Accueil Électricité & Électronique Circuit Intégré Transistor bipolaire 2024 Liste de Produits

Transistor bipolaire

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Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires à grille isolée IGBTs

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor IGBT de puissance à canal N mode d'amélioration

Transistor IGBT de puissance à canal N mode d'amélioration

Transistor IGBT de puissance à canal N mode d'amélioration

Transistor IGBT de puissance à canal N mode d'amélioration

Transistor IGBT de puissance à canal N mode d'amélioration

Transistor IGBT de puissance à canal N mode d'amélioration

1/ 6

Collection

Transistor IGBT de puissance à canal N mode d'amélioration

0,3-1,3 $US / Pièce

330 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor bipolaire Trident-Gate Automotive Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Transistor bipolaire Trident-Gate Automotive Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Transistor bipolaire Trident-Gate Automotive Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Transistor bipolaire Trident-Gate Automotive Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Transistor bipolaire Trident-Gate Automotive Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Transistor bipolaire Trident-Gate Automotive Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

1/ 6

Collection

Transistor bipolaire Trident-Gate Automotive Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor de puissance élevée 2n3055 transistor simple, bipolaire, NPN, inverseur to-3, amplificateur audio, Composants électroniques, circuit intégré, équipement industriel

Transistor de puissance élevée 2n3055 transistor simple, bipolaire, NPN, inverseur to-3, amplificateur audio, Composants électroniques, circuit intégré, équipement industriel

Transistor de puissance élevée 2n3055 transistor simple, bipolaire, NPN, inverseur to-3, amplificateur audio, Composants électroniques, circuit intégré, équipement industriel

Transistor de puissance élevée 2n3055 transistor simple, bipolaire, NPN, inverseur to-3, amplificateur audio, Composants électroniques, circuit intégré, équipement industriel

Transistor de puissance élevée 2n3055 transistor simple, bipolaire, NPN, inverseur to-3, amplificateur audio, Composants électroniques, circuit intégré, équipement industriel

Transistor de puissance élevée 2n3055 transistor simple, bipolaire, NPN, inverseur to-3, amplificateur audio, Composants électroniques, circuit intégré, équipement industriel

1/ 6

Collection

Transistor de puissance élevée 2n3055 transistor simple, bipolaire, NPN, inverseur to-3, amplificateur audio, Composants électroniques, circuit intégré, équipement industriel

0,189 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Yangjiang RUI XIAO Enterprise Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fréquence de travail: Haute fréquence

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Haute puissance

Matériel: Silicium

Emballage: Box

Collecteur bas - tension de saturation de l'émetteur Ost40n120hmf 10µ S court-circuit Tolérance 1 200 V 40 a FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Collecteur bas - tension de saturation de l'émetteur Ost40n120hmf 10µ S court-circuit Tolérance 1 200 V 40 a FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Collecteur bas - tension de saturation de l'émetteur Ost40n120hmf 10µ S court-circuit Tolérance 1 200 V 40 a FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Collecteur bas - tension de saturation de l'émetteur Ost40n120hmf 10µ S court-circuit Tolérance 1 200 V 40 a FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Collecteur bas - tension de saturation de l'émetteur Ost40n120hmf 10µ S court-circuit Tolérance 1 200 V 40 a FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Collecteur bas - tension de saturation de l'émetteur Ost40n120hmf 10µ S court-circuit Tolérance 1 200 V 40 a FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

1/ 6

Collection

Collecteur bas - tension de saturation de l'émetteur Ost40n120hmf 10µ S court-circuit Tolérance 1 200 V 40 a FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Inverseur général d'IGBT automobile et industriel extrêmement fiable

Inverseur général d'IGBT automobile et industriel extrêmement fiable

Inverseur général d'IGBT automobile et industriel extrêmement fiable

Inverseur général d'IGBT automobile et industriel extrêmement fiable

Inverseur général d'IGBT automobile et industriel extrêmement fiable

Inverseur général d'IGBT automobile et industriel extrêmement fiable

1/ 6

Collection

Inverseur général d'IGBT automobile et industriel extrêmement fiable

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Effet de la dissipation de chaleur Matériaux Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n'IGBT

Effet de la dissipation de chaleur Matériaux Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n'IGBT

Effet de la dissipation de chaleur Matériaux Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n'IGBT

Effet de la dissipation de chaleur Matériaux Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n'IGBT

Effet de la dissipation de chaleur Matériaux Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n'IGBT

Effet de la dissipation de chaleur Matériaux Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n'IGBT

1/ 6

Collection

Effet de la dissipation de chaleur Matériaux Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n'IGBT

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Conditionneur d'alimentation Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Conditionneur d'alimentation Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Conditionneur d'alimentation Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Conditionneur d'alimentation Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Conditionneur d'alimentation Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

Conditionneur d'alimentation Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

1/ 6

Collection

Conditionneur d'alimentation Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Industrie automobile Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Industrie automobile Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Industrie automobile Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Industrie automobile Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Industrie automobile Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Industrie automobile Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

1/ 6

Collection

Industrie automobile Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor à247-4D'AMÉLIORATION DE L'Ost50n65h4ewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG-104nc N'IGBT de puissance canal-

Transistor à247-4D'AMÉLIORATION DE L'Ost50n65h4ewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG-104nc N'IGBT de puissance canal-

Transistor à247-4D'AMÉLIORATION DE L'Ost50n65h4ewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG-104nc N'IGBT de puissance canal-

Transistor à247-4D'AMÉLIORATION DE L'Ost50n65h4ewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG-104nc N'IGBT de puissance canal-

Transistor à247-4D'AMÉLIORATION DE L'Ost50n65h4ewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG-104nc N'IGBT de puissance canal-

Transistor à247-4D'AMÉLIORATION DE L'Ost50n65h4ewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG-104nc N'IGBT de puissance canal-

1/ 6

Collection

Transistor à247-4D'AMÉLIORATION DE L'Ost50n65h4ewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG-104nc N'IGBT de puissance canal-

0,2-1,2 $US / Pièce

450 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: GT

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost80n65hsmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,35 V QG-178nc IGBT de puissance canal N

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost80n65hsmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,35 V QG-178nc IGBT de puissance canal N

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost80n65hsmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,35 V QG-178nc IGBT de puissance canal N

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost80n65hsmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,35 V QG-178nc IGBT de puissance canal N

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost80n65hsmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,35 V QG-178nc IGBT de puissance canal N

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost80n65hsmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,35 V QG-178nc IGBT de puissance canal N

1/ 6

Collection

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost80n65hsmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,35 V QG-178nc IGBT de puissance canal N

0,2-1,2 $US / Pièce

600 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost120N65hemf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-480UN VCE (sat) QG-261-1.6V NC N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost120N65hemf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-480UN VCE (sat) QG-261-1.6V NC N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost120N65hemf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-480UN VCE (sat) QG-261-1.6V NC N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost120N65hemf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-480UN VCE (sat) QG-261-1.6V NC N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost120N65hemf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-480UN VCE (sat) QG-261-1.6V NC N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost120N65hemf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-480UN VCE (sat) QG-261-1.6V NC N'IGBT de puissance canal-

1/ 6

Collection

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost120N65hemf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-480UN VCE (sat) QG-261-1.6V NC N'IGBT de puissance canal-

0,2-0,6 $US / Pièce

800 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor247-4d'amélioration de la diode de Sic À L'Ost60n65h4ewf Vces-650V175, température de l'IC-Pulse-240UN VCE (sat) -1.45V QG-105nc N'IGBT de puissance canal-

Transistor247-4d'amélioration de la diode de Sic À L'Ost60n65h4ewf Vces-650V175, température de l'IC-Pulse-240UN VCE (sat) -1.45V QG-105nc N'IGBT de puissance canal-

Transistor247-4d'amélioration de la diode de Sic À L'Ost60n65h4ewf Vces-650V175, température de l'IC-Pulse-240UN VCE (sat) -1.45V QG-105nc N'IGBT de puissance canal-

Transistor247-4d'amélioration de la diode de Sic À L'Ost60n65h4ewf Vces-650V175, température de l'IC-Pulse-240UN VCE (sat) -1.45V QG-105nc N'IGBT de puissance canal-

Transistor247-4d'amélioration de la diode de Sic À L'Ost60n65h4ewf Vces-650V175, température de l'IC-Pulse-240UN VCE (sat) -1.45V QG-105nc N'IGBT de puissance canal-

Transistor247-4d'amélioration de la diode de Sic À L'Ost60n65h4ewf Vces-650V175, température de l'IC-Pulse-240UN VCE (sat) -1.45V QG-105nc N'IGBT de puissance canal-

1/ 6

Collection

Transistor247-4d'amélioration de la diode de Sic À L'Ost60n65h4ewf Vces-650V175, température de l'IC-Pulse-240UN VCE (sat) -1.45V QG-105nc N'IGBT de puissance canal-

0,2-1,2 $US / Pièce

450 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n60hczf Vces-600V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-270UN VCE (sat) QG-198-1.65V NC N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n60hczf Vces-600V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-270UN VCE (sat) QG-198-1.65V NC N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n60hczf Vces-600V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-270UN VCE (sat) QG-198-1.65V NC N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n60hczf Vces-600V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-270UN VCE (sat) QG-198-1.65V NC N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n60hczf Vces-600V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-270UN VCE (sat) QG-198-1.65V NC N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n60hczf Vces-600V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-270UN VCE (sat) QG-198-1.65V NC N'IGBT de puissance canal-

1/ 6

Collection

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n60hczf Vces-600V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-270UN VCE (sat) QG-198-1.65V NC N'IGBT de puissance canal-

0,1-1,1 $US / Pièce

600 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost50n65HF Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG 99nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost50n65HF Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG 99nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost50n65HF Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG 99nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost50n65HF Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG 99nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost50n65HF Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG 99nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost50n65HF Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG 99nc N'IGBT de puissance canal-

1/ 6

Collection

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost50n65HF Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG 99nc N'IGBT de puissance canal-

0,1-1,1 $US / Pièce

600 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost80n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-320UN VCE (sat) -1.45V QG-168nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost80n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-320UN VCE (sat) -1.45V QG-168nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost80n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-320UN VCE (sat) -1.45V QG-168nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost80n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-320UN VCE (sat) -1.45V QG-168nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost80n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-320UN VCE (sat) -1.45V QG-168nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost80n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-320UN VCE (sat) -1.45V QG-168nc N'IGBT de puissance canal-

1/ 6

Collection

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost80n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-320UN VCE (sat) -1.45V QG-168nc N'IGBT de puissance canal-

0,2-1,2 $US / Pièce

450 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Mode d'amélioration de transistor à263 Ost50n65ktmf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.65V QG-78nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à263 Ost50n65ktmf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.65V QG-78nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à263 Ost50n65ktmf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.65V QG-78nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à263 Ost50n65ktmf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.65V QG-78nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à263 Ost50n65ktmf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.65V QG-78nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à263 Ost50n65ktmf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.65V QG-78nc N'IGBT de puissance canal-

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Mode d'amélioration de transistor à263 Ost50n65ktmf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.65V QG-78nc N'IGBT de puissance canal-

0,2-0,6 $US / Pièce

800 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost40n120hmf Vces-1200V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-160UN VCE (sat) QG-214-1.45V NC N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost40n120hmf Vces-1200V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-160UN VCE (sat) QG-214-1.45V NC N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost40n120hmf Vces-1200V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-160UN VCE (sat) QG-214-1.45V NC N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost40n120hmf Vces-1200V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-160UN VCE (sat) QG-214-1.45V NC N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost40n120hmf Vces-1200V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-160UN VCE (sat) QG-214-1.45V NC N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost40n120hmf Vces-1200V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-160UN VCE (sat) QG-214-1.45V NC N'IGBT de puissance canal-

1/ 6

Collection

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost40n120hmf Vces-1200V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-160UN VCE (sat) QG-214-1.45V NC N'IGBT de puissance canal-

0,2-1,2 $US / Pièce

330 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost75n65hevf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1.45V QG-235nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost75n65hevf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1.45V QG-235nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost75n65hevf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1.45V QG-235nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost75n65hevf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1.45V QG-235nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost75n65hevf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1.45V QG-235nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost75n65hevf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1.45V QG-235nc N'IGBT de puissance canal-

1/ 6

Collection

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost75n65hevf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1.45V QG-235nc N'IGBT de puissance canal-

0,2-0,6 $US / Pièce

330 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost75n65hswf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1,5 V QG-204nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost75n65hswf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1,5 V QG-204nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost75n65hswf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1,5 V QG-204nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost75n65hswf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1,5 V QG-204nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost75n65hswf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1,5 V QG-204nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost75n65hswf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1,5 V QG-204nc N'IGBT de puissance canal-

1/ 6

Collection

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost75n65hswf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-300A VCE (sat) -1,5 V QG-204nc N'IGBT de puissance canal-

0,6-1,6 $US / Pièce

330 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n65hm2f Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-360UN VCE (sat) -1,5 V QG-170nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n65hm2f Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-360UN VCE (sat) -1,5 V QG-170nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n65hm2f Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-360UN VCE (sat) -1,5 V QG-170nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n65hm2f Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-360UN VCE (sat) -1,5 V QG-170nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n65hm2f Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-360UN VCE (sat) -1,5 V QG-170nc N'IGBT de puissance canal-

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n65hm2f Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-360UN VCE (sat) -1,5 V QG-170nc N'IGBT de puissance canal-

1/ 6

Collection

Mode d'amélioration de transistor à247 Ost90n65hm2f Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-360UN VCE (sat) -1,5 V QG-170nc N'IGBT de puissance canal-

0,2-1,2 $US / Pièce

600 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Subminiature

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost50n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.6V QG-111nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost50n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.6V QG-111nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost50n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.6V QG-111nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost50n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.6V QG-111nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost50n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.6V QG-111nc N'IGBT de puissance canal-

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost50n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.6V QG-111nc N'IGBT de puissance canal-

1/ 6

Collection

Le transistor d'amélioration de la diode de SIC247 Ost50n65hewf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.6V QG-111nc N'IGBT de puissance canal-

0,3-1,3 $US / Pièce

600 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor mode d'amélioration TO247-4L Ost60n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,45V QG-105nc IGBT de puissance à canal N

Transistor mode d'amélioration TO247-4L Ost60n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,45V QG-105nc IGBT de puissance à canal N

Transistor mode d'amélioration TO247-4L Ost60n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,45V QG-105nc IGBT de puissance à canal N

Transistor mode d'amélioration TO247-4L Ost60n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,45V QG-105nc IGBT de puissance à canal N

Transistor mode d'amélioration TO247-4L Ost60n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,45V QG-105nc IGBT de puissance à canal N

Transistor mode d'amélioration TO247-4L Ost60n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,45V QG-105nc IGBT de puissance à canal N

1/ 6

Collection

Transistor mode d'amélioration TO247-4L Ost60n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,45V QG-105nc IGBT de puissance à canal N

0,2-0,6 $US / Pièce

450 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost30n65hmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-120A VCE (SAT) -1,5V QG-56nc IGBT de puissance canal N

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost30n65hmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-120A VCE (SAT) -1,5V QG-56nc IGBT de puissance canal N

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost30n65hmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-120A VCE (SAT) -1,5V QG-56nc IGBT de puissance canal N

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost30n65hmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-120A VCE (SAT) -1,5V QG-56nc IGBT de puissance canal N

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost30n65hmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-120A VCE (SAT) -1,5V QG-56nc IGBT de puissance canal N

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost30n65hmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-120A VCE (SAT) -1,5V QG-56nc IGBT de puissance canal N

1/ 6

Collection

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost30n65hmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-120A VCE (SAT) -1,5V QG-56nc IGBT de puissance canal N

0,1-1,00 $US / Pièce

600 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Subminiature

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Amélioration du transistor - diode SIC TO247-4L Ost80n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,45V QG-168nc alimentation canal N igb

Amélioration du transistor - diode SIC TO247-4L Ost80n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,45V QG-168nc alimentation canal N igb

Amélioration du transistor - diode SIC TO247-4L Ost80n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,45V QG-168nc alimentation canal N igb

Amélioration du transistor - diode SIC TO247-4L Ost80n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,45V QG-168nc alimentation canal N igb

Amélioration du transistor - diode SIC TO247-4L Ost80n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,45V QG-168nc alimentation canal N igb

Amélioration du transistor - diode SIC TO247-4L Ost80n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,45V QG-168nc alimentation canal N igb

1/ 6

Collection

Amélioration du transistor - diode SIC TO247-4L Ost80n65h4ewf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-320A VCE (SAT) -1,45V QG-168nc alimentation canal N igb

0,2-1,2 $US / Pièce

450 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

IGBT de puissance à canal N TO247 Ost75n65hmf Vces-650V Pulse-300A

IGBT de puissance à canal N TO247 Ost75n65hmf Vces-650V Pulse-300A

IGBT de puissance à canal N TO247 Ost75n65hmf Vces-650V Pulse-300A

IGBT de puissance à canal N TO247 Ost75n65hmf Vces-650V Pulse-300A

IGBT de puissance à canal N TO247 Ost75n65hmf Vces-650V Pulse-300A

IGBT de puissance à canal N TO247 Ost75n65hmf Vces-650V Pulse-300A

1/ 6

Collection

IGBT de puissance à canal N TO247 Ost75n65hmf Vces-650V Pulse-300A

0,3-1,3 $US / Pièce

600 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost60n65hmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,6V QG-104nc IGBT de puissance canal N

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost60n65hmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,6V QG-104nc IGBT de puissance canal N

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost60n65hmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,6V QG-104nc IGBT de puissance canal N

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost60n65hmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,6V QG-104nc IGBT de puissance canal N

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost60n65hmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,6V QG-104nc IGBT de puissance canal N

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost60n65hmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,6V QG-104nc IGBT de puissance canal N

1/ 6

Collection

Transistor mode d'amélioration TO247 Ost60n65hmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-240A VCE (SAT) -1,6V QG-104nc IGBT de puissance canal N

0,1-1,1 $US / Pièce

600 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Forme: Porcelaine Métal Tube

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

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