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Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

Jiangsu, Chine

Type d'Entreprise:

Manufacturer/Factory & Trading Company

Produits Principaux:

MOSFET , diodes , IGBT , transistor , thyristor , CI

Nombre d'Employés:

156

Année de Création:

2004-12-07

Certification du Système de Gestion:

ISO9001:2015, ISO14001:2015, IATF16949

Délai Moyen:

Peak Season Lead Time: 1-3 months
Off Season Lead Time: one month

Echantillon Disponible

Entrepôt aux États-Unis

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Fabricant et fournisseur de MOSFET, diodes, IGBT, transistor, thyristor, CI de la Chine, offrant MOSFET N 40 V/2,9 mΩ /120 a DTG032n04n to-220c, 68V/7,2mΩ /80A N-MOSFET Dtd080n07n to-252b, MOSFET de puissance 120 a 40 V à canal N amélioré Dte043n04na to-263 de qualité etc.

Membre Diamant Depuis 2021

Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées

Fournisseur Audité

DIODE

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Diode de récupération rapide 80 a 400 V Mur80fu40DCT to-3p

Diode de récupération rapide 80 a 400 V Mur80fu40DCT to-3p

Prix FOB: 0,482 $US / Pièce

Commande Min.: 5 000 Pièces

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20A 100V de diodes Schottky faible Vf mbr20100CT À-220

20A 100V de diodes Schottky faible Vf mbr20100CT À-220

Prix FOB: 0,01-1,5 $US / Pièce

Commande Min.: 5 000 Pièces

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Diode de récupération rapide 75A 1200V Mur75120 to-247-2L

Diode de récupération rapide 75A 1200V Mur75120 to-247-2L

Prix FOB: 0,01-1,5 $US / Pièce

Commande Min.: 5 000 Pièces

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Diode barrière Schottky 100 V 40 a Mbr40100CT to-220

Diode barrière Schottky 100 V 40 a Mbr40100CT to-220

Prix FOB: 0,01-1,5 $US / Pièce

Commande Min.: 5 000 Pièces

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10A 200V Récupération rapide la diode D92-02b à-3p **%off

10A 200V Récupération rapide la diode D92-02b à-3p **%off

Prix FOB: 0,769-0,923 $US / Pièce

Commande Min.: 1 800 Pièces

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80A 300V Diode de récupération rapide Mur80FU30BCT à-247

80A 300V Diode de récupération rapide Mur80FU30BCT à-247

Prix FOB: 0,01-1,5 $US / Pièce

Commande Min.: 5 000 Pièces

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15A 1200V Diode de récupération rapide Mur15fu120 à-220C-2L

15A 1200V Diode de récupération rapide Mur15fu120 à-220C-2L

Prix FOB: 0,252 $US / Pièce

Commande Min.: 5 000 Pièces

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Diode barrière Schottky 40 a 150 V Mbr40150CT to-263

Diode barrière Schottky 40 a 150 V Mbr40150CT to-263

Prix FOB: 0,01-1,5 $US / Pièce

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MOSFET

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MOSFET de puissance 12n60 to-220 600 V 12 a à canal N amélioré

MOSFET de puissance 12n60 to-220 600 V 12 a à canal N amélioré

Prix FOB: 0,01-1,5 $US / Pièce

Commande Min.: 5 000 Pièces

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100A 68V N-canal en mode d′amélioration de MOSFET de puissance DH100n06f-220

100A 68V N-canal en mode d′amélioration de MOSFET de puissance DH100n06f-220

Prix FOB: 0,148 $US / Pièce

Commande Min.: 5 000 Pièces

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MOSFET de puissance à super jonction à canal N 7A 650 V Dhfsj7n65 to-220f

MOSFET de puissance à super jonction à canal N 7A 650 V Dhfsj7n65 to-220f

Prix FOB: 0,01-1,5 $US / Pièce

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MOSFET de puissance mode d′amélioration canal N 140 a 90 V Dh140n09 to-220

MOSFET de puissance mode d′amélioration canal N 140 a 90 V Dh140n09 to-220

Prix FOB: 0,01-1,5 $US / Pièce

Commande Min.: 5 000 Pièces

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Le DHS020N85 pour-220 180A 85V N-canal en mode d′amélioration de MOSFET de puissance

Le DHS020N85 pour-220 180A 85V N-canal en mode d′amélioration de MOSFET de puissance

Prix FOB: 0,01-1,5 $US / Pièce

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MOSFET de puissance mode d′amélioration de canal N 68V 100 a Dh070n07 Dh070n07D

MOSFET de puissance mode d′amélioration de canal N 68V 100 a Dh070n07 Dh070n07D

Prix FOB: 0,01-1,5 $US / Pièce

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Dh045n04D to-252 MOSFET de puissance 120 a 40 V à canal N amélioré

Dh045n04D to-252 MOSFET de puissance 120 a 40 V à canal N amélioré

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MOSFET de puissance 4D4n65 to-252 à canal N 650 V 4 A.

MOSFET de puissance 4D4n65 to-252 à canal N 650 V 4 A.

Prix FOB: 0,01-1,5 $US / Pièce

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IGBT

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Transistor bipolaire à grille isolée IGBT G70n65D to-247

Transistor bipolaire à grille isolée IGBT G70n65D to-247

Prix FOB: 0,01-1,5 $US / Pièce

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Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G60T65D à-3P

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G60T65D à-3P

Prix FOB: 0,01-0,2 $US / Pièce

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Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G25T120D pour-247

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G25T120D pour-247

Prix FOB: 0,01-1,5 $US / Pièce

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Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G40N60d pour-247 **%off

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G40N60d pour-247 **%off

Prix FOB: 0,01-1,5 $US / Pièce

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Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G30N120D pour-247

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G30N120D pour-247

Prix FOB: 0,01-1,5 $US / Pièce

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Transistor bipolaire à grille isolée IGBT G40n120d to-247

Transistor bipolaire à grille isolée IGBT G40n120d to-247

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SIC MOSFET & SIC DIODE

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MOSFET de puissance SIC à canal N 50 mΩ 3300 V Dccf050m330g2 to-247-4L

MOSFET de puissance SIC à canal N 50 mΩ 3300 V Dccf050m330g2 to-247-4L

Prix FOB: 0,01-1,5 $US / Pièce

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MOSFET de puissance SIC à canal N 247 V 40mΩ 650 V Dccf040m65g2 to-4L

MOSFET de puissance SIC à canal N 247 V 40mΩ 650 V Dccf040m65g2 to-4L

Prix FOB: 0,01-1,5 $US / Pièce

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MOSFET de puissance SIC 1 200 V canal N 18A Dcc160m120g1 to-247-3L

MOSFET de puissance SIC 1 200 V canal N 18A Dcc160m120g1 to-247-3L

Prix FOB: 0,01-1,5 $US / Pièce

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Diode barrière Schottky SIC 20A 650 V Dcd20d65g4 to-252

Diode barrière Schottky SIC 20A 650 V Dcd20d65g4 to-252

Prix FOB: 0,01-1,5 $US / Pièce

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Diode barrière Schottky SIC 20 a 1 200 V Dcc20d120g4 to-247

Diode barrière Schottky SIC 20 a 1 200 V Dcc20d120g4 to-247

Prix FOB: 0,01-1,5 $US / Pièce

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Profil de l'Entreprise

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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	Type d'Entreprise:	Fabricant/Usine & Société Commerciale
	Produits Principaux:	MOSFET , diodes , IGBT , transistor , thyristor , CI
	Nombre d'Employés:	156
	Année de Création:	2004-12-07
	Certification du Système de Gestion:	ISO9001:2015, ISO14001:2015, IATF16952
	Délai Moyen:	Délai de Livraison en Pleine Saison: 1-3 Mois Délai de Livraison hors Saison: Un Mois

Les informations marquées par sont vérifiées par SGS

Jiangsu Donghai Semiconductor Technology Co., Ltd. A été créée en décembre 2004 avec un capital enregistré de 66.19 millions de yuans et un capital d′investissement de 280 millions de yuans.

Elle compte 325 employés, dont 50 employés chargés des applications, de la conception et de la R&D. Notre société est spécialisée dans la R & D et la production de dispositifs d′alimentation à semi-conducteurs et de circuits intégrés.

Notre entreprise a été classée comme une entreprise de haute technologie ...

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