Accueil Électricité & Électronique Circuit Intégré Transistor bipolaire 2024 Liste de Produits

Transistor bipolaire

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Sanken1489 2sa puissance d'un transistor bipolaire1489

Sanken1489 2sa puissance d'un transistor bipolaire1489

Sanken1489 2sa puissance d'un transistor bipolaire1489

Sanken1489 2sa puissance d'un transistor bipolaire1489

Sanken1489 2sa puissance d'un transistor bipolaire1489

Sanken1489 2sa puissance d'un transistor bipolaire1489

1/ 6

Collection

Sanken1489 2sa puissance d'un transistor bipolaire1489

0,36 $US / Pièce

250 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Structure: PNP

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

1/ 6

Collection

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

0,2-0,23 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Yangjiang RUI XIAO Enterprise Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Paire de transistors bipolaires originale Bcm847BS135 2NPN assortie 45V 100mA 250 MHz Bcm847

Paire de transistors bipolaires originale Bcm847BS135 2NPN assortie 45V 100mA 250 MHz Bcm847

Paire de transistors bipolaires originale Bcm847BS135 2NPN assortie 45V 100mA 250 MHz Bcm847

Paire de transistors bipolaires originale Bcm847BS135 2NPN assortie 45V 100mA 250 MHz Bcm847

Paire de transistors bipolaires originale Bcm847BS135 2NPN assortie 45V 100mA 250 MHz Bcm847

Paire de transistors bipolaires originale Bcm847BS135 2NPN assortie 45V 100mA 250 MHz Bcm847

1/ 6

Collection

Paire de transistors bipolaires originale Bcm847BS135 2NPN assortie 45V 100mA 250 MHz Bcm847

0,1 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: ISO

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: commutation Triode

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

0,63-0,7 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2905A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant PNP 0,6 a 0,8 W.

0,63-0,7 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Nouveau original sur Njw Njw0302G0281g complémentaires Transistors bipolaires de puissance PNP NPN

Nouveau original sur Njw Njw0302G0281g complémentaires Transistors bipolaires de puissance PNP NPN

Nouveau original sur Njw Njw0302G0281g complémentaires Transistors bipolaires de puissance PNP NPN

Nouveau original sur Njw Njw0302G0281g complémentaires Transistors bipolaires de puissance PNP NPN

Nouveau original sur Njw Njw0302G0281g complémentaires Transistors bipolaires de puissance PNP NPN

Nouveau original sur Njw Njw0302G0281g complémentaires Transistors bipolaires de puissance PNP NPN

1/ 6

Collection

Nouveau original sur Njw Njw0302G0281g complémentaires Transistors bipolaires de puissance PNP NPN

1,2-3,24 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Emballage: Tube

Réseau de transistors bipolaires Original Uln2803A 8NPN Darlington 500mA 2,25W Trou Uln2803

Réseau de transistors bipolaires Original Uln2803A 8NPN Darlington 500mA 2,25W Trou Uln2803

Réseau de transistors bipolaires Original Uln2803A 8NPN Darlington 500mA 2,25W Trou Uln2803

Réseau de transistors bipolaires Original Uln2803A 8NPN Darlington 500mA 2,25W Trou Uln2803

Réseau de transistors bipolaires Original Uln2803A 8NPN Darlington 500mA 2,25W Trou Uln2803

Réseau de transistors bipolaires Original Uln2803A 8NPN Darlington 500mA 2,25W Trou Uln2803

1/ 6

Collection

Réseau de transistors bipolaires Original Uln2803A 8NPN Darlington 500mA 2,25W Trou Uln2803

0,1 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: ISO

Encapsulation Structure: Céramique Transistor Emballé

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

0,36-0,45 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

1/ 6

Collection

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

4,3-10,6 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Céramique Transistor Emballé

Installation: Plug-in Triode

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Structure: NPN

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

0,38-0,5 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

(15A, 60V, 90W) à-247 à-3P3055 Transistor de puissance de pointe

(15A, 60V, 90W) à-247 à-3P3055 Transistor de puissance de pointe

(15A, 60V, 90W) à-247 à-3P3055 Transistor de puissance de pointe

(15A, 60V, 90W) à-247 à-3P3055 Transistor de puissance de pointe

(15A, 60V, 90W) à-247 à-3P3055 Transistor de puissance de pointe

(15A, 60V, 90W) à-247 à-3P3055 Transistor de puissance de pointe

1/ 6

Collection

(15A, 60V, 90W) à-247 à-3P3055 Transistor de puissance de pointe

0,5-0,58 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Structure: PNP

2N2222un transistor NPN encapsuler en plastique 0,6A/30V

2N2222un transistor NPN encapsuler en plastique 0,6A/30V

2N2222un transistor NPN encapsuler en plastique 0,6A/30V

2N2222un transistor NPN encapsuler en plastique 0,6A/30V

2N2222un transistor NPN encapsuler en plastique 0,6A/30V

2N2222un transistor NPN encapsuler en plastique 0,6A/30V

1/ 6

Collection

2N2222un transistor NPN encapsuler en plastique 0,6A/30V

3,5 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Emballage: Standard Packaging

Nouveau337-25 Triode BC BC337-40 et l'amplificateur de commutation de transistor

Nouveau337-25 Triode BC BC337-40 et l'amplificateur de commutation de transistor

Nouveau337-25 Triode BC BC337-40 et l'amplificateur de commutation de transistor

Nouveau337-25 Triode BC BC337-40 et l'amplificateur de commutation de transistor

Nouveau337-25 Triode BC BC337-40 et l'amplificateur de commutation de transistor

Nouveau337-25 Triode BC BC337-40 et l'amplificateur de commutation de transistor

1/ 6

Collection

Nouveau337-25 Triode BC BC337-40 et l'amplificateur de commutation de transistor

0,08 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

Emballage: Bag

1/ 4

Collection

13001 à transistor de puissance92 13001 Transistor Mje13001

0,002-0,005 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Structure: Alliage

Emballage: Package

Nouveau transistor NPN d'origine haute puissance 2n3773 16A 160V

Nouveau transistor NPN d'origine haute puissance 2n3773 16A 160V

Nouveau transistor NPN d'origine haute puissance 2n3773 16A 160V

Nouveau transistor NPN d'origine haute puissance 2n3773 16A 160V

Nouveau transistor NPN d'origine haute puissance 2n3773 16A 160V

1/ 5

Collection

Nouveau transistor NPN d'origine haute puissance 2n3773 16A 160V

6,00 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Electronics A1020 d'origine Transistor petits signaux 2SA1020

Electronics A1020 d'origine Transistor petits signaux 2SA1020

Electronics A1020 d'origine Transistor petits signaux 2SA1020

Electronics A1020 d'origine Transistor petits signaux 2SA1020

Electronics A1020 d'origine Transistor petits signaux 2SA1020

Electronics A1020 d'origine Transistor petits signaux 2SA1020

1/ 6

Collection

Electronics A1020 d'origine Transistor petits signaux 2SA1020

0,01-0,5 $US / Pièce

500 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Structure: NPN

Faites-en-Chine transistor de puissance PNP 2SB817 2SD1047 B817 D1047

Faites-en-Chine transistor de puissance PNP 2SB817 2SD1047 B817 D1047

Faites-en-Chine transistor de puissance PNP 2SB817 2SD1047 B817 D1047

Faites-en-Chine transistor de puissance PNP 2SB817 2SD1047 B817 D1047

Faites-en-Chine transistor de puissance PNP 2SB817 2SD1047 B817 D1047

Faites-en-Chine transistor de puissance PNP 2SB817 2SD1047 B817 D1047

1/ 6

Collection

Faites-en-Chine transistor de puissance PNP 2SB817 2SD1047 B817 D1047

0,22-0,255 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Céramique Transistor Emballé

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,commutation Triode

Nouveau Original 50n06 que le transistor Fqp50n06

Nouveau Original 50n06 que le transistor Fqp50n06

Nouveau Original 50n06 que le transistor Fqp50n06

Nouveau Original 50n06 que le transistor Fqp50n06

Nouveau Original 50n06 que le transistor Fqp50n06

Nouveau Original 50n06 que le transistor Fqp50n06

1/ 6

Collection

Nouveau Original 50n06 que le transistor Fqp50n06

0,6-1,75 $US / Pièce

500 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS,CE,ISO

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Emballage: Plate Loading

1/ 2

Collection

Original nouvelle puce Fqpf12n60c60 à 12N 600V-220F12D'un transistor MOSFET

0,5-1,00 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Origine: China

Capacité de Production: 10000

MOSFET canal P original 200 V 11A 125W traversant to-220ab TO220AB Irf9640

MOSFET canal P original 200 V 11A 125W traversant to-220ab TO220AB Irf9640

MOSFET canal P original 200 V 11A 125W traversant to-220ab TO220AB Irf9640

MOSFET canal P original 200 V 11A 125W traversant to-220ab TO220AB Irf9640

MOSFET canal P original 200 V 11A 125W traversant to-220ab TO220AB Irf9640

MOSFET canal P original 200 V 11A 125W traversant to-220ab TO220AB Irf9640

1/ 6

Collection

MOSFET canal P original 200 V 11A 125W traversant to-220ab TO220AB Irf9640

0,1 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

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certificat: ISO

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: commutation Triode

MOSFET Irfsl3306pbf canal N 60 V 120A 230W traversant To-262 Irfsl3306

MOSFET Irfsl3306pbf canal N 60 V 120A 230W traversant To-262 Irfsl3306

MOSFET Irfsl3306pbf canal N 60 V 120A 230W traversant To-262 Irfsl3306

MOSFET Irfsl3306pbf canal N 60 V 120A 230W traversant To-262 Irfsl3306

MOSFET Irfsl3306pbf canal N 60 V 120A 230W traversant To-262 Irfsl3306

MOSFET Irfsl3306pbf canal N 60 V 120A 230W traversant To-262 Irfsl3306

1/ 6

Collection

MOSFET Irfsl3306pbf canal N 60 V 120A 230W traversant To-262 Irfsl3306

0,1 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

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certificat: ISO

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Le protocole STP55NF06 original le MOSFET à canal N 60 V 50A 110W à travers le trou d'-220 STP55

Le protocole STP55NF06 original le MOSFET à canal N 60 V 50A 110W à travers le trou d'-220 STP55

Le protocole STP55NF06 original le MOSFET à canal N 60 V 50A 110W à travers le trou d'-220 STP55

Le protocole STP55NF06 original le MOSFET à canal N 60 V 50A 110W à travers le trou d'-220 STP55

Le protocole STP55NF06 original le MOSFET à canal N 60 V 50A 110W à travers le trou d'-220 STP55

Le protocole STP55NF06 original le MOSFET à canal N 60 V 50A 110W à travers le trou d'-220 STP55

1/ 6

Collection

Le protocole STP55NF06 original le MOSFET à canal N 60 V 50A 110W à travers le trou d'-220 STP55

0,1 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

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certificat: ISO

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

L'original de l'IRF640nlpbf le MOSFET à canal N 200 V 18A 150W à travers le trou d'-262 irf640

L'original de l'IRF640nlpbf le MOSFET à canal N 200 V 18A 150W à travers le trou d'-262 irf640

L'original de l'IRF640nlpbf le MOSFET à canal N 200 V 18A 150W à travers le trou d'-262 irf640

L'original de l'IRF640nlpbf le MOSFET à canal N 200 V 18A 150W à travers le trou d'-262 irf640

L'original de l'IRF640nlpbf le MOSFET à canal N 200 V 18A 150W à travers le trou d'-262 irf640

L'original de l'IRF640nlpbf le MOSFET à canal N 200 V 18A 150W à travers le trou d'-262 irf640

1/ 6

Collection

L'original de l'IRF640nlpbf le MOSFET à canal N 200 V 18A 150W à travers le trou d'-262 irf640

0,1 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: ISO

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

1/ 2

Collection

30J124 GT30J124 Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Canal Silicon N

0,36 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: Plug-in Triode

Niveau d'énergie: Haute puissance

Standard: power

Bu941 BU941p 400V 15A BU941ZP Transistor de puissance élevée

Bu941 BU941p 400V 15A BU941ZP Transistor de puissance élevée

Bu941 BU941p 400V 15A BU941ZP Transistor de puissance élevée

Bu941 BU941p 400V 15A BU941ZP Transistor de puissance élevée

Bu941 BU941p 400V 15A BU941ZP Transistor de puissance élevée

Bu941 BU941p 400V 15A BU941ZP Transistor de puissance élevée

1/ 6

Collection

Bu941 BU941p 400V 15A BU941ZP Transistor de puissance élevée

0,2-0,8 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

Visite Virtuelle à 360

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Encapsulation Structure: Céramique Transistor Emballé

Installation: SMD Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Photosensible,Darlington Tube,Puissance Triode

Collection

Nouveau BC877 BC879 de92 1000 Ma, 80 V, NPN, si, Transistor petits signaux

0,48 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

Visite Virtuelle à 360

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certificat: RoHS,ISO

Installation: Plug-in Triode

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Collection

Transistors IGBT 25T120 nouvel original en stock des composants électroniques

0,916-1,053 $US / PC

500 PC (MOQ)

Qingdao Jiaen Semiconductor Co., Ltd

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certificat: RoHS,ISO

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Collection

40T65 original et nouveau transistor IGBT à-247

0,75-0,85 $US / PC

500 PC (MOQ)

Qingdao Jiaen Semiconductor Co., Ltd

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certificat: RoHS,ISO

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Diodes Vishay 1n4148tr à usage général, alimentation, commutation 100 V 300 mA DO-35 500 MW

Diodes Vishay 1n4148tr à usage général, alimentation, commutation 100 V 300 mA DO-35 500 MW

Diodes Vishay 1n4148tr à usage général, alimentation, commutation 100 V 300 mA DO-35 500 MW

Diodes Vishay 1n4148tr à usage général, alimentation, commutation 100 V 300 mA DO-35 500 MW

Diodes Vishay 1n4148tr à usage général, alimentation, commutation 100 V 300 mA DO-35 500 MW

Diodes Vishay 1n4148tr à usage général, alimentation, commutation 100 V 300 mA DO-35 500 MW

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Collection

Diodes Vishay 1n4148tr à usage général, alimentation, commutation 100 V 300 mA DO-35 500 MW

0,011-0,04 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Effet des matériaux de dissipation thermique Ost40n120hmf IGBT 10µ S

Effet des matériaux de dissipation thermique Ost40n120hmf IGBT 10µ S

Effet des matériaux de dissipation thermique Ost40n120hmf IGBT 10µ S

Effet des matériaux de dissipation thermique Ost40n120hmf IGBT 10µ S

Effet des matériaux de dissipation thermique Ost40n120hmf IGBT 10µ S

Effet des matériaux de dissipation thermique Ost40n120hmf IGBT 10µ S

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Collection

Effet des matériaux de dissipation thermique Ost40n120hmf IGBT 10µ S

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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certificat: RoHS,ISO

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode,commutation Triode

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