Accueil Électricité & Électronique Triode Le silicium transistor de puissance PNP 2024 Liste de Produits

Le silicium transistor de puissance PNP

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Transistor de puissance PNP silicium Juxing 2sb772sq avec boîtier SOT-89

Transistor de puissance PNP silicium Juxing 2sb772sq avec boîtier SOT-89

Transistor de puissance PNP silicium Juxing 2sb772sq avec boîtier SOT-89

Transistor de puissance PNP silicium Juxing 2sb772sq avec boîtier SOT-89

Transistor de puissance PNP silicium Juxing 2sb772sq avec boîtier SOT-89

Transistor de puissance PNP silicium Juxing 2sb772sq avec boîtier SOT-89

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Transistor de puissance PNP silicium Juxing 2sb772sq avec boîtier SOT-89

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Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Transistor de puissance PNP silicium 2SD882sq Juxing avec boîtier SOT-89

Transistor de puissance PNP silicium 2SD882sq Juxing avec boîtier SOT-89

Transistor de puissance PNP silicium 2SD882sq Juxing avec boîtier SOT-89

Transistor de puissance PNP silicium 2SD882sq Juxing avec boîtier SOT-89

Transistor de puissance PNP silicium 2SD882sq Juxing avec boîtier SOT-89

Transistor de puissance PNP silicium 2SD882sq Juxing avec boîtier SOT-89

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Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Transistors de puissance NPN triode PNP 2n3906 silicium 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

Transistors de puissance NPN triode PNP 2n3906 silicium 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

Transistors de puissance NPN triode PNP 2n3906 silicium 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

Transistors de puissance NPN triode PNP 2n3906 silicium 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

Transistors de puissance NPN triode PNP 2n3906 silicium 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

Transistors de puissance NPN triode PNP 2n3906 silicium 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

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Transistors de puissance NPN triode PNP 2n3906 silicium 3cx6000A7 2sc2922 Fgl40n120 MCR100 8 Ctk15 2 Gu74b

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Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A MOSFET de puissance PNP NPN Transistors amplificateur triode CMS transistor IGBT

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A MOSFET de puissance PNP NPN Transistors amplificateur triode CMS transistor IGBT

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A MOSFET de puissance PNP NPN Transistors amplificateur triode CMS transistor IGBT

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A MOSFET de puissance PNP NPN Transistors amplificateur triode CMS transistor IGBT

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A MOSFET de puissance PNP NPN Transistors amplificateur triode CMS transistor IGBT

2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A MOSFET de puissance PNP NPN Transistors amplificateur triode CMS transistor IGBT

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2sc2879 4cx1000A 2sc2879 4cx1000A 12ax7 4cx800A MOSFET de puissance PNP NPN Transistors amplificateur triode CMS transistor IGBT

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Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

Transistors à commutation à encapsulation plastique Sot-23 Juxing S8550 -40V-1500mA (PNP)

Transistors à commutation à encapsulation plastique Sot-23 Juxing S8550 -40V-1500mA (PNP)

Transistors à commutation à encapsulation plastique Sot-23 Juxing S8550 -40V-1500mA (PNP)

Transistors à commutation à encapsulation plastique Sot-23 Juxing S8550 -40V-1500mA (PNP)

Transistors à commutation à encapsulation plastique Sot-23 Juxing S8550 -40V-1500mA (PNP)

Transistors à commutation à encapsulation plastique Sot-23 Juxing S8550 -40V-1500mA (PNP)

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Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Small Power

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc857 50 V 0,1 a (23 PNP)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc857 50 V 0,1 a (23 PNP)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc857 50 V 0,1 a (23 PNP)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc857 50 V 0,1 a (23 PNP)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc857 50 V 0,1 a (23 PNP)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc857 50 V 0,1 a (23 PNP)

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Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Transistors à commutation à encapsulation plastique Sot-23 (PNP) Juxing S9012 40V500mA

Transistors à commutation à encapsulation plastique Sot-23 (PNP) Juxing S9012 40V500mA

Transistors à commutation à encapsulation plastique Sot-23 (PNP) Juxing S9012 40V500mA

Transistors à commutation à encapsulation plastique Sot-23 (PNP) Juxing S9012 40V500mA

Transistors à commutation à encapsulation plastique Sot-23 (PNP) Juxing S9012 40V500mA

Transistors à commutation à encapsulation plastique Sot-23 (PNP) Juxing S9012 40V500mA

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Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Small Power

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Transistors à commutation à encapsulation plastique Sot-23 (PNP) Juxing S9015 50V100mA

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Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Small Power

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc856 80 V-0,1A (23 PNP)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc856 80 V-0,1A (23 PNP)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc856 80 V-0,1A (23 PNP)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc856 80 V-0,1A (23 PNP)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc856 80 V-0,1A (23 PNP)

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Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc858 30 V 0,1 a (23 PNP)

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Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc858 30 V 0,1 a (23 PNP)

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Transistors à encapsulation plastique Joxing Bc858 30 V 0,1 a (23 PNP)

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Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Convertisseur CC/CC isolé Fsmos MOSFET

Convertisseur CC/CC isolé Fsmos MOSFET

Convertisseur CC/CC isolé Fsmos MOSFET

Convertisseur CC/CC isolé Fsmos MOSFET

Convertisseur CC/CC isolé Fsmos MOSFET

Convertisseur CC/CC isolé Fsmos MOSFET

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Convertisseur CC/CC isolé Fsmos MOSFET

0,2 $US / Pièce

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Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Structure: PNP

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Transistor de puissance PNP de silicium 2SC5200 à-3PL 2AS1943 avec une bonne qualité

0,8-1,00 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Structure: PNP

Collection

230V transistor de puissance PNP de silicium pour compléter 2SC5200 à-3PL 2SA1943

0,8-1,00 $US / Pièce

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Structure: PNP

Matériel: Silicium

Collection

Transistor de puissance 2SC5200 TO-3PL 2SA1943 230V silicium PNP

0,8-1,00 $US / Pièce

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Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Structure: PNP

Matériel: Silicium

Collection

Transistor de puissance PNP de silicium de marque 2SC5200 à-3PL 2SA1943

0,8-1,00 $US / Pièce

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Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Structure: PNP

Collection

Transistor de puissance 2SC5200 à-3PL 2SA1943 230V PNP de silicium

0,8-1,00 $US / Pièce

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Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Structure: PNP

Collection

Bonne vendre transistor de puissance 2SC5200 à-3PL 2SA1943 230V PNP de silicium

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Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Structure: PNP

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La marque originale de silicium transistor de puissance PNP 2SC5200 à-3PL 2SA1943

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Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Structure: PNP

Matériel: Silicium

Meilleur oscillateur à tube de puissance Tetode Power Triode Fu 728f RF Tube 4cx1000A TB3 750 transistors TV C3856

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Meilleur oscillateur à tube de puissance Tetode Power Triode Fu 728f RF Tube 4cx1000A TB3 750 transistors TV C3856

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Meilleur oscillateur à tube de puissance Tetode Power Triode Fu 728f RF Tube 4cx1000A TB3 750 transistors TV C3856

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Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

Diode laser RS3060cj CBT 120 2sc5200 Triode haute fréquence de Nichia Usine de transistors NPN tubes

Diode laser RS3060cj CBT 120 2sc5200 Triode haute fréquence de Nichia Usine de transistors NPN tubes

Diode laser RS3060cj CBT 120 2sc5200 Triode haute fréquence de Nichia Usine de transistors NPN tubes

Diode laser RS3060cj CBT 120 2sc5200 Triode haute fréquence de Nichia Usine de transistors NPN tubes

Diode laser RS3060cj CBT 120 2sc5200 Triode haute fréquence de Nichia Usine de transistors NPN tubes

Diode laser RS3060cj CBT 120 2sc5200 Triode haute fréquence de Nichia Usine de transistors NPN tubes

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Diode laser RS3060cj CBT 120 2sc5200 Triode haute fréquence de Nichia Usine de transistors NPN tubes

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Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

Transistors à encapsulation plastique Joxing Mmbta92 -300V-0200mA (23 NPN)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Mmbta92 -300V-0200mA (23 NPN)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Mmbta92 -300V-0200mA (23 NPN)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Mmbta92 -300V-0200mA (23 NPN)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Mmbta92 -300V-0200mA (23 NPN)

Transistors à encapsulation plastique Joxing Mmbta92 -300V-0200mA (23 NPN)

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Transistors à encapsulation plastique Joxing Mmbta92 -300V-0200mA (23 NPN)

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Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

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Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

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Amplificateur RF du tube d'électrons SMD 13003 Transistor Sot K2611 60n65 l'IRF3205 Bt169 3CX1500A7

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Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

MOSFET Bss138 SCR thyristor IGBT 60t65 2n2222 3cx6000A7 3fv60 Ikw40n120h3 Transistors audio 2488

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MOSFET Bss138 SCR thyristor IGBT 60t65 2n2222 3cx6000A7 3fv60 Ikw40n120h3 Transistors audio 2488

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MOSFET Bss138 SCR thyristor IGBT 60t65 2n2222 3cx6000A7 3fv60 Ikw40n120h3 Transistors audio 2488

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Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

4cx1000A 3cx1500d3 Triacs 25A Bc847 Bzx84 Sot 23 Nxsmd RF Transistor de puissance haute tension 78L05

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4cx1000A 3cx1500d3 Triacs 25A Bc847 Bzx84 Sot 23 Nxsmd RF Transistor de puissance haute tension 78L05

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4cx1000A 3cx1500d3 Triacs 25A Bc847 Bzx84 Sot 23 Nxsmd RF Transistor de puissance haute tension 78L05

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Niveau d'énergie: Haute puissance

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L8550hqlt Juxing1g -50V-150na SOT-23 transistors à usage général (NPN)

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L8550hqlt Juxing1g -50V-150na SOT-23 transistors à usage général (NPN)

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Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

IGBT Shenzhen Tl431 Bc337 Tip3055 1n4007 UC3842 60n65 2sc5200 80 Transistors 30f124 Traders D1047

IGBT Shenzhen Tl431 Bc337 Tip3055 1n4007 UC3842 60n65 2sc5200 80 Transistors 30f124 Traders D1047

IGBT Shenzhen Tl431 Bc337 Tip3055 1n4007 UC3842 60n65 2sc5200 80 Transistors 30f124 Traders D1047

IGBT Shenzhen Tl431 Bc337 Tip3055 1n4007 UC3842 60n65 2sc5200 80 Transistors 30f124 Traders D1047

IGBT Shenzhen Tl431 Bc337 Tip3055 1n4007 UC3842 60n65 2sc5200 80 Transistors 30f124 Traders D1047

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IGBT Shenzhen Tl431 Bc337 Tip3055 1n4007 UC3842 60n65 2sc5200 80 Transistors 30f124 Traders D1047

5,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Finest Pcb Assembly Limited

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

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2n3904 3cx800A7 Gbj2010 Irf3205pbf tube triode céramique électrique à vide Chine Prix du transistor CMS à puce

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Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 meilleur tube de puissance amplificateur audio Tetrode CMS Transistors Sot 23 J313

2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 meilleur tube de puissance amplificateur audio Tetrode CMS Transistors Sot 23 J313

2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 meilleur tube de puissance amplificateur audio Tetrode CMS Transistors Sot 23 J313

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2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 meilleur tube de puissance amplificateur audio Tetrode CMS Transistors Sot 23 J313

2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 meilleur tube de puissance amplificateur audio Tetrode CMS Transistors Sot 23 J313

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Collection

2n2222 3cx6000A7 3cx6000A7 meilleur tube de puissance amplificateur audio Tetrode CMS Transistors Sot 23 J313

5,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Finest Pcb Assembly Limited

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Puissance Triode,commutation Triode

Collection

Le transistor BC BC BC807-40807-25807-16 5A 5B 5C SOT-23

0,008-0,01 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

EASTRONIC THCHNOLOGY CO., LTD.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Collection

2SC5200 à-3PL1943 Pb 2SA Libre transistor de puissance audio PNP bipolaire

0,8-1,00 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

EASTRONIC THCHNOLOGY CO., LTD.

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Structure: PNP

Matériel: Silicium

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