Accueil Électricité & Électronique Circuit Intégré Transistor bipolaire 2024 Liste de Produits

Transistor bipolaire

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Transistor bipolaire à nouveau et original PNP SA940 150V 2A940 2SC2073 C2073

Transistor bipolaire à nouveau et original PNP SA940 150V 2A940 2SC2073 C2073

Transistor bipolaire à nouveau et original PNP SA940 150V 2A940 2SC2073 C2073

Transistor bipolaire à nouveau et original PNP SA940 150V 2A940 2SC2073 C2073

Transistor bipolaire à nouveau et original PNP SA940 150V 2A940 2SC2073 C2073

Transistor bipolaire à nouveau et original PNP SA940 150V 2A940 2SC2073 C2073

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Transistor bipolaire à nouveau et original PNP SA940 150V 2A940 2SC2073 C2073

0,08-0,09 $US / Pièce

200 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Structure: Planar

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: Standard

Standard: standard

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

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Transistor de puissance bipolaire Darlington NPN TIP140

0,23-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Structure: Planar

Matériel: Silicium

Emballage: Plastic Package

Standard: Customized

Marque Déposée: MOSPEC

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

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Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

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2sc3330t 2sc1907 2SA562 2SA608 Nouveau et original BJT signal bipolaire Transtr NPN Transistor

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

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Nouveaux transistors bipolaires Bc817-40 BJT Sot-23 45V 800mA NPN

0,001-0,1 $US / Pièce

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Semiconducteurs discrets Tw027z65c S1f Tw107z65c transistors G3 650V to-247-4L 27mohm

Semiconducteurs discrets Tw027z65c S1f Tw107z65c transistors G3 650V to-247-4L 27mohm

Semiconducteurs discrets Tw027z65c S1f Tw107z65c transistors G3 650V to-247-4L 27mohm

Semiconducteurs discrets Tw027z65c S1f Tw107z65c transistors G3 650V to-247-4L 27mohm

Semiconducteurs discrets Tw027z65c S1f Tw107z65c transistors G3 650V to-247-4L 27mohm

Semiconducteurs discrets Tw027z65c S1f Tw107z65c transistors G3 650V to-247-4L 27mohm

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Semiconducteurs discrets Tw027z65c S1f Tw107z65c transistors G3 650V to-247-4L 27mohm

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistors nouveaux et originaux Unr212400L Un4212- (TA) Trans Prebias PNP 50 V 0,5A Mini3

Transistors nouveaux et originaux Unr212400L Un4212- (TA) Trans Prebias PNP 50 V 0,5A Mini3

Transistors nouveaux et originaux Unr212400L Un4212- (TA) Trans Prebias PNP 50 V 0,5A Mini3

Transistors nouveaux et originaux Unr212400L Un4212- (TA) Trans Prebias PNP 50 V 0,5A Mini3

Transistors nouveaux et originaux Unr212400L Un4212- (TA) Trans Prebias PNP 50 V 0,5A Mini3

Transistors nouveaux et originaux Unr212400L Un4212- (TA) Trans Prebias PNP 50 V 0,5A Mini3

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Transistors nouveaux et originaux Unr212400L Un4212- (TA) Trans Prebias PNP 50 V 0,5A Mini3

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Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor MOSFET MOSFET à base de carbure de silicium 1 canal 189 W Imza65r027m1hxksa1

Transistor MOSFET MOSFET à base de carbure de silicium 1 canal 189 W Imza65r027m1hxksa1

Transistor MOSFET MOSFET à base de carbure de silicium 1 canal 189 W Imza65r027m1hxksa1

Transistor MOSFET MOSFET à base de carbure de silicium 1 canal 189 W Imza65r027m1hxksa1

Transistor MOSFET MOSFET à base de carbure de silicium 1 canal 189 W Imza65r027m1hxksa1

Transistor MOSFET MOSFET à base de carbure de silicium 1 canal 189 W Imza65r027m1hxksa1

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Transistor MOSFET MOSFET à base de carbure de silicium 1 canal 189 W Imza65r027m1hxksa1

0,001-0,1 $US / Pièce

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Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistors nouveaux et originaux Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3,1 mohm

Transistors nouveaux et originaux Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3,1 mohm

Transistors nouveaux et originaux Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3,1 mohm

Transistors nouveaux et originaux Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3,1 mohm

Transistors nouveaux et originaux Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3,1 mohm

Transistors nouveaux et originaux Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3,1 mohm

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Transistors nouveaux et originaux Ssm6j825r Tph3r10aqm MOSFET 100V U-MOS X-H 3,1 mohm

0,001-0,1 $US / Pièce

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ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

MOSFET canal N 650 V 39 Mohm 54 a MDmesh M9 Power MOSFET

MOSFET canal N 650 V 39 Mohm 54 a MDmesh M9 Power MOSFET

MOSFET canal N 650 V 39 Mohm 54 a MDmesh M9 Power MOSFET

MOSFET canal N 650 V 39 Mohm 54 a MDmesh M9 Power MOSFET

MOSFET canal N 650 V 39 Mohm 54 a MDmesh M9 Power MOSFET

MOSFET canal N 650 V 39 Mohm 54 a MDmesh M9 Power MOSFET

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MOSFET canal N 650 V 39 Mohm 54 a MDmesh M9 Power MOSFET

0,001-0,1 $US / Pièce

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Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor bipolaire Trident-Gate Automotive Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Transistor bipolaire Trident-Gate Automotive Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Transistor bipolaire Trident-Gate Automotive Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Transistor bipolaire Trident-Gate Automotive Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Transistor bipolaire Trident-Gate Automotive Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Transistor bipolaire Trident-Gate Automotive Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

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Transistor bipolaire Trident-Gate Automotive Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

2W10V 12V 13V 20V 110V 160V 180V 200V New&Diode Zener d'origine

2W10V 12V 13V 20V 110V 160V 180V 200V New&Diode Zener d'origine

2W10V 12V 13V 20V 110V 160V 180V 200V New&Diode Zener d'origine

2W10V 12V 13V 20V 110V 160V 180V 200V New&Diode Zener d'origine

2W10V 12V 13V 20V 110V 160V 180V 200V New&Diode Zener d'origine

2W10V 12V 13V 20V 110V 160V 180V 200V New&Diode Zener d'origine

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Collection

2W10V 12V 13V 20V 110V 160V 180V 200V New&Diode Zener d'origine

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

2W3V6 2W3V9 2W4V3 2W4V7 2W51V 2W56V original et nouveau SMD Diode Zener DIP

2W3V6 2W3V9 2W4V3 2W4V7 2W51V 2W56V original et nouveau SMD Diode Zener DIP

2W3V6 2W3V9 2W4V3 2W4V7 2W51V 2W56V original et nouveau SMD Diode Zener DIP

2W3V6 2W3V9 2W4V3 2W4V7 2W51V 2W56V original et nouveau SMD Diode Zener DIP

2W3V6 2W3V9 2W4V3 2W4V7 2W51V 2W56V original et nouveau SMD Diode Zener DIP

2W3V6 2W3V9 2W4V3 2W4V7 2W51V 2W56V original et nouveau SMD Diode Zener DIP

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Collection

2W3V6 2W3V9 2W4V3 2W4V7 2W51V 2W56V original et nouveau SMD Diode Zener DIP

0,001-0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Inverseur général d'IGBT automobile et industriel extrêmement fiable

Inverseur général d'IGBT automobile et industriel extrêmement fiable

Inverseur général d'IGBT automobile et industriel extrêmement fiable

Inverseur général d'IGBT automobile et industriel extrêmement fiable

Inverseur général d'IGBT automobile et industriel extrêmement fiable

Inverseur général d'IGBT automobile et industriel extrêmement fiable

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Inverseur général d'IGBT automobile et industriel extrêmement fiable

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Effet de la dissipation de chaleur Matériaux Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n'IGBT

Effet de la dissipation de chaleur Matériaux Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n'IGBT

Effet de la dissipation de chaleur Matériaux Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n'IGBT

Effet de la dissipation de chaleur Matériaux Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n'IGBT

Effet de la dissipation de chaleur Matériaux Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n'IGBT

Effet de la dissipation de chaleur Matériaux Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n'IGBT

1/ 6

Collection

Effet de la dissipation de chaleur Matériaux Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n'IGBT

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Collecteur bas - tension de saturation de l'émetteur Ost40n120hmf 10µ S court-circuit Tolérance 1 200 V 40 a FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Collecteur bas - tension de saturation de l'émetteur Ost40n120hmf 10µ S court-circuit Tolérance 1 200 V 40 a FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Collecteur bas - tension de saturation de l'émetteur Ost40n120hmf 10µ S court-circuit Tolérance 1 200 V 40 a FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Collecteur bas - tension de saturation de l'émetteur Ost40n120hmf 10µ S court-circuit Tolérance 1 200 V 40 a FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Collecteur bas - tension de saturation de l'émetteur Ost40n120hmf 10µ S court-circuit Tolérance 1 200 V 40 a FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Collecteur bas - tension de saturation de l'émetteur Ost40n120hmf 10µ S court-circuit Tolérance 1 200 V 40 a FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

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Collection

Collecteur bas - tension de saturation de l'émetteur Ost40n120hmf 10µ S court-circuit Tolérance 1 200 V 40 a FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Conditionneur d'alimentation Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Conditionneur d'alimentation Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Conditionneur d'alimentation Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Conditionneur d'alimentation Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Conditionneur d'alimentation Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Conditionneur d'alimentation Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

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Conditionneur d'alimentation Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Industrie automobile Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Industrie automobile Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Industrie automobile Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Industrie automobile Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Industrie automobile Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Industrie automobile Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

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Industrie automobile Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

IGBT de puissance à canal N TO247 Ost75n65hmf Vces-650V Pulse-300A

IGBT de puissance à canal N TO247 Ost75n65hmf Vces-650V Pulse-300A

IGBT de puissance à canal N TO247 Ost75n65hmf Vces-650V Pulse-300A

IGBT de puissance à canal N TO247 Ost75n65hmf Vces-650V Pulse-300A

IGBT de puissance à canal N TO247 Ost75n65hmf Vces-650V Pulse-300A

IGBT de puissance à canal N TO247 Ost75n65hmf Vces-650V Pulse-300A

1/ 6

Collection

IGBT de puissance à canal N TO247 Ost75n65hmf Vces-650V Pulse-300A

0,3-1,3 $US / Pièce

600 Pièces (MOQ)

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Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n60hczf Vces-600V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-270UN VCE (sat) QG-198-1.65V NC N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n60hczf Vces-600V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-270UN VCE (sat) QG-198-1.65V NC N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n60hczf Vces-600V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-270UN VCE (sat) QG-198-1.65V NC N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n60hczf Vces-600V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-270UN VCE (sat) QG-198-1.65V NC N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n60hczf Vces-600V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-270UN VCE (sat) QG-198-1.65V NC N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n60hczf Vces-600V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-270UN VCE (sat) QG-198-1.65V NC N'IGBT de puissance canal-

1/ 6

Collection

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n60hczf Vces-600V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-270UN VCE (sat) QG-198-1.65V NC N'IGBT de puissance canal-

0,1-1,1 $US / Pièce

600 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n65hm2f Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-360UN VCE (sat) -1,5 V QG-170nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n65hm2f Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-360UN VCE (sat) -1,5 V QG-170nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n65hm2f Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-360UN VCE (sat) -1,5 V QG-170nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n65hm2f Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-360UN VCE (sat) -1,5 V QG-170nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n65hm2f Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-360UN VCE (sat) -1,5 V QG-170nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n65hm2f Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-360UN VCE (sat) -1,5 V QG-170nc N'IGBT de puissance canal-

1/ 6

Collection

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n65hm2f Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-360UN VCE (sat) -1,5 V QG-170nc N'IGBT de puissance canal-

0,2-1,2 $US / Pièce

600 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Subminiature

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost75n65hswf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1,5 V QG-204nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost75n65hswf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1,5 V QG-204nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost75n65hswf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1,5 V QG-204nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost75n65hswf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1,5 V QG-204nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost75n65hswf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1,5 V QG-204nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost75n65hswf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1,5 V QG-204nc N'IGBT de puissance canal-

1/ 6

Collection

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost75n65hswf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1,5 V QG-204nc N'IGBT de puissance canal-

0,6-1,6 $US / Pièce

330 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost80n65hsmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,35 V QG-178nc IGBT de puissance canal N

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost80n65hsmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,35 V QG-178nc IGBT de puissance canal N

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost80n65hsmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,35 V QG-178nc IGBT de puissance canal N

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost80n65hsmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,35 V QG-178nc IGBT de puissance canal N

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost80n65hsmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,35 V QG-178nc IGBT de puissance canal N

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost80n65hsmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,35 V QG-178nc IGBT de puissance canal N

1/ 6

Collection

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost80n65hsmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,35 V QG-178nc IGBT de puissance canal N

0,2-1,2 $US / Pièce

600 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost50n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.6V QG-111nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost50n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.6V QG-111nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost50n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.6V QG-111nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost50n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.6V QG-111nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost50n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.6V QG-111nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost50n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.6V QG-111nc N'IGBT de puissance canal-

1/ 6

Collection

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost50n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.6V QG-111nc N'IGBT de puissance canal-

0,3-1,3 $US / Pièce

600 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost40n120hmf Vces-1200V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-160UN VCE (sat) QG-214-1.45V NC N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost40n120hmf Vces-1200V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-160UN VCE (sat) QG-214-1.45V NC N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost40n120hmf Vces-1200V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-160UN VCE (sat) QG-214-1.45V NC N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost40n120hmf Vces-1200V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-160UN VCE (sat) QG-214-1.45V NC N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost40n120hmf Vces-1200V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-160UN VCE (sat) QG-214-1.45V NC N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost40n120hmf Vces-1200V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-160UN VCE (sat) QG-214-1.45V NC N'IGBT de puissance canal-

1/ 6

Collection

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost40n120hmf Vces-1200V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-160UN VCE (sat) QG-214-1.45V NC N'IGBT de puissance canal-

0,2-1,2 $US / Pièce

330 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor mode d'amélioration TO247-4L Ost60n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,45V QG-105nc IGBT de puissance à canal N

Transistor mode d'amélioration TO247-4L Ost60n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,45V QG-105nc IGBT de puissance à canal N

Transistor mode d'amélioration TO247-4L Ost60n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,45V QG-105nc IGBT de puissance à canal N

Transistor mode d'amélioration TO247-4L Ost60n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,45V QG-105nc IGBT de puissance à canal N

Transistor mode d'amélioration TO247-4L Ost60n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,45V QG-105nc IGBT de puissance à canal N

Transistor mode d'amélioration TO247-4L Ost60n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,45V QG-105nc IGBT de puissance à canal N

1/ 6

Collection

Transistor mode d'amélioration TO247-4L Ost60n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,45V QG-105nc IGBT de puissance à canal N

0,2-0,6 $US / Pièce

450 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Mode d'amélioration de transistor à263 Ost50n65ktmf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.65V QG-78nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à263 Ost50n65ktmf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.65V QG-78nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à263 Ost50n65ktmf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.65V QG-78nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à263 Ost50n65ktmf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.65V QG-78nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à263 Ost50n65ktmf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.65V QG-78nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à263 Ost50n65ktmf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.65V QG-78nc N'IGBT de puissance canal-

1/ 6

Collection

Mode d'amélioration de transistor à263 Ost50n65ktmf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.65V QG-78nc N'IGBT de puissance canal-

0,2-0,6 $US / Pièce

800 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor à247-4D'AMÉLIORATION DE L'Ost50n65h4ewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG-104nc N'IGBT de puissance canal-

Transistor à247-4D'AMÉLIORATION DE L'Ost50n65h4ewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG-104nc N'IGBT de puissance canal-

Transistor à247-4D'AMÉLIORATION DE L'Ost50n65h4ewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG-104nc N'IGBT de puissance canal-

Transistor à247-4D'AMÉLIORATION DE L'Ost50n65h4ewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG-104nc N'IGBT de puissance canal-

Transistor à247-4D'AMÉLIORATION DE L'Ost50n65h4ewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG-104nc N'IGBT de puissance canal-

Transistor à247-4D'AMÉLIORATION DE L'Ost50n65h4ewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG-104nc N'IGBT de puissance canal-

1/ 6

Collection

Transistor à247-4D'AMÉLIORATION DE L'Ost50n65h4ewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG-104nc N'IGBT de puissance canal-

0,2-1,2 $US / Pièce

450 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost50n65HF Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG 99nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost50n65HF Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG 99nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost50n65HF Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG 99nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost50n65HF Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG 99nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost50n65HF Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG 99nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost50n65HF Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG 99nc N'IGBT de puissance canal-

1/ 6

Collection

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost50n65HF Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG 99nc N'IGBT de puissance canal-

0,1-1,1 $US / Pièce

600 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Amélioration du transistor - diode SIC TO247-4L Ost80n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,45V QG-168nc alimentation canal N igb

Amélioration du transistor - diode SIC TO247-4L Ost80n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,45V QG-168nc alimentation canal N igb

Amélioration du transistor - diode SIC TO247-4L Ost80n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,45V QG-168nc alimentation canal N igb

Amélioration du transistor - diode SIC TO247-4L Ost80n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,45V QG-168nc alimentation canal N igb

Amélioration du transistor - diode SIC TO247-4L Ost80n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,45V QG-168nc alimentation canal N igb

Amélioration du transistor - diode SIC TO247-4L Ost80n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,45V QG-168nc alimentation canal N igb

1/ 6

Collection

Amélioration du transistor - diode SIC TO247-4L Ost80n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,45V QG-168nc alimentation canal N igb

0,2-1,2 $US / Pièce

450 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

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