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Transistor bipolaire

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Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 40 a 650 V Dgc40f65m2 to-247

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 40 a 650 V Dgc40f65m2 to-247

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 40 a 650 V Dgc40f65m2 to-247

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 40 a 650 V Dgc40f65m2 to-247

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 40 a 650 V Dgc40f65m2 to-247

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 40 a 650 V Dgc40f65m2 to-247

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Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 40 a 650 V Dgc40f65m2 to-247

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

30A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dgf30F65M2

30A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dgf30F65M2

30A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dgf30F65M2

30A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dgf30F65M2

30A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dgf30F65M2

30A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dgf30F65M2

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30A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dgf30F65M2

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Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

IGBT transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 75A 650 V DGGc75f65m to-247

IGBT transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 75A 650 V DGGc75f65m to-247

IGBT transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 75A 650 V DGGc75f65m to-247

IGBT transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 75A 650 V DGGc75f65m to-247

IGBT transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 75A 650 V DGGc75f65m to-247

IGBT transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 75A 650 V DGGc75f65m to-247

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IGBT transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 75A 650 V DGGc75f65m to-247

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Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

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Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 650 V G50t65ds to-247

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 650 V G50t65ds to-247

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 650 V G50t65ds to-247

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 650 V G50t65ds to-247

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 650 V G50t65ds to-247

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 650 V G50t65ds to-247

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Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 650 V G50t65ds to-247

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Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop de 1 200 V, Dgc75f120m2 to-247plus, 75 A.

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop de 1 200 V, Dgc75f120m2 to-247plus, 75 A.

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop de 1 200 V, Dgc75f120m2 to-247plus, 75 A.

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop de 1 200 V, Dgc75f120m2 to-247plus, 75 A.

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop de 1 200 V, Dgc75f120m2 to-247plus, 75 A.

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop de 1 200 V, Dgc75f120m2 to-247plus, 75 A.

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Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop de 1 200 V, Dgc75f120m2 to-247plus, 75 A.

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 160A 650 V Dgcp160h65L2 to-247plus

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 160A 650 V Dgcp160h65L2 to-247plus

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 160A 650 V Dgcp160h65L2 to-247plus

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 160A 650 V Dgcp160h65L2 to-247plus

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 160A 650 V Dgcp160h65L2 to-247plus

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 160A 650 V Dgcp160h65L2 to-247plus

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Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 160A 650 V Dgcp160h65L2 to-247plus

0,01-1,5 $US / Pièce

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Alimentations sans coupure TO247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate MOSFET bipolaire

Alimentations sans coupure TO247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate MOSFET bipolaire

Alimentations sans coupure TO247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate MOSFET bipolaire

Alimentations sans coupure TO247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate MOSFET bipolaire

Alimentations sans coupure TO247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate MOSFET bipolaire

Alimentations sans coupure TO247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate MOSFET bipolaire

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Alimentations sans coupure TO247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate MOSFET bipolaire

2,5-3,00 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Numérique

Demande: Mesure de la température

Rapide et souple à diode antiparallèles247-P75N 800W Ost65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Bipolar

Rapide et souple à diode antiparallèles247-P75N 800W Ost65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Bipolar

Rapide et souple à diode antiparallèles247-P75N 800W Ost65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Bipolar

Rapide et souple à diode antiparallèles247-P75N 800W Ost65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Bipolar

Rapide et souple à diode antiparallèles247-P75N 800W Ost65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Bipolar

Rapide et souple à diode antiparallèles247-P75N 800W Ost65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Bipolar

1/ 6

Collection

Rapide et souple à diode antiparallèles247-P75N 800W Ost65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Bipolar

2,5-3,00 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: SMD

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

Transistor bipolaire à grille isolée IGBT G40n120d to-247

Transistor bipolaire à grille isolée IGBT G40n120d to-247

Transistor bipolaire à grille isolée IGBT G40n120d to-247

Transistor bipolaire à grille isolée IGBT G40n120d to-247

Transistor bipolaire à grille isolée IGBT G40n120d to-247

Transistor bipolaire à grille isolée IGBT G40n120d to-247

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Transistor bipolaire à grille isolée IGBT G40n120d to-247

1 800 Pièces (MOQ)

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Transistor bipolaire à grille isolée Dhg20t65D IGBT

Transistor bipolaire à grille isolée Dhg20t65D IGBT

Transistor bipolaire à grille isolée Dhg20t65D IGBT

Transistor bipolaire à grille isolée Dhg20t65D IGBT

Transistor bipolaire à grille isolée Dhg20t65D IGBT

Transistor bipolaire à grille isolée Dhg20t65D IGBT

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Transistor bipolaire à grille isolée Dhg20t65D IGBT

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 650 V IGBT G50t65lbbw

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 650 V IGBT G50t65lbbw

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 650 V IGBT G50t65lbbw

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 650 V IGBT G50t65lbbw

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 650 V IGBT G50t65lbbw

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 650 V IGBT G50t65lbbw

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Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 650 V IGBT G50t65lbbw

0,01-1,5 $US / Pièce

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Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G25T120D pour-247

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G25T120D pour-247

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G25T120D pour-247

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G25T120D pour-247

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G25T120D pour-247

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G25T120D pour-247

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Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G25T120D pour-247

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

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Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 1 200 V G50n120d to-264 IGBT

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 1 200 V G50n120d to-264 IGBT

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 1 200 V G50n120d to-264 IGBT

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 1 200 V G50n120d to-264 IGBT

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 1 200 V G50n120d to-264 IGBT

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 1 200 V G50n120d to-264 IGBT

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Collection

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 50A 1 200 V G50n120d to-264 IGBT

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G60T65D à-3P

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G60T65D à-3P

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G60T65D à-3P

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G60T65D à-3P

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G60T65D à-3P

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G60T65D à-3P

1/ 6

Collection

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G60T65D à-3P

0,01-0,2 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

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Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

75A 650V TrenchStop à porte isolée, transistor bipolaire hybride Discretedagc75h65m to-247

75A 650V TrenchStop à porte isolée, transistor bipolaire hybride Discretedagc75h65m to-247

75A 650V TrenchStop à porte isolée, transistor bipolaire hybride Discretedagc75h65m to-247

75A 650V TrenchStop à porte isolée, transistor bipolaire hybride Discretedagc75h65m to-247

75A 650V TrenchStop à porte isolée, transistor bipolaire hybride Discretedagc75h65m to-247

75A 650V TrenchStop à porte isolée, transistor bipolaire hybride Discretedagc75h65m to-247

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75A 650V TrenchStop à porte isolée, transistor bipolaire hybride Discretedagc75h65m to-247

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Transistor bipolaire à grille isolée IGBT G70n65D to-247

Transistor bipolaire à grille isolée IGBT G70n65D to-247

Transistor bipolaire à grille isolée IGBT G70n65D to-247

Transistor bipolaire à grille isolée IGBT G70n65D to-247

Transistor bipolaire à grille isolée IGBT G70n65D to-247

Transistor bipolaire à grille isolée IGBT G70n65D to-247

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Transistor bipolaire à grille isolée IGBT G70n65D to-247

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G30N120D pour-247

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G30N120D pour-247

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G30N120D pour-247

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G30N120D pour-247

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G30N120D pour-247

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G30N120D pour-247

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Collection

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G30N120D pour-247

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

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Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Convertisseurs à induction TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate bipolaire Transistor

Convertisseurs à induction TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate bipolaire Transistor

Convertisseurs à induction TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate bipolaire Transistor

Convertisseurs à induction TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate bipolaire Transistor

Convertisseurs à induction TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate bipolaire Transistor

Convertisseurs à induction TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate bipolaire Transistor

1/ 6

Collection

Convertisseurs à induction TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate bipolaire Transistor

2,5-3,00 $US / Pièce

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Mesure de la température

Excellente conduction et de pertes de commutation à 800W247-P ost75n65hsmf 30V transistor bipolaire à porte Trident fabricant

Excellente conduction et de pertes de commutation à 800W247-P ost75n65hsmf 30V transistor bipolaire à porte Trident fabricant

Excellente conduction et de pertes de commutation à 800W247-P ost75n65hsmf 30V transistor bipolaire à porte Trident fabricant

Excellente conduction et de pertes de commutation à 800W247-P ost75n65hsmf 30V transistor bipolaire à porte Trident fabricant

Excellente conduction et de pertes de commutation à 800W247-P ost75n65hsmf 30V transistor bipolaire à porte Trident fabricant

Excellente conduction et de pertes de commutation à 800W247-P ost75n65hsmf 30V transistor bipolaire à porte Trident fabricant

1/ 6

Collection

Excellente conduction et de pertes de commutation à 800W247-P ost75n65hsmf 30V transistor bipolaire à porte Trident fabricant

2,5-3,00 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Mesure de la température

Excellente stabilité et uniformité TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Transistor bipolaire à grille

Excellente stabilité et uniformité TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Transistor bipolaire à grille

Excellente stabilité et uniformité TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Transistor bipolaire à grille

Excellente stabilité et uniformité TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Transistor bipolaire à grille

Excellente stabilité et uniformité TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Transistor bipolaire à grille

Excellente stabilité et uniformité TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Transistor bipolaire à grille

1/ 6

Collection

Excellente stabilité et uniformité TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Transistor bipolaire à grille

2,5-3,00 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Mesure de la température

Alimentations sans coupure Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Alimentations sans coupure Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Alimentations sans coupure Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Alimentations sans coupure Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Alimentations sans coupure Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

Alimentations sans coupure Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

1/ 6

Collection

Alimentations sans coupure Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

Excellente performance de commutation 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site Ost40n120hmf to-247n intégré

Excellente performance de commutation 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site Ost40n120hmf to-247n intégré

Excellente performance de commutation 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site Ost40n120hmf to-247n intégré

Excellente performance de commutation 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site Ost40n120hmf to-247n intégré

Excellente performance de commutation 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site Ost40n120hmf to-247n intégré

Excellente performance de commutation 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site Ost40n120hmf to-247n intégré

1/ 6

Collection

Excellente performance de commutation 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site Ost40n120hmf to-247n intégré

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

Convertisseurs de fréquence DE commutation MOYENNE à haute plage, tranchée d'arrêt sur site IGBT

Convertisseurs de fréquence DE commutation MOYENNE à haute plage, tranchée d'arrêt sur site IGBT

Convertisseurs de fréquence DE commutation MOYENNE à haute plage, tranchée d'arrêt sur site IGBT

Convertisseurs de fréquence DE commutation MOYENNE à haute plage, tranchée d'arrêt sur site IGBT

Convertisseurs de fréquence DE commutation MOYENNE à haute plage, tranchée d'arrêt sur site IGBT

Convertisseurs de fréquence DE commutation MOYENNE à haute plage, tranchée d'arrêt sur site IGBT

1/ 6

Collection

Convertisseurs de fréquence DE commutation MOYENNE à haute plage, tranchée d'arrêt sur site IGBT

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

Convertisseurs à induction excellent IGBT de perte de conduction et de commutation

Convertisseurs à induction excellent IGBT de perte de conduction et de commutation

Convertisseurs à induction excellent IGBT de perte de conduction et de commutation

Convertisseurs à induction excellent IGBT de perte de conduction et de commutation

Convertisseurs à induction excellent IGBT de perte de conduction et de commutation

Convertisseurs à induction excellent IGBT de perte de conduction et de commutation

1/ 6

Collection

Convertisseurs à induction excellent IGBT de perte de conduction et de commutation

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

Module IGBT demi-pont 75A 650 V 34 mm

Module IGBT demi-pont 75A 650 V 34 mm

Module IGBT demi-pont 75A 650 V 34 mm

Module IGBT demi-pont 75A 650 V 34 mm

Module IGBT demi-pont 75A 650 V 34 mm

Module IGBT demi-pont 75A 650 V 34 mm

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Collection

Module IGBT demi-pont 75A 650 V 34 mm

20,00-50,00 $US / Pièce

240 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Box

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

IGBT automobile discret dans un boîtier to-247AC

IGBT automobile discret dans un boîtier to-247AC

IGBT automobile discret dans un boîtier to-247AC

IGBT automobile discret dans un boîtier to-247AC

IGBT automobile discret dans un boîtier to-247AC

IGBT automobile discret dans un boîtier to-247AC

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IGBT automobile discret dans un boîtier to-247AC

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

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Collection

RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

Diode antiparallèle rapide et souple Ost40n120hmf 10µ S tolérance de court-circuit IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré FRD 1 200 V 40 A.

Diode antiparallèle rapide et souple Ost40n120hmf 10µ S tolérance de court-circuit IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré FRD 1 200 V 40 A.

Diode antiparallèle rapide et souple Ost40n120hmf 10µ S tolérance de court-circuit IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré FRD 1 200 V 40 A.

Diode antiparallèle rapide et souple Ost40n120hmf 10µ S tolérance de court-circuit IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré FRD 1 200 V 40 A.

Diode antiparallèle rapide et souple Ost40n120hmf 10µ S tolérance de court-circuit IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré FRD 1 200 V 40 A.

Diode antiparallèle rapide et souple Ost40n120hmf 10µ S tolérance de court-circuit IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré FRD 1 200 V 40 A.

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Diode antiparallèle rapide et souple Ost40n120hmf 10µ S tolérance de court-circuit IGBT Trench d'arrêt sur site to-247n intégré FRD 1 200 V 40 A.

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

Température de fonctionnement 150 °C tolérance de court-circuit 10 µ S 1 200 V 40 A. IGBT Trench d'arrêt sur site FRD Ost40n120hmf to-247n intégré

Température de fonctionnement 150 °C tolérance de court-circuit 10 µ S 1 200 V 40 A. IGBT Trench d'arrêt sur site FRD Ost40n120hmf to-247n intégré

Température de fonctionnement 150 °C tolérance de court-circuit 10 µ S 1 200 V 40 A. IGBT Trench d'arrêt sur site FRD Ost40n120hmf to-247n intégré

Température de fonctionnement 150 °C tolérance de court-circuit 10 µ S 1 200 V 40 A. IGBT Trench d'arrêt sur site FRD Ost40n120hmf to-247n intégré

Température de fonctionnement 150 °C tolérance de court-circuit 10 µ S 1 200 V 40 A. IGBT Trench d'arrêt sur site FRD Ost40n120hmf to-247n intégré

Température de fonctionnement 150 °C tolérance de court-circuit 10 µ S 1 200 V 40 A. IGBT Trench d'arrêt sur site FRD Ost40n120hmf to-247n intégré

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Collection

Température de fonctionnement 150 °C tolérance de court-circuit 10 µ S 1 200 V 40 A. IGBT Trench d'arrêt sur site FRD Ost40n120hmf to-247n intégré

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

Optimisé pour les applications de commutation <1kHz Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V DC-1 kHz (Standard) de l'automobile IGBT discrets

Optimisé pour les applications de commutation <1kHz Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V DC-1 kHz (Standard) de l'automobile IGBT discrets

Optimisé pour les applications de commutation <1kHz Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V DC-1 kHz (Standard) de l'automobile IGBT discrets

Optimisé pour les applications de commutation <1kHz Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V DC-1 kHz (Standard) de l'automobile IGBT discrets

Optimisé pour les applications de commutation <1kHz Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V DC-1 kHz (Standard) de l'automobile IGBT discrets

Optimisé pour les applications de commutation <1kHz Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V DC-1 kHz (Standard) de l'automobile IGBT discrets

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Optimisé pour les applications de commutation <1kHz Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V DC-1 kHz (Standard) de l'automobile IGBT discrets

0,1-0,6 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

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