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Composant électronique Ntmt045n065sc1 MOSFET SIC MOS Pqfn88 650 V.

Composant électronique Ntmt045n065sc1 MOSFET SIC MOS Pqfn88 650 V.

Composant électronique Ntmt045n065sc1 MOSFET SIC MOS Pqfn88 650 V.

Composant électronique Ntmt045n065sc1 MOSFET SIC MOS Pqfn88 650 V.

Composant électronique Ntmt045n065sc1 MOSFET SIC MOS Pqfn88 650 V.

Composant électronique Ntmt045n065sc1 MOSFET SIC MOS Pqfn88 650 V.

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Electronique Iaucn04s7n005atma1 550 Uohms 414A transistors PG-Tdson-8 40 V.

Electronique Iaucn04s7n005atma1 550 Uohms 414A transistors PG-Tdson-8 40 V.

Electronique Iaucn04s7n005atma1 550 Uohms 414A transistors PG-Tdson-8 40 V.

Electronique Iaucn04s7n005atma1 550 Uohms 414A transistors PG-Tdson-8 40 V.

Electronique Iaucn04s7n005atma1 550 Uohms 414A transistors PG-Tdson-8 40 V.

Electronique Iaucn04s7n005atma1 550 Uohms 414A transistors PG-Tdson-8 40 V.

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Nouveau et original Trans NPN 300V Mmbta42lt1g composant électronique dans Stock

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Matériel: Silicium

Sortie transistor optoisolateur Eld217 (TA) originale 3750vrms 2 canaux 8-SOP Eld217

Sortie transistor optoisolateur Eld217 (TA) originale 3750vrms 2 canaux 8-SOP Eld217

Sortie transistor optoisolateur Eld217 (TA) originale 3750vrms 2 canaux 8-SOP Eld217

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Sortie transistor optoisolateur Eld217 (TA) originale 3750vrms 2 canaux 8-SOP Eld217

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube

MOSFET Si4848ddy-T1-Ge3 canal N 150 V (D-S) SO-8 89mA 10V

MOSFET Si4848ddy-T1-Ge3 canal N 150 V (D-S) SO-8 89mA 10V

MOSFET Si4848ddy-T1-Ge3 canal N 150 V (D-S) SO-8 89mA 10V

MOSFET Si4848ddy-T1-Ge3 canal N 150 V (D-S) SO-8 89mA 10V

MOSFET Si4848ddy-T1-Ge3 canal N 150 V (D-S) SO-8 89mA 10V

MOSFET Si4848ddy-T1-Ge3 canal N 150 V (D-S) SO-8 89mA 10V

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MOSFET Si4848ddy-T1-Ge3 canal N 150 V (D-S) SO-8 89mA 10V

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

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Transistors MOSFET 20 V + 20 V CoolMOS Cfd7 Ipdq65r099cfd7xtma1

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Arrêt de champ de tranchée à transistor IGBT Stgw40h65fb original 650 V 80 a 283 W. to-247-3

Arrêt de champ de tranchée à transistor IGBT Stgw40h65fb original 650 V 80 a 283 W. to-247-3

Arrêt de champ de tranchée à transistor IGBT Stgw40h65fb original 650 V 80 a 283 W. to-247-3

Arrêt de champ de tranchée à transistor IGBT Stgw40h65fb original 650 V 80 a 283 W. to-247-3

Arrêt de champ de tranchée à transistor IGBT Stgw40h65fb original 650 V 80 a 283 W. to-247-3

Arrêt de champ de tranchée à transistor IGBT Stgw40h65fb original 650 V 80 a 283 W. to-247-3

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Arrêt de champ de tranchée à transistor IGBT Stgw40h65fb original 650 V 80 a 283 W. to-247-3

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Installation: Plug-in Triode

Emballage: Standard

Standard: Standard

Marque Déposée: Original

Origine: Original

MOSFET Tw107z65c G3 650V SIC-MOSFET to-247-4L 107mohm

MOSFET Tw107z65c G3 650V SIC-MOSFET to-247-4L 107mohm

MOSFET Tw107z65c G3 650V SIC-MOSFET to-247-4L 107mohm

MOSFET Tw107z65c G3 650V SIC-MOSFET to-247-4L 107mohm

MOSFET Tw107z65c G3 650V SIC-MOSFET to-247-4L 107mohm

MOSFET Tw107z65c G3 650V SIC-MOSFET to-247-4L 107mohm

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MOSFET Tw107z65c G3 650V SIC-MOSFET to-247-4L 107mohm

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

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Transistors Ipf010n04NF2satma1 to-263-7 40 V 1 Mohms électronique CMS/CMS

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Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

MOSFET Sij4819dp-T1-Ge3 PowerPak SO-8L, 20.7 Mohm a. 10 V, 29.6 Mohm a. 4,5V

MOSFET Sij4819dp-T1-Ge3 PowerPak SO-8L, 20.7 Mohm a. 10 V, 29.6 Mohm a. 4,5V

MOSFET Sij4819dp-T1-Ge3 PowerPak SO-8L, 20.7 Mohm a. 10 V, 29.6 Mohm a. 4,5V

MOSFET Sij4819dp-T1-Ge3 PowerPak SO-8L, 20.7 Mohm a. 10 V, 29.6 Mohm a. 4,5V

MOSFET Sij4819dp-T1-Ge3 PowerPak SO-8L, 20.7 Mohm a. 10 V, 29.6 Mohm a. 4,5V

MOSFET Sij4819dp-T1-Ge3 PowerPak SO-8L, 20.7 Mohm a. 10 V, 29.6 Mohm a. 4,5V

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MOSFET Sij4819dp-T1-Ge3 PowerPak SO-8L, 20.7 Mohm a. 10 V, 29.6 Mohm a. 4,5V

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Composant électronique Si6913dq-T1-Be3 MOSFET à double canal P 12 V (D-S)

Composant électronique Si6913dq-T1-Be3 MOSFET à double canal P 12 V (D-S)

Composant électronique Si6913dq-T1-Be3 MOSFET à double canal P 12 V (D-S)

Composant électronique Si6913dq-T1-Be3 MOSFET à double canal P 12 V (D-S)

Composant électronique Si6913dq-T1-Be3 MOSFET à double canal P 12 V (D-S)

Composant électronique Si6913dq-T1-Be3 MOSFET à double canal P 12 V (D-S)

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Composant électronique Si6913dq-T1-Be3 MOSFET à double canal P 12 V (D-S)

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Irfz24npbf Irfz34npbf Irfz44npbf Npbf MOSFET canal 55V 17A TO220AB

Irfz24npbf Irfz34npbf Irfz44npbf Npbf MOSFET canal 55V 17A TO220AB

Irfz24npbf Irfz34npbf Irfz44npbf Npbf MOSFET canal 55V 17A TO220AB

Irfz24npbf Irfz34npbf Irfz44npbf Npbf MOSFET canal 55V 17A TO220AB

Irfz24npbf Irfz34npbf Irfz44npbf Npbf MOSFET canal 55V 17A TO220AB

Irfz24npbf Irfz34npbf Irfz44npbf Npbf MOSFET canal 55V 17A TO220AB

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Irfz24npbf Irfz34npbf Irfz44npbf Npbf MOSFET canal 55V 17A TO220AB

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Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

CMS Ntbl045n065sc1 Psof-8 50mohms 650V 73A MOSFET

CMS Ntbl045n065sc1 Psof-8 50mohms 650V 73A MOSFET

CMS Ntbl045n065sc1 Psof-8 50mohms 650V 73A MOSFET

CMS Ntbl045n065sc1 Psof-8 50mohms 650V 73A MOSFET

CMS Ntbl045n065sc1 Psof-8 50mohms 650V 73A MOSFET

CMS Ntbl045n065sc1 Psof-8 50mohms 650V 73A MOSFET

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CMS Ntbl045n065sc1 Psof-8 50mohms 650V 73A MOSFET

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

MOSFET Imza65r107m1hxksa1 en carbure de silicium to-247-4 traversant

MOSFET Imza65r107m1hxksa1 en carbure de silicium to-247-4 traversant

MOSFET Imza65r107m1hxksa1 en carbure de silicium to-247-4 traversant

MOSFET Imza65r107m1hxksa1 en carbure de silicium to-247-4 traversant

MOSFET Imza65r107m1hxksa1 en carbure de silicium to-247-4 traversant

MOSFET Imza65r107m1hxksa1 en carbure de silicium to-247-4 traversant

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MOSFET Imza65r107m1hxksa1 en carbure de silicium to-247-4 traversant

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

MOSFET dsmn012-100ysfx Nextpower 100 V 11.8 Mohm canal N

MOSFET dsmn012-100ysfx Nextpower 100 V 11.8 Mohm canal N

MOSFET dsmn012-100ysfx Nextpower 100 V 11.8 Mohm canal N

MOSFET dsmn012-100ysfx Nextpower 100 V 11.8 Mohm canal N

MOSFET dsmn012-100ysfx Nextpower 100 V 11.8 Mohm canal N

MOSFET dsmn012-100ysfx Nextpower 100 V 11.8 Mohm canal N

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MOSFET dsmn012-100ysfx Nextpower 100 V 11.8 Mohm canal N

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Composant électronique Ipb011n04NF2satma1 201 a 40 V 20 V + 20 V.

Composant électronique Ipb011n04NF2satma1 201 a 40 V 20 V + 20 V.

Composant électronique Ipb011n04NF2satma1 201 a 40 V 20 V + 20 V.

Composant électronique Ipb011n04NF2satma1 201 a 40 V 20 V + 20 V.

Composant électronique Ipb011n04NF2satma1 201 a 40 V 20 V + 20 V.

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Structure: NPN

Matériel: Silicium

Ipb020n10n5atma1 MOSFET N-CH 100V 120A composant électronique D2PAK-2

Ipb020n10n5atma1 MOSFET N-CH 100V 120A composant électronique D2PAK-2

Ipb020n10n5atma1 MOSFET N-CH 100V 120A composant électronique D2PAK-2

Ipb020n10n5atma1 MOSFET N-CH 100V 120A composant électronique D2PAK-2

Ipb020n10n5atma1 MOSFET N-CH 100V 120A composant électronique D2PAK-2

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Ipb020n10n5atma1 MOSFET N-CH 100V 120A composant électronique D2PAK-2

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Composants électroniques Irfr320trpbf-Be3 transistors MOSFET Irfr320trpbf 400 V.

Composants électroniques Irfr320trpbf-Be3 transistors MOSFET Irfr320trpbf 400 V.

Composants électroniques Irfr320trpbf-Be3 transistors MOSFET Irfr320trpbf 400 V.

Composants électroniques Irfr320trpbf-Be3 transistors MOSFET Irfr320trpbf 400 V.

Composants électroniques Irfr320trpbf-Be3 transistors MOSFET Irfr320trpbf 400 V.

Composants électroniques Irfr320trpbf-Be3 transistors MOSFET Irfr320trpbf 400 V.

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Composants électroniques Irfr320trpbf-Be3 transistors MOSFET Irfr320trpbf 400 V.

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors Ntbg014n120m3p MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14mohm 1200V

Transistors Ntbg014n120m3p MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14mohm 1200V

Transistors Ntbg014n120m3p MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14mohm 1200V

Transistors Ntbg014n120m3p MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14mohm 1200V

Transistors Ntbg014n120m3p MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14mohm 1200V

Transistors Ntbg014n120m3p MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14mohm 1200V

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Transistors Ntbg014n120m3p MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14mohm 1200V

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Igw50n65H5 Les composants chauds Transistor Igw50n65f5 pour l'IGW-247-350n60t'IGW50n60H3

Igw50n65H5 Les composants chauds Transistor Igw50n65f5 pour l'IGW-247-350n60t'IGW50n60H3

Igw50n65H5 Les composants chauds Transistor Igw50n65f5 pour l'IGW-247-350n60t'IGW50n60H3

Igw50n65H5 Les composants chauds Transistor Igw50n65f5 pour l'IGW-247-350n60t'IGW50n60H3

Igw50n65H5 Les composants chauds Transistor Igw50n65f5 pour l'IGW-247-350n60t'IGW50n60H3

Igw50n65H5 Les composants chauds Transistor Igw50n65f5 pour l'IGW-247-350n60t'IGW50n60H3

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Igw50n65H5 Les composants chauds Transistor Igw50n65f5 pour l'IGW-247-350n60t'IGW50n60H3

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Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Transistors Sihk065n60e-T1-Ge3 59mohms 34A 600 V bobine MOSFET

Transistors Sihk065n60e-T1-Ge3 59mohms 34A 600 V bobine MOSFET

Transistors Sihk065n60e-T1-Ge3 59mohms 34A 600 V bobine MOSFET

Transistors Sihk065n60e-T1-Ge3 59mohms 34A 600 V bobine MOSFET

Transistors Sihk065n60e-T1-Ge3 59mohms 34A 600 V bobine MOSFET

Transistors Sihk065n60e-T1-Ge3 59mohms 34A 600 V bobine MOSFET

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Transistors Sihk065n60e-T1-Ge3 59mohms 34A 600 V bobine MOSFET

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos

Transistors Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos

Transistors Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos

Transistors Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos

Transistors Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos

Transistors Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos

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Transistors Bsc014n06ns MOSFET N-CH 60V 100A Tdson-8 Optimos

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Composant électronique Psmnr90-50slhax Sot1235 Lfpak88 900 uohms 410A 50 V.

Composant électronique Psmnr90-50slhax Sot1235 Lfpak88 900 uohms 410A 50 V.

Composant électronique Psmnr90-50slhax Sot1235 Lfpak88 900 uohms 410A 50 V.

Composant électronique Psmnr90-50slhax Sot1235 Lfpak88 900 uohms 410A 50 V.

Composant électronique Psmnr90-50slhax Sot1235 Lfpak88 900 uohms 410A 50 V.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 50mohms

Transistors Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 50mohms

Transistors Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 50mohms

Transistors Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 50mohms

Transistors Nthl045n065sc1 MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 50mohms

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Thyristor Tpa220 293V 150mA thyristor parasurtenseur STMicroelectronics

Thyristor Tpa220 293V 150mA thyristor parasurtenseur STMicroelectronics

Thyristor Tpa220 293V 150mA thyristor parasurtenseur STMicroelectronics

Thyristor Tpa220 293V 150mA thyristor parasurtenseur STMicroelectronics

Thyristor Tpa220 293V 150mA thyristor parasurtenseur STMicroelectronics

Thyristor Tpa220 293V 150mA thyristor parasurtenseur STMicroelectronics

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Tph3r10aqm, MOSFET LQ 100V U-MOS X-H SOP-Advance (N) 3,1mohm

Tph3r10aqm, MOSFET LQ 100V U-MOS X-H SOP-Advance (N) 3,1mohm

Tph3r10aqm, MOSFET LQ 100V U-MOS X-H SOP-Advance (N) 3,1mohm

Tph3r10aqm, MOSFET LQ 100V U-MOS X-H SOP-Advance (N) 3,1mohm

Tph3r10aqm, MOSFET LQ 100V U-MOS X-H SOP-Advance (N) 3,1mohm

Tph3r10aqm, MOSFET LQ 100V U-MOS X-H SOP-Advance (N) 3,1mohm

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Bobine MOSFET Ssm6j825r Electronics CMS/CMS Pmpb09r1xnx

Bobine MOSFET Ssm6j825r Electronics CMS/CMS Pmpb09r1xnx

Bobine MOSFET Ssm6j825r Electronics CMS/CMS Pmpb09r1xnx

Bobine MOSFET Ssm6j825r Electronics CMS/CMS Pmpb09r1xnx

Bobine MOSFET Ssm6j825r Electronics CMS/CMS Pmpb09r1xnx

Bobine MOSFET Ssm6j825r Electronics CMS/CMS Pmpb09r1xnx

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Black Silver Le transistor du radiateur de refroidissement en aluminium dissipateur thermique du dissipateur de chaleur

Black Silver Le transistor du radiateur de refroidissement en aluminium dissipateur thermique du dissipateur de chaleur

Black Silver Le transistor du radiateur de refroidissement en aluminium dissipateur thermique du dissipateur de chaleur

Black Silver Le transistor du radiateur de refroidissement en aluminium dissipateur thermique du dissipateur de chaleur

Black Silver Le transistor du radiateur de refroidissement en aluminium dissipateur thermique du dissipateur de chaleur

Black Silver Le transistor du radiateur de refroidissement en aluminium dissipateur thermique du dissipateur de chaleur

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Emballage: Standard

Transistor MOSFET CMS Ipdq65r125cfd7xtma1 d'Infineon technologies

Transistor MOSFET CMS Ipdq65r125cfd7xtma1 d'Infineon technologies

Transistor MOSFET CMS Ipdq65r125cfd7xtma1 d'Infineon technologies

Transistor MOSFET CMS Ipdq65r125cfd7xtma1 d'Infineon technologies

Transistor MOSFET CMS Ipdq65r125cfd7xtma1 d'Infineon technologies

Transistor MOSFET CMS Ipdq65r125cfd7xtma1 d'Infineon technologies

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Transistor MOSFET CMS Ipdq65r125cfd7xtma1 d'Infineon technologies

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Installation: SMD Triode

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistor bipolaire Tip147 Tip142 (BJT) PNP-Darlington 100 V 10 a 125 W to-247 Transistor

Transistor bipolaire Tip147 Tip142 (BJT) PNP-Darlington 100 V 10 a 125 W to-247 Transistor

Transistor bipolaire Tip147 Tip142 (BJT) PNP-Darlington 100 V 10 a 125 W to-247 Transistor

Transistor bipolaire Tip147 Tip142 (BJT) PNP-Darlington 100 V 10 a 125 W to-247 Transistor

Transistor bipolaire Tip147 Tip142 (BJT) PNP-Darlington 100 V 10 a 125 W to-247 Transistor

Transistor bipolaire Tip147 Tip142 (BJT) PNP-Darlington 100 V 10 a 125 W to-247 Transistor

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Transistor bipolaire Tip147 Tip142 (BJT) PNP-Darlington 100 V 10 a 125 W to-247 Transistor

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Structure: PNP

Emballage: Standard

Standard: Standard

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