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Transistor bipolaire

produits trouvés de fabricants et grossistes de confiance

Astuce42CTU jonction bipolaire de type de transistor PNP-220 IC

Astuce42CTU jonction bipolaire de type de transistor PNP-220 IC

Astuce42CTU jonction bipolaire de type de transistor PNP-220 IC

Astuce42CTU jonction bipolaire de type de transistor PNP-220 IC

Astuce42CTU jonction bipolaire de type de transistor PNP-220 IC

Astuce42CTU jonction bipolaire de type de transistor PNP-220 IC

1/ 6

Collection

Astuce42CTU jonction bipolaire de type de transistor PNP-220 IC

0,25-6,00 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

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Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Semiconductor IC

Emballage: Box

Origine: China

Code SH: 8542390000

Capacité de Production: 1000000PCS

Nouveaux composants électroniques d'origine puces IC Onsemi Pzta42t1g NPN transistor bipolaire haute tension ; 0.05 a ; 300 V Sot-223 en stock

Nouveaux composants électroniques d'origine puces IC Onsemi Pzta42t1g NPN transistor bipolaire haute tension ; 0.05 a ; 300 V Sot-223 en stock

Nouveaux composants électroniques d'origine puces IC Onsemi Pzta42t1g NPN transistor bipolaire haute tension ; 0.05 a ; 300 V Sot-223 en stock

Nouveaux composants électroniques d'origine puces IC Onsemi Pzta42t1g NPN transistor bipolaire haute tension ; 0.05 a ; 300 V Sot-223 en stock

Nouveaux composants électroniques d'origine puces IC Onsemi Pzta42t1g NPN transistor bipolaire haute tension ; 0.05 a ; 300 V Sot-223 en stock

Nouveaux composants électroniques d'origine puces IC Onsemi Pzta42t1g NPN transistor bipolaire haute tension ; 0.05 a ; 300 V Sot-223 en stock

1/ 6

Collection

Nouveaux composants électroniques d'origine puces IC Onsemi Pzta42t1g NPN transistor bipolaire haute tension ; 0.05 a ; 300 V Sot-223 en stock

0,08-0,09 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

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Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Semiconductor IC

Emballage: Tape and Reel

Standard: 300V; 0.5A; 1.5W

Marque Déposée: onsemi

Origine: Original

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2907A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,6A 0,5W

0,38-0,5 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Alimentations sans coupure TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Transistor bipolaire

Alimentations sans coupure TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Transistor bipolaire

Alimentations sans coupure TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Transistor bipolaire

Alimentations sans coupure TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Transistor bipolaire

Alimentations sans coupure TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Transistor bipolaire

Alimentations sans coupure TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Transistor bipolaire

1/ 6

Collection

Alimentations sans coupure TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Transistor bipolaire

2,5-3,00 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur Composé

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: DIP(Dual In－line Package)

Traitement du Signal: Numérique

Demande: Réfrigérateur

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires à transistor scellé en or 2n2219A - BJT Bjts to-39-3 Montage traversant NPN 0,8 a 0,8 W.

0,63-0,7 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

1/ 3

Collection

Transistor bipolaire à petits signaux 2n3904 2n3906

0,019-0,054 $US / Pièce

450 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO,CCC

Fréquence de travail: Overclocking

Fonction: Puissance Triode

Structure: PNP

1/ 2

Collection

2n2907 or Transistor scellé/transistor bipolaire à-39 Capuchon de fer tube/l'Orateur Transistor amplificateur

0,165-0,342 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Yangjiang RUI XIAO Enterprise Co., Ltd.

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Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

certificat: RoHS

Intensité lumineuse: Standard

Emballage: Box

Origine: Make in China

Code SH: 8541290000

Excellente stabilité et uniformité TO247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Transistor bipolaire à grille

Excellente stabilité et uniformité TO247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Transistor bipolaire à grille

Excellente stabilité et uniformité TO247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Transistor bipolaire à grille

Excellente stabilité et uniformité TO247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Transistor bipolaire à grille

Excellente stabilité et uniformité TO247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Transistor bipolaire à grille

Excellente stabilité et uniformité TO247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Transistor bipolaire à grille

1/ 6

Collection

Excellente stabilité et uniformité TO247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Transistor bipolaire à grille

2,5-3,00 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: SMD

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Réfrigérateur

50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT DGC50f65m2 à-247

50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT DGC50f65m2 à-247

50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT DGC50f65m2 à-247

50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT DGC50f65m2 à-247

50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT DGC50f65m2 à-247

50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT DGC50f65m2 à-247

1/ 6

Collection

50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT DGC50f65m2 à-247

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Transistor bipolaire trans Darlington NPN IC MC1413PG 50 V.

Transistor bipolaire trans Darlington NPN IC MC1413PG 50 V.

Transistor bipolaire trans Darlington NPN IC MC1413PG 50 V.

Transistor bipolaire trans Darlington NPN IC MC1413PG 50 V.

Transistor bipolaire trans Darlington NPN IC MC1413PG 50 V.

Transistor bipolaire trans Darlington NPN IC MC1413PG 50 V.

1/ 6

Collection

Transistor bipolaire trans Darlington NPN IC MC1413PG 50 V.

0,26-2,00 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

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Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thick Film IC

Emballage: Box

Origine: China

Code SH: 8542390000

Capacité de Production: 1000000PCS

Original (transistor bipolaire NPN BJT) 2SC2873 2SA1213

Original (transistor bipolaire NPN BJT) 2SC2873 2SA1213

Original (transistor bipolaire NPN BJT) 2SC2873 2SA1213

Original (transistor bipolaire NPN BJT) 2SC2873 2SA1213

Original (transistor bipolaire NPN BJT) 2SC2873 2SA1213

Original (transistor bipolaire NPN BJT) 2SC2873 2SA1213

1/ 6

Collection

Original (transistor bipolaire NPN BJT) 2SC2873 2SA1213

0,03 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires Original Bfp196wh6327 12 V 700 MW 100 à 50 mA, 8 V 150 mA SOT-343-4 - Service de nomenclature RoHS BJT

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

1/ 6

Collection

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

4,3-10,6 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Céramique Transistor Emballé

Installation: Plug-in Triode

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Structure: NPN

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 15 a 650 V Dhg15t65dlbbf to-220

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 15 a 650 V Dhg15t65dlbbf to-220

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 15 a 650 V Dhg15t65dlbbf to-220

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 15 a 650 V Dhg15t65dlbbf to-220

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 15 a 650 V Dhg15t65dlbbf to-220

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 15 a 650 V Dhg15t65dlbbf to-220

1/ 6

Collection

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 15 a 650 V Dhg15t65dlbbf to-220

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Transistor bipolaire de on Semiconductor Mmbt2222alt1g

Transistor bipolaire de on Semiconductor Mmbt2222alt1g

Transistor bipolaire de on Semiconductor Mmbt2222alt1g

Transistor bipolaire de on Semiconductor Mmbt2222alt1g

Transistor bipolaire de on Semiconductor Mmbt2222alt1g

Transistor bipolaire de on Semiconductor Mmbt2222alt1g

1/ 6

Collection

Transistor bipolaire de on Semiconductor Mmbt2222alt1g

0,2-10,00 $US / Pièce

2 Pièces (MOQ)

Emi International (Hk) Co. Ltd

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forme: Appartement

Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Semiconductor IC

Emballage: Standed Package with Foam and Tapes

Standard: standard

Marque Déposée: Original

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

1/ 6

Collection

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

0,09-0,12 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Overclocking

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires à transistor scellé or 2n2222A - BJT Bjts to-18-3 Traversant NPN 0,8 a 0,5 W.

0,36-0,45 $US / Pièce

50 Pièces (MOQ)

Shenzhen Haodley Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Or Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Fréquence de travail: Overclocking

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Darlington Tube,Puissance Triode,commutation Triode

Transistor bipolaire à petit signal PBSS4140T

Transistor bipolaire à petit signal PBSS4140T

Transistor bipolaire à petit signal PBSS4140T

Transistor bipolaire à petit signal PBSS4140T

Transistor bipolaire à petit signal PBSS4140T

Transistor bipolaire à petit signal PBSS4140T

1/ 6

Collection

Transistor bipolaire à petit signal PBSS4140T

0,012-200,00 $US / Pièce

500 Pièces (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

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Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Semiconductor IC

Emballage: Box

Origine: China

Code SH: 8542399000

Capacité de Production: 1000000PCS

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

1/ 6

Collection

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

0,2-0,23 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Yangjiang RUI XIAO Enterprise Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 40 a 650 V Dgc40f65m2 to-247

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 40 a 650 V Dgc40f65m2 to-247

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 40 a 650 V Dgc40f65m2 to-247

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 40 a 650 V Dgc40f65m2 to-247

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 40 a 650 V Dgc40f65m2 to-247

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 40 a 650 V Dgc40f65m2 to-247

1/ 6

Collection

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 40 a 650 V Dgc40f65m2 to-247

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Transistors produits semiconducteurs discrets Fzt458ta - bipolaire (BJT) - simple SOT-223-3

Transistors produits semiconducteurs discrets Fzt458ta - bipolaire (BJT) - simple SOT-223-3

Transistors produits semiconducteurs discrets Fzt458ta - bipolaire (BJT) - simple SOT-223-3

Transistors produits semiconducteurs discrets Fzt458ta - bipolaire (BJT) - simple SOT-223-3

Transistors produits semiconducteurs discrets Fzt458ta - bipolaire (BJT) - simple SOT-223-3

Transistors produits semiconducteurs discrets Fzt458ta - bipolaire (BJT) - simple SOT-223-3

1/ 6

Collection

Transistors produits semiconducteurs discrets Fzt458ta - bipolaire (BJT) - simple SOT-223-3

1,00-1,1 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Emballage: N/a

Standard: DIP/SMD

Marque Déposée: N/A

Origine: Original

Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Convertisseurs à induction TO247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate bipolaire Transistor

Convertisseurs à induction TO247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate bipolaire Transistor

Convertisseurs à induction TO247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate bipolaire Transistor

Convertisseurs à induction TO247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate bipolaire Transistor

Convertisseurs à induction TO247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate bipolaire Transistor

Convertisseurs à induction TO247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate bipolaire Transistor

1/ 6

Collection

Convertisseurs à induction TO247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate bipolaire Transistor

2,5-3,00 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: PGA(Emballage Array de Pin Grille)

Traitement du Signal: Numérique

Demande: Pile solaire

Transistor bipolaire de St Microelectronics Bd139

Transistor bipolaire de St Microelectronics Bd139

Transistor bipolaire de St Microelectronics Bd139

Transistor bipolaire de St Microelectronics Bd139

Transistor bipolaire de St Microelectronics Bd139

Transistor bipolaire de St Microelectronics Bd139

1/ 6

Collection

Transistor bipolaire de St Microelectronics Bd139

0,2-10,00 $US / Pièce

2 Pièces (MOQ)

Emi International (Hk) Co. Ltd

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forme: Appartement

Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Semiconductor IC

Emballage: Standed Package with Foam and Tapes

Standard: standard

Marque Déposée: Original

2n3906 Transistor de puissance en ligne PNP, transistor bipolaire, paquet de-92

2n3906 Transistor de puissance en ligne PNP, transistor bipolaire, paquet de-92

2n3906 Transistor de puissance en ligne PNP, transistor bipolaire, paquet de-92

2n3906 Transistor de puissance en ligne PNP, transistor bipolaire, paquet de-92

2n3906 Transistor de puissance en ligne PNP, transistor bipolaire, paquet de-92

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Collection

2n3906 Transistor de puissance en ligne PNP, transistor bipolaire, paquet de-92

0,023-0,1 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Yangjiang RUI XIAO Enterprise Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Small Power

Fonction: Puissance Triode

Structure: PNP

Matériel: Silicium

Transistors bipolaires BC847C BJT NPN 45V 1MA

Transistors bipolaires BC847C BJT NPN 45V 1MA

Transistors bipolaires BC847C BJT NPN 45V 1MA

Transistors bipolaires BC847C BJT NPN 45V 1MA

Transistors bipolaires BC847C BJT NPN 45V 1MA

Transistors bipolaires BC847C BJT NPN 45V 1MA

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Transistors bipolaires BC847C BJT NPN 45V 1MA

0,012-200,00 $US / Pièce

500 Pièces (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

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Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Semiconductor IC

Emballage: Box

Origine: China

Code SH: 8542399000

Capacité de Production: 1000000PCS

Bcp56 bipolaire (transistor NPN BJT) 80V 1.2A 1W

Bcp56 bipolaire (transistor NPN BJT) 80V 1.2A 1W

Bcp56 bipolaire (transistor NPN BJT) 80V 1.2A 1W

Bcp56 bipolaire (transistor NPN BJT) 80V 1.2A 1W

Bcp56 bipolaire (transistor NPN BJT) 80V 1.2A 1W

Bcp56 bipolaire (transistor NPN BJT) 80V 1.2A 1W

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Bcp56 bipolaire (transistor NPN BJT) 80V 1.2A 1W

0,02 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Excellente perte de conduction et de commutation TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Transistor bipolaire Trident Gate

Excellente perte de conduction et de commutation TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Transistor bipolaire Trident Gate

Excellente perte de conduction et de commutation TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Transistor bipolaire Trident Gate

Excellente perte de conduction et de commutation TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Transistor bipolaire Trident Gate

Excellente perte de conduction et de commutation TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Transistor bipolaire Trident Gate

Excellente perte de conduction et de commutation TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Transistor bipolaire Trident Gate

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Collection

Excellente perte de conduction et de commutation TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Transistor bipolaire Trident Gate

2,5-3,00 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: SMD

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

Meilleur Prix Array Darlington transistor bipolaire à 50V 500mA 18-SOIC LSN2803adwr BJT

Meilleur Prix Array Darlington transistor bipolaire à 50V 500mA 18-SOIC LSN2803adwr BJT

Meilleur Prix Array Darlington transistor bipolaire à 50V 500mA 18-SOIC LSN2803adwr BJT

Meilleur Prix Array Darlington transistor bipolaire à 50V 500mA 18-SOIC LSN2803adwr BJT

Meilleur Prix Array Darlington transistor bipolaire à 50V 500mA 18-SOIC LSN2803adwr BJT

Meilleur Prix Array Darlington transistor bipolaire à 50V 500mA 18-SOIC LSN2803adwr BJT

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Meilleur Prix Array Darlington transistor bipolaire à 50V 500mA 18-SOIC LSN2803adwr BJT

0,5-1,00 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Emi International (Hk) Co. Ltd

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Capacité de Production: 50000PCS/Month

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