Accueil Électricité & Électronique Circuit Intégré Transistor bipolaire 2024 Liste de Produits

Transistor bipolaire

produits trouvés de fabricants et grossistes de confiance

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

1/ 6

Collection

30 A, 120 V Darlington NPN Transistor de puissance bipolaires Mj11016G11015g Mj

4,3-10,6 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Céramique Transistor Emballé

Installation: Plug-in Triode

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Structure: NPN

Transistor bipolaire trans Darlington NPN IC MC1413PG 50 V.

Transistor bipolaire trans Darlington NPN IC MC1413PG 50 V.

Transistor bipolaire trans Darlington NPN IC MC1413PG 50 V.

Transistor bipolaire trans Darlington NPN IC MC1413PG 50 V.

Transistor bipolaire trans Darlington NPN IC MC1413PG 50 V.

Transistor bipolaire trans Darlington NPN IC MC1413PG 50 V.

1/ 6

Collection

Transistor bipolaire trans Darlington NPN IC MC1413PG 50 V.

0,26-2,00 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

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Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit

Technique: Thick Film IC

Emballage: Box

Origine: China

Code SH: 8542390000

Capacité de Production: 1000000PCS

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

1/ 6

Collection

Transistors haute puissance Tip36c transistor simple bipolaire, PNP, transistor de puissance complémentaire, composants électroniques, circuit intégré, Équipement de cuisine

0,2-0,23 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Yangjiang RUI XIAO Enterprise Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Niveau d'énergie: Haute puissance

Fonction: Puissance Triode

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistors produits semiconducteurs discrets Fzt458ta - bipolaire (BJT) - simple SOT-223-3

Transistors produits semiconducteurs discrets Fzt458ta - bipolaire (BJT) - simple SOT-223-3

Transistors produits semiconducteurs discrets Fzt458ta - bipolaire (BJT) - simple SOT-223-3

Transistors produits semiconducteurs discrets Fzt458ta - bipolaire (BJT) - simple SOT-223-3

Transistors produits semiconducteurs discrets Fzt458ta - bipolaire (BJT) - simple SOT-223-3

Transistors produits semiconducteurs discrets Fzt458ta - bipolaire (BJT) - simple SOT-223-3

1/ 6

Collection

Transistors produits semiconducteurs discrets Fzt458ta - bipolaire (BJT) - simple SOT-223-3

1,00-1,1 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Emballage: N/a

Standard: DIP/SMD

Marque Déposée: N/A

Origine: Original

Excellente perte de conduction et de commutation TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Transistor bipolaire Trident Gate

Excellente perte de conduction et de commutation TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Transistor bipolaire Trident Gate

Excellente perte de conduction et de commutation TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Transistor bipolaire Trident Gate

Excellente perte de conduction et de commutation TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Transistor bipolaire Trident Gate

Excellente perte de conduction et de commutation TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Transistor bipolaire Trident Gate

Excellente perte de conduction et de commutation TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Transistor bipolaire Trident Gate

1/ 6

Collection

Excellente perte de conduction et de commutation TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Transistor bipolaire Trident Gate

2,5-3,00 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: SMD

Traitement du Signal: Simulation

Demande: Pile solaire

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 15 a 650 V Dhg15t65dlbbf to-220

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 15 a 650 V Dhg15t65dlbbf to-220

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 15 a 650 V Dhg15t65dlbbf to-220

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 15 a 650 V Dhg15t65dlbbf to-220

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 15 a 650 V Dhg15t65dlbbf to-220

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 15 a 650 V Dhg15t65dlbbf to-220

1/ 6

Collection

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 15 a 650 V Dhg15t65dlbbf to-220

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires Bfp650h6327 4 V 500 MW 170 à 70 mA, 3 V 150 mA NPN Sot-343-4 - BJT - Service de nomenclature RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

1/ 6

Collection

IC Pdtc114transistor bipolaire de l'UE Ret bande Pre-Biased trans-7

0,09-0,12 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Forme: ST

Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Overclocking

1/ 2

Collection

Transistor bipolaire original TNZ44H8 TNZ44 44h8

0,598 $US / Pièce

250 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Forme: ST

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Silicium

Standard: standard

2n3906 Transistor de puissance en ligne PNP, transistor bipolaire, paquet de-92

2n3906 Transistor de puissance en ligne PNP, transistor bipolaire, paquet de-92

2n3906 Transistor de puissance en ligne PNP, transistor bipolaire, paquet de-92

2n3906 Transistor de puissance en ligne PNP, transistor bipolaire, paquet de-92

2n3906 Transistor de puissance en ligne PNP, transistor bipolaire, paquet de-92

1/ 5

Collection

2n3906 Transistor de puissance en ligne PNP, transistor bipolaire, paquet de-92

0,023-0,1 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Yangjiang RUI XIAO Enterprise Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Small Power

Fonction: Puissance Triode

Structure: PNP

Matériel: Silicium

Bcp56 bipolaire (transistor NPN BJT) 80V 1.2A 1W

Bcp56 bipolaire (transistor NPN BJT) 80V 1.2A 1W

Bcp56 bipolaire (transistor NPN BJT) 80V 1.2A 1W

Bcp56 bipolaire (transistor NPN BJT) 80V 1.2A 1W

Bcp56 bipolaire (transistor NPN BJT) 80V 1.2A 1W

Bcp56 bipolaire (transistor NPN BJT) 80V 1.2A 1W

1/ 6

Collection

Bcp56 bipolaire (transistor NPN BJT) 80V 1.2A 1W

0,02 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Installation: SMD Triode

Niveau d'énergie: Puissance moyenne

Structure: NPN

Matériel: Silicium

Transistor bipolaire à petit signal PBSS4140T

Transistor bipolaire à petit signal PBSS4140T

Transistor bipolaire à petit signal PBSS4140T

Transistor bipolaire à petit signal PBSS4140T

Transistor bipolaire à petit signal PBSS4140T

Transistor bipolaire à petit signal PBSS4140T

1/ 6

Collection

Transistor bipolaire à petit signal PBSS4140T

0,012-200,00 $US / Pièce

500 Pièces (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

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Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Semiconductor IC

Emballage: Box

Origine: China

Code SH: 8542399000

Capacité de Production: 1000000PCS

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 40 a 650 V Dgc40f65m2 to-247

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 40 a 650 V Dgc40f65m2 to-247

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 40 a 650 V Dgc40f65m2 to-247

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 40 a 650 V Dgc40f65m2 to-247

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 40 a 650 V Dgc40f65m2 to-247

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 40 a 650 V Dgc40f65m2 to-247

1/ 6

Collection

Transistor bipolaire à porte isolée TrenchStop 40 a 650 V Dgc40f65m2 to-247

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires Bfp840esdh6327 2,25V 75MW 260 à 10mA, 1,8 V 35mA Sot-343-4 - Service de nomenclature BJT RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Technologie TGBT avancée TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Transistor bipolaire

Technologie TGBT avancée TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Transistor bipolaire

Technologie TGBT avancée TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Transistor bipolaire

Technologie TGBT avancée TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Transistor bipolaire

Technologie TGBT avancée TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Transistor bipolaire

Technologie TGBT avancée TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Transistor bipolaire

1/ 6

Collection

Technologie TGBT avancée TO247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate Transistor bipolaire

2,5-3,00 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Matériel: Semi-Conducteur d'Élément

Type: Semi-Conducteur de Type N

Paquet: PGA(Emballage Array de Pin Grille)

Traitement du Signal: Numérique

Demande: Réfrigérateur

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G4bc30ud/GRI4bc30ud Insulated Gate Bipolar Transistor avec diode de récupération Soft ultrarapide MOS à effet de champ-220

G4bc30ud/GRI4bc30ud Insulated Gate Bipolar Transistor avec diode de récupération Soft ultrarapide MOS à effet de champ-220

G4bc30ud/GRI4bc30ud Insulated Gate Bipolar Transistor avec diode de récupération Soft ultrarapide MOS à effet de champ-220

G4bc30ud/GRI4bc30ud Insulated Gate Bipolar Transistor avec diode de récupération Soft ultrarapide MOS à effet de champ-220

G4bc30ud/GRI4bc30ud Insulated Gate Bipolar Transistor avec diode de récupération Soft ultrarapide MOS à effet de champ-220

G4bc30ud/GRI4bc30ud Insulated Gate Bipolar Transistor avec diode de récupération Soft ultrarapide MOS à effet de champ-220

1/ 6

Collection

G4bc30ud/GRI4bc30ud Insulated Gate Bipolar Transistor avec diode de récupération Soft ultrarapide MOS à effet de champ-220

50 Pièces (MOQ)

Yangjiang RUI XIAO Enterprise Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed

Installation: Plug-in Triode

Emballage: Tube &Box

Marque Déposée: International Rectifier

Origine: Make in China

Transistors produits semiconducteurs discrets Bfp420h6327xtsa1 - bipolaire (BJT) - RF SOT-343

Transistors produits semiconducteurs discrets Bfp420h6327xtsa1 - bipolaire (BJT) - RF SOT-343

Transistors produits semiconducteurs discrets Bfp420h6327xtsa1 - bipolaire (BJT) - RF SOT-343

Transistors produits semiconducteurs discrets Bfp420h6327xtsa1 - bipolaire (BJT) - RF SOT-343

Transistors produits semiconducteurs discrets Bfp420h6327xtsa1 - bipolaire (BJT) - RF SOT-343

Transistors produits semiconducteurs discrets Bfp420h6327xtsa1 - bipolaire (BJT) - RF SOT-343

1/ 6

Collection

Transistors produits semiconducteurs discrets Bfp420h6327xtsa1 - bipolaire (BJT) - RF SOT-343

1,00-1,1 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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Emballage: N/a

Standard: DIP/SMD

Marque Déposée: N/A

Origine: Original

Transistors bipolaires BC847C BJT NPN 45V 1MA

Transistors bipolaires BC847C BJT NPN 45V 1MA

Transistors bipolaires BC847C BJT NPN 45V 1MA

Transistors bipolaires BC847C BJT NPN 45V 1MA

Transistors bipolaires BC847C BJT NPN 45V 1MA

Transistors bipolaires BC847C BJT NPN 45V 1MA

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires BC847C BJT NPN 45V 1MA

0,012-200,00 $US / Pièce

500 Pièces (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

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Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Semiconductor IC

Emballage: Box

Origine: China

Code SH: 8542399000

Capacité de Production: 1000000PCS

50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dhg50T65dlbbw

50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dhg50T65dlbbw

50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dhg50T65dlbbw

50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dhg50T65dlbbw

50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dhg50T65dlbbw

50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dhg50T65dlbbw

1/ 6

Collection

50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dhg50T65dlbbw

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor d'origine Bfp450h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor d'origine Bfp450h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor d'origine Bfp450h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor d'origine Bfp450h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor d'origine Bfp450h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor d'origine Bfp450h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

1/ 6

Collection

Transistors bipolaires SOT-343-4 à transistor d'origine Bfp450h6327 - nomenclature RoHS BJT Service

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

1/ 6

Collection

Transistor d'origine 2SC5200 2SA1943 1943 5200 Amplificateur de puissance PNP transistors en silicium à-3P

1,00-1,238 $US / Pièce

500 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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Fonction: Commutateur Transistor

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Silicium

Emballage: /

Standard: /

Marque Déposée: /

Transistors SOT23 SMD

Transistors SOT23 SMD

Transistors SOT23 SMD

Transistors SOT23 SMD

Transistors SOT23 SMD

Transistors SOT23 SMD

1/ 6

Collection

Transistors SOT23 SMD

0,003 $US / Pièce

1 000 Pièces (MOQ)

Elecsound Technology Company Limited

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forme: TREMPER

Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Semiconductor IC

Emballage: Bulk / Reel

Standard: ROHS

Marque Déposée: ELECSOUND

Irg4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistor

Irg4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistor

Irg4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistor

Irg4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistor

Irg4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistor

Irg4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistor

1/ 6

Collection

Irg4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistor

12,00-14,00 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Forme: ST

Fonction: Transistor Haute Pression Retour,Micro-ondes Transistor,Commutateur Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Matériel: Silicium

Transistor bipolaire Mmbt5401 original PNP 150V 600mA 300MHz 350MW surface Monter le berceau-23

Transistor bipolaire Mmbt5401 original PNP 150V 600mA 300MHz 350MW surface Monter le berceau-23

Transistor bipolaire Mmbt5401 original PNP 150V 600mA 300MHz 350MW surface Monter le berceau-23

Transistor bipolaire Mmbt5401 original PNP 150V 600mA 300MHz 350MW surface Monter le berceau-23

Transistor bipolaire Mmbt5401 original PNP 150V 600mA 300MHz 350MW surface Monter le berceau-23

Transistor bipolaire Mmbt5401 original PNP 150V 600mA 300MHz 350MW surface Monter le berceau-23

1/ 6

Collection

Transistor bipolaire Mmbt5401 original PNP 150V 600mA 300MHz 350MW surface Monter le berceau-23

0,1 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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certificat: ISO

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi

Fonction: Micro-ondes Transistor

Fréquence de travail: Haute fréquence

Structure: La diffusion

2N5401 en ligne Le transistor de puissance PNP, transistor bipolaire, paquet de-92

2N5401 en ligne Le transistor de puissance PNP, transistor bipolaire, paquet de-92

2N5401 en ligne Le transistor de puissance PNP, transistor bipolaire, paquet de-92

2N5401 en ligne Le transistor de puissance PNP, transistor bipolaire, paquet de-92

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Collection

2N5401 en ligne Le transistor de puissance PNP, transistor bipolaire, paquet de-92

0,023-0,1 $US / Pièce

100 Pièces (MOQ)

Yangjiang RUI XIAO Enterprise Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fréquence de travail: Basse fréquence

Niveau d'énergie: Small Power

Fonction: Puissance Triode

Structure: PNP

Matériel: Silicium

Nouveaux circuits IC originaux Infineon Ipd100n04s402atma1 également connu sous le nom de Ipd100n04s4-02 Transistor de puissance N-CH MOSFET de transmission 40 V 100 a automobile en stock

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Nouveaux circuits IC originaux Infineon Ipd100n04s402atma1 également connu sous le nom de Ipd100n04s4-02 Transistor de puissance N-CH MOSFET de transmission 40 V 100 a automobile en stock

Nouveaux circuits IC originaux Infineon Ipd100n04s402atma1 également connu sous le nom de Ipd100n04s4-02 Transistor de puissance N-CH MOSFET de transmission 40 V 100 a automobile en stock

Nouveaux circuits IC originaux Infineon Ipd100n04s402atma1 également connu sous le nom de Ipd100n04s4-02 Transistor de puissance N-CH MOSFET de transmission 40 V 100 a automobile en stock

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Nouveaux circuits IC originaux Infineon Ipd100n04s402atma1 également connu sous le nom de Ipd100n04s4-02 Transistor de puissance N-CH MOSFET de transmission 40 V 100 a automobile en stock

0,88-1,25 $US / Pièce

1 Pièce (MOQ)

Telefly Telecommunications Equipment Co., Ltd.

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Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Semiconductor IC

Emballage: T/R

Standard: 40 V 2 mOhm 100 A

Marque Déposée: Infineon

Origine: Original

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G30N120D pour-247

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G30N120D pour-247

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G30N120D pour-247

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G30N120D pour-247

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G30N120D pour-247

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G30N120D pour-247

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Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G30N120D pour-247

0,01-1,5 $US / Pièce

5 000 Pièces (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

Visite Virtuelle à 360

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Manufacturing Technology: Dispositif Discret

Type: Semi-Conducteur de Type N

Emballage: Tube

Marque Déposée: WXDH

Origine: Wuxi, China

Code SH: 8541290000

Transistors bipolaires BCX56-16 BJT NPN puissance moyenne

Transistors bipolaires BCX56-16 BJT NPN puissance moyenne

Transistors bipolaires BCX56-16 BJT NPN puissance moyenne

Transistors bipolaires BCX56-16 BJT NPN puissance moyenne

Transistors bipolaires BCX56-16 BJT NPN puissance moyenne

Transistors bipolaires BCX56-16 BJT NPN puissance moyenne

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Transistors bipolaires BCX56-16 BJT NPN puissance moyenne

0,012-200,00 $US / Pièce

500 Pièces (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

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Conductive type: Circuit intégré bipolaire,

Technique: Semiconductor IC

Emballage: Box

Origine: China

Code SH: 8542399000

Capacité de Production: 1000000PCS

Transistors bipolaires Original Bfr182e6327 12 V 250 MW 100 à 10 mA, 8 V 35 mA Sot-23 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Original Bfr182e6327 12 V 250 MW 100 à 10 mA, 8 V 35 mA Sot-23 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Original Bfr182e6327 12 V 250 MW 100 à 10 mA, 8 V 35 mA Sot-23 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Original Bfr182e6327 12 V 250 MW 100 à 10 mA, 8 V 35 mA Sot-23 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Original Bfr182e6327 12 V 250 MW 100 à 10 mA, 8 V 35 mA Sot-23 - Service de nomenclature BJT RoHS

Transistors bipolaires Original Bfr182e6327 12 V 250 MW 100 à 10 mA, 8 V 35 mA Sot-23 - Service de nomenclature BJT RoHS

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Transistors bipolaires Original Bfr182e6327 12 V 250 MW 100 à 10 mA, 8 V 35 mA Sot-23 - Service de nomenclature BJT RoHS

0,1 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS,CE,ISO

Forme: ST

Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube

Encapsulation Structure: Chip Transistor

Matériel: Germanium

Emballage: Package

Njw21193G Njw21194G 200W de puissance bipolaires Transistors PNP Njw21193 Njw21194

Njw21193G Njw21194G 200W de puissance bipolaires Transistors PNP Njw21193 Njw21194

Njw21193G Njw21194G 200W de puissance bipolaires Transistors PNP Njw21193 Njw21194

Njw21193G Njw21194G 200W de puissance bipolaires Transistors PNP Njw21193 Njw21194

Njw21193G Njw21194G 200W de puissance bipolaires Transistors PNP Njw21193 Njw21194

Njw21193G Njw21194G 200W de puissance bipolaires Transistors PNP Njw21193 Njw21194

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Njw21193G Njw21194G 200W de puissance bipolaires Transistors PNP Njw21193 Njw21194

1,00-2,5 $US / Pièce

10 Pièces (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

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certificat: RoHS

Fréquence de travail: Haute fréquence

Niveau d'énergie: Haute puissance

Matériel: Silicium

Standard: /

Marque Déposée: CHN

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