Accueil Électricité & Électronique Circuit Intégré Transistor bipolaire 2024 Liste de Produits

Transistor bipolaire

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Transistor bipolaire Tip147 Tip142 (BJT) PNP-Darlington 100 V 10 a 125 W to-247 Transistor

Transistor bipolaire Tip147 Tip142 (BJT) PNP-Darlington 100 V 10 a 125 W to-247 Transistor

Transistor bipolaire Tip147 Tip142 (BJT) PNP-Darlington 100 V 10 a 125 W to-247 Transistor

Transistor bipolaire Tip147 Tip142 (BJT) PNP-Darlington 100 V 10 a 125 W to-247 Transistor

Transistor bipolaire Tip147 Tip142 (BJT) PNP-Darlington 100 V 10 a 125 W to-247 Transistor

Transistor bipolaire Tip147 Tip142 (BJT) PNP-Darlington 100 V 10 a 125 W to-247 Transistor

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Transistor bipolaire Tip147 Tip142 (BJT) PNP-Darlington 100 V 10 a 125 W to-247 Transistor

0,027-0,04 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Structure: PNP

Emballage: Standard

Standard: Standard

Transistor bipolaire original 2pb709brl, 215 bipolaire (BJT) PNP 50V 200mA to-236ab

Transistor bipolaire original 2pb709brl, 215 bipolaire (BJT) PNP 50V 200mA to-236ab

Transistor bipolaire original 2pb709brl, 215 bipolaire (BJT) PNP 50V 200mA to-236ab

Transistor bipolaire original 2pb709brl, 215 bipolaire (BJT) PNP 50V 200mA to-236ab

Transistor bipolaire original 2pb709brl, 215 bipolaire (BJT) PNP 50V 200mA to-236ab

Transistor bipolaire original 2pb709brl, 215 bipolaire (BJT) PNP 50V 200mA to-236ab

1/ 6

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Transistor bipolaire original 2pb709brl, 215 bipolaire (BJT) PNP 50V 200mA to-236ab

0,04-0,046 $US / Pièce

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certificat: RoHS,ISO

Installation: SMD Triode

Structure: PNP

Emballage: Standard

Standard: DIP/SMD

Marque Déposée: Original

Réseau de transistors bipolaires Original Uln2803A 8NPN Darlington 500mA 2,25W Trou Uln2803

Réseau de transistors bipolaires Original Uln2803A 8NPN Darlington 500mA 2,25W Trou Uln2803

Réseau de transistors bipolaires Original Uln2803A 8NPN Darlington 500mA 2,25W Trou Uln2803

Réseau de transistors bipolaires Original Uln2803A 8NPN Darlington 500mA 2,25W Trou Uln2803

Réseau de transistors bipolaires Original Uln2803A 8NPN Darlington 500mA 2,25W Trou Uln2803

Réseau de transistors bipolaires Original Uln2803A 8NPN Darlington 500mA 2,25W Trou Uln2803

1/ 6

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Réseau de transistors bipolaires Original Uln2803A 8NPN Darlington 500mA 2,25W Trou Uln2803

0,1 $US / Pièce

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Encapsulation Structure: Céramique Transistor Emballé

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Transistor bipolaire prépolarisé (BJT) Pdtd113ztvl d'origine NPN to-236ab

Transistor bipolaire prépolarisé (BJT) Pdtd113ztvl d'origine NPN to-236ab

Transistor bipolaire prépolarisé (BJT) Pdtd113ztvl d'origine NPN to-236ab

Transistor bipolaire prépolarisé (BJT) Pdtd113ztvl d'origine NPN to-236ab

Transistor bipolaire prépolarisé (BJT) Pdtd113ztvl d'origine NPN to-236ab

Transistor bipolaire prépolarisé (BJT) Pdtd113ztvl d'origine NPN to-236ab

1/ 6

Collection

Transistor bipolaire prépolarisé (BJT) Pdtd113ztvl d'origine NPN to-236ab

0,019-0,025 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,ISO

Installation: SMD Triode

Matériel: Silicium

Emballage: Standard

Standard: Standard

Marque Déposée: Original

Paire de transistors bipolaires originale Bcm847BS135 2NPN assortie 45V 100mA 250 MHz Bcm847

Paire de transistors bipolaires originale Bcm847BS135 2NPN assortie 45V 100mA 250 MHz Bcm847

Paire de transistors bipolaires originale Bcm847BS135 2NPN assortie 45V 100mA 250 MHz Bcm847

Paire de transistors bipolaires originale Bcm847BS135 2NPN assortie 45V 100mA 250 MHz Bcm847

Paire de transistors bipolaires originale Bcm847BS135 2NPN assortie 45V 100mA 250 MHz Bcm847

Paire de transistors bipolaires originale Bcm847BS135 2NPN assortie 45V 100mA 250 MHz Bcm847

1/ 6

Collection

Paire de transistors bipolaires originale Bcm847BS135 2NPN assortie 45V 100mA 250 MHz Bcm847

0,1 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

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certificat: ISO

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: commutation Triode

Transistors à semi-conducteurs discrets 2sc5200 transistors bipolaires (BJT) transistors simples to-264

Transistors à semi-conducteurs discrets 2sc5200 transistors bipolaires (BJT) transistors simples to-264

Transistors à semi-conducteurs discrets 2sc5200 transistors bipolaires (BJT) transistors simples to-264

Transistors à semi-conducteurs discrets 2sc5200 transistors bipolaires (BJT) transistors simples to-264

Transistors à semi-conducteurs discrets 2sc5200 transistors bipolaires (BJT) transistors simples to-264

Transistors à semi-conducteurs discrets 2sc5200 transistors bipolaires (BJT) transistors simples to-264

1/ 6

Collection

Transistors à semi-conducteurs discrets 2sc5200 transistors bipolaires (BJT) transistors simples to-264

0,001 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

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certificat: ISO

Emballage: N/a

Standard: DIP/SMD

Marque Déposée: N/A

Origine: Original

Mjd45H11t4g Paquet de transistor à-252 8A80V transistor bipolaire PNP

Mjd45H11t4g Paquet de transistor à-252 8A80V transistor bipolaire PNP

Mjd45H11t4g Paquet de transistor à-252 8A80V transistor bipolaire PNP

Mjd45H11t4g Paquet de transistor à-252 8A80V transistor bipolaire PNP

Mjd45H11t4g Paquet de transistor à-252 8A80V transistor bipolaire PNP

Mjd45H11t4g Paquet de transistor à-252 8A80V transistor bipolaire PNP

1/ 6

Collection

Mjd45H11t4g Paquet de transistor à-252 8A80V transistor bipolaire PNP

1,15-1,5 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode

Structure: PNP

Standard: Height: 2.38 mm Length: 6.73 mm

1/ 3

Collection

Transistor bipolaire à petits signaux 2n3904 2n3906

0,019-0,054 $US / Pièce

450 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fréquence de travail: Overclocking

Fonction: Puissance Triode

Structure: PNP

Transistor bipolaire (BJT) to-3p de haute qualité Mj15003G Mj15004G 140V 20A

Transistor bipolaire (BJT) to-3p de haute qualité Mj15003G Mj15004G 140V 20A

Transistor bipolaire (BJT) to-3p de haute qualité Mj15003G Mj15004G 140V 20A

Transistor bipolaire (BJT) to-3p de haute qualité Mj15003G Mj15004G 140V 20A

Transistor bipolaire (BJT) to-3p de haute qualité Mj15003G Mj15004G 140V 20A

Transistor bipolaire (BJT) to-3p de haute qualité Mj15003G Mj15004G 140V 20A

1/ 6

Collection

Transistor bipolaire (BJT) to-3p de haute qualité Mj15003G Mj15004G 140V 20A

1,5-2,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Photosensible

Nouveau et Original D2061 B1369 transistor bipolaire de puissance 2SD2061

Nouveau et Original D2061 B1369 transistor bipolaire de puissance 2SD2061

Nouveau et Original D2061 B1369 transistor bipolaire de puissance 2SD2061

Nouveau et Original D2061 B1369 transistor bipolaire de puissance 2SD2061

Nouveau et Original D2061 B1369 transistor bipolaire de puissance 2SD2061

Nouveau et Original D2061 B1369 transistor bipolaire de puissance 2SD2061

1/ 6

Collection

Nouveau et Original D2061 B1369 transistor bipolaire de puissance 2SD2061

0,07-0,08 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode

1/ 3

Collection

La centrale de Darlington transistor amplificateurs audio de Std Std03n03p

7,27 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode

Structure: PNP

Emballage: Plate Loading

Standard: Package TO220

1/ 3

Collection

Le SMD Triode BC846B BC846bw SOT-23 transistor NPN 0,1A 65V

0,06 $US / Pièce

10 000 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,ISO

Niveau d'énergie: Small Power

Fonction: Puissance Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Standard: standard

Circuit intégré de vente chaude Mje3055t transistor NPN TO220

Circuit intégré de vente chaude Mje3055t transistor NPN TO220

Circuit intégré de vente chaude Mje3055t transistor NPN TO220

Circuit intégré de vente chaude Mje3055t transistor NPN TO220

Circuit intégré de vente chaude Mje3055t transistor NPN TO220

Circuit intégré de vente chaude Mje3055t transistor NPN TO220

1/ 6

Collection

Circuit intégré de vente chaude Mje3055t transistor NPN TO220

1,5-2,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Photosensible

1/ 4

Collection

Astuce42c Astuce42 Transistor de puissance PNP

0,05-0,06 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Céramique Transistor Emballé

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Standard: Operating Temperature 150C (TJ)

Origine: China

1/ 2

Collection

MD1803DFX NPN Transistor de puissance haute tension pour la Définition Standard affichage CRT

0,87 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Photosensible,Puissance Triode

Faites-en-Chine transistor de puissance PNP 2SB817 2SD1047 B817 D1047

Faites-en-Chine transistor de puissance PNP 2SB817 2SD1047 B817 D1047

Faites-en-Chine transistor de puissance PNP 2SB817 2SD1047 B817 D1047

Faites-en-Chine transistor de puissance PNP 2SB817 2SD1047 B817 D1047

Faites-en-Chine transistor de puissance PNP 2SB817 2SD1047 B817 D1047

Faites-en-Chine transistor de puissance PNP 2SB817 2SD1047 B817 D1047

1/ 6

Collection

Faites-en-Chine transistor de puissance PNP 2SB817 2SD1047 B817 D1047

0,22-0,255 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

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Encapsulation Structure: Céramique Transistor Emballé

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,commutation Triode

Collection

2SC5859 C5859 Transistor Triode ligne TV TUBE 23A 1700V 210W

1,00-1,3 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode

Structure: PNP

Matériel: Silicium

Standard: Package TO-126F

Collection

Triode BC546/BC547/BC548 à-92 Transistors bipolaires NPN

0,01-0,012 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

EASTRONIC THCHNOLOGY CO., LTD.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Emballage: Reel Pack

Standard: SMD

Collection

BC546/BC547/BC548 à-92 Transistors bipolaires NPN compléter à BC556/BC557/BC558

0,01-0,012 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

EASTRONIC THCHNOLOGY CO., LTD.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Emballage: Reel Pack

Standard: SMD

Collection

2SC5200 à-3PL1943 Pb 2SA Libre transistor de puissance audio PNP bipolaire

0,8-1,00 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

EASTRONIC THCHNOLOGY CO., LTD.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Structure: PNP

Matériel: Silicium

Le protocole STP55NF06 original le MOSFET à canal N 60 V 50A 110W à travers le trou d'-220 STP55

Le protocole STP55NF06 original le MOSFET à canal N 60 V 50A 110W à travers le trou d'-220 STP55

Le protocole STP55NF06 original le MOSFET à canal N 60 V 50A 110W à travers le trou d'-220 STP55

Le protocole STP55NF06 original le MOSFET à canal N 60 V 50A 110W à travers le trou d'-220 STP55

Le protocole STP55NF06 original le MOSFET à canal N 60 V 50A 110W à travers le trou d'-220 STP55

Le protocole STP55NF06 original le MOSFET à canal N 60 V 50A 110W à travers le trou d'-220 STP55

1/ 6

Collection

Le protocole STP55NF06 original le MOSFET à canal N 60 V 50A 110W à travers le trou d'-220 STP55

0,1 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

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certificat: ISO

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

L'original de l'IRF640nlpbf le MOSFET à canal N 200 V 18A 150W à travers le trou d'-262 irf640

L'original de l'IRF640nlpbf le MOSFET à canal N 200 V 18A 150W à travers le trou d'-262 irf640

L'original de l'IRF640nlpbf le MOSFET à canal N 200 V 18A 150W à travers le trou d'-262 irf640

L'original de l'IRF640nlpbf le MOSFET à canal N 200 V 18A 150W à travers le trou d'-262 irf640

L'original de l'IRF640nlpbf le MOSFET à canal N 200 V 18A 150W à travers le trou d'-262 irf640

L'original de l'IRF640nlpbf le MOSFET à canal N 200 V 18A 150W à travers le trou d'-262 irf640

1/ 6

Collection

L'original de l'IRF640nlpbf le MOSFET à canal N 200 V 18A 150W à travers le trou d'-262 irf640

0,1 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

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certificat: ISO

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

MOSFET Irfsl3306pbf canal N 60 V 120A 230W traversant To-262 Irfsl3306

MOSFET Irfsl3306pbf canal N 60 V 120A 230W traversant To-262 Irfsl3306

MOSFET Irfsl3306pbf canal N 60 V 120A 230W traversant To-262 Irfsl3306

MOSFET Irfsl3306pbf canal N 60 V 120A 230W traversant To-262 Irfsl3306

MOSFET Irfsl3306pbf canal N 60 V 120A 230W traversant To-262 Irfsl3306

MOSFET Irfsl3306pbf canal N 60 V 120A 230W traversant To-262 Irfsl3306

1/ 6

Collection

MOSFET Irfsl3306pbf canal N 60 V 120A 230W traversant To-262 Irfsl3306

0,1 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

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certificat: ISO

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

MOSFET canal P original 200 V 11A 125W traversant to-220ab TO220AB Irf9640

MOSFET canal P original 200 V 11A 125W traversant to-220ab TO220AB Irf9640

MOSFET canal P original 200 V 11A 125W traversant to-220ab TO220AB Irf9640

MOSFET canal P original 200 V 11A 125W traversant to-220ab TO220AB Irf9640

MOSFET canal P original 200 V 11A 125W traversant to-220ab TO220AB Irf9640

MOSFET canal P original 200 V 11A 125W traversant to-220ab TO220AB Irf9640

1/ 6

Collection

MOSFET canal P original 200 V 11A 125W traversant to-220ab TO220AB Irf9640

0,1 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

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certificat: ISO

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: commutation Triode

Collection

Transistor de puissance audio PNP bipolaire, 230 V, 15A, 150W, 2SC5200 2SA1943

0,8-1,00 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Structure: PNP

Nouveau Original 50n06 que le transistor Fqp50n06

Nouveau Original 50n06 que le transistor Fqp50n06

Nouveau Original 50n06 que le transistor Fqp50n06

Nouveau Original 50n06 que le transistor Fqp50n06

Nouveau Original 50n06 que le transistor Fqp50n06

Nouveau Original 50n06 que le transistor Fqp50n06

1/ 6

Collection

Nouveau Original 50n06 que le transistor Fqp50n06

0,6-1,75 $US / Pièce

500 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Emballage: Plate Loading

MD1802FX NPN Transistor de puissance haute tension pour la Définition Standard affichage CRT

MD1802FX NPN Transistor de puissance haute tension pour la Définition Standard affichage CRT

MD1802FX NPN Transistor de puissance haute tension pour la Définition Standard affichage CRT

MD1802FX NPN Transistor de puissance haute tension pour la Définition Standard affichage CRT

MD1802FX NPN Transistor de puissance haute tension pour la Définition Standard affichage CRT

MD1802FX NPN Transistor de puissance haute tension pour la Définition Standard affichage CRT

1/ 6

Collection

MD1802FX NPN Transistor de puissance haute tension pour la Définition Standard affichage CRT

0,7-0,9 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Photosensible

Collection

Transistor de puissance audio PNP bipolaire, 230 V, 15A, 150W, 2SA1943

0,8-1,00 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Structure: PNP

Matériel: Silicium

Collection

2SC5200 à-3PL1943 2SA Libre transistor de puissance audio PNP bipolaire

0,8-1,00 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Structure: PNP

Collection

SMD PNP bipolaire 500mA 30V 2V MMBTA64LT1 SOT-23(SOT-23-3) que le transistor

0,055-0,056 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Structure: PNP

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