Accueil Électricité & Électronique Triode La centrale de Darlington transistor de puissance 2024 Liste de Produits

La centrale de Darlington transistor de puissance

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Transistors MOSFET Sqs181elnw-T1 PowerPak 1212-8sw 31mohm 10V 48mohm 4,5V

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Transistors MOSFET Sqs181elnw-T1 PowerPak 1212-8sw 31mohm 10V 48mohm 4,5V

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Composants électroniques Irfr320trpbf-Be3 transistors MOSFET Irfr320trpbf 400 V.

Composants électroniques Irfr320trpbf-Be3 transistors MOSFET Irfr320trpbf 400 V.

Composants électroniques Irfr320trpbf-Be3 transistors MOSFET Irfr320trpbf 400 V.

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Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors Iaua250n04s6n007euma1 700uohms 380A 40V électronique

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Transistors Iaua250n04s6n007euma1 700uohms 380A 40V électronique

Transistors Iaua250n04s6n007euma1 700uohms 380A 40V électronique

Transistors Iaua250n04s6n007euma1 700uohms 380A 40V électronique

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Black Silver Le transistor du radiateur de refroidissement en aluminium dissipateur thermique du dissipateur de chaleur

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Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Emballage: Standard

Transistors MOSFET Dmws120h100sm4 SIC Bvdss 1000V TO247-4 tube 30PS

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors MOSFET N-CH 80V 300A Hsoof-8 Ipt012n08n5atma1 CMS/CMS

Transistors MOSFET N-CH 80V 300A Hsoof-8 Ipt012n08n5atma1 CMS/CMS

Transistors MOSFET N-CH 80V 300A Hsoof-8 Ipt012n08n5atma1 CMS/CMS

Transistors MOSFET N-CH 80V 300A Hsoof-8 Ipt012n08n5atma1 CMS/CMS

Transistors MOSFET N-CH 80V 300A Hsoof-8 Ipt012n08n5atma1 CMS/CMS

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Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Igw50n65H5 Les composants chauds Transistor Igw50n65f5 pour l'IGW-247-350n60t'IGW50n60H3

Igw50n65H5 Les composants chauds Transistor Igw50n65f5 pour l'IGW-247-350n60t'IGW50n60H3

Igw50n65H5 Les composants chauds Transistor Igw50n65f5 pour l'IGW-247-350n60t'IGW50n60H3

Igw50n65H5 Les composants chauds Transistor Igw50n65f5 pour l'IGW-247-350n60t'IGW50n60H3

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Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

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Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Irfr5505trpbf Irfr5410trpbf transistors Irfr5305trpbf to-252-2

Irfr5505trpbf Irfr5410trpbf transistors Irfr5305trpbf to-252-2

Irfr5505trpbf Irfr5410trpbf transistors Irfr5305trpbf to-252-2

Irfr5505trpbf Irfr5410trpbf transistors Irfr5305trpbf to-252-2

Irfr5505trpbf Irfr5410trpbf transistors Irfr5305trpbf to-252-2

Irfr5505trpbf Irfr5410trpbf transistors Irfr5305trpbf to-252-2

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Irfr5505trpbf Irfr5410trpbf transistors Irfr5305trpbf to-252-2

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Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

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Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors Ipb023n04NF2satma1 D2PAK-3 2.35 Mohms 122A 40V Electronics

Transistors Ipb023n04NF2satma1 D2PAK-3 2.35 Mohms 122A 40V Electronics

Transistors Ipb023n04NF2satma1 D2PAK-3 2.35 Mohms 122A 40V Electronics

Transistors Ipb023n04NF2satma1 D2PAK-3 2.35 Mohms 122A 40V Electronics

Transistors Ipb023n04NF2satma1 D2PAK-3 2.35 Mohms 122A 40V Electronics

Transistors Ipb023n04NF2satma1 D2PAK-3 2.35 Mohms 122A 40V Electronics

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors Ipf012n06NF2satma1 to-263-7 1.2 Mohms 60V 282A

Transistors Ipf012n06NF2satma1 to-263-7 1.2 Mohms 60V 282A

Transistors Ipf012n06NF2satma1 to-263-7 1.2 Mohms 60V 282A

Transistors Ipf012n06NF2satma1 to-263-7 1.2 Mohms 60V 282A

Transistors Ipf012n06NF2satma1 to-263-7 1.2 Mohms 60V 282A

Transistors Ipf012n06NF2satma1 to-263-7 1.2 Mohms 60V 282A

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Transistors Ipf012n06NF2satma1 to-263-7 1.2 Mohms 60V 282A

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

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Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Electronique Iaucn04s7n005atma1 550 Uohms 414A transistors PG-Tdson-8 40 V.

Electronique Iaucn04s7n005atma1 550 Uohms 414A transistors PG-Tdson-8 40 V.

Electronique Iaucn04s7n005atma1 550 Uohms 414A transistors PG-Tdson-8 40 V.

Electronique Iaucn04s7n005atma1 550 Uohms 414A transistors PG-Tdson-8 40 V.

Electronique Iaucn04s7n005atma1 550 Uohms 414A transistors PG-Tdson-8 40 V.

Electronique Iaucn04s7n005atma1 550 Uohms 414A transistors PG-Tdson-8 40 V.

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Electronique Iaucn04s7n005atma1 550 Uohms 414A transistors PG-Tdson-8 40 V.

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Slj32PDA032X6 Slj COM8.4p32PDA032X6 Slj COM8.4p32PDA032X6 Transistor COM8.4 SMD-DIP

Slj32PDA032X6 Slj COM8.4p32PDA032X6 Slj COM8.4p32PDA032X6 Transistor COM8.4 SMD-DIP

Slj32PDA032X6 Slj COM8.4p32PDA032X6 Slj COM8.4p32PDA032X6 Transistor COM8.4 SMD-DIP

Slj32PDA032X6 Slj COM8.4p32PDA032X6 Slj COM8.4p32PDA032X6 Transistor COM8.4 SMD-DIP

Slj32PDA032X6 Slj COM8.4p32PDA032X6 Slj COM8.4p32PDA032X6 Transistor COM8.4 SMD-DIP

Slj32PDA032X6 Slj COM8.4p32PDA032X6 Slj COM8.4p32PDA032X6 Transistor COM8.4 SMD-DIP

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Slj32PDA032X6 Slj COM8.4p32PDA032X6 Slj COM8.4p32PDA032X6 Transistor COM8.4 SMD-DIP

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Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode

Ipb014n04NF2satma1 D2PAK-3 MOSFET 1.45 Mohms 191 a 40 V transistors

Ipb014n04NF2satma1 D2PAK-3 MOSFET 1.45 Mohms 191 a 40 V transistors

Ipb014n04NF2satma1 D2PAK-3 MOSFET 1.45 Mohms 191 a 40 V transistors

Ipb014n04NF2satma1 D2PAK-3 MOSFET 1.45 Mohms 191 a 40 V transistors

Ipb014n04NF2satma1 D2PAK-3 MOSFET 1.45 Mohms 191 a 40 V transistors

Ipb014n04NF2satma1 D2PAK-3 MOSFET 1.45 Mohms 191 a 40 V transistors

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Ipb014n04NF2satma1 D2PAK-3 MOSFET 1.45 Mohms 191 a 40 V transistors

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Fgh80n60 IGBT 80n60 Transistor de puissance élevée Fgh80n60fd

Fgh80n60 IGBT 80n60 Transistor de puissance élevée Fgh80n60fd

Fgh80n60 IGBT 80n60 Transistor de puissance élevée Fgh80n60fd

Fgh80n60 IGBT 80n60 Transistor de puissance élevée Fgh80n60fd

Fgh80n60 IGBT 80n60 Transistor de puissance élevée Fgh80n60fd

Fgh80n60 IGBT 80n60 Transistor de puissance élevée Fgh80n60fd

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Fgh80n60 IGBT 80n60 Transistor de puissance élevée Fgh80n60fd

0,7 $US / Pièce

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Emballage: Carton

Original BC847C 1G SOT-23 45V 0,1A transistor NPN SMD BC847UN BC847B BC847c

Original BC847C 1G SOT-23 45V 0,1A transistor NPN SMD BC847UN BC847B BC847c

Original BC847C 1G SOT-23 45V 0,1A transistor NPN SMD BC847UN BC847B BC847c

Original BC847C 1G SOT-23 45V 0,1A transistor NPN SMD BC847UN BC847B BC847c

Original BC847C 1G SOT-23 45V 0,1A transistor NPN SMD BC847UN BC847B BC847c

Original BC847C 1G SOT-23 45V 0,1A transistor NPN SMD BC847UN BC847B BC847c

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Original BC847C 1G SOT-23 45V 0,1A transistor NPN SMD BC847UN BC847B BC847c

0,004-0,02 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Emballage: Tube

1/ 4

Collection

Transistor de puissance bipolaires pnp 3 a 100 V 40 W Astuce32c en stock

0,14-0,711 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

50V 150mA à-92 Amplificateur de puissance un transistor PNP1015 2SA1015

50V 150mA à-92 Amplificateur de puissance un transistor PNP1015 2SA1015

50V 150mA à-92 Amplificateur de puissance un transistor PNP1015 2SA1015

50V 150mA à-92 Amplificateur de puissance un transistor PNP1015 2SA1015

50V 150mA à-92 Amplificateur de puissance un transistor PNP1015 2SA1015

50V 150mA à-92 Amplificateur de puissance un transistor PNP1015 2SA1015

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50V 150mA à-92 Amplificateur de puissance un transistor PNP1015 2SA1015

0,02 $US / Pièce

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Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode

Emballage: Roll

Standard: Plastic and copper

Marque Déposée: CHN

Origine: China

2SA1540 A1540 Transistor PNP à-126 200V 0,1A

2SA1540 A1540 Transistor PNP à-126 200V 0,1A

2SA1540 A1540 Transistor PNP à-126 200V 0,1A

2SA1540 A1540 Transistor PNP à-126 200V 0,1A

2SA1540 A1540 Transistor PNP à-126 200V 0,1A

2SA1540 A1540 Transistor PNP à-126 200V 0,1A

1/ 6

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2SA1540 A1540 Transistor PNP à-126 200V 0,1A

0,39-0,996 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

1/ 4

Collection

Lsn2803 Inline DIP18 Transistor Darlington puce driver

0,6-2,12 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode

Structure: NPN

Origine: China

Transistor de puissance d'origine d'-126 BD681 BD682

Transistor de puissance d'origine d'-126 BD681 BD682

Transistor de puissance d'origine d'-126 BD681 BD682

Transistor de puissance d'origine d'-126 BD681 BD682

Transistor de puissance d'origine d'-126 BD681 BD682

Transistor de puissance d'origine d'-126 BD681 BD682

1/ 6

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Transistor de puissance d'origine d'-126 BD681 BD682

0,06-0,07 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Emballage: Roll

Standard: Plastic and copper

Marque Déposée: CHN

600V 100A à-247 Transistor IGBT Ikw50n60H3

600V 100A à-247 Transistor IGBT Ikw50n60H3

600V 100A à-247 Transistor IGBT Ikw50n60H3

600V 100A à-247 Transistor IGBT Ikw50n60H3

600V 100A à-247 Transistor IGBT Ikw50n60H3

600V 100A à-247 Transistor IGBT Ikw50n60H3

1/ 6

Collection

600V 100A à-247 Transistor IGBT Ikw50n60H3

3,41-4,79 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

La Chine fabricant original IC Diode transistor MOSFET Triode GT50J101

La Chine fabricant original IC Diode transistor MOSFET Triode GT50J101

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Collection

La Chine fabricant original IC Diode transistor MOSFET Triode GT50J101

0,5-5,00 $US / Pièce

20 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode

Emballage: Tube

Transistor de puissance Sot-23 70 V CMS Bav70 A4 0,2 A.

Transistor de puissance Sot-23 70 V CMS Bav70 A4 0,2 A.

Transistor de puissance Sot-23 70 V CMS Bav70 A4 0,2 A.

Transistor de puissance Sot-23 70 V CMS Bav70 A4 0,2 A.

Transistor de puissance Sot-23 70 V CMS Bav70 A4 0,2 A.

Transistor de puissance Sot-23 70 V CMS Bav70 A4 0,2 A.

1/ 6

Collection

Transistor de puissance Sot-23 70 V CMS Bav70 A4 0,2 A.

0,0045 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Transistor d'isolation pour photocoupleur SoP4 CMS Fod814asd 814A

Transistor d'isolation pour photocoupleur SoP4 CMS Fod814asd 814A

Transistor d'isolation pour photocoupleur SoP4 CMS Fod814asd 814A

Transistor d'isolation pour photocoupleur SoP4 CMS Fod814asd 814A

Transistor d'isolation pour photocoupleur SoP4 CMS Fod814asd 814A

Transistor d'isolation pour photocoupleur SoP4 CMS Fod814asd 814A

1/ 6

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Transistor d'isolation pour photocoupleur SoP4 CMS Fod814asd 814A

0,65-1,39 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode

Structure: PNP

Triode de puissance 120V 10A 2sb778 2SD998 transistor B778 D998

Triode de puissance 120V 10A 2sb778 2SD998 transistor B778 D998

Triode de puissance 120V 10A 2sb778 2SD998 transistor B778 D998

Triode de puissance 120V 10A 2sb778 2SD998 transistor B778 D998

Triode de puissance 120V 10A 2sb778 2SD998 transistor B778 D998

Triode de puissance 120V 10A 2sb778 2SD998 transistor B778 D998

1/ 6

Collection

Triode de puissance 120V 10A 2sb778 2SD998 transistor B778 D998

0,6-0,75 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Fréquence de travail: Basse fréquence

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode

Structure: La diffusion

Matériel: Silicium

1A 160V transistor PNP UN1013 épitaxiale de silicium de type 2SA1013

1A 160V transistor PNP UN1013 épitaxiale de silicium de type 2SA1013

1A 160V transistor PNP UN1013 épitaxiale de silicium de type 2SA1013

1A 160V transistor PNP UN1013 épitaxiale de silicium de type 2SA1013

1A 160V transistor PNP UN1013 épitaxiale de silicium de type 2SA1013

1A 160V transistor PNP UN1013 épitaxiale de silicium de type 2SA1013

1/ 6

Collection

1A 160V transistor PNP UN1013 épitaxiale de silicium de type 2SA1013

0,03 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode

Structure: La diffusion

Emballage: Tube

Ipp075N15N3G N-Canal transistor de puissance MOS de puissance 60V 120A à220

Ipp075N15N3G N-Canal transistor de puissance MOS de puissance 60V 120A à220

Ipp075N15N3G N-Canal transistor de puissance MOS de puissance 60V 120A à220

Ipp075N15N3G N-Canal transistor de puissance MOS de puissance 60V 120A à220

Ipp075N15N3G N-Canal transistor de puissance MOS de puissance 60V 120A à220

Ipp075N15N3G N-Canal transistor de puissance MOS de puissance 60V 120A à220

1/ 6

Collection

Ipp075N15N3G N-Canal transistor de puissance MOS de puissance 60V 120A à220

0,8-1,5 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: La diffusion

Marque Déposée: Infineon

Ikw20n60t K20t60 20A 600V pour-247 Transistor de puissance de l'IGBT

Ikw20n60t K20t60 20A 600V pour-247 Transistor de puissance de l'IGBT

Ikw20n60t K20t60 20A 600V pour-247 Transistor de puissance de l'IGBT

Ikw20n60t K20t60 20A 600V pour-247 Transistor de puissance de l'IGBT

Ikw20n60t K20t60 20A 600V pour-247 Transistor de puissance de l'IGBT

Ikw20n60t K20t60 20A 600V pour-247 Transistor de puissance de l'IGBT

1/ 6

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Ikw20n60t K20t60 20A 600V pour-247 Transistor de puissance de l'IGBT

0,3-2,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode

Structure: Alliage

Matériel: Silicium

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