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Transistor bipolaire

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Paire de transistors bipolaires originale Bcm847BS135 2NPN assortie 45V 100mA 250 MHz Bcm847

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Paire de transistors bipolaires originale Bcm847BS135 2NPN assortie 45V 100mA 250 MHz Bcm847

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Paire de transistors bipolaires originale Bcm847BS135 2NPN assortie 45V 100mA 250 MHz Bcm847

0,1 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: ISO

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: commutation Triode

MOSFET canal P original 200 V 11A 125W traversant to-220ab TO220AB Irf9640

MOSFET canal P original 200 V 11A 125W traversant to-220ab TO220AB Irf9640

MOSFET canal P original 200 V 11A 125W traversant to-220ab TO220AB Irf9640

MOSFET canal P original 200 V 11A 125W traversant to-220ab TO220AB Irf9640

MOSFET canal P original 200 V 11A 125W traversant to-220ab TO220AB Irf9640

MOSFET canal P original 200 V 11A 125W traversant to-220ab TO220AB Irf9640

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MOSFET canal P original 200 V 11A 125W traversant to-220ab TO220AB Irf9640

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ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: commutation Triode

MOSFET Irfsl3306pbf canal N 60 V 120A 230W traversant To-262 Irfsl3306

MOSFET Irfsl3306pbf canal N 60 V 120A 230W traversant To-262 Irfsl3306

MOSFET Irfsl3306pbf canal N 60 V 120A 230W traversant To-262 Irfsl3306

MOSFET Irfsl3306pbf canal N 60 V 120A 230W traversant To-262 Irfsl3306

MOSFET Irfsl3306pbf canal N 60 V 120A 230W traversant To-262 Irfsl3306

MOSFET Irfsl3306pbf canal N 60 V 120A 230W traversant To-262 Irfsl3306

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MOSFET Irfsl3306pbf canal N 60 V 120A 230W traversant To-262 Irfsl3306

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Le protocole STP55NF06 original le MOSFET à canal N 60 V 50A 110W à travers le trou d'-220 STP55

Le protocole STP55NF06 original le MOSFET à canal N 60 V 50A 110W à travers le trou d'-220 STP55

Le protocole STP55NF06 original le MOSFET à canal N 60 V 50A 110W à travers le trou d'-220 STP55

Le protocole STP55NF06 original le MOSFET à canal N 60 V 50A 110W à travers le trou d'-220 STP55

Le protocole STP55NF06 original le MOSFET à canal N 60 V 50A 110W à travers le trou d'-220 STP55

Le protocole STP55NF06 original le MOSFET à canal N 60 V 50A 110W à travers le trou d'-220 STP55

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Le protocole STP55NF06 original le MOSFET à canal N 60 V 50A 110W à travers le trou d'-220 STP55

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ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

L'original de l'IRF640nlpbf le MOSFET à canal N 200 V 18A 150W à travers le trou d'-262 irf640

L'original de l'IRF640nlpbf le MOSFET à canal N 200 V 18A 150W à travers le trou d'-262 irf640

L'original de l'IRF640nlpbf le MOSFET à canal N 200 V 18A 150W à travers le trou d'-262 irf640

L'original de l'IRF640nlpbf le MOSFET à canal N 200 V 18A 150W à travers le trou d'-262 irf640

L'original de l'IRF640nlpbf le MOSFET à canal N 200 V 18A 150W à travers le trou d'-262 irf640

L'original de l'IRF640nlpbf le MOSFET à canal N 200 V 18A 150W à travers le trou d'-262 irf640

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L'original de l'IRF640nlpbf le MOSFET à canal N 200 V 18A 150W à travers le trou d'-262 irf640

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1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: ISO

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Bu941 BU941p 400V 15A BU941ZP Transistor de puissance élevée

Bu941 BU941p 400V 15A BU941ZP Transistor de puissance élevée

Bu941 BU941p 400V 15A BU941ZP Transistor de puissance élevée

Bu941 BU941p 400V 15A BU941ZP Transistor de puissance élevée

Bu941 BU941p 400V 15A BU941ZP Transistor de puissance élevée

Bu941 BU941p 400V 15A BU941ZP Transistor de puissance élevée

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Bu941 BU941p 400V 15A BU941ZP Transistor de puissance élevée

0,2-0,8 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Céramique Transistor Emballé

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode

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