Accueil Électricité & Électronique Circuit Intégré Transistor bipolaire 2024 Liste de Produits

Transistor bipolaire

produits trouvés de fabricants et grossistes de confiance

Alimentations sans coupure TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Transistor bipolaire

Alimentations sans coupure TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Transistor bipolaire

Alimentations sans coupure TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Transistor bipolaire

Alimentations sans coupure TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Transistor bipolaire

Alimentations sans coupure TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Transistor bipolaire

Alimentations sans coupure TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Transistor bipolaire

1/ 6

Collection

Alimentations sans coupure TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Transistor bipolaire

2,5-3,00 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Numérique

Demande: Réfrigérateur

Collection

Circuit intégré d'Infineon IC Transistor bipolaire Sot363 BC857SE6327

0,0294-1,6177 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Nation Technology (HK) Company Limited

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type P

Traitement du Signal: Numérique

Emballage: Box

Standard: 1*1*1

Collection

Rohm composant électronique IC Transistor bipolaire Pre-Biased SMD DTC124xetl

0,0116-1,791 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Nation Technology (HK) Company Limited

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur Intrinsèque

Traitement du Signal: Simulation

Emballage: Box

Standard: 1*1*1

Module IGBT demi-pont 75A 650 V 34 mm

Module IGBT demi-pont 75A 650 V 34 mm

Module IGBT demi-pont 75A 650 V 34 mm

Module IGBT demi-pont 75A 650 V 34 mm

Module IGBT demi-pont 75A 650 V 34 mm

Module IGBT demi-pont 75A 650 V 34 mm

1/ 6

Collection

Module IGBT demi-pont 75A 650 V 34 mm

20,00-50,00 $US / Pièce

240 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Box

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Construit en très rapide & Récupération soft Frd Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Construit en très rapide & Récupération soft Frd Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Construit en très rapide & Récupération soft Frd Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Construit en très rapide & Récupération soft Frd Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Construit en très rapide & Récupération soft Frd Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Construit en très rapide & Récupération soft Frd Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

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Collection

Construit en très rapide & Récupération soft Frd Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

Pour les applications automobiles Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Pour les applications automobiles Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Pour les applications automobiles Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Pour les applications automobiles Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Pour les applications automobiles Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Pour les applications automobiles Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

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Collection

Pour les applications automobiles Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

Alimentations sans coupure Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Alimentations sans coupure Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Alimentations sans coupure Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Alimentations sans coupure Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Alimentations sans coupure Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Alimentations sans coupure Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

1/ 6

Collection

Alimentations sans coupure Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

Optimisé pour les applications de commutation <1kHz Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V DC-1 kHz (Standard) de l'automobile IGBT discrets

Optimisé pour les applications de commutation <1kHz Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V DC-1 kHz (Standard) de l'automobile IGBT discrets

Optimisé pour les applications de commutation <1kHz Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V DC-1 kHz (Standard) de l'automobile IGBT discrets

Optimisé pour les applications de commutation <1kHz Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V DC-1 kHz (Standard) de l'automobile IGBT discrets

Optimisé pour les applications de commutation <1kHz Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V DC-1 kHz (Standard) de l'automobile IGBT discrets

Optimisé pour les applications de commutation <1kHz Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V DC-1 kHz (Standard) de l'automobile IGBT discrets

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Collection

Optimisé pour les applications de commutation <1kHz Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V DC-1 kHz (Standard) de l'automobile IGBT discrets

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

IGBT automobile discret dans un boîtier to-247AC

IGBT automobile discret dans un boîtier to-247AC

IGBT automobile discret dans un boîtier to-247AC

IGBT automobile discret dans un boîtier to-247AC

IGBT automobile discret dans un boîtier to-247AC

IGBT automobile discret dans un boîtier to-247AC

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Collection

IGBT automobile discret dans un boîtier to-247AC

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

IGBT automobile excellente stabilité et uniformité Ost40n120hmf

IGBT automobile excellente stabilité et uniformité Ost40n120hmf

IGBT automobile excellente stabilité et uniformité Ost40n120hmf

IGBT automobile excellente stabilité et uniformité Ost40n120hmf

IGBT automobile excellente stabilité et uniformité Ost40n120hmf

IGBT automobile excellente stabilité et uniformité Ost40n120hmf

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Collection

IGBT automobile excellente stabilité et uniformité Ost40n120hmf

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

Collection

Sur les transistors bipolaires semi-conducteurs IC Kst42mtf

0,03-0,45 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Nation Technology (HK) Company Limited

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur Intrinsèque

Paquet: SMD

Traitement du Signal: Simulation

Emballage: Box

Excellente performance de commutation 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site Ost40n120hmf to-247n intégré

Excellente performance de commutation 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site Ost40n120hmf to-247n intégré

Excellente performance de commutation 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site Ost40n120hmf to-247n intégré

Excellente performance de commutation 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site Ost40n120hmf to-247n intégré

Excellente performance de commutation 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site Ost40n120hmf to-247n intégré

Excellente performance de commutation 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site Ost40n120hmf to-247n intégré

1/ 6

Collection

Excellente performance de commutation 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site Ost40n120hmf to-247n intégré

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

Diode antiparallèle rapide et souple Ost40n120hmf 10µ S tolérance de court-circuit IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré FRD 1 200 V 40 A.

Diode antiparallèle rapide et souple Ost40n120hmf 10µ S tolérance de court-circuit IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré FRD 1 200 V 40 A.

Diode antiparallèle rapide et souple Ost40n120hmf 10µ S tolérance de court-circuit IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré FRD 1 200 V 40 A.

Diode antiparallèle rapide et souple Ost40n120hmf 10µ S tolérance de court-circuit IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré FRD 1 200 V 40 A.

Diode antiparallèle rapide et souple Ost40n120hmf 10µ S tolérance de court-circuit IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré FRD 1 200 V 40 A.

Diode antiparallèle rapide et souple Ost40n120hmf 10µ S tolérance de court-circuit IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré FRD 1 200 V 40 A.

1/ 6

Collection

Diode antiparallèle rapide et souple Ost40n120hmf 10µ S tolérance de court-circuit IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré FRD 1 200 V 40 A.

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

Circuits intégrés de composants électroniques L2sc4083nwt1g

Circuits intégrés de composants électroniques L2sc4083nwt1g

Circuits intégrés de composants électroniques L2sc4083nwt1g

Circuits intégrés de composants électroniques L2sc4083nwt1g

Circuits intégrés de composants électroniques L2sc4083nwt1g

Circuits intégrés de composants électroniques L2sc4083nwt1g

1/ 6

Collection

Circuits intégrés de composants électroniques L2sc4083nwt1g

0,5-8,8 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Usun Electronics Limited.,

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur Intrinsèque

Paquet: QFP/PFP

Traitement du Signal: Numérique

Emballage: Bubble Pack+Aluminum Foil Pack

Convertisseurs de fréquence DE commutation MOYENNE à haute plage, tranchée d'arrêt sur site IGBT

Convertisseurs de fréquence DE commutation MOYENNE à haute plage, tranchée d'arrêt sur site IGBT

Convertisseurs de fréquence DE commutation MOYENNE à haute plage, tranchée d'arrêt sur site IGBT

Convertisseurs de fréquence DE commutation MOYENNE à haute plage, tranchée d'arrêt sur site IGBT

Convertisseurs de fréquence DE commutation MOYENNE à haute plage, tranchée d'arrêt sur site IGBT

Convertisseurs de fréquence DE commutation MOYENNE à haute plage, tranchée d'arrêt sur site IGBT

1/ 6

Collection

Convertisseurs de fréquence DE commutation MOYENNE à haute plage, tranchée d'arrêt sur site IGBT

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

1/ 6

Collection

RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

Très faible VCE (SAT) 10µ S tolérance de court-circuit 1200V 40A IGBT Trench d'arrêt sur site FRD Ost40n120hmf to-247n intégré

Très faible VCE (SAT) 10µ S tolérance de court-circuit 1200V 40A IGBT Trench d'arrêt sur site FRD Ost40n120hmf to-247n intégré

Très faible VCE (SAT) 10µ S tolérance de court-circuit 1200V 40A IGBT Trench d'arrêt sur site FRD Ost40n120hmf to-247n intégré

Très faible VCE (SAT) 10µ S tolérance de court-circuit 1200V 40A IGBT Trench d'arrêt sur site FRD Ost40n120hmf to-247n intégré

Très faible VCE (SAT) 10µ S tolérance de court-circuit 1200V 40A IGBT Trench d'arrêt sur site FRD Ost40n120hmf to-247n intégré

Très faible VCE (SAT) 10µ S tolérance de court-circuit 1200V 40A IGBT Trench d'arrêt sur site FRD Ost40n120hmf to-247n intégré

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Collection

Très faible VCE (SAT) 10µ S tolérance de court-circuit 1200V 40A IGBT Trench d'arrêt sur site FRD Ost40n120hmf to-247n intégré

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

Conforme à la norme AEC-Q101 RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S de tolérance de court-circuit IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré FRD 1 200 V 40 A.

Conforme à la norme AEC-Q101 RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S de tolérance de court-circuit IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré FRD 1 200 V 40 A.

Conforme à la norme AEC-Q101 RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S de tolérance de court-circuit IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré FRD 1 200 V 40 A.

Conforme à la norme AEC-Q101 RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S de tolérance de court-circuit IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré FRD 1 200 V 40 A.

Conforme à la norme AEC-Q101 RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S de tolérance de court-circuit IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré FRD 1 200 V 40 A.

Conforme à la norme AEC-Q101 RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S de tolérance de court-circuit IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré FRD 1 200 V 40 A.

1/ 6

Collection

Conforme à la norme AEC-Q101 RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S de tolérance de court-circuit IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré FRD 1 200 V 40 A.

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

PB - Placage de plomb libre conforme à la directive RoHS Ost40n120hmf 10µ S Tolérance de court-circuit 1200V 40A FRD intégré to-247n tranchée d'arrêt sur site IGBT

PB - Placage de plomb libre conforme à la directive RoHS Ost40n120hmf 10µ S Tolérance de court-circuit 1200V 40A FRD intégré to-247n tranchée d'arrêt sur site IGBT

PB - Placage de plomb libre conforme à la directive RoHS Ost40n120hmf 10µ S Tolérance de court-circuit 1200V 40A FRD intégré to-247n tranchée d'arrêt sur site IGBT

PB - Placage de plomb libre conforme à la directive RoHS Ost40n120hmf 10µ S Tolérance de court-circuit 1200V 40A FRD intégré to-247n tranchée d'arrêt sur site IGBT

PB - Placage de plomb libre conforme à la directive RoHS Ost40n120hmf 10µ S Tolérance de court-circuit 1200V 40A FRD intégré to-247n tranchée d'arrêt sur site IGBT

PB - Placage de plomb libre conforme à la directive RoHS Ost40n120hmf 10µ S Tolérance de court-circuit 1200V 40A FRD intégré to-247n tranchée d'arrêt sur site IGBT

1/ 6

Collection

PB - Placage de plomb libre conforme à la directive RoHS Ost40n120hmf 10µ S Tolérance de court-circuit 1200V 40A FRD intégré to-247n tranchée d'arrêt sur site IGBT

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

Excellente stabilité et uniformité Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré au FRD 40 A.

Excellente stabilité et uniformité Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré au FRD 40 A.

Excellente stabilité et uniformité Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré au FRD 40 A.

Excellente stabilité et uniformité Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré au FRD 40 A.

Excellente stabilité et uniformité Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré au FRD 40 A.

Excellente stabilité et uniformité Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré au FRD 40 A.

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Collection

Excellente stabilité et uniformité Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré au FRD 40 A.

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

IGBT Trench d'arrêt sur site à durée de résistance de très court-circuit

IGBT Trench d'arrêt sur site à durée de résistance de très court-circuit

IGBT Trench d'arrêt sur site à durée de résistance de très court-circuit

IGBT Trench d'arrêt sur site à durée de résistance de très court-circuit

IGBT Trench d'arrêt sur site à durée de résistance de très court-circuit

IGBT Trench d'arrêt sur site à durée de résistance de très court-circuit

1/ 6

Collection

IGBT Trench d'arrêt sur site à durée de résistance de très court-circuit

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Demande: Pile solaire

Convertisseurs à induction excellent IGBT de perte de conduction et de commutation

Convertisseurs à induction excellent IGBT de perte de conduction et de commutation

Convertisseurs à induction excellent IGBT de perte de conduction et de commutation

Convertisseurs à induction excellent IGBT de perte de conduction et de commutation

Convertisseurs à induction excellent IGBT de perte de conduction et de commutation

Convertisseurs à induction excellent IGBT de perte de conduction et de commutation

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Collection

Convertisseurs à induction excellent IGBT de perte de conduction et de commutation

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

Excellente perte de conduction et de commutation 10µ S tolérance de court-circuit 1 200 V. IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n Ost40n120hmf intégré au FRD

Excellente perte de conduction et de commutation 10µ S tolérance de court-circuit 1 200 V. IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n Ost40n120hmf intégré au FRD

Excellente perte de conduction et de commutation 10µ S tolérance de court-circuit 1 200 V. IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n Ost40n120hmf intégré au FRD

Excellente perte de conduction et de commutation 10µ S tolérance de court-circuit 1 200 V. IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n Ost40n120hmf intégré au FRD

Excellente perte de conduction et de commutation 10µ S tolérance de court-circuit 1 200 V. IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n Ost40n120hmf intégré au FRD

Excellente perte de conduction et de commutation 10µ S tolérance de court-circuit 1 200 V. IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n Ost40n120hmf intégré au FRD

1/ 6

Collection

Excellente perte de conduction et de commutation 10µ S tolérance de court-circuit 1 200 V. IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n Ost40n120hmf intégré au FRD

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

Température de fonctionnement 150 °C tolérance de court-circuit 10 µ S 1 200 V 40 A. IGBT Trench d'arrêt sur site FRD Ost40n120hmf to-247n intégré

Température de fonctionnement 150 °C tolérance de court-circuit 10 µ S 1 200 V 40 A. IGBT Trench d'arrêt sur site FRD Ost40n120hmf to-247n intégré

Température de fonctionnement 150 °C tolérance de court-circuit 10 µ S 1 200 V 40 A. IGBT Trench d'arrêt sur site FRD Ost40n120hmf to-247n intégré

Température de fonctionnement 150 °C tolérance de court-circuit 10 µ S 1 200 V 40 A. IGBT Trench d'arrêt sur site FRD Ost40n120hmf to-247n intégré

Température de fonctionnement 150 °C tolérance de court-circuit 10 µ S 1 200 V 40 A. IGBT Trench d'arrêt sur site FRD Ost40n120hmf to-247n intégré

Température de fonctionnement 150 °C tolérance de court-circuit 10 µ S 1 200 V 40 A. IGBT Trench d'arrêt sur site FRD Ost40n120hmf to-247n intégré

1/ 6

Collection

Température de fonctionnement 150 °C tolérance de court-circuit 10 µ S 1 200 V 40 A. IGBT Trench d'arrêt sur site FRD Ost40n120hmf to-247n intégré

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

Faible charge de grille 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site Ost40n120hmf to-247n intégré

Faible charge de grille 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site Ost40n120hmf to-247n intégré

Faible charge de grille 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site Ost40n120hmf to-247n intégré

Faible charge de grille 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site Ost40n120hmf to-247n intégré

Faible charge de grille 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site Ost40n120hmf to-247n intégré

Faible charge de grille 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site Ost40n120hmf to-247n intégré

1/ 6

Collection

Faible charge de grille 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site Ost40n120hmf to-247n intégré

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

Transistors composant Smmbt2222alt1g thyristor Nouvelle diode de circuits intégrés d'origine

Transistors composant Smmbt2222alt1g thyristor Nouvelle diode de circuits intégrés d'origine

Transistors composant Smmbt2222alt1g thyristor Nouvelle diode de circuits intégrés d'origine

Transistors composant Smmbt2222alt1g thyristor Nouvelle diode de circuits intégrés d'origine

Transistors composant Smmbt2222alt1g thyristor Nouvelle diode de circuits intégrés d'origine

Transistors composant Smmbt2222alt1g thyristor Nouvelle diode de circuits intégrés d'origine

1/ 6

Collection

Transistors composant Smmbt2222alt1g thyristor Nouvelle diode de circuits intégrés d'origine

0,5-8,8 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Usun Electronics Limited.,

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Manufacturing Technology: Semi-Conducteur Optoélectronique

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur Intrinsèque

Paquet: QFP/PFP

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Réfrigérateur

Puce IC Nsv60601mz4t3g Nouveau original en stock MOQ peut être Modifié

Puce IC Nsv60601mz4t3g Nouveau original en stock MOQ peut être Modifié

Puce IC Nsv60601mz4t3g Nouveau original en stock MOQ peut être Modifié

Puce IC Nsv60601mz4t3g Nouveau original en stock MOQ peut être Modifié

Puce IC Nsv60601mz4t3g Nouveau original en stock MOQ peut être Modifié

Puce IC Nsv60601mz4t3g Nouveau original en stock MOQ peut être Modifié

1/ 6

Collection

Puce IC Nsv60601mz4t3g Nouveau original en stock MOQ peut être Modifié

0,1-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Usun Electronics Limited.,

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Manufacturing Technology: Semi-Conducteur Optoélectronique

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Numérique

Emballage: Tray, Reel, Foam, Tube, Box

Marque Déposée: onsemi

Module IGBT demi-pont 100 a 1 200 V.

Module IGBT demi-pont 100 a 1 200 V.

Module IGBT demi-pont 100 a 1 200 V.

Module IGBT demi-pont 100 a 1 200 V.

Module IGBT demi-pont 100 a 1 200 V.

Module IGBT demi-pont 100 a 1 200 V.

1/ 6

Collection

Module IGBT demi-pont 100 a 1 200 V.

20,00-50,00 $US / Pièce

240 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

Visite Virtuelle à 360

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Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Box

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Nexperia Mmbt2222A, 215 Trans 40V 0,6A 250MW automobile AEC-Q101 3 broches SOT-23

Nexperia Mmbt2222A, 215 Trans 40V 0,6A 250MW automobile AEC-Q101 3 broches SOT-23

Nexperia Mmbt2222A, 215 Trans 40V 0,6A 250MW automobile AEC-Q101 3 broches SOT-23

Nexperia Mmbt2222A, 215 Trans 40V 0,6A 250MW automobile AEC-Q101 3 broches SOT-23

Nexperia Mmbt2222A, 215 Trans 40V 0,6A 250MW automobile AEC-Q101 3 broches SOT-23

Nexperia Mmbt2222A, 215 Trans 40V 0,6A 250MW automobile AEC-Q101 3 broches SOT-23

1/ 6

Collection

Nexperia Mmbt2222A, 215 Trans 40V 0,6A 250MW automobile AEC-Q101 3 broches SOT-23

0,1-0,5 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Usun Electronics Limited.,

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Manufacturing Technology: Semi-Conducteur Optoélectronique

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: Tray, Reel, Foam, Tube, Box

Marque Déposée: Nexperia

Mmbt2222awt1g Trans Gp BJT NPN 40V 0,6A 150MW 3 broches SC-70 T/R

Mmbt2222awt1g Trans Gp BJT NPN 40V 0,6A 150MW 3 broches SC-70 T/R

Mmbt2222awt1g Trans Gp BJT NPN 40V 0,6A 150MW 3 broches SC-70 T/R

Mmbt2222awt1g Trans Gp BJT NPN 40V 0,6A 150MW 3 broches SC-70 T/R

Mmbt2222awt1g Trans Gp BJT NPN 40V 0,6A 150MW 3 broches SC-70 T/R

Mmbt2222awt1g Trans Gp BJT NPN 40V 0,6A 150MW 3 broches SC-70 T/R

1/ 6

Collection

Mmbt2222awt1g Trans Gp BJT NPN 40V 0,6A 150MW 3 broches SC-70 T/R

0,1-0,5 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Usun Electronics Limited.,

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Manufacturing Technology: Semi-Conducteur Optoélectronique

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction

Emballage: Tray, Reel, Foam, Tube, Box

Marque Déposée: onsemi

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