04p4l-11 Transistor de puissance Optimos-P2 MOSFET automobile à canal P en stock

Nouveaux circuits IC originaux Infineon Ipd50p04p4l11atma2 également connu sous le nom de Ipd50p04p4l-11 Transistor de puissance Optimos-P2 MOSFET automobile à canal P en stock

Nouveaux circuits IC originaux Infineon Ipd50p04p4l11atma2 également connu sous le nom de Ipd50p04p4l-11 Transistor de puissance Optimos-P2 MOSFET automobile à canal P en stock

Nouveaux circuits IC originaux Infineon Ipd50p04p4l11atma2 également connu sous le nom de Ipd50p04p4l-11 Transistor de puissance Optimos-P2 MOSFET automobile à canal P en stock

Nouveaux circuits IC originaux Infineon Ipd50p04p4l11atma2 également connu sous le nom de Ipd50p04p4l-11 Transistor de puissance Optimos-P2 MOSFET automobile à canal P en stock

Nouveaux circuits IC originaux Infineon Ipd50p04p4l11atma2 également connu sous le nom de Ipd50p04p4l-11 Transistor de puissance Optimos-P2 MOSFET automobile à canal P en stock

1/ 6

Collection

Nouveaux circuits IC originaux Infineon Ipd50p04p4l11atma2 également connu sous le nom de Ipd50p04p4l-11 Transistor de puissance Optimos-P2 MOSFET automobile à canal P en stock

0,38-0,45 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

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Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Semiconductor IC

Emballage: T/R

Standard: 40V 50A

Marque Déposée: Infineon

Origine: Original

Silicongear DG100N03S PON-8 VDSS=100V RDS(ON) max. VGS=10V 7.8mΩ ID=13A de la DG-FET™ 100V N-Canal MOSFET de puissance

Silicongear DG100N03S PON-8 VDSS=100V RDS(ON) max. VGS=10V 7.8mΩ ID=13A de la DG-FET™ 100V N-Canal MOSFET de puissance

Silicongear DG100N03S PON-8 VDSS=100V RDS(ON) max. VGS=10V 7.8mΩ ID=13A de la DG-FET™ 100V N-Canal MOSFET de puissance

Silicongear DG100N03S PON-8 VDSS=100V RDS(ON) max. VGS=10V 7.8mΩ ID=13A de la DG-FET™ 100V N-Canal MOSFET de puissance

Silicongear DG100N03S PON-8 VDSS=100V RDS(ON) max. VGS=10V 7.8mΩ ID=13A de la DG-FET™ 100V N-Canal MOSFET de puissance

Silicongear DG100N03S PON-8 VDSS=100V RDS(ON) max. VGS=10V 7.8mΩ ID=13A de la DG-FET™ 100V N-Canal MOSFET de puissance

1/ 6

Collection

Silicongear DG100N03S PON-8 VDSS=100V RDS(ON) max. VGS=10V 7.8mΩ ID=13A de la DG-FET™ 100V N-Canal MOSFET de puissance

0,98-1,00 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

LSGN10R042 DFN5X6 MOSFET DE PUISSANCE 100 V, 107A, 4,35 MΩ CANAL N

LSGN10R042 DFN5X6 MOSFET DE PUISSANCE 100 V, 107A, 4,35 MΩ CANAL N

LSGN10R042 DFN5X6 MOSFET DE PUISSANCE 100 V, 107A, 4,35 MΩ CANAL N

LSGN10R042 DFN5X6 MOSFET DE PUISSANCE 100 V, 107A, 4,35 MΩ CANAL N

LSGN10R042 DFN5X6 MOSFET DE PUISSANCE 100 V, 107A, 4,35 MΩ CANAL N

LSGN10R042 DFN5X6 MOSFET DE PUISSANCE 100 V, 107A, 4,35 MΩ CANAL N

1/ 6

Collection

LSGN10R042 DFN5X6 MOSFET DE PUISSANCE 100 V, 107A, 4,35 MΩ CANAL N

0,236 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Intensité lumineuse: Standard

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Marque Déposée: Merry

MOSFET de puissance 7n70 to-220f à mode d'amélioration de canal N 700 V.

MOSFET de puissance 7n70 to-220f à mode d'amélioration de canal N 700 V.

MOSFET de puissance 7n70 to-220f à mode d'amélioration de canal N 700 V.

MOSFET de puissance 7n70 to-220f à mode d'amélioration de canal N 700 V.

MOSFET de puissance 7n70 to-220f à mode d'amélioration de canal N 700 V.

MOSFET de puissance 7n70 to-220f à mode d'amélioration de canal N 700 V.

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance 7n70 to-220f à mode d'amélioration de canal N 700 V.

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tape & Reel

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Le WMS15P02T1 20V P-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance

Le WMS15P02T1 20V P-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance

Le WMS15P02T1 20V P-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance

Le WMS15P02T1 20V P-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance

Le WMS15P02T1 20V P-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance

Le WMS15P02T1 20V P-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance

1/ 6

Collection

Le WMS15P02T1 20V P-canal en mode d'amélioration de MOSFET de puissance

0,2-0,5 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Emballage: Plastic Package

Standard: PDFN3030-8L

Origine: Guangdong, China

Capacité de Production: 10000 Pieces/Day

MOSFET de puissance 252 a 30V mode d'amélioration canal N DHD20n03 to-25

MOSFET de puissance 252 a 30V mode d'amélioration canal N DHD20n03 to-25

MOSFET de puissance 252 a 30V mode d'amélioration canal N DHD20n03 to-25

MOSFET de puissance 252 a 30V mode d'amélioration canal N DHD20n03 to-25

MOSFET de puissance 252 a 30V mode d'amélioration canal N DHD20n03 to-25

MOSFET de puissance 252 a 30V mode d'amélioration canal N DHD20n03 to-25

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance 252 a 30V mode d'amélioration canal N DHD20n03 to-25

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tape & Reel

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

MOSFET mode d'amélioration de canal N Juxing -4.2A -30V Ao3401 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal N Juxing -4.2A -30V Ao3401 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal N Juxing -4.2A -30V Ao3401 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal N Juxing -4.2A -30V Ao3401 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal N Juxing -4.2A -30V Ao3401 avec SOT-23

MOSFET mode d'amélioration de canal N Juxing -4.2A -30V Ao3401 avec SOT-23

1/ 6

Collection

MOSFET mode d'amélioration de canal N Juxing -4.2A -30V Ao3401 avec SOT-23

0,0055-0,0156 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

MOSFET de puissance SIC 1 15A 1 200 V canal N Dhc2m016120q to-247-4

MOSFET de puissance SIC 1 15A 1 200 V canal N Dhc2m016120q to-247-4

MOSFET de puissance SIC 1 15A 1 200 V canal N Dhc2m016120q to-247-4

MOSFET de puissance SIC 1 15A 1 200 V canal N Dhc2m016120q to-247-4

MOSFET de puissance SIC 1 15A 1 200 V canal N Dhc2m016120q to-247-4

MOSFET de puissance SIC 1 15A 1 200 V canal N Dhc2m016120q to-247-4

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance SIC 1 15A 1 200 V canal N Dhc2m016120q to-247-4

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541100000

650V/17.7Un 210mΩ HCFL65R210 N-Canal MOSFET de puissance de pointe

650V/17.7Un 210mΩ HCFL65R210 N-Canal MOSFET de puissance de pointe

650V/17.7Un 210mΩ HCFL65R210 N-Canal MOSFET de puissance de pointe

650V/17.7Un 210mΩ HCFL65R210 N-Canal MOSFET de puissance de pointe

650V/17.7Un 210mΩ HCFL65R210 N-Canal MOSFET de puissance de pointe

1/ 5

Collection

650V/17.7Un 210mΩ HCFL65R210 N-Canal MOSFET de puissance de pointe

0,48-0,49 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

MOSFET à diode à récupération rapide VDS 650V RDS99mΩ PC Power

MOSFET à diode à récupération rapide VDS 650V RDS99mΩ PC Power

MOSFET à diode à récupération rapide VDS 650V RDS99mΩ PC Power

MOSFET à diode à récupération rapide VDS 650V RDS99mΩ PC Power

MOSFET à diode à récupération rapide VDS 650V RDS99mΩ PC Power

MOSFET à diode à récupération rapide VDS 650V RDS99mΩ PC Power

1/ 6

Collection

MOSFET à diode à récupération rapide VDS 650V RDS99mΩ PC Power

0,2 $US / Pièce

660 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

MOSFET de puissance 120A 60V mode d'amélioration canal N D3205 to-220

MOSFET de puissance 120A 60V mode d'amélioration canal N D3205 to-220

MOSFET de puissance 120A 60V mode d'amélioration canal N D3205 to-220

MOSFET de puissance 120A 60V mode d'amélioration canal N D3205 to-220

MOSFET de puissance 120A 60V mode d'amélioration canal N D3205 to-220

MOSFET de puissance 120A 60V mode d'amélioration canal N D3205 to-220

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance 120A 60V mode d'amélioration canal N D3205 to-220

0,01-0,2 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Boîtier IRF140NPBF TO-247AC MOSFET de puissance HEXFET 100 V 33 A.

Boîtier IRF140NPBF TO-247AC MOSFET de puissance HEXFET 100 V 33 A.

Boîtier IRF140NPBF TO-247AC MOSFET de puissance HEXFET 100 V 33 A.

Boîtier IRF140NPBF TO-247AC MOSFET de puissance HEXFET 100 V 33 A.

Boîtier IRF140NPBF TO-247AC MOSFET de puissance HEXFET 100 V 33 A.

Boîtier IRF140NPBF TO-247AC MOSFET de puissance HEXFET 100 V 33 A.

1/ 6

Collection

Boîtier IRF140NPBF TO-247AC MOSFET de puissance HEXFET 100 V 33 A.

0,845 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Application: Produits électroniques

certificat: RoHS,CE,ISO

Intensité lumineuse: Standard

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep1545AG NCE 45A 150 V.

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep1545AG NCE 45A 150 V.

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep1545AG NCE 45A 150 V.

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep1545AG NCE 45A 150 V.

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep1545AG NCE 45A 150 V.

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep1545AG NCE 45A 150 V.

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance super Trench canal N Ncep1545AG NCE 45A 150 V.

0,305-0,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: SMD

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: Carton

MOSFET à mode d'amélioration de canal N 23 30 V A03400 de Juxing 5,8A avec SOT-30

MOSFET à mode d'amélioration de canal N 23 30 V A03400 de Juxing 5,8A avec SOT-30

MOSFET à mode d'amélioration de canal N 23 30 V A03400 de Juxing 5,8A avec SOT-30

MOSFET à mode d'amélioration de canal N 23 30 V A03400 de Juxing 5,8A avec SOT-30

MOSFET à mode d'amélioration de canal N 23 30 V A03400 de Juxing 5,8A avec SOT-30

MOSFET à mode d'amélioration de canal N 23 30 V A03400 de Juxing 5,8A avec SOT-30

1/ 6

Collection

MOSFET à mode d'amélioration de canal N 23 30 V A03400 de Juxing 5,8A avec SOT-30

0,0051-0,0156 $US / Pièce

3 000 Pièces (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

MOSFET de puissance D1n60 to-252 à canal N 0,8 a 600 V.

MOSFET de puissance D1n60 to-252 à canal N 0,8 a 600 V.

MOSFET de puissance D1n60 to-252 à canal N 0,8 a 600 V.

MOSFET de puissance D1n60 to-252 à canal N 0,8 a 600 V.

MOSFET de puissance D1n60 to-252 à canal N 0,8 a 600 V.

MOSFET de puissance D1n60 to-252 à canal N 0,8 a 600 V.

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance D1n60 to-252 à canal N 0,8 a 600 V.

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tape & Reel

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) VDS:1200V / ID(25°C):33A / RDS(on): 80mΩ / TO-247-AB applications de FET YJD212080NCTGHQ

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) VDS:1200V / ID(25°C):33A / RDS(on): 80mΩ / TO-247-AB applications de FET YJD212080NCTGHQ

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) VDS:1200V / ID(25°C):33A / RDS(on): 80mΩ / TO-247-AB applications de FET YJD212080NCTGHQ

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) VDS:1200V / ID(25°C):33A / RDS(on): 80mΩ / TO-247-AB applications de FET YJD212080NCTGHQ

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) VDS:1200V / ID(25°C):33A / RDS(on): 80mΩ / TO-247-AB applications de FET YJD212080NCTGHQ

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) VDS:1200V / ID(25°C):33A / RDS(on): 80mΩ / TO-247-AB applications de FET YJD212080NCTGHQ

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) VDS:1200V / ID(25°C):33A / RDS(on): 80mΩ / TO-247-AB applications de FET YJD212080NCTGHQ

0,79 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: YJ

MOSFET de puissance à super jonction 8 a 800 V canal N Djg660n80e to-220c

MOSFET de puissance à super jonction 8 a 800 V canal N Djg660n80e to-220c

MOSFET de puissance à super jonction 8 a 800 V canal N Djg660n80e to-220c

MOSFET de puissance à super jonction 8 a 800 V canal N Djg660n80e to-220c

MOSFET de puissance à super jonction 8 a 800 V canal N Djg660n80e to-220c

MOSFET de puissance à super jonction 8 a 800 V canal N Djg660n80e to-220c

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance à super jonction 8 a 800 V canal N Djg660n80e to-220c

0,22 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) VDS:1200V / ID(25°C):38A / RDS(on): 80mΩ / TO-247-AB applications des engrais YJD212080NCTG1Q

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) VDS:1200V / ID(25°C):38A / RDS(on): 80mΩ / TO-247-AB applications des engrais YJD212080NCTG1Q

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) VDS:1200V / ID(25°C):38A / RDS(on): 80mΩ / TO-247-AB applications des engrais YJD212080NCTG1Q

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) VDS:1200V / ID(25°C):38A / RDS(on): 80mΩ / TO-247-AB applications des engrais YJD212080NCTG1Q

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) VDS:1200V / ID(25°C):38A / RDS(on): 80mΩ / TO-247-AB applications des engrais YJD212080NCTG1Q

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) VDS:1200V / ID(25°C):38A / RDS(on): 80mΩ / TO-247-AB applications des engrais YJD212080NCTG1Q

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) VDS:1200V / ID(25°C):38A / RDS(on): 80mΩ / TO-247-AB applications des engrais YJD212080NCTG1Q

0,78 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: YJ

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) VDS-650V ID(25°C)- 60A RDS(on)-60mΩ TO-247-4L Fetures applications YJD206560NCFGHQ

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) VDS-650V ID(25°C)- 60A RDS(on)-60mΩ TO-247-4L Fetures applications YJD206560NCFGHQ

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) VDS-650V ID(25°C)- 60A RDS(on)-60mΩ TO-247-4L Fetures applications YJD206560NCFGHQ

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) VDS-650V ID(25°C)- 60A RDS(on)-60mΩ TO-247-4L Fetures applications YJD206560NCFGHQ

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) VDS-650V ID(25°C)- 60A RDS(on)-60mΩ TO-247-4L Fetures applications YJD206560NCFGHQ

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) VDS-650V ID(25°C)- 60A RDS(on)-60mΩ TO-247-4L Fetures applications YJD206560NCFGHQ

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MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) VDS-650V ID(25°C)- 60A RDS(on)-60mΩ TO-247-4L Fetures applications YJD206560NCFGHQ

0,81 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: YJ

IRF7480MTRPBF IRF7480M MOSFET de puissance HEXFET à canal N simple 40 V.

IRF7480MTRPBF IRF7480M MOSFET de puissance HEXFET à canal N simple 40 V.

IRF7480MTRPBF IRF7480M MOSFET de puissance HEXFET à canal N simple 40 V.

IRF7480MTRPBF IRF7480M MOSFET de puissance HEXFET à canal N simple 40 V.

IRF7480MTRPBF IRF7480M MOSFET de puissance HEXFET à canal N simple 40 V.

IRF7480MTRPBF IRF7480M MOSFET de puissance HEXFET à canal N simple 40 V.

1/ 6

Collection

IRF7480MTRPBF IRF7480M MOSFET de puissance HEXFET à canal N simple 40 V.

0,75-200,00 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

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Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Semiconductor IC

Emballage: Box

Origine: China

Code SH: 8542390000

Capacité de Production: 1000000PCS

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) Tension de blocage élevée TO-247-4L applications de futures YJD212040NCFG1Q

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) Tension de blocage élevée TO-247-4L applications de futures YJD212040NCFG1Q

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) Tension de blocage élevée TO-247-4L applications de futures YJD212040NCFG1Q

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) Tension de blocage élevée TO-247-4L applications de futures YJD212040NCFG1Q

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) Tension de blocage élevée TO-247-4L applications de futures YJD212040NCFG1Q

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) Tension de blocage élevée TO-247-4L applications de futures YJD212040NCFG1Q

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance au carbure de silicium (amélioration du canal N) Tension de blocage élevée TO-247-4L applications de futures YJD212040NCFG1Q

0,83 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fonction: Commutateur Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: YJ

100V/80A Ruh1h80r N-Canal MOSFET de puissance de pointe

100V/80A Ruh1h80r N-Canal MOSFET de puissance de pointe

100V/80A Ruh1h80r N-Canal MOSFET de puissance de pointe

100V/80A Ruh1h80r N-Canal MOSFET de puissance de pointe

100V/80A Ruh1h80r N-Canal MOSFET de puissance de pointe

100V/80A Ruh1h80r N-Canal MOSFET de puissance de pointe

1/ 6

Collection

100V/80A Ruh1h80r N-Canal MOSFET de puissance de pointe

0,1-0,13 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Intensité lumineuse: Standard

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Origine: Guangdong, China

MOSFET de puissance 100 V canal N faible résistance à l'allumage faible capacité d'entrée Applications TO-220 SiliconGear-SG100N05P

MOSFET de puissance 100 V canal N faible résistance à l'allumage faible capacité d'entrée Applications TO-220 SiliconGear-SG100N05P

MOSFET de puissance 100 V canal N faible résistance à l'allumage faible capacité d'entrée Applications TO-220 SiliconGear-SG100N05P

MOSFET de puissance 100 V canal N faible résistance à l'allumage faible capacité d'entrée Applications TO-220 SiliconGear-SG100N05P

MOSFET de puissance 100 V canal N faible résistance à l'allumage faible capacité d'entrée Applications TO-220 SiliconGear-SG100N05P

MOSFET de puissance 100 V canal N faible résistance à l'allumage faible capacité d'entrée Applications TO-220 SiliconGear-SG100N05P

1/ 6

Collection

MOSFET de puissance 100 V canal N faible résistance à l'allumage faible capacité d'entrée Applications TO-220 SiliconGear-SG100N05P

0,08-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Niveau d'énergie: Small Power

Matériel: Silicium

SGN3055V 30 V N-canal siliconegear MOSFET de puissance

SGN3055V 30 V N-canal siliconegear MOSFET de puissance

SGN3055V 30 V N-canal siliconegear MOSFET de puissance

SGN3055V 30 V N-canal siliconegear MOSFET de puissance

SGN3055V 30 V N-canal siliconegear MOSFET de puissance

1/ 5

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SGN3055V 30 V N-canal siliconegear MOSFET de puissance

0,18-0,2 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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forme: TREMPER

Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Thick Film IC

Emballage: Plastic Package

Standard: PDFN 3.3 x 3.3-8L

Marque Déposée: Merryelc

MOSFET de puissance Nce60p04sn NCE mode d'amélioration du canal P

MOSFET de puissance Nce60p04sn NCE mode d'amélioration du canal P

MOSFET de puissance Nce60p04sn NCE mode d'amélioration du canal P

MOSFET de puissance Nce60p04sn NCE mode d'amélioration du canal P

MOSFET de puissance Nce60p04sn NCE mode d'amélioration du canal P

MOSFET de puissance Nce60p04sn NCE mode d'amélioration du canal P

1/ 6

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MOSFET de puissance Nce60p04sn NCE mode d'amélioration du canal P

0,0867-0,12 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type P

Paquet: SMD

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: Cardboard Box

180A 68V N-Canal MOSFET de puissance en mode d'amélioration de la DHS026N06e pour l-263

180A 68V N-Canal MOSFET de puissance en mode d'amélioration de la DHS026N06e pour l-263

180A 68V N-Canal MOSFET de puissance en mode d'amélioration de la DHS026N06e pour l-263

180A 68V N-Canal MOSFET de puissance en mode d'amélioration de la DHS026N06e pour l-263

180A 68V N-Canal MOSFET de puissance en mode d'amélioration de la DHS026N06e pour l-263

180A 68V N-Canal MOSFET de puissance en mode d'amélioration de la DHS026N06e pour l-263

1/ 6

Collection

180A 68V N-Canal MOSFET de puissance en mode d'amélioration de la DHS026N06e pour l-263

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tape & Reel

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

PDFN 5*6-8L 100V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Fetures Applications Faible Faible Charge Miller Silicongear-SG100N03Q

PDFN 5*6-8L 100V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Fetures Applications Faible Faible Charge Miller Silicongear-SG100N03Q

PDFN 5*6-8L 100V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Fetures Applications Faible Faible Charge Miller Silicongear-SG100N03Q

PDFN 5*6-8L 100V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Fetures Applications Faible Faible Charge Miller Silicongear-SG100N03Q

PDFN 5*6-8L 100V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Fetures Applications Faible Faible Charge Miller Silicongear-SG100N03Q

PDFN 5*6-8L 100V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Fetures Applications Faible Faible Charge Miller Silicongear-SG100N03Q

1/ 6

Collection

PDFN 5*6-8L 100V N-MOSFET de puissance canal On-Resistance Fetures Applications Faible Faible Charge Miller Silicongear-SG100N03Q

0,15-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

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